JPH08273123A

JPH08273123A - 磁気ヘッド及びその製造方法

Info

Publication number: JPH08273123A
Application number: JP7558195A
Authority: JP
Inventors: Masahiro Kawase; 正博川瀬
Original assignee: Canon Electronics Inc
Current assignee: Canon Electronics Inc
Priority date: 1995-03-31
Filing date: 1995-03-31
Publication date: 1996-10-18

Abstract

(57)【要約】【目的】磁気インピーダンス効果を利用した磁気検出
素子を用いて高感度で再生を行え記録の高密度化に対応
できる磁気ヘッドを提供する。【構成】磁性体からなるコア半体１０Ａ，１０Ｂを磁
気ギャップＧを介して接合してなる第１のコア１０と、
上記磁気検出素子として形成された第２のコア１６とで
閉磁路が構成される。第１のコア１０の媒体摺動面と反
対側の底面にはコア半体１０Ａ，１０Ｂと、この間に充
填された非磁性材のガラス１４が露出する。第２のコア
１６は、非磁性基板１３上に成膜された高透磁率磁性膜
として構成され、絶縁膜１５を介して第１のコア１０の
底面に接合され、前記底面のガラス１４部分をわたって
コア半体１０Ａ，１０Ｂ部分のそれぞれに掛かり、さら
に両端部が前記底面の両側に露出する。その両端部上に
導電膜からなる端子１８が形成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は磁気記録媒体に対し情報
の磁気記録または再生を行なう磁気ヘッド及びその製造
方法に関し、特に磁気インピーダンス効果を利用した磁
気検出素子を使用して再生を行なう磁気ヘッド及びその
製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】最近のディジタル磁気記録機器は小型化
が進み、例えば、コンピュータの外部記憶装置のハード
ディスクやディジタルオーディオのディジタルコンパク
トカセット（ＤＣＣ）に於いて、従来の誘導型の磁気ヘ
ッドではトラック幅及び相対速度の減少によるＳ／Ｎの
低下が生じるため、再生ヘッドに磁気抵抗（以下ＭＲと
略す）素子が使われている。ＭＲ素子は媒体の速度依存
性が無く、低速での出力の取り出しに向いているが、抵
抗変化率が数％しかないため、将来の高密度化の為には
更に感度の高い素子の開発が望まれている。

【０００３】そこで、最近注目を集めているのが、特開
平６−２８１７１２号に開示されている磁気インピーダ
ンス（以下ＭＩと略す）であり、磁性体にＭＨｚ帯域の
高周波電流を流し、その両端の電圧の振幅が数ガウスの
微小磁界で数十％変化する現象、すなわち磁気インピー
ダンス効果を利用したものである。

【０００４】ＭＩ素子の利点は、磁性体の長さ方向に励
磁しないため反磁界の影響が無く素子の長さを１ｍｍ以
下程度に短くでき小型化に適していること、また、磁束
検出の分解能が、ＭＲ素子が０．１Ｏｅの低感度に対し
て、１０^-5Ｏｅ程度の高感度が得られることである。ま
た、インピーダンス変化量もＭＲ素子が３％程度に対
し、ＭＩ素子は数１０％オーダーの変化が得られる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところが、ＭＩ素子を
磁路が開いた磁気ヘッドとして使用すると、磁気記録媒
体の微小磁化に対して、以下に述べることより問題が生
ずる。

【０００６】通常ＭＲ素子は数百オングストロームの厚
さで機能させるのに対し、ＭＩ素子は渦電流の効果を使
うためにミクロンオーダーの厚さが必要であり、性能上
でインピーダンスをある程度の大きさを得るためには、
ＭＩ素子の方が素子の長さを必要とする。実際の長さと
して、ＭＲ素子が１００μｍ以下でも機能できるのに対
しＭＩ素子は１００μｍ以下で機能させるのは困難であ
る。

【０００７】しかし、磁気記録媒体の記録波長が短くな
ると、媒体の記録磁化から発生する磁束が出にくくな
り、矩形状のＭＩ素子では図１４に示すように、磁気記
録媒体１４０からの磁束をＭＩ素子１４１の奥深くまで
導くことが困難となる。このことは、磁路がオープンの
形態では感度の高いＭＩ素子もその能力が生かせないこ
とを意味する。

【０００８】そこで、ＭＩ素子の能力を生かすための方
法としては、媒体からの磁束がＭＩ素子に十分に印加さ
れるように、閉磁路の構造をとることになるが、その場
合、以下の点を満足する必要がある。

【０００９】１）前述の通りＭＩ素子の有効長を確保す
るための領域確保が必要である。

【００１０】２）ＭＩ素子にはドライブ電流を流すた
め、電気的な短絡や摺動面への電流の流れ出しが無いよ
うに、ＭＩ素子を周辺の磁路と電気的に絶縁する必要が
ある。

【００１１】３）ＭＩ素子の端子と外部配線の接続、い
わゆる端子からの引き出しが容易であること。

【００１２】４）生産性に優れていること。

【００１３】そこで本発明の課題は、磁気インピーダン
ス効果を利用した磁気検出素子の能力を生かす閉磁路の
構造を採用した磁気ヘッドであって、上記の点を満足
し、高感度で再生を行なえ、記録の高密度化に対応でき
る磁気ヘッド及びその製造方法を提供することにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明によれば、第１の磁気ヘッドの構成として、
磁性体からなる一対のコア半体を磁気ギャップを介して
接合してなる第１のコアと、磁気インピーダンス効果を
利用した磁気検出素子として形成された第２のコアとで
閉磁路を構成し、前記磁気検出素子の両端から再生出力
を得る磁気ヘッドにおいて、前記第１のコアの磁気記録
媒体摺動面と反対側の底面には、前記一対のコア半体
と、このコア半体間に設けられた非磁性材が露出してお
り、前記磁気検出素子としての第２のコアは、非磁性基
板上に成膜された高透磁率磁性膜として構成され、絶縁
膜を介して前記第１のコアの底面に接合された構成を採
用した。

【００１５】また、この磁気ヘッドの製造方法であっ
て、高透磁率磁性体からなる基板の表面に、それぞれ前
記第１のコアのギャップデプスとトラック幅を規制する
規制溝を形成し、さらに磁気ギャップを形成するための
非磁性膜を形成した後、前記基板に、該基板と同様に加
工した高透磁率磁性体からなる基板を接合し、この基板
どうしの接合体を切断することにより、前記第１のコア
がトラック幅方向に複数個分連続したものに相当する第
１のコアブロックを形成する工程と、非磁性基板の表面
に、前記第２のコアとなる高透磁率磁性膜と端子となる
導電膜を形成した後、前記非磁性基板を切断することに
より前記第２のコアが非磁性基板上でトラック幅方向に
複数個分連続して形成されたものに相当する第２のコア
ブロックを得る工程と、前記第１のコアブロックの底面
に絶縁膜を形成した後、前記第１のコアブロックを第２
のコアブロック上に接合し、さらに前記第１と第２のコ
アブロックの接合体をトラック幅方向に所定間隔で切断
して前記磁気ヘッドを複数個得る工程とを有する製造方
法を採用した。

【００１６】さらに、本発明によれば、第２の磁気ヘッ
ドの構成として、それぞれ複数の非磁性基板と磁性体を
交互に積層してなる一対のコアブロック半体を磁気ギャ
ップを介して接合してなる第１のコアブロックと、非磁
性基板上に、高透磁率磁性膜からなる磁気インピーダン
ス効果を利用した磁気検出素子を前記第１のコアブロッ
クの磁性体に対応した間隔で複数形成してなる第２のコ
アブロックからなり、前記第２のコアブロック上に絶縁
膜を介して第１のコアブロックが接合され、前記第１の
コアブロックの磁性体と第２のコアブロックの磁気検出
素子のそれぞれとで複数の閉磁路が形成され、前記磁気
検出素子のそれぞれの両端から再生出力を得るようにし
た構成を採用した。

【００１７】また、この磁気ヘッドの製造方法であっ
て、複数の非磁性基板と磁性体を交互に積層して接合し
たものを切断し、この切断で得られた積層プレートにギ
ャップデプスを規制する規制溝を形成し、さらに磁気ギ
ャップを形成するための非磁性膜を成膜した後、前記積
層プレートと同様に加工された積層プレートを接合し、
前記接合により得られた接合体を切断して前記第１のコ
アブロックを複数個得る工程と、非磁性基板上に高透磁
率磁性膜と導電膜を成膜し、前記高透磁率磁性膜と導電
膜から前記磁気検出素子と端子の複数組が連続したもの
に相当するストライプを形成した後、前記非磁性基板を
切断して前記第２のコアブロックを複数個得る工程と、
前記第１のコアブロックの底面に絶縁膜を形成した後、
前記第１のコアブロックを第２のコアブロック上に接合
して前記磁気ヘッドを得る工程とを有する製造方法を採
用した。

【００１８】

【作用】上記第１の磁気ヘッドの構成によれば、まず磁
気検出素子（第２のコア）の有効長を得るための領域が
第１のコアの底面に十分に確保できる。磁気ヘッド全体
の磁路は少し媒体摺動方向に引き延ばされて大きくなる
が、第１のコアの高さを低くすることにより短くするこ
とができる。また、第１のコアと磁気検出素子間に絶縁
膜が介在するので、磁気検出素子にドライブ電流を印加
しても媒体摺動面側に流出したり短絡したりすることは
ない。

【００１９】さらに磁気検出素子の両端上に導電膜から
なる端子を形成すれば、端子の大きさも十分確保でき、
半田付け等による端子からの引き出しも容易に行なえ
る。また、非磁性基板の大きさによって、実装するため
に十分な取り付け面積を確保することができる。

【００２０】また、上記第１の磁気ヘッドの製造方法に
よれば、第１と第２のコアブロックから上記第１の磁気
ヘッドを１度に多数個得る多数個取りが可能である。

【００２１】また、上記第２の磁気ヘッドの構成によれ
ば、第１の磁気ヘッドの構成と同様の作用が得られる上
に、それぞれ再生を行える複数の閉磁路を有するマルチ
トラックヘッドとして機能することができる。

【００２２】また、上記第２の磁気ヘッドの製造方法に
よれば、上記第２の磁気ヘッドを一度に複数個製造する
ことができる。

【００２３】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に
説明する。

【００２４】［第１実施例］図１は本発明による磁気ヘ
ッドの第１実施例の構造を示しており、（ａ）は不図示
の磁気記録媒体に摺動接触する磁気記録媒体摺動面（以
下、摺動面と略す）、（ｂ）は側面を示している。

【００２５】図１において、１０は第１のコアであり、
強磁性酸化物であるフェライトからなる一対のコア半体
１０Ａ，１０Ｂを摺動面側で磁気ギャップＧを介して突
き合わせ、非磁性材であるガラス１４により接合して構
成されている。ガラス１４はコア半体１０Ａ，１０Ｂ間
に充填され、磁気ギャップＧのトラック幅を規制するた
めに摺動面に形成された規制溝１２にも充填されてい
る。第１のコア１０の底面の磁気記録媒体摺動方向（以
下、媒体摺動方向と略す）の両端部にはコア半体１０
Ａ，１０Ｂの底面が後述の磁気インピーダンス効果を利
用した磁気検出素子としてのＭＩ素子と磁路を接続する
磁路接続面１１Ａ，１１Ｂとして露出し、中間部にはガ
ラス１４が露出している。この底面におけるガラス１４
の媒体摺動方向の幅ＷｍがＭＩ素子の有効長となる。こ
のＭＩ素子の有効長Ｗｍは、０．１ｍｍ以下ではほとん
どＭＩ効果が得られないので０．１ｍｍを下限とし、磁
路の拡大が許容できる２ｍｍまでの範囲で設定するのが
好ましい。

【００２６】また、第１のコア１０の底面の全面を覆う
ように絶縁膜１５が成膜されている。絶縁膜１５は、Ｓ
ｉＯ₂，Ｃｒ₂Ｏ₃，ＴｉＯ₂等の酸化物からなり真空成膜
技術により形成される。絶縁膜１５の厚さは、厚すぎる
とコア１０と次に述べるコア１６間の接合部の磁気抵抗
増となり効率が低下するため上限を１μｍとし、また電
気的絶縁を得る最小限の厚さより下限を０．１μｍと
し、その範囲内で決定する。

【００２７】次に、１６はＭＩ素子として形成された第
２のコアであり、第１のコア１０と同じ厚さの非磁性基
板１３の上端面に、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ系アモルファス膜あ
るいはＦｅ−Ｃ系，Ｆｅ−Ｎ系の微結晶膜等の高透磁率
磁性膜として真空成膜技術で形成されており、絶縁膜１
５が形成された第１のコア１０の底面に接合されてい
る。

【００２８】コア１６の厚さは、薄すぎると磁気ヘッド
全体の磁気抵抗の増加となることや、厚すぎるとＭＩ素
子のインピーダンスが小さくなりＭＩ効果が小さくなる
ため、１μｍから２０μｍの間で設定する。またコア１
６の磁性膜は磁化容易軸が図１（ａ）中の矢印方向（ト
ラック幅方向）になるように磁場中アニール等の熱処理
が施されている。

【００２９】非磁性基板１３は、チタン酸カルシウム
（Ｔｉ−Ｃａ系セラミック），酸化物ガラス，チタニア
（ＴｉＯ₂），アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）等で形成され、そ
の媒体摺動方向の幅Ｗｓは第１のコア１０の底面の媒体
摺動方向の幅Ｗｃより大きい。第２のコア１６は非磁性
基板１３の上端面の全面にわたって形成されているの
で、その媒体摺動方向の幅もＷｓとなり、媒体摺動方向
にコア１０底面の全幅をわたり、両端部が第１のコア１
０の両側に露出する。その露出した両端部のそれぞれの
上に端子１８がＣｕ，Ａｕ等の導電膜として形成されて
おり、この端子１８を介してＭＩ素子としてのコア１６
の両端から再生出力が取り出される。

【００３０】このような構成によれば、第１のコア１０
と第２のコア１６とで閉磁路が構成され、第１のコア１
０を介して磁気記録媒体の記録磁化による磁束がＭＩ素
子としての第２のコア１６に十分に印加される。ＭＩ素
子の有効長Ｗｍは十分な長さ確保することができる。ま
た、絶縁膜１５による絶縁によって、ＭＩ素子のドライ
ブ電流の短絡、摺動面への流出を防ぐことができる。従
って、再生を問題なく高感度で良好に行なうことができ
る。

【００３１】次に、本実施例の磁気ヘッドの製造方法に
ついて、図２〜図４を用いて説明する。

【００３２】まず、図２（ａ）〜（ｅ）は、第１のコア
１０をトラック幅方向に複数個分連続させたものに相当
する第１のコアブロック２８を製造する工程を示してお
り、それは従来のＶＴＲ用ヘッドに見られるような誘導
型磁気ヘッドのコアの製造方法に準ずるが、摺動部の部
分だけを取り出せばよいので従来と同じ大きさのフェラ
イト材からの取り個数は増える。

【００３３】その工程では、まず図２（ａ）に示すよう
に、コア材として強磁性酸化物磁性材のフェライトから
長方形の厚板状に形成されたフェライト材２０の表面を
平面研磨する。そして、図２（ｂ）に示すように、磁気
ヘッドの磁気ギャップＧのギャップデプス及び先述のＭ
Ｉ素子の有効長Ｗｍを規制する台形状の規制溝２２を複
数本平行にフェライト材２０に形成する。

【００３４】さらに、図２（ｃ）に示すように、フェラ
イト材２０の表面に、規制溝２２に対して垂直方向に、
トラック幅を規制する図１中の規制溝１２に相当する規
制溝２４を等間隔で平行に形成する。

【００３５】そして、フェライト材２０の表面に、磁気
ギャップを形成するための不図示のＳｉＯ₂，Ｃｒ₂Ｏ₃
等のギャップ材の非磁性薄膜を成膜した後に、図２
（ｄ）に示すように、フェライト２０と全く同様に加工
されたフェライト材２０′を突き合わせ、ガラス棒２６
を規制溝２２中に挿入し、ガラス溶着にてフェライト材
２０，２０′を接合する。ガラス棒２６のガラスが図１
中のガラス１４となる。この時使用するガラスの量は規
制溝２２，２４の全体を十分埋めるだけの量を供給す
る。

【００３６】その後、図２（ｅ）に示すように、フェラ
イト材２０，２０′を接合したブロックを破線で示した
切断線に沿って切断し、Ａ，Ｂ，Ｃで示す上述の第１の
コアブロック２８を取り出す。仕上げに、この取り出し
たコアブロック２８の規制溝２２側の切断面に平面研削
を行う。

【００３７】次に、図３（ａ）〜（ｄ）は、第２のコア
１６が非磁性基板上でトラック幅方向に複数個分連続し
て形成されたものに相当する第２のコアブロック３６を
製造する工程を示している。

【００３８】その工程では、まず図３（ａ）に示すチタ
ン酸カルシウム（Ｔｉ−Ｃａ系セラミック），酸化物ガ
ラス，チタニア（ＴｉＯ₂），アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）等
からなる非磁性基板３０の表面を平面研磨する。

【００３９】次に、図３（ｂ）に示す通り、非磁性基板
３０の表面に、ＭＩ素子となるＦｅ−Ｃｏ−Ｂ系アモル
ファス膜あるいはＦｅ−Ｃ系，Ｆｅ−Ｎ系の微結晶膜等
の高透磁率磁性膜３２を真空成膜技術で形成する。

【００４０】次に、図３（ｃ）に示す通り、磁性膜３２
上に、真空成膜技術により端子１８となるＣｕ，Ａｕ等
の帯状の導電膜３４を図１中の幅Ｗｓに対応した所定間
隔で平行に複数本成膜する。必要に応じて付着強度向上
のためにＣｒ，Ｎｉ等の下地膜を成膜してもよい。

【００４１】次に、図３（ｄ）に示す通り、非磁性基板
３０を破線で示す切断線に沿って切断して上述の第２の
コアブロック３６を得る。

【００４２】以上のようにして第１と第２のコアブロッ
ク２８，３６を得た後、コアブロック２８，３６を接合
するが、その前に、図４（ａ）に示す通り、第１のコア
ブロック２８の底面に絶縁膜１５となるＳｉＯ₂，Ｃｒ₂
Ｏ₃等の酸化物絶縁膜４０を０．１〜１μｍの厚さで形
成する。

【００４３】次に、絶縁膜４０上に不図示の低融点ガラ
ス膜を真空成膜技術により成膜した後、図４（ｂ）のよ
うに第２のコアブロック３６上に第１のコアブロック２
８を重ねて、全体を加熱し、ガラス溶着によりブロック
２８，３６を接合する。

【００４４】その他の接合方法として、ブロック２８，
３６の接合面の両方にＡｕ膜を形成し３５０〜４００℃
で拡散接合する方法があり、また信頼性が許されれば有
機接着も可能である。

【００４５】次に、図４（ｃ）に破線で示す切断線に沿
ってブロック２８，３６の接合体を切断することによ
り、本実施例の磁気ヘッドが１度に多数個得られる。こ
のように多数個取りが可能であり、本実施例の磁気ヘッ
ドを安価に製造することができる。

【００４６】次に、本実施例の磁気ヘッドの実装につい
て簡単に説明すると、図５に示す通り、ヘッドの非磁性
基板１３部分を基台５０に接着してヘッドを基台５０に
取り付けた後、ヘッドの摺動面を円筒形に研磨する。そ
の後、ヘッドの端子１８と基台５０側の端子５５にワイ
ヤー５２を半田５３，５４で半田付けして接続する。端
子１８の面積はワイヤー５２の半田付けに十分な面積を
確保でき、端子からの引き出しは容易に行なえる。ま
た、非磁性基板１３によって基台５０との接着面積が大
きくでき、容易かつ確実に実装することができる。

【００４７】なお、第１のコア１０を基台５０に接着し
てヘッドを実装するのではなく、非磁性基板１３部分を
接着して実装するので、第１のコア１０の高さを低くし
ても実装に支障がなく、これによりヘッドの磁路を短く
し、再生効率を向上することができる。

【００４８】ところで、上記実施例の構成において、非
磁性基板１３の形状は長方形に限らず、例えば図６に変
形例として示すように、逆のホームベース型とし、第１
のコア１０の両側に露出する非磁性基板１３の上端面の
両端部をコア１０の底面に対し下方へ傾斜させるように
してもよい。この場合、第２のコア１６の端子１８が摺
動面から離間する下方に傾斜することにより、端子１８
に接続される不図示のワイヤーが摺動面側に突出しない
ので、第１のコア１０の高さが小さくても端子１８から
の引き出しを容易にすることができる。

【００４９】また、他の変形例として図７に示すよう
に、非磁性基板１３の媒体摺動方向の幅を第１のコア１
０と同じとし、端子１８を設けた第２のコア１６の両端
部を非磁性基板１３の上端面から媒体摺動方向両側の端
面の上端部に連続して設けるようにしてもよい。この場
合も図６の変形例と同様に第１のコア１０の高さが小さ
くても端子１８からの引き出しを容易にすることができ
る。

【００５０】更に上記実施例のヘッドをマルチトラック
化した変形例を図８に示してある。このマルチトラック
ヘッドは、上記実施例の製造工程における図４（ｃ）の
コアブロック２８，３６の接合体を切断する工程におい
て破線で示す切断線に沿って完全に切り離すように切断
するかわりに、コアブロック２８の上面からコアブロッ
ク３６の上面のわずかに下の所まで切断して１トラック
分づつ交互に切り欠くようにして製造されたものであ
る。コアブロック３６の長手方向（トラック幅方向）に
所定間隔で前記切り欠きによる溝３６ａが形成され、隣
り合う溝３６ａどうしの間の凸部のそれぞれの上に第２
のコア１６と端子１８が形成され、第２のコア１６のそ
れぞれの上に第１のコア１０が絶縁膜を介して接合され
た構造となる。すなわち、第１のコア１０と第２のコア
１６からなる閉磁路が共通の非磁性基板上でトラック幅
方向に沿って複数並設された構成のマルチトラックヘッ
ドとなる。このようにコアブロック２８，３６の接合体
の切断の仕方によってマルチトラックヘッドが容易に得
られる。

【００５１】ところで、上記第１実施例および変形例に
おいて、第１のコア１０は、全体がフェライトからなる
一対のコア半体１０Ａ，１０Ｂを接合してなるフェライ
トコアとして構成されたものとしたが、フェライトから
なり磁気ギャップＧを介して突き合わされる突き合わせ
面に金属磁性膜が成膜された一対のコア半体を接合して
なるメタルインギャップコアとして構成してもよい。ま
た高透磁率磁性膜の積層を非磁性材で挟んで構成された
積層コアとしてもよい。

【００５２】［第２実施例］次に、本発明の第２実施例
を図９〜図１１により説明する。本実施例の磁気ヘッド
は、図１１（ｂ）に示すマルチトラックヘッドであり、
まず、その構造を説明する。

【００５３】図１１（ｂ）において、９８は第１のコア
ブロックであり、それぞれ複数の非磁性基板９０と高透
磁率磁性膜９２を交互に積層してなる一対のコアブロッ
ク半体９８Ａ，９８Ｂが非磁性膜のギャップ材からなる
磁気ギャップＧを介して接合して形成されている。コア
ブロック半体９８Ａ，９８Ｂ間には両者を接合するため
の非磁性材のガラス１４が充填されている。コアブロッ
ク９８の摺動面（図中上面）と反対側の底面には、コア
ブロック半体９８Ａ，９８Ｂとその間のガラス１４が露
出しており、その上に不図示の絶縁膜が成膜されてい
る。

【００５４】また図１１（ｂ）において、１０６は第２
のコアブロックであり、第１のコアブロック９８より幅
が大きな非磁性基板１００の上面に、高透磁率磁性膜か
らなるストライプ状のＭＩ素子１１６が第１のコアブロ
ック９８の高透磁率磁性膜９２に対応したピッチで複数
形成されており、それぞれの両端部上に導電膜からなる
端子１１８が形成されている。

【００５５】このような第２のコアブロック１０６上に
第１のコアブロック９８を重ね、ＭＩ素子１１６と高透
磁率磁性膜９２のそれぞれの位置を合わせてコアブロッ
ク９８，１０６を接合してマルチトラックヘッドが構成
されている。ＭＩ素子１１６のそれぞれはコアブロック
９８底面の絶縁膜を介してガラス１４部分を渡り、コア
ブロック半体９８Ａ，９８Ｂの高透磁率磁性膜９２のそ
れぞれに掛かり、さらに端子１１８を設けた両端部がコ
アブロック９８の底面の両側に露出する。

【００５６】このような構成によれば、高透磁率磁性膜
９２とＭＩ素子１１６のそれぞれにより、トラック幅方
向に並んだ複数の閉磁路が構成され、そのそれぞれにお
いて磁性膜９２を介して磁気記録媒体の記録磁化による
磁束がＭＩ素子１１６に印加されることにより再生を行
うことができ、マルチトラックヘッドとして機能するこ
とができる。また、個々のトラックのそれぞれにおいて
第１実施例と同様の作用効果が得られる。

【００５７】次に、本実施例のマルチトラックヘッドの
製造方法を図９〜図１１により説明する。

【００５８】まず、図９（ａ）〜（ｆ）は、図１１
（ｂ）中の第１のコアブロック９８を製造する工程を示
しており、それは従来の積層ヘッドの製造方法に準ずる
が、摺動部の部分だけを取り出せばよいので従来と同じ
大きさの材料からの取り個数は増える。

【００５９】その工程では、まず図９（ａ）に示す通
り、チタン酸カルシウム（Ｔｉ−Ｃａ系セラミック），
酸化物ガラス，チタニア（ＴｉＯ₂），アルミナ（Ａｌ₂
Ｏ₃）等からなる非磁性基板９０の表面を平面研磨す
る。

【００６０】次に、図９（ｂ）に示す通り、非磁性基板
９０の表面全面に、センダスト，パーマロイ，アモルフ
ァス等の高透磁率磁性膜９２を真空成膜技術等により、
所定のトラック幅に対応した厚さで形成する。

【００６１】次に、図９（ｃ）のように、磁性膜９２を
成膜した非磁性基板９０を複数枚積層し、ガラス接合等
の無機接着により接合する。そして、破線に示す通り切
断し、積層プレート９３を得る。

【００６２】次に、積層プレート９３の切断した表面を
ラップし、図９（ｄ）に示すように、ギャップデプスと
ＭＩ素子の有効長を規制する規制溝９４を複数本平行に
形成する。

【００６３】次に、積層プレート９３の表面に磁気ギャ
ップを形成するための不図示のＳｉＯ₂，Ｃｒ₂Ｏ₃等の
ギャップ材の非磁性膜を成膜した後、図９（ｅ）のよう
に、積層プレート９３と同様に加工された積層プレート
９３′を突き合わせ、ガラス棒９６を規制溝９４に挿入
し、加熱してガラス溶着で積層プレート９３，９３′を
接合する。

【００６４】さらに、図９（ｆ）の通り積層プレート９
３，９３′の接合体を破線に沿って切断することによ
り、第１のコアブロック９８が符号Ａ，Ｂ，Ｃで示すよ
うに、複数個得られる。

【００６５】次に、図１０（ａ）〜（ｄ）は図１１
（ｂ）中の第２のコアブロック１０６を製造する工程を
示している。

【００６６】その工程では、まず図１０（ａ）に示す通
り、チタン酸カルシウム（Ｔｉ−Ｃａ系セラミック），
酸化物ガラス，チタニア（ＴｉＯ₂），アルミナ（Ａｌ₂
Ｏ₃）等からなる非磁性基板１００の表面をラップす
る。

【００６７】次に図１０（ｂ）に示す通り、非磁性基板
１００の表面にＭＩ素子となるＦｅ−Ｃｏ−Ｂ系アモル
ファス膜，Ｆｅ−Ｃ系，Ｆｅ−Ｎ系の微結晶膜等の高透
磁率磁性膜１０２を真空成膜技術で形成する。厚さは１
〜２０μｍの間で設定する。

【００６８】さらに、図１０（ｃ）に示す通り、端子と
なるＣｕ，Ａｕ等の導電膜１０４を所定の間隔で平行に
複数本形成する。場合により付着強度向上のためＣｒ，
Ｎｉ等下地膜を併用する。

【００６９】次に、高透磁率磁性膜１０２と導電膜１０
４に対してドライまたはケミカルエッチング等を行な
い、図１０（ｄ）のように、所定ピッチで図１１（ｂ）
のＭＩ素子１１６と端子１１８の複数組が連続したもの
にそうとうする所定幅のストライプ１０５を残す。前記
ピッチは、第１のコアブロック９８のトラックピッチ
（高透磁率磁性膜９２のピッチ）に対応している。その
後、破線に沿って非磁性基板１００を切断することによ
り第２のコアブロック１０６を複数個得る。

【００７０】以上のようにして第１と第２のコアブロッ
ク９８，１０６を複数個ずつ形成した後、図１１（ａ）
に示す通り第１のコアブロック９８の底面にＳｉＯ₂，
Ｃｒ₂Ｏ₃等の酸化物の絶縁膜１１０を０．１μｍ〜１μ
ｍの厚さの範囲で形成する。更にその上に不図示の低融
点ガラス膜を真空成膜技術を用いて成膜した後、図１１
（ｂ）の通り、第２のコアブロック１０６上に第１のコ
アブロック９８を重ね、加熱してガラス溶着により接合
し、マルチトラックヘッドが得られる。コアブロック９
８，１０６は複数個ずつ形成されているので、１度に複
数個のマルチトラックヘッドが得られる。

【００７１】なお、コアブロック９８，１０６の他の接
合方法としては、ブロック９８，１０６の接合面の両方
にＡｕ膜を形成し、３５０〜４００℃で拡散接合する方
法があり、信頼性が許されれば有機接着も可能である。

【００７２】以上のようにして本実施例のマルチトラッ
クヘッドを一度に複数個製造することができる。なお、
本実施例のヘッドの実装の詳細は省略するが、ヘッドを
基台に固定してヘッドの摺動面をラップした後、各端子
１８からリードを引き出す。

【００７３】また、本実施例の変形例として、高透磁率
磁性膜９２の代わりに、フェライトやセンダストなどの
高透磁率磁性体からなる薄いプレートまたは高透磁率磁
性材としてのアモルファスシート等を設けるようにして
も良い。

【００７４】また、他の変形例として、図１２（ａ），
（ｂ）に示すように、１トラック分のＭＩ素子として２
本の細いＭＩ素子１１６Ａ，１１６Ｂを並設し直列接続
することでインピーダンスを稼ぐこともできる。図１２
（ａ）では導電膜１２２でＭＩ素子１１６Ａ，１１６Ｂ
を直列接続しており、（ｂ）ではＭＩ素子１１６Ａ，１
１６Ｂに連続する高透磁率磁性膜からなる連結部１２４
によりＭＩ素子１１６Ａ，１１６Ｂを直列接続してい
る。なお、この図１２の構造は第１実施例のヘッドにも
適用できる。

【００７５】さらに、ＭＩ素子にＤＣバイアスをかけら
れるようにした変形例を図１３に示す。先述した工程の
図１０（ｄ）の段階で非磁性基板１００から第２のコア
ブロック１０６を切り出す前に、ＭＩ素子と端子のスト
ライプ１０５を形成した非磁性基板１００上面の上に、
不図示の絶縁膜を形成した後、図１３（ａ）に示すよう
に、コアブロック１０６となる部分のそれぞれの媒体摺
動方向となる方向の中央部に所定幅の導電膜１３０をコ
アブロック１０６の長手方向となる方向に沿って形成す
る。その後、基板１００を切断して第２のコアブロック
１０６を得て、図１３（ｂ）のように第１と第２のコア
ブロック９８，１０６を接合してマルチトラックヘッド
を得る。

【００７６】このマルチヘッドでは、高透磁率磁性膜９
２とＭＩ素子１１６のそれぞれからなる閉磁路のそれぞ
れの中を導電膜１３０が通って絶縁膜を介しＭＩ素子の
それぞれと交差しており、導電膜１３０にＤＣバイアス
電流を印加してＭＩ素子のそれぞれにＤＣバイアスをか
けて再生波形やゲインを調整する事ができる。すなわち
図１５に示すとおり、磁気インピーダンス特性を矢印の
ように左側にシフトさせることで、外部磁界０付近の磁
界に対してほぼ直線的な応答が得られ、ゲインも大きく
取れる。

【００７７】なお、導電膜１３０は、第２のコアブロッ
ク１０６側にではなく、第１のコアブロック９８の底面
に設けてもよい。

【００７８】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の第１の磁気ヘッドによれば、磁性体からなる一対のコ
ア半体を磁気ギャップを介して接合してなる第１のコア
と、磁気インピーダンス効果を利用した磁気検出素子と
して形成された第２のコアとで閉磁路を構成し、前記磁
気検出素子の両端から再生出力を得る磁気ヘッドであっ
て、前記第１のコアの磁気記録媒体摺動面と反対側の底
面には、前記一対のコア半体と、このコア半体間に設け
られた非磁性材が露出しており、前記磁気検出素子とし
ての第２のコアは、非磁性基板上に成膜された高透磁率
磁性膜として構成され、絶縁膜を介して前記第１のコア
の底面に接合された構成を採用したので、前記磁気検出
素子の有効長を確保するとともに絶縁性を確保し、さら
に端子からの引き出しを容易とすることができるととも
に取り付け面積を十分に確保でき、これにより磁気検出
素子に磁気記録媒体からの磁束が十分に印加される閉磁
路の構造により高感度で再生を行なえ記録の高密度化に
対応できるとともに、実装を容易に確実に行なうことが
できる。また、この磁気ヘッドを第１と第２のコアブロ
ックから一度に多数個製造でき、安価に製造できる製造
方法を提供できた。

【００７９】また、本発明の第２の磁気ヘッドによれ
ば、それぞれ複数の非磁性基板と磁性体を交互に積層し
てなる一対のコアブロック半体を磁気ギャップを介して
接合してなる第１のコアブロックと、非磁性基板上に、
高透磁率磁性膜からなる磁気インピーダンス効果を利用
した磁気検出素子を前記第１のコアブロックの磁性体に
対応した間隔で複数形成してなる第２のコアブロックか
らなり、前記第２のコアブロック上に絶縁膜を介して第
１のコアブロックが接合され、前記第１のコアブロック
の磁性体と第２のコアブロックの磁気検出素子のそれぞ
れとで複数の閉磁路が形成され、前記磁気検出素子のそ
れぞれの両端から再生出力を得るようにした構成を採用
したので、上記第１の磁気ヘッドと同様の効果が得られ
る上に、複数の閉磁路のそれぞれで再生を行えるマルチ
トラックヘッドとして機能することができる。また、こ
の磁気ヘッドを一度に複数個製造でき、安価に製造でき
る製造方法を提供できた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁気ヘッドの第１実施例の構造を示す
摺動面の平面図及び側面図である。

【図２】同実施例のヘッドの製造工程を示す斜視図であ
る。

【図３】同製造工程を示す斜視図である。

【図４】同製造工程を示す斜視図である。

【図５】同実施例のヘッドの実装状態を示す斜視図であ
る。

【図６】同実施例の変形例のヘッドの斜視図である。

【図７】他の変形例を示す斜視図である。

【図８】更に他の変形例を示す斜視図である。

【図９】第２実施例のヘッドの製造工程を示す斜視図で
ある。

【図１０】同製造工程を示す斜視図である。

【図１１】同製造工程を示す斜視図である。

【図１２】同実施例の変形例を示す要部の平面図であ
る。

【図１３】同実施例の他の変形例の製造工程と構造を示
す斜視図である。

【図１４】磁路がオープンの場合の磁気記録媒体からＭ
Ｉ素子に対する磁束の印加の様子を示す斜視図である。

【図１５】ＤＣバイアスをかけた場合の磁気インピーダ
ンス特性のシフトの様子を示すグラフ図である。

【符号の説明】

１０第１のコア１０Ａ，１０Ｂコア半体１１Ａ，１１Ｂ磁路接続面１２規制溝１３非磁性基板１４ガラス１５絶縁膜１６第２のコア（ＭＩ素子）１８端子（導電膜）２０，２０′ フェライト材２２，２４規制溝２６ガラス棒２８第１のコアブロック３０非磁性基板３２高透磁率磁性膜３４導電膜３６第２のコアブロック５０基台５２ワイヤー９０非磁性基板９２高透磁率磁性膜９３，９３′ 積層プレート９８第１のコアブロック１００非磁性基板１０２高透磁率磁性膜１０４導電膜１０６第２のコアブロック１１６，１１６Ａ，１１６ＢＭＩ素子１１８端子１３０導電膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】磁性体からなる一対のコア半体を磁気ギ
ャップを介して接合してなる第１のコアと、磁気インピ
ーダンス効果を利用した磁気検出素子として形成された
第２のコアとで閉磁路を構成し、前記磁気検出素子の両
端から再生出力を得る磁気ヘッドにおいて、前記第１のコアの磁気記録媒体摺動面と反対側の底面に
は、前記一対のコア半体と、このコア半体間に設けられ
た非磁性材が露出しており、前記磁気検出素子としての第２のコアは、非磁性基板上
に成膜された高透磁率磁性膜として構成され、絶縁膜を
介して前記第１のコアの底面に接合されたことを特徴と
する磁気ヘッド。
【請求項２】前記第２のコアの磁気記録媒体摺動方向
の幅は前記第１のコアの同方向の幅より大きく、前記第
２のコアの磁気記録媒体摺動方向の両端部が前記第１の
コアの底面の両側に露出し、前記両端部のそれぞれの上
に導電膜からなる端子が形成されていることを特徴とす
る請求項１に記載の磁気ヘッド。
【請求項３】前記絶縁膜の厚さは０．１μｍ〜１μｍ
の範囲内であることを特徴とする請求項１または２に記
載の磁気ヘッド。
【請求項４】前記第２のコアの厚さが１μｍ〜２０μ
ｍの範囲内であることを特徴とする請求項１から３まで
のいずれか１項に記載の磁気ヘッド。
【請求項５】前記第１のコアは、全体がフェライトか
らなる一対のコア半体を接合してなるフェライトコアで
あることを特徴とする請求項１から４までのいずれか１
項に記載の磁気ヘッド。
【請求項６】前記第１のコアは、フェライトからなり
磁気ギャップを介して突き合わされる突き合わせ面に金
属磁性膜が成膜された一対のコア半体を接合してなるメ
タルインギャップコアであることを特徴とする請求項１
から４までのいずれか１項に記載の磁気ヘッド。
【請求項７】前記第１のコアは、高透磁率磁性膜の積
層を非磁性材で挟んで構成された積層コアであることを
特徴とする請求項１から４までのいずれか１項に記載の
磁気ヘッド。
【請求項８】前記第２のコアの端子が前記第１のコア
の底面に対して第１のコアの磁気記録媒体摺動面から離
れる方向に傾斜していることを特徴とする請求項１から
７までのいずれか１項に記載の磁気ヘッド。
【請求項９】前記第１のコアと第２のコアからなる閉
磁路が共通の基板上でトラック幅方向に沿って複数並設
されたことを特徴とする請求項１から８までのいずれか
１項に記載の磁気ヘッド。
【請求項１０】請求項１に記載された磁気ヘッドを製
造する磁気ヘッドの製造方法であって、高透磁率磁性体からなる基板の表面に、それぞれ前記第
１のコアのギャップデプスとトラック幅を規制する規制
溝を形成し、さらに磁気ギャップを形成するための非磁
性膜を形成した後、前記基板に、該基板と同様に加工し
た高透磁率磁性体からなる基板を接合し、この基板どう
しの接合体を切断することにより、前記第１のコアがト
ラック幅方向に複数個分連続したものに相当する第１の
コアブロックを形成する工程と、非磁性基板の表面に、前記第２のコアとなる高透磁率磁
性膜と端子となる導電膜を形成した後、前記非磁性基板
を切断することにより前記第２のコアが非磁性基板上で
トラック幅方向に複数個分連続して形成されたものに相
当する第２のコアブロックを得る工程と、前記第１のコアブロックの底面に絶縁膜を形成した後、
前記第１のコアブロックを第２のコアブロック上に接合
し、さらに前記第１と第２のコアブロックの接合体をト
ラック幅方向に所定間隔で切断して前記磁気ヘッドを複
数個得る工程とを有することを特徴とする磁気ヘッドの
製造方法。
【請求項１１】それぞれ複数の非磁性基板と磁性体を
交互に積層してなる一対のコアブロック半体を磁気ギャ
ップを介して接合してなる第１のコアブロックと、非磁性基板上に、高透磁率磁性膜からなる磁気インピー
ダンス効果を利用した磁気検出素子を前記第１のコアブ
ロックの磁性体に対応した間隔で複数形成してなる第２
のコアブロックからなり、前記第２のコアブロック上に絶縁膜を介して第１のコア
ブロックが接合され、前記第１のコアブロックの磁性体
と第２のコアブロックの磁気検出素子のそれぞれとで複
数の閉磁路が形成され、前記磁気検出素子のそれぞれの
両端から再生出力を得るようにしたことを特徴とする磁
気ヘッド。
【請求項１２】前記第１のコアブロックの磁性体は高
透磁率磁性膜であることを特徴とする請求項１１に記載
の磁気ヘッド。
【請求項１３】前記第１のコアブロックの磁性体はフ
ェライトであることを特徴とする請求項１１に記載の磁
気ヘッド。
【請求項１４】前記第１のコアブロックの磁性体はセ
ンダストであることを特徴とする請求項１１に記載の磁
気ヘッド。
【請求項１５】前記第１のコアブロックの磁性体はア
モルファスシートであることを特徴とする請求項１１に
記載の磁気ヘッド。
【請求項１６】前記磁気検出素子は前記閉磁路毎に複
数並設され、電気的に直列に接続されたことを特徴とす
る請求項１１から１５までのいずれか１項に記載の磁気
ヘッド。
【請求項１７】前記複数の閉磁路の中を通り絶縁膜を
介して前記磁気検出素子のそれぞれに交差する導電膜を
形成し、この導電膜を、前記磁気検出素子のそれぞれに
対してＤＣバイアスをかけるためのＤＣバイアス電流の
印加に用いることを特徴とする請求項１１から１６まで
のいずれか１項に記載の磁気ヘッド。
【請求項１８】請求項１１に記載された磁気ヘッドを
製造する磁気ヘッドの製造方法であって、複数の非磁性基板と磁性体を交互に積層して接合したも
のを切断し、この切断で得られた積層プレートにギャッ
プデプスを規制する規制溝を形成し、さらに磁気ギャッ
プを形成するための非磁性膜を成膜した後、前記積層プ
レートと同様に加工された積層プレートを接合し、前記
接合により得られた接合体を切断して前記第１のコアブ
ロックを複数個得る工程と、非磁性基板上に高透磁率磁性膜と導電膜を成膜し、前記
高透磁率磁性膜と導電膜から前記磁気検出素子と端子の
複数組が連続したものに相当するストライプを形成した
後、前記非磁性基板を切断して前記第２のコアブロック
を複数個得る工程と、前記第１のコアブロックの底面に絶縁膜を形成した後、
前記第１のコアブロックを第２のコアブロック上に接合
して前記磁気ヘッドを得る工程とを有することを特徴と
する磁気ヘッドの製造方法。