JPH08273113A

JPH08273113A - 磁気ヘッド及びその製造方法

Info

Publication number: JPH08273113A
Application number: JP7098795A
Authority: JP
Inventors: Koichi Hara; 浩一原
Original assignee: Canon Electronics Inc
Current assignee: Canon Electronics Inc
Priority date: 1995-03-29
Filing date: 1995-03-29
Publication date: 1996-10-18

Abstract

(57)【要約】【目的】ＭＩ素子（磁気インピーダンス効果を利用し
た磁気検出素子）を用い、ＭＩ素子に磁気記録媒体から
の磁束が十分に印加される閉磁路の構造により、高感度
で再生を行なえ記録の高密度化に対応できる磁気ヘッド
を提供する。【構成】磁性体からなるコア半体１０Ａ，１０Ｂを磁
気ギャップＧを介して接合してなる第１のコア１０と、
ＭＩ素子として形成された第２のコア１６とで閉磁路が
構成される。第１のコア１０の磁気記録媒体摺動面に対
し垂直で媒体摺動方向に沿う一側面にはコア半体１０
Ａ，１０Ｂと、この間に充填された非磁性材のガラス１
４が露出している。第２のコア１６は、第１のコア１０
の前記一側面に絶縁膜１５を介して成膜された高透磁率
磁性膜として構成され、前記一側面のガラス１４部分を
わたってコア半体１０Ａ，１０Ｂ部分のそれぞれに掛か
るように形成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は磁気記録情報の再生ない
し記録を行なう磁気ヘッド及びその製造方法に関し、特
に磁気インピーダンス効果を利用した磁気検出素子を使
用した磁気ヘッド及びその製造方法に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】最近のディジタル磁気記録機器は小型化
が進み、例えば、コンピュータの外部記憶装置のハード
ディスクやディジタルオーディオのディジタルコンパク
トカセット（ＤＣＣ）に於いて、従来の誘導型の磁気ヘ
ッドでは卜ラック幅及び相対速度の減少によるＳ／Ｎの
低下が生じるため、再生ヘッドに磁気抵抗（以下ＭＲと
略す）素子が使われている。ＭＲ素子は媒体の速度依存
性が無く、低速での出力の取り出しに向いているが、抵
抗変化率が数％しかないため、将来の高密度化の為には
更に感度の高い素子の開発が望まれている。

【０００３】そこで、最近注目を集めているのが、特開
平６−２８１７１２号に開示されている磁気インピーダ
ンス効果を利用した磁気検出素子（以下、ＭＩ素子とい
う）である。磁気インピーダンス効果とは、磁性体にＭ
Ｈｚ帯域の高周波電流を流すと、その両端の電圧の振幅
が数ガウスの微小磁界で数十％変化する現象である。

【０００４】ＭＩ素子の利点は、磁性体の長さ方向に励
磁しないため反磁界の影響が無く素子の長さを１ｍｍ以
下程度に短くでき小型化に適していること、また、磁束
検出の分解能が、ＭＲ素子が０．１Ｏｅの低感度に対し
て、１０^-5Ｏｅ程度の高感度が得られることである。ま
た、インピーダンス変化量もＭＲ素子が３％程度に対
し、ＭＩ素子は数１０％オーダーの変化が得られる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところが、ＭＩ素子を
磁路が開いた磁気ヘッドとして使用すると、磁気記録媒
体の微小磁化に対して、以下に述べることより問題が生
ずる。

【０００６】通常ＭＲ素子は数百オングストロームの厚
さで機能させるのに対し、ＭＩ素子は渦電流の効果を使
うためにミクロンオーダーの厚さが必要であり、性能上
でインピーダンスをある程度の大きさを得るためには、
ＭＩ素子の方が素子の長さを必要とする。実際の長さと
して、ＭＲ素子が１００μｍ以下でも機能できるのに対
しＭＩ素子は１００μｍ以下で機能させるのは困難であ
る。

【０００７】しかし、磁気記録媒体の記録波長が短くな
ると、媒体記録磁化から発生する磁束が出にくくなり、
矩形状のＭＩ素子では図９に示すように、磁気記録媒体
１００からの磁束をＭＩ素子１０１の奥深くまで導くこ
とが困難となる。このことは、磁路がオープンの形態で
は感度の高いＭＩ素子もその能力が生かせないことを意
味する。

【０００８】そこで、ＭＩ素子の能力を生かすための方
法としては、媒体からの磁束がＭＩ素子に十分に印加さ
れるように、閉磁路の構造をとることになるが、その場
合、以下の点を満足する必要がある。

【０００９】１）前述の通りＭＩ素子の有効長を確保す
るための領域確保が必要である。

【００１０】２）ＭＩ素子にはドライブ電流を流すた
め、電気的な短絡や摺動面への電流の流れ出しが無いよ
うに、ＭＩ素子を周辺の磁路と電気的に絶縁する必要が
ある。

【００１１】３）ＭＩ素子の端子と外部配線の接続、い
わゆる端子からの引き出しが容易であること。

【００１２】４）生産性に優れていること。

【００１３】そこで本発明の課題は、ＭＩ素子の能力を
生かす閉磁路の構造を採用した磁気ヘッドであって、上
記の点を満足し、高感度で再生を行なえ記録の高密度化
に対応できる磁気ヘッド及びその製造方法を提供するこ
とにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明によれば、磁性体からなる一対のコア半体を
磁気ギャップを介して接合してなる第１のコアと、ＭＩ
素子として形成された第２のコアとで閉磁路を構成し、
前記ＭＩ素子の両端から再生出力を得る磁気ヘッドにお
いて、前記第１のコアの磁気記録媒体摺動面に対し略垂
直で磁気記録媒体摺動方向に沿った一側面には、前記一
対のコア半体と、このコア半体間に設けられた非磁性材
が露出しており、前記第２のコアとなるＭＩ素子は、前
記第１のコアの前記一側面に絶縁膜を介して成膜された
高透磁率磁性膜として構成され、前記一側面の前記非磁
性材部分をわたって前記一対のコア半体部分のそれぞれ
に掛かるように形成された構成を採用した。

【００１５】また、前記磁気ヘッドの製造方法におい
て、前記第１のコアが磁気記録媒体摺動面に垂直な方向
に複数個分連続したものに相当するコアブロックの前記
摺動面に加工される面に対し垂直で磁気記録媒体摺動方
向に沿う面となる一側面に、絶縁膜を形成した後、前記
絶縁膜上に高透磁率磁性膜からなる前記第２のコアを前
記摺動面に垂直な方向に所定間隔で複数形成し、更に前
記第２のコアのそれぞれの磁気記録媒体摺動方向の両端
部上に導電膜からなる端子を形成し、しかる後に、前記
コアブロックを前記摺動面に垂直な方向に所定間隔で切
断することにより、前記磁気ヘッドを複数個得る方法を
採用した。

【００１６】

【作用】上記本発明の磁気ヘッドの構成によれば、まず
ＭＩ素子の有効長を得るための領域が第１のコアの磁気
記録媒体摺動面に対し略垂直で磁気記録媒体摺動方向に
沿った一側面に確保できる。磁気ヘッド全体の磁路は少
し媒体摺動方向に引き延ばされて大きくなるが、ＭＩ素
子の位置を磁気ギャップに近付けることで短くすること
ができる。また、ＭＩ素子に流すドライブ電流は、第１
のコアとＭＩ素子間に絶縁膜が介在することで問題なく
印加できる。

【００１７】さらにＭＩ素子の両端上に導電膜からなる
端子を形成すれば、端子の大きさも十分確保でき、半田
付け等による端子からの引き出しも容易に行なえる。

【００１８】また、実装するために十分な取り付け面積
を確保することができる。

【００１９】また、上記本発明の製造方法によれば、１
つのコアブロックから１度に多数個の磁気ヘッドを得る
多数個取りが可能であり、生産性に優れている。

【００２０】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に
説明する。

【００２１】［第１実施例］図１は本発明による磁気ヘ
ッドの第１実施例の構造を示しており、（ａ）は不図示
の磁気記録媒体に摺動接触する磁気記録媒体摺動面（以
下、摺動面と略す）、（ｂ）は摺動面に垂直で磁気記録
媒体摺動方向（図中左右方向、以下では媒体摺動方向と
略す）に沿う一側面を示している。尚、（ｂ）では説明
の便宜上、後述する絶縁膜１５を除いた状態で図示して
いる。

【００２２】図１において、１０は第１のコアであり、
強磁性酸化物磁性材であるフェライトからなる一対のコ
ア半体１０Ａ，１０Ｂを摺動面側で磁気ギャップＧを介
して突き合わせ、非磁性材であるガラス１４により接合
して構成されている。ガラス１４はコア半体１０Ａ，１
０Ｂ間に充填され、磁気ギャップＧのトラック幅を規制
するために摺動面に形成された規制溝１２にも充填され
ている。

【００２３】第１のコア１０の図１（ｂ）に示す一側面
にはコア半体１０Ａ，１０Ｂの側面が後述のＭＩ素子と
磁路を接続する磁路接続面１１Ａ，１１Ｂとして露出し
ており、中間部にはガラス１４が露出している。この側
面におけるガラス１４の媒体摺動方向の幅ＷがＭＩ素子
の有効長となる。

【００２４】第１のコア１０の上記一側面にＭＩ素子と
しての第２のコア１６を形成するが、その前にコア１
０，１６間の電気的な絶縁を必要とするため、真空成膜
技術によりＳｉＯ₂，Ｃｒ₂Ｏ₃，ＴｉＯ₂等の酸化物から
なる絶縁膜１５をコア１０の側面に成膜した上に帯状の
高透磁率磁性膜からなる第２のコア１６を設ける。

【００２５】絶縁膜１５の厚さは、厚すぎるとコア１
０，１６間の接合部の磁気抵抗増となり効率が低下する
ため上限を１μｍとし、また電気的絶縁を得る最小限の
厚さより下限を０．１μｍとし、その範囲内で決定す
る。

【００２６】ＭＩ素子としての第２のコア１６は、Ｆｅ
−Ｃｏ−Ｂ系アモルファス膜，Ｆｅ−Ｃ系，Ｆｅ−Ｎ系
の微結晶膜等の高透磁率磁性膜を真空成膜技術により成
膜したものとし、コア１０の側面のガラス１４が幅Ｗで
露出している中央部においてガラス１４部分の全幅をわ
たり更にコア半体１０Ａ，１０Ｂの磁路接続面１１Ａ，
１１Ｂの両方に掛かるように形成されている。これによ
り第１のコア１０と第２のコア１６とで閉磁路が構成さ
れ、第１のコア１０を介して磁気記録媒体の記録磁化に
よる磁束がＭＩ素子としての第２のコア１６に十分に印
加される。

【００２７】なお、この第２のコア１６の磁性膜のＭＩ
素子としての機能を十分に引き出すためには、磁性膜の
磁化容易軸が図１（ｂ）中の矢印方向（媒体摺動面に垂
直な方向）になるように、磁場中冷却または成膜時のバ
イアスや入射角の制御により設定する。また、磁性膜の
厚さは、薄すぎると磁気ヘッド全体の磁気抵抗の増加と
なり、厚すぎるとＭＩ素子のインピーダンスが小さくな
りＭＩ効果が小さくなることから、１μｍ〜２０μｍの
間で設定する。また、ＭＩ素子の有効長Ｗは、０．１ｍ
ｍ以下ではほとんどＭＩ効果が得られないので０．１ｍ
ｍを下限とし、磁路の拡大が許容できる２ｍｍまでの範
囲で設定するのが好ましい。

【００２８】また、ＭＩ素子の有効長Ｗの領域に掛から
ないようにコア１６の媒体摺動方向の両端上にＣｕ，Ａ
ｕ等からなる導電膜を成膜して端子１８としており、こ
の端子１８を介してＭＩ素子の両端から再生出力が取り
出される。

【００２９】このような構成によれば、第１のコア１０
と第２のコア１６とで閉磁路が構成され、第１のコア１
０を介して磁気記録媒体の記録磁化による磁束がＭＩ素
子としての第２のコア１６に十分に印加される。ＭＩ素
子の有効長Ｗは十分な長さ確保することができる。ま
た、絶縁膜１５による絶縁によって、ＭＩ素子のドライ
ブ電流の短絡、摺動面への流出を防ぐことができる。従
って、再生を問題なく高感度で良好に行なうことができ
る。

【００３０】次に、本実施例の磁気ヘッドの製造方法に
ついて、図２（ａ）〜（ｅ），図３（ａ）〜（ｄ）を用
いて説明する。

【００３１】まず、図２（ａ）〜（ｅ）は、第１のコア
１０をトラック幅方向に複数個分連続させたものに相当
する第１のコアブロック２８を製造する工程を示してお
り、その方法は従来のＶＴＲ用ヘッドに見られるような
誘導型磁気ヘッドのコアの製造方法に準ずるが、摺動部
の部分だけを取り出せばよいので、従来と同じ大きさの
フェライト材からの取り個数は増える。

【００３２】その工程では、まず図２（ａ）に示すよう
に、コア材として強磁性酸化物磁性材のフェライトから
長方形の厚板状に形成されたフェライト材２０の表面を
平面研磨する。そして、図２（ｂ）に示すように、磁気
ヘッドの磁気ギャップＧのギャップデプス及び先述の素
子有効長Ｗを規制する台形状の規制溝２２を複数本平行
にフェライト材２０に形成する。

【００３３】さらに、図２（ｃ）に示すように、フェラ
イト材２０の表面に、規制溝２２に対して垂直方向に卜
ラック幅を規制する図１中の規制溝１２に相当する規制
溝２４を等間隔で平行に形成する。

【００３４】そして、フェライト材２０の表面に、磁気
ギャップを形成するための不図示のＳｉＯ₂，Ｃｒ₂Ｏ₃
等のギャップ材の薄膜を成膜した後に、図２（ｄ）に示
すように、フェライト２０と全く同様に加工されたフェ
ライト材２０′を突き合わせ、ガラス棒２６を規制溝２
２中に挿入し、ガラス溶着にてフェライト材２０，２
０′を接合する。ガラス棒２６のガラスが図１中のガラ
ス１４となる。この時使用するガラスの量は規制溝２
２，２４の全体を十分埋めるだけの量を供給する。

【００３５】その後、図２（ｅ）に示すように、フェラ
イト材２０，２０′を接合したブロックを破線で示した
切断線に沿って切断し、Ａ，Ｂ，Ｃで示す先述のコアブ
ロック２８を取り出す。仕上げに、この取り出したコア
ブロック２８の規制溝２４側の切断面に平面研削を行
う。

【００３６】次に、ＭＩ素子としての第２のコア１６
を、コアブロック２８の摺動面に対し垂直で媒体摺動方
向に沿った一側面となる側面に形成するが、その前に電
気的な絶縁を得るために、図３（ａ）に示すように、コ
アブロック２８の前記側面の全面にＳｉＯ₂，Ｃｒ₂Ｏ₃
等の酸化物からなる図１中の絶縁膜１５に相当する絶縁
膜３０を０．１μｍ〜１μｍの厚さの範囲で成膜する。

【００３７】次に、図３（ｂ）に示すように、絶縁膜３
０上に、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ系アモルファス膜あるいはＦｅ
−Ｃ系，Ｆｅ−Ｎ系の微結晶膜等の高透磁率磁性膜から
なるＭＩ素子としての第２のコア１６を摺動面に垂直と
なる方向（コアブロック２８の長手方向）に所定間隔で
複数形成する。この場合、マスキングした状態で真空成
膜技術により磁性膜を成膜してＭＩ素子の形状に形成し
てもよいし、磁性膜をブロック２８の側面の全面に成膜
した後、イオンミーリング等でＭＩ素子の形状にパター
ニングしてもよい。ＭＩ素子の磁性膜の厚さは、所定の
回路定数とコア効率になるように素子のインピーダンス
と磁気抵抗を決定するため、通常は１μｍ〜２０μｍの
範囲で設定される。

【００３８】次に、図３（ｃ）に示すように、Ｃｕ，Ａ
ｕ等の導電膜からなる端子１８を前述のＭＩ素子の有効
長Ｗの領域に掛からないように、第２のコア１６の媒体
摺動方向の両端部のそれぞれの上に形成する。これも第
２のコア１６と同様に、マスキングでの成膜により形成
してもよいし、成膜後イオンミーリング等で形成しても
よい。端子１８の導電膜の付着強度が必要な場合は、下
地にＣｒ膜を成膜してもよい。

【００３９】最後に図３（ｄ）に示すように、コアブロ
ック２８を摺動面に垂直な方向となる長手方向に所定間
隔で破線に沿って切断して本実施例の磁気ヘッドが一度
に多数個得られる。このように多数個取りが可能であ
り、本実施例の磁気ヘッドを安価に製造することができ
る。

【００４０】次に、本実施例の磁気ヘッドの実装につい
て簡単に説明すると、図４に示すように磁気ヘッドを基
台４０に接着で固定した後、所定のギャップデプスを得
るために摺動面のラップ加工を行い、その後、ヘッドの
端子１８と基台４０側の端子４１にワイヤー４２を半田
付けする。端子１８の面積はワイヤー４２の半田付けに
十分な面積を確保でき、端子からの引き出しは容易に行
なえる。また磁気ヘッドを基台４０に接着する面積も充
分に確保でき、確実に実装できる。

【００４１】次に、本実施例の磁気ヘッドの特性につい
て説明する。磁路がオープンの矩形状のＭＩ素子から構
成した磁気ヘッドと本実施例の磁気ヘッドの比較を行な
った。ＭＩ素子は両者ともにＦｅ−Ｔａ−Ｃ系微結晶膜
を用い、その寸法は厚さ５μｍ，幅０．２ｍｍ，有効長
０．５ｍｍの同一サイズとした。本実施例のヘッドの第
１のコア１０の磁気ギャップ幅は５μｍ，卜ラック幅は
０．２ｍｍとし、オープンタイプの先端断面との条件を
同一にした。特性の比較は、波長１０μｍで記録した磁
気テープをスキャンし、インピーダンスの変化量を比較
した。その結果、オープンタイプが１．５％程度しか変
化しなかったのに対し、本実施例のヘッドでは５．７％
の変化を示した。このように、高感度で再生を行なえ記
録の高密度化に対応できる磁気ヘッドを提供することが
できた。

【００４２】［他の実施例］次に、他の実施例を図５〜
図８により説明する。これらの図において第１実施例の
図１中と共通ないし対応する部分には共通の符号が付し
てあり、共通部分の説明は省略する。

【００４３】［第２実施例］第１実施例で示した磁気ヘ
ッドの出力は、ＭＩ素子のインピーダンス、主にインダ
クタンス成分をコルピッツ発振器等の発振器のインダク
タとして取り入れ、インピーダンスの変化を発振回路の
振幅変調に変換し、検波回路により出力を取り出す。こ
の回路を安定的に動作させるためには、ある程度の大き
さのインピーダンス（インダクタンス）を確保する必要
があり、第１実施例のヘッドでも使用条件によっては、
別の手段によりインピーダンスを更に大きくする工夫が
必要である。

【００４４】その工夫を行なった本発明の第２実施例の
ヘッドを図５に示す。図５ではヘッドの第１のコア１０
の側面を示しているが、説明の便宜上、絶縁膜１５を除
いて図示している。

【００４５】図５（ａ）に示す実施例では、摺動面に垂
直な方向の幅を狭くした２本のＭＩ素子（第２のコア）
１６Ａ，１６Ｂを第１のコア１０の側面においてガラス
１４部分を渡って両端部が磁路接続面１１Ａ，１１Ｂに
掛かるように平行に形成し、両素子１６Ａ，１６Ｂを細
い導電膜５０で直列に接続している。

【００４６】この構成によれば、磁気回路は並列型にす
ることで磁気抵抗の増加を押さえたまま、電気的には直
列接続でインピーダンスを稼ぐことができ、大変有効で
ある。

【００４７】また、この実施例の変形例として、図５
（ｂ）のように、前述の導電膜５０を使用せず、ＭＩ素
子１６Ａ，１６Ｂの磁性膜に連続した磁性膜からなる細
い連結部５１によってＭＩ素子１６Ａ，１６Ｂを直列に
接続すれば、導電膜５０を省略して製造工程を簡略化
し、コストダウンを図れる。

【００４８】なおＭＩ素子は２本に限らず、３本以上並
設して直列接続してもよい。

【００４９】［第３実施例］第１実施例では、第１のコ
ア１０は、全体がフェライトからなるコア半体１０Ａ，
１０Ｂを接合してなるフェライトコアとして構成した
が、第３実施例として図６（ａ），（ｂ）に示すよう
に、フェライトからなるコア半体１０Ａ，１０Ｂの磁気
ギャップＧを介して突き合わされる突き合わせ面に高透
磁率の金属磁性膜６１を成膜したＭＩＧ（メタルインギ
ャップ）コアとして構成してもよい。

【００５０】［第４実施例］また、図７（ａ），（ｂ）
に第４実施例として示すように、複数層積層された高透
磁率金属磁性膜７１を非磁性材７２，７３でサンドイッ
チした積層コアとして第１のコア１０を構成してもよ
い。

【００５１】本実施例と第３実施例によればＳ／Ｎの向
上を期待でき、また次の第５実施例のように記録機能を
持たせた場合、記録機能の向上を期待できる。

【００５２】［第５実施例］第１〜第４の実施例では、
再生機能のみ有するヘッドとして構成したが、図８に第
５実施例として示す構成により記録機能をも持たせるこ
とができる。

【００５３】図８の構成では、第１のコア１０を構成す
るコア半体１０Ａ，１０Ｂ間のガラス１４部分の中に貫
通穴８０を設け、コイル巻線８２を貫通穴８０に通して
コア１０，１６の閉磁路に巻回することで誘導型ヘッド
として記録機能をも持たせ、記録再生兼用にすることが
できる。ここでＭＩ素子としての第２のコア１６は誘導
型ヘッドの磁路の一部となるが、コア１６の断面積が磁
気ギャップＧ近傍での磁路断面積より大きく取れること
から、磁気飽和の心配はなく、記録機能を発揮できる。
また、ＭＩ素子に１Ｔを越える飽和磁束密度の大きいＦ
ｅ−Ｎ系やＦｅ−Ｃ系の微結晶タイプの磁性膜を使える
ことで、さらに記録に対する自由度は大きくなる。

【００５４】また、コイル巻線８２は、再生時に直流電
流を流してＭＩ素子へＤＣバイアスをかけることに使用
可能であり、これにより再生波形やゲインを調整する事
ができる。図１０に示すとおり、ＭＩ特性を矢印のよう
に左側にシフトさせることで、外部磁界０付近の磁界に
対してほぼ直線的な応答が得られ、ゲインも大きく取れ
る。

【００５５】なお、上述した第２実施例および第５実施
例において、第１のコア１０は第１実施例のようにフェ
ライトコアでもよいが、第３実施例のＭＩＧコア、ある
いは第４実施例の積層コアとしても良いのは勿論であ
る。

【００５６】また、ＭＲ素子でも上記各実施例と同様の
構成は可能であるが、ＭＲ素子の厚さが数百オングスト
ローム程度では、第２のコアとしての磁気抵抗増による
効率低下が大きく、閉磁路とする効果が全くない。ま
た、記録機能についても、ＭＲ素子の断面積が小さいこ
とより、磁気飽和が起き実現できない。ＭＲ素子は有効
長が短いという特徴から磁路はオープンが適している。

【００５７】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、磁性体からなる一対のコア半体を磁気ギャッ
プを介して接合してなる第１のコアと、ＭＩ素子として
形成された第２のコアとで閉磁路を構成し、前記ＭＩ素
子の両端から再生出力を得る磁気ヘッドにおいて、前記
第１のコアの磁気記録媒体摺動面に対し略垂直で磁気記
録媒体摺動方向に沿った一側面には、前記一対のコア半
体と、このコア半体間に設けられた非磁性材が露出して
おり、前記第２のコアとなるＭＩ素子は、前記第１のコ
アの前記一側面に絶縁膜を介して成膜された高透磁率磁
性膜として構成され、前記一側面の前記非磁性材部分を
わたって前記一対のコア半体部分のそれぞれに掛かるよ
うに形成された構成を採用したので、ＭＩ素子の有効長
を確保するとともに絶縁性を確保し、さらに端子からの
引き出しを容易とすることができ、これによりＭＩ素子
に磁気記録媒体からの磁束が十分に印加される閉磁路の
構造を実現でき、高感度で再生を行なえ記録の高密度化
に対応できる磁気ヘッドを提供することができる。

【００５８】また、第２のコアのＭＩ素子の磁路断面積
が大きく取れることで、磁気飽和に対する余裕があるた
め、第１のコアにコイル巻線を巻装して記録機能を持た
せること、あるいはＭＩ素子にＤＣバイアスをかけるこ
とも可能である。

【００５９】また、本発明によれば、前記磁気ヘッドの
製造方法において、前記第１のコアが磁気記録媒体摺動
面に垂直な方向に複数個分連続したものに相当するコア
ブロックの前記摺動面に加工される面に対し垂直で磁気
記録媒体摺動方向に沿う面となる一側面に、絶縁膜を形
成した後、前記絶縁膜上に高透磁率磁性膜からなる前記
第２のコアを前記摺動面に垂直な方向に所定間隔で複数
形成し、更に前記第２のコアのそれぞれの磁気記録媒体
摺動方向の両端部上に導電膜からなる端子を形成し、し
かる後に前記コアブロックを前記摺動面に垂直な方向に
所定間隔で切断することにより、前記磁気ヘッドを複数
個得る方法を採用したので、１つのコアブロックから１
度に多数個の磁気ヘッドを得る多数個取りが可能であ
り、本発明の磁気ヘッドを安価に製造できるという優れ
た効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例の磁気ヘッドの構造を示す
摺動面の平面図及び側面図である。

【図２】同磁気ヘッドの製造工程を示す斜視図である。

【図３】同じく製造工程を示す斜視図である。

【図４】同磁気ヘッドの実装状態を示す斜視図である。

【図５】第２実施例とその変形例の磁気ヘッドの構造を
示す側面図である。

【図６】第３実施例の磁気ヘッドの構造を示す摺動面の
平面図及び側面図である。

【図７】第４実施例の磁気ヘッドの構造を示す摺動面の
平面図及び側面図である。

【図８】第５実施例の磁気ヘッドの構造を示す実装状態
での斜視図である。

【図９】磁路がオープンの場合のＭＩ素子に対する磁束
の印加の様子を示す説明図である。

【図１０】ＤＣバイアスをかけた場合のＭＩ特性のシフ
トの様子を示すグラフ図である。

【符号の説明】

１０第１のコア１０Ａ，１０Ｂコア半体１１Ａ，１１Ｂ磁路接続面１２規制溝１４ガラス１５，３０絶縁膜１６，１６Ａ，１６Ｂ第２のコア（ＭＩ素子）１８端子（導電膜）２０，２０′フェライト材２２，２４規制溝２６ガラス棒２８コアブロック４０基台４２ワイヤ５０導電膜５１連結部６１，７１金属磁性膜７２，７３非磁性材８０貫通穴８２コイル巻線

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】磁性体からなる一対のコア半体を磁気ギ
ャップを介して接合してなる第１のコアと、磁気インピ
ーダンス効果を利用した磁気検出素子として形成された
第２のコアとで閉磁路を構成し、前記磁気検出素子の両
端から再生出力を得る磁気ヘッドにおいて、前記第１のコアの磁気記録媒体摺動面に対し略垂直で磁
気記録媒体摺動方向に沿った一側面には、前記一対のコ
ア半体と、このコア半体間に設けられた非磁性材が露出
しており、前記第２のコアとなる磁気検出素子は、前記第１のコア
の前記一側面に絶縁膜を介して成膜された高透磁率磁性
膜として構成され、前記一側面の前記非磁性材部分をわ
たって前記一対のコア半体部分のそれぞれに掛かるよう
に形成されたことを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項２】前記非磁性材は前記一対のコア半体を接
合する溶着用のガラスとして前記一対のコア半体間に充
填されたことを特徴とする請求項１に記載の磁気ヘッ
ド。
【請求項３】前記絶縁膜の厚さが０．１μｍ〜１μｍ
であること特徴とする請求項１または２に記載の磁気ヘ
ッド。
【請求項４】前記磁気検出素子としての高透磁率磁性
膜の厚さが１μｍ〜２０μｍであることを特徴とする請
求項１から３までのいずれか１項に記載の磁気ヘッド。
【請求項５】前記第２のコアとしての磁気検出素子が
前記第１のコアの一側面の絶縁膜上に複数並設され、こ
の複数の磁気検出素子が電気的に直列接続されたことを
特徴とする請求項１から４までのいずれか１項に記載の
磁気ヘッド。
【請求項６】前記第１のコアと第２のコアからなる閉
磁路にコイル巻線を巻装し、このコイル巻線を磁気記録
用に、または前記磁気検出素子にＤＣバイアスをかける
ために用いることを特徴とする請求項１から５までのい
ずれか１項に記載の磁気ヘッド。
【請求項７】前記磁気検出素子はＦｅ−Ｎ系またはＦ
ｅ−Ｃ系の磁性膜からなることを特徴とする請求項１か
ら６までのいずれか１項に記載の磁気ヘッド。
【請求項８】前記第１のコアは、全体がフェライトか
らなる一対のコア半体を接合してなるフェライトコアと
して構成されたことを特徴とする請求項１から７までの
いずれか１項に記載の磁気ヘッド。
【請求項９】前記第１のコアは、フェライトからなり
磁気ギャップを介して突き合わされる突き合わせ面に金
属磁性膜が成膜された一対のコア半体を接合してなるメ
タルインギャップコアとして構成されたことを特徴とす
る請求項１から７までのいずれか１項に記載の磁気ヘッ
ド。
【請求項１０】前記第１のコアは、高透磁率磁性膜の
積層から構成される積層コアとして構成されたことを特
徴とする請求項１から７までのいずれか１項に記載の磁
気ヘッド。
【請求項１１】磁性体からなる一対のコア半体を磁気
ギャップを介して接合してなる第１のコアと、磁気イン
ピーダンス効果を利用した磁気検出素子として形成され
た第２のコアとで閉磁路を構成し、前記磁気検出素子の
両端から再生出力を得る磁気ヘッドの製造方法におい
て、前記第１のコアが磁気記録媒体摺動面に垂直な方向に複
数個分連続したものに相当するコアブロックの前記摺動
面に加工される面に対し垂直で磁気記録媒体摺動方向に
沿う面となる一側面に、絶縁膜を形成した後、前記絶縁
膜上に高透磁率磁性膜からなる前記第２のコアを前記摺
動面に垂直な方向に所定間隔で複数形成し、更に前記第
２のコアのそれぞれの磁気記録媒体摺動方向の両端部上
に導電膜からなる端子を形成し、しかる後に前記コアブ
ロックを前記摺動面に垂直な方向に所定間隔で切断する
ことにより、前記磁気ヘッドを複数個得ることを特徴と
する磁気ヘッドの製造方法。