JP2883825B2

JP2883825B2 - 磁気ヘッド

Info

Publication number: JP2883825B2
Application number: JP29628894A
Authority: JP
Inventors: 正博川瀬; 誠亀山; 高広中川
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1994-11-30
Filing date: 1994-11-30
Publication date: 1999-04-19
Anticipated expiration: 2014-04-19
Also published as: JPH08153309A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は磁気ヘッドに関するもの
であり、特にＶＴＲ用磁気ヘッドに用いて好適な磁気ヘ
ッドに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】今日、ビデオテープレコーダ（以下、Ｖ
ＴＲという）は、画像圧縮技術や磁気記録技術の進歩に
よりディジタル化が始まり、民生機器への普及も現実的
になってきた。

【０００３】ディジタルＶＴＲの磁気記録では、高転送
レー卜要求によるヘッドに対するテープの高速摺動性と
信号の広帯域化が必要となり、磁気ヘッドは、高周波で
の出力対ノイズ特性（以下、Ｃ／Ｎ特性という）をいか
に稼ぐかが課題となる。

【０００４】これらの特性を満たす磁気ヘッドとして、
まず主要部を図１１に示す磁気ヘッド１００が考えられ
る。この図１１に示される磁気ヘッド１００は、ハード
ディスクドライブ用に実用化されている薄膜磁気ヘッド
（以下、ＴＦＨという）であり、不図示の基板上に、下
部磁性膜１０１、薄膜コイル１０２、上部磁性膜１０４
およびターミナル１０６が不図示の絶縁膜を介して積層
されて構成されている。なお、下部磁性膜１０１と上部
磁性膜１０４の間には磁気ギャップＧが形成されてい
る。

【０００５】このようなＴＦＨ１００は、磁路が短く、
またインダクタンスが低く押さえられるため、Ｃ／Ｎ特
性は良いと言える。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、記録媒
体の高速な摺動による摩耗に対し、十分なギャップデプ
スＤが確保できない問題があり、仮にギャップデプスＤ
を深くしても、上部および下部磁性膜１０１，１０４の
断面積が小さいことで、記録時の磁気飽和の問題が生ず
る。

【０００７】また、従来のアナログＶＴＲでは、メタル
テープ対応で摺動特性に優れた図１２に示す磁気ヘッド
１１０が主流となっている。この磁気ヘッド１１０は、
一般に、ＭＩＧ（Metal In Gap）ヘッドと呼ばれてお
り、一対のコアハーフ１１１のそれぞれの磁気ギャップ
形成面に高飽和磁束密度金属磁性膜１１２が形成され、
磁気ギャップＧを介して突合わされて構成されている。
このＭＩＧヘッド１１０は、ギャップデプスＤを大きく
でき、記録時の磁気飽和の問題も生じないが、ディジタ
ルＶＴＲ用の磁気ヘッドとして高周波の信号に対応すべ
く磁路の小型化を考えた場合、実用的な巻線材の直径を
考慮すると巻線窓６４の大きさ（Ｘ×Ｙ）は最低０．２
５×０．２５ｍｍ²程度以上のサイズは必要となり、前
述したＴＦＨ１００並に小型化することは明らかに困難
である。

【０００８】上記課題を考慮して、本発明は、記録時の
磁気飽和の問題を解決するとともに、磁路を小型化した
Ｃ／Ｎ特性の良い磁気ヘッドを提供することを目的とす
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明によれば、磁気ギャップを有する磁性体から
なる第１のコアと、磁性体からなる第２のコアとで閉磁
路を構成し、この閉磁路にコイルを巻回してなる磁気ヘ
ッドにおいて、前記第２のコアの本体は、非磁性基板の
成膜溝に成膜された断面形状がほぼＶ字状の高飽和磁束
密度金属磁性膜からなり、前記コイルは、前記磁性膜と
第１のコアとの磁路接続部の周囲に導電性金属膜からな
る薄膜コイルとして形成された構成を採用した。

【００１０】

【作用】このような構成によれば、薄膜コイルは薄膜形
成法により極めて小型に形成でき、高飽和磁束密度金属
磁性膜からなる第２のコア本体は磁路の長さ及び断面積
を小さくできるので、第１のコアを薄くすることによ
り、磁路全体を小型化できる。

【００１１】また、前記磁性膜の第１のコアとの磁路接
続部は、前記非磁性基板に形成された一対の第１の規制
溝により磁路の幅が規制され、前記第１の規制溝に交差
するように非磁性基板に形成された一対の第２の規制溝
により磁路の厚さが規制されるようにすることで、前記
磁性膜の磁路接続部の幅と厚さを規制し、磁路接続面の
面積を規制できる。

【００１２】また、前記断面形状が略Ｖ字状の磁性膜の
第１のコアとの磁路接続面に対する傾斜角（非磁性基板
の成膜溝の傾斜角）は前記磁路接続面近傍で２０〜６０
゜の範囲とすることにより、磁性膜の成膜を適当に行な
えるとともに、薄膜コイルのスペースを確保できる。

【００１３】また、前記磁性膜は中間絶縁膜を介して複
数層積層することにより、渦電流損失を改善できる。

【００１４】また、前記薄膜コイルの端部は、前記非磁
性基板の第１の規制溝の内側面に形成された導電膜に接
続され、この導電膜を介して外部と接続されることによ
り、コイルの引出線の接続を容易かつ自由に行なえる。

【００１５】また、前記磁性膜の第１のコアとの磁路接
続面は２面あり、それぞれの面積が１×１０^-2ｍｍ²以
下であるものとすれば、薄膜コイルの長さを短くして抵
抗分を小さくできるとともに、磁路のインダクタンスも
小さくできる。

【００１６】また、前記薄膜コイルは、前記第１のコア
と前記磁性膜との２つの磁路接続面の両方に巻回される
バランス巻構造に形成されたものとすれば、巻数の割に
コイルの長さを短くできる。

【００１７】また、前記第１のコアの厚さが０．２ｍｍ
以下であるものとすれば、磁路を小型化できる。

【００１８】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に
説明する。

【００１９】［第１実施例］図１は本発明の第１の実施
例を示す磁気ヘッドの斜視図である。本実施例の磁気ヘ
ッド１０は、磁気ギャップＧを有する摺動面を有する上
部コア（第１のコア）１２と、非磁性基板１８に下部コ
ア（第２のコア）の本体としての断面形状が略Ｖ字状の
高飽和磁束密度金属磁性膜（以下、単に磁性膜という）
６０を成膜してなる下部コア１４とで閉磁路を形成して
おり、この閉磁路に巻回されるように、導電性金属膜か
らなる薄膜コイル１３が上部コア１２と磁性膜（下部コ
ア本体）６０の２つの磁路接続部のそれぞれの周囲に形
成されている。

【００２０】上部コア１２は、Ｍｎ−Ｚｎフェライトか
らなるコアハーフ１２Ａ，１２Ｂと、コアハーフ１２
Ａ，１２Ｂのギャップ形成面にそれぞれ積層されたセン
ダスト、パーマロイ等の高飽和磁束密度金属磁性膜（以
下、単に磁性膜という）１６と、これらコアハーフ１２
Ａ，１２Ｂを、磁性膜１６同士を対向して接合するガラ
ス４５′とを有するＭＩＧ構造となっている。

【００２１】なお、磁性膜１６，１６の間には磁気ギャ
ップＧが形成されている。上部コア１２の厚さＨは、厚
すぎると下部コア１４とで形成される磁路が大きくなる
ので、Ｈ＝０．２ｍｍ以下に抑えることが好ましい。上
部コア１２のトラック幅の規制方法は、従来のＭＩＧヘ
ッドと同様に行うことができる。

【００２２】図１に示した実施例では、磁気ギャップＧ
と平行な磁性膜１６を有する、いわゆる平行ＭＩＧタイ
プを示しており、傾斜面を有するトラック規制溝により
トラック幅を規制されている。その他、図２（ａ）、
（ｂ）、（ｃ）に示すＭＩＧタイプの磁気ヘッドにも本
発明を適用可能である。図２（ａ）に示す磁気ヘッドも
平行ＭＩＧタイプであり、トラック規制溝によりコアハ
ーフ２１Ａ，２１Ｂに形成された一方の傾斜面２１ａに
連続した磁性膜１６を有している。図２（ｂ）に示す磁
気ヘッドは、磁気ギャップＧが磁気ギャップＧと非平行
な磁性膜１６によって形成されているＭＩＧタイプであ
る。図２（ｃ）に示す磁気ヘッドは、磁気ギャップＧの
両側のみに磁性膜１６を持つ平行ＭＩＧタイプである。

【００２３】図１に戻り、下部コア１４は、磁性膜６０
の磁路を短く、かつ断面積を小さくするため、非磁性基
板１８上に形成された磁性膜６０の磁路の幅（磁気ヘッ
ド１０に対する媒体摺動方向における長さ）と厚さ（媒
体摺動方向に対して直交する方向における長さ）を規制
する２対の規制溝１９Ａ，１９Ｂ、２０Ａ，２０Ｂが非
磁性基板１８に形成されている。この規制溝１９Ａ，１
９Ｂ、２０Ａ，２０Ｂに関しては、後の製造工程の説明
にて詳述する。ここで、磁路を形成するために下部コア
１４の本体である磁性膜６０に形成される上部コア１２
との磁路接続面（後述の磁路接続部３０ｂ，３０ｃの上
面）は、２面あるが、それぞれの面積を大きくすると比
抵抗の大きい薄膜コイル１３の長さが長くなることによ
り抵抗分が増加し、また磁路の断面積が増すことにより
インダクタンスも増加するため、それぞれの面積を０．
１×０．１＝１×１０^-2ｍｍ²以下に押さえる必要があ
る。また、逆に小さくしすぎると磁束密度が高くなるた
め磁気飽和の影響が大きくなる。この影響が及ばないよ
うにするためには、磁路接続面の面積は、０．０２×
０．０２＝４×１０^-4ｍｍ²以上が必要である。

【００２４】薄膜コイル１３のヘッド１０外部への引き
出しは、下部コア１４の磁路幅を規制する規制溝１９
Ａ，１９Ｂ内側面に導電膜からなる引出線２５を設ける
ことで行われ、コイル接続点１３Ａ，１３Ｂで薄膜コイ
ル１３と引出線２５とが直接接続されている。

【００２５】この薄膜コイル１３と引出線２５との接続
に関して、詳細には後の製造方法で述べるが、下部コア
１４に薄膜コイル１０を形成する際に自動的に行われ、
薄膜コイル１３のヘッド１０外部への引き出しを簡略化
することができる。この構造により、薄膜コイル１３の
引出線２５は、下部コア１４の側面に導かれるため、規
制溝１９Ａ，１９Ｂの形状を工夫すれば、比較的自由な
場所から引き出しが可能である。

【００２６】次に本実施例の磁気ヘッドの製造方法を説
明する。まず、図３（ａ）〜（ｉ）及び図４（ａ）〜
（ｆ）を用いて下部コア１４の製造方法について説明す
る。

【００２７】まず、図３（ａ）に示すチタン酸カルシウ
ム（Ｔｉ−Ｃａ系セラミック）、酸化物ガラス、チタニ
ア（ＴｉＯ₂）、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）等からなる非磁
性基板３０の表面を平面研磨する。

【００２８】次に、図３（ｂ）のように、先述の下部コ
ア本体である磁性膜６０を形成するための成膜溝３０Ａ
を非磁性基板３０の表面に研削加工により複数本平行に
形成する。成膜溝３０Ａは対称なＶ字状の断面形状をし
ており、その傾斜角（磁性膜６０の上部コア１２との磁
路接続面に対する傾斜角となる）θは薄膜コイル作製に
必要なスペースと次工程での磁性膜成膜の入射角に係わ
るもので、２０〜６０゜の範囲で設定するのがよい。

【００２９】次に、非磁性基板３０の表面全面にスパッ
ター等の真空成膜技術によりＣｒ、Ｔｉ、Ｐｔ等の下地
膜を形成した後、図３（ｃ）のようにセンダストやパー
マロイ等の高飽和磁束密度合金からなる磁性膜６０を所
定の厚さに成膜する。磁性膜６０は複数層を積層するこ
とで渦電流損失が改善できるので、図３（ｄ）の様にＳ
ｉＯ₂、Ｃｒ₂Ｏ₃、Ａｌ₂Ｏ₃等の中間絶縁膜６１を介し
て複数層を積層することが望ましい。

【００３０】次に、図３（ｅ）に示すように、下部コア
１４の磁路幅を規制する溝１９Ａ，１９Ｂを平行に複数
本入れる。ただし、加工上は規制溝１９Ａ，１９Ｂが１
本の溝として研削加工により形成される。

【００３１】次に、図３（ｆ）の要部断面図に示すよう
に、非磁性基板３０の表面にＳｉＯ₂，Ｃｒ₂Ｏ₃、Ｔｉ
Ｏ₂等からなる絶縁膜３１を真空成膜技術で形成し、さ
らに、この絶緑膜３１上にメッキに必要なＣｒ等の下地
膜３２を真空成膜技術で形成する。続いて下地膜３２上
にＣｕ、Ｎｉ、Ａｕ等からなる導電膜３３をメッキによ
り数μｍの厚さで形成する。この導電膜３３は、ヘッド
１０の完成時に薄膜コイル１３の引出線２５（図１参
照）となるもので、抵抗値が好ましくは１Ω以下になる
よう厚さを設定する。さらに、メッキ後は、導電膜３３
が酸化しないように、導電膜３３の表面にＳｉＯ₂，Ｃ
ｒ₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂等からなる保護膜３４を真空成膜技術
等で形成する。この工程において導電膜３３は、３〜１
０μｍ程度必要であること、成膜時間を短縮したいこと
から、メッキによって形成したが、スパッタリング、蒸
着等の真空成膜方法で形成しても構わない。

【００３２】次に、図３（ｇ）に示すように、磁路の厚
さを規制する規制溝２０Ａ，２０Ｂを複数本平行に、か
つ規制溝１９Ａ，１９Ｂに対して直交させて形成する。
なお、規制溝２０Ａ，２０Ｂを９０°＋θの角度で規制
溝１９Ａ，１９Ｂに対して交差させて形成することによ
り、アジマス角θで磁気ギャップＧを形成することがで
きる。この規制溝２０Ａ，２０Ｂは、加工上は１本の溝
として研削加工により形成される。

【００３３】次に、図３（ｈ）に示すように、ガラス棒
３６を加工した溝１９Ａ，１９Ｂの上にセットして加熱
し、非磁性基板３０上に加工した溝１９Ａ，１９Ｂ，２
０Ａ，２０Ｂ，３０Ａすべてをガラスで埋め込む。ここ
で使用するガラス捧３６は、後の上部コア１２の接合を
考えると、高融点ガラスの使用が望ましい。

【００３４】次に、図３（ｉ）に示すように、非磁性基
板３０の表面の不要なガラス３６′を平面研削にて除去
する。これにより、詳しくは図４（ｂ）に示すように、
磁性膜６０の上部コア１２と磁気的に接続される２つの
磁路接続部３０ｂ，３０ｃおよび導電膜３３が露出す
る。

【００３５】次に、薄膜コイル１３を形成するために、
ガラス３６′の表面に不図示のフォトレジストを塗布
し、薄膜コイル１３のパターン（図４（ａ）参照）を露
光後、フォトレジストの部分を除去し、さらに、露光さ
れた部分をイオンミリングにより加工し、図４（ａ），
（ｂ）に示すように、ガラス３６′表面上に渦巻き状の
コイルパターンの凹み３７を形成する。凹み３７の深さ
は４〜５μｍ程度である。薄膜コイル１３のパターン
は、表面に露出する磁性膜６０の２つの磁路接続部３０
ｂ，３０ｃのそれぞれに巻回されるバランス巻形状であ
り、凹み３７の両端３７ａ，３７ｂは、磁路接続部３０
ｂ，３０ｃに隣接する導電膜３３の露出部と重なってい
る。これにより、薄膜コイル１３を凹み３７内に形成し
た際に、薄膜コイル１３と導電膜３３が自動的に接続さ
れる。

【００３６】次に、図４（ｃ）に示すように、渦巻き状
の凹み３７にＣｕ、Ａｕ等の導電性に優れた金属膜３８
が埋め込まれるように、導電性金属膜３８を６μｍ程度
の厚さでメッキにて成膜する。この場合も、真空薄膜形
成技術で成膜を行っても構わない。

【００３７】次に、図４（ｅ）に示すように、凹み３７
より上側の金属膜３８の不要な部分を研磨加工により除
去し、その後、ＳｉＯ₂，Ｃｒ₂Ｏ₃等からなる絶緑膜３
９を１μｍ以下の厚さで真空成膜技術により形成する。
絶縁膜３９を１μｍ以下の厚さで形成するのは、上部コ
ア１２と接合して磁気ヘッド１０を構成した際に、磁気
特性に影響を与えないためである。ここまでの工程で図
４（ｄ）に示すような薄膜コイル１３のパターンが形成
され、導電膜３３とのコイル接続点１３Ａ，１３Ｂを経
て簡単に端子（引出線２５）が引き出される。

【００３８】そして、非磁性基板３０を図４（ｆ）に示
す破線の切断線に沿って切断することにより、下部コア
のブロック４０が得られる。

【００３９】次に、上部コア１２の製造方法を図５
（ａ）〜（ｆ）を用いて説明する。ここで説明する製造
方法は、従来のＭＩＧヘッドの製造方法に基本的に準ず
るが、摺動部の部分だけを取り出せば良いので、従来と
同じ大きさのフェライト材からの取り個数は増える。

【００４０】まず、図５（ａ）に示すように、フェライ
ト材４２の表面を平面研磨する。

【００４１】そして、図５（ｂ）に示すように、ギャッ
プデプスを規制する台形状の規制溝４３を複数本平行に
フェライト材４２に形成する。

【００４２】さらに、図５（ｃ）に示すように、フェラ
イト材４２の表面に、規制溝４３に対して垂直方向にト
ラック幅を規制する規制溝４４を等間隔で平行に形成す
る。

【００４３】次に、図５（ｄ）に示すように、フェライ
ト材４２の表面上に、真空成膜技術により拡散防止膜と
なる不図示の下地膜を成膜した後に、センダスト、パー
マロイ等の磁性膜１６を成膜する。

【００４４】そして、ＳｉＯ₂等の不図示のギャップ材
を表面に形成した後に、図５（ｅ）に示すように、反対
側に同様に加工されたフェライト材４２′を突き合わ
せ、ガラス棒４５を用いて溶着にて突き合わせ接合を行
なう。

【００４５】その後、図５（ｆ）に示すように、破線で
示した切断線に沿って切断し、Ａ，Ｂ，Ｃで示すような
上部コアのブロック４６を取り出す。

【００４６】以上、図３，図４，図５を用いて説明した
工程により得られた下部コアのブロック４０および上部
コアのブロック４６を図６に示すように加工すること
で、磁気ヘッド１０が得られる。

【００４７】すなわち、図６（ａ）に示す工程では、下
部コアブロック４０の接合面に低融点ガラス４８を真空
成膜技術により成膜し、両ブロック４０，４６を位置合
わせした後、加熱接合する。他の接合手段としては、耐
環境性が満足されれば樹脂接着を行ったり、両ブロック
接合面に金属膜を付着させ低温接合する方法も有効であ
る。

【００４８】その後、図６（ｂ）に示すように、上部コ
アブロック４６の摺動面４６ａ側に円筒研削を行い、そ
の次に、破線の切断線に沿って切断を行えば、図１に示
す磁気ヘッド１０が得られる。

【００４９】なお、磁気ヘッド１０のヘッドベースへの
組立工程の説明は省略するが、図７に示すように、ヘッ
ドベース５０に取り付けられた磁気ヘッド１０における
プリント基板５２への端子引き出しは、Ａｕワイヤー５
４を用いたワイヤーボンディング等で、磁気ヘッド１０
の側面に露出する引出線（導電膜）２５とプリント基板
５２上の端子５２ａとが接続されることにより行われ
る。

【００５０】図９に、以上のようにして構成した磁気ヘ
ッド１０の磁路を示す。この図９により、磁路接続部３
０ｂ，３０ｃを介して接続されている上部コア１２と下
部コア本体である磁性膜６０に流れる主磁束流７０の磁
路が非常に短くなっていることが理解できる。したがっ
て、磁路を小型化したＣ／Ｎ特性の良い磁気ヘッドを供
給することが可能となる。

【００５１】また、磁気ヘッド１０は、上部コア１２と
下部コア１４とに分けて構成し、下部コア１４の上部コ
ア１２との接合面に薄膜形成法により形成した薄膜コイ
ル１３を設けるようにしたので、コイルと引出線の接続
を容易にし、磁路を小型化したＣ／Ｎ特性の良い磁気ヘ
ッドの生産性を高めることができる。

【００５２】また、上記実施例においては、薄膜コイル
１３は、形成される位置決めを確実にしかも容易にする
ため、下部コア１４のガラス３６′上に形成したが、上
部コア１２側に形成して、下部コア１４と接合すること
も可能である。

【００５３】以上のような本実施例の磁気ヘッド１０の
特性と、従来例で説明したＭＩＧタイプの磁気ヘッドと
の比較を行ったデータを下記の表１に示す。機械特性
は、トラック幅を１４μｍ、ギャップ幅を０．２μｍ、
ギャップデプスを１２μｍに設定して行った。磁性膜１
６，６０，１１２は、両者ともセンダストを使用した。
また、出力測定は、記録媒体として保持力ＨＣ＝１６０
０Ｏｅの蒸着テープを用い、媒体相対速度を１０．２ｍ
／ｓ，周波数を２１ＭＨｚとして行った。

【００５４】

【表１】

【００５５】コイルの巻数は、インダクタンスを同じ
０．４５μＨ程度にするために、従来のＭＩＧヘッドで
は１４ターンに対し、上記実施例の構成では６ターン余
分に巻くことができ、明らかに低インダクタンスとなっ
ている。直流（ＤＣ）抵抗は薄膜コイルの採用で大きく
なるものの影響はほとんどなく、Ｃ／Ｎ特性は、２．８
ｄＢ向上した。この結果の差は、両者の摺動部が同じ構
造をしていることから、コイルの薄膜化と下部コアの磁
路の小型化の効果として評価できる。

【００５６】［他の実施例］次に、他の実施例を図８
（ａ）〜（ｅ）により説明する。

【００５７】まず、上記実施例では、下部コア本体であ
る磁性膜６０の断面形状、つまり成膜溝３０Ａの断面形
状はＶ字状としたが、厳密なＶ字状でなくてもよく、図
８（ａ）に示す傾斜角θが磁路接続面に接する部分より
２０μｍ以下の範囲で２０〜６０°の範囲に入っていれ
ば、磁性膜６０の底部（成膜溝３０Ａの底部）の形状は
図８（ａ），（ｂ）に示すように平面でもよく、緩やか
な円弧形状でも良い。

【００５８】さらに、他の実施例として、図８（ｃ）に
示す構成は、非磁性基板１８の形状が、図１に示す実施
例の構成のように逆Ｔ字状ではなく、磁路幅のまま下端
まで延ばしたＩ字状に形成されている。このように構成
することで、薄膜コイル１３の引出部２５を下部コア１
４の底面１４ａに露出させることも可能である。

【００５９】また、図８（ｄ）に示すように、薄膜コイ
ル１３の引出線（導電膜）２５の厚さを厚くしたり、図
８（ｅ）に示すように、引出線２５に導電性のある金属
ワイヤー６２等を接触させてガラス３６′内に埋め込む
ことで、端子の引き出しを容易にすることも可能であ
る。

【００６０】また、図９に、上記実施例の構成における
磁路を示す。この図９により、磁路接続部３０ｂ，３０
ｃを介して接続されている上部コア１２と下部コア本体
である磁性膜６０とにおいて主磁束流７０が流れる磁路
が非常に短くなっていることが理解できる。したがっ
て、磁路を小型化したＣ／Ｎ特性の良い磁気ヘッドを供
給することが可能となる。なお、図９に７２で示す漏れ
磁束流の回り込みによりインダクタンスの増加や再生効
率低下の影響が考えられる場合は、図１０に示すよう
に、上部コア１２におけるコアハーフ１２Ａ，１２Ｂが
接合されて形成される長さＷを下部コア１４の磁路幅Ｌ
とほぼ同じにすることで改善できる。この場合、コアハ
ーフ１２Ａ，１２Ｂの媒体摺動方向における両端部に
は、非磁性材であるセラミック７４を接合して設けるの
がよい。このセラミック７４にはＡｌ₂Ｏ₃，ＴｉＯ₂，
Ｃａ−Ｔｉ系セラミック等を用いるのが良い。セラミッ
ク７４は摩耗を考慮して設けたものであるが、ガラスに
ても実施可能である。

【００６１】以上説明した実施例によれば、薄膜コイル
１３は薄膜形成法により極めて小型に形成でき、下部コ
ア１４の本体である磁性膜６０は磁路の長さ及び断面積
を小さくできるので、上部コア１２の厚さを薄くするこ
とにより、磁気ヘッド１０全体の磁路を小型化すること
ができる。

【００６２】また、薄膜コイル１３の引き出しは、下部
コア１４の磁性膜６０の磁路の幅を規制する溝１９Ａ，
１９Ｂが形成された部分に引出線２５（導電膜３３）を
形成しておくことで、薄膜コイル１３形成時に容易に引
出線２５（導電膜３３）と薄膜コイル１３の接続が行わ
れるので、生産性に優れている。従来の薄膜ヘッドで
は、下部磁性膜、薄膜コイル、ターミナル、上部磁性膜
等と複数の層で構成され、薄膜コイル形成の部分だけ見
ても多くの工程を有するが、本実施例における薄膜コイ
ル１３の層は、ターミナル形成が不要なために一層で形
成でき、明らかに生産性が高い。

【００６３】また、端子の取り出しは、下部コア１４側
面あるいは底面に露出する引出線２５の断面を利用し
て、プリント基板５２に設けられた端子５２ａに接続さ
れるが、下部コア１４の磁路幅を規制する溝１９Ａ，１
９Ｂの形状を工夫すれば、導電膜の引き出しは自由に対
応できる。

【００６４】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、磁気ギャップを有する磁性体からなる第１の
コアと、磁性体からなる第２のコアとで閉磁路を構成
し、この閉磁路にコイルを巻回してなる磁気ヘッドにお
いて、前記第２のコアの本体は、非磁性基板の成膜溝に
成膜された断面形状がほぼＶ字状の高飽和磁束密度金属
磁性膜からなり、前記コイルは、前記磁性膜と第１のコ
アとの磁路接続部の周囲に導電性金属膜からなる薄膜コ
イルとして形成された構成を採用したので、磁路を小型
化してＣ／Ｎ特性が良く、生産性も高い優れた磁気ヘッ
ドを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁気ヘッドの一実施例の構造を示す斜
視図である。

【図２】それぞれ本発明の磁気ヘッドに適用できるＭＩ
Ｇタイプの磁気ギャップ形成部の例を示す上面図であ
る。

【図３】図１の磁気ヘッドの下部コアの製造工程を示す
説明図である。

【図４】同じく下部コアの製造工程を示す説明図であ
る。

【図５】図１に示す磁気ヘッドの上部コアの製造工程を
示す説明図である。

【図６】上部コアブロックと下部コアブロックから磁気
ヘッドを得る工程の説明図である。

【図７】実施例の磁気ヘッドをプリント基板に形成され
た端子に接続した状態を示す平面図である。

【図８】それぞれ本発明の磁気ヘッドの他の実施例を示
す説明図である。

【図９】実施例の磁気ヘッドにおける磁路を示す説明図
である。

【図１０】本発明の磁気ヘッドの更に他の実施例を示す
斜視図である。

【図１１】従来の磁気ヘッドの一例を示す斜視図であ
る。

【図１２】従来の磁気ヘッドの他の例を示す斜視図であ
る。

【符号の説明】

１０磁気ヘッド１２上部コア１３薄膜コイル１４下部コア１６，６０磁性膜１８非磁性基板１９Ａ，１９Ｂ，２０Ａ，２０Ｂ規制溝２５引出線（導電膜）３０Ａ成膜溝

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開平８−147619（ＪＰ，Ａ) 特開昭55−132520（ＪＰ，Ａ) 特開平６−274826（ＪＰ，Ａ) 特開昭62−66410（ＪＰ，Ａ) 特開昭57−111820（ＪＰ，Ａ) 特開平５−28416（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) G11B 5/127 - 5/17

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】磁気ギャップを有する磁性体からなる第
１のコアと、磁性体からなる第２のコアとで閉磁路を構
成し、この閉磁路にコイルを巻回してなる磁気ヘッドに
おいて、前記第２のコアの本体は、非磁性基板の成膜溝に成膜さ
れた断面形状がほぼＶ字状の高飽和磁束密度金属磁性膜
からなり、前記コイルは、前記磁性膜と第１のコアとの磁路接続部
の周囲に導電性金属膜からなる薄膜コイルとして形成さ
れたことを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項２】前記磁性膜の第１のコアとの磁路接続部
は、前記非磁性基板に形成された一対の第１の規制溝に
より磁路の幅が規制され、前記第１の規制溝に交差する
ように非磁性基板に形成された一対の第２の規制溝によ
り磁路の厚さが規制されることを特徴とする請求項１に
記載の磁気ヘッド。
【請求項３】前記断面形状が略Ｖ字状の磁性膜の第１
のコアとの磁路接続面に対する傾斜角が前記磁路接続面
近傍で２０〜６０゜の範囲にあることを特徴とする請求
項１または２に記載の磁気ヘッド。
【請求項４】前記磁性膜は中間絶縁膜を介して複数層
積層されたことを特徴とする請求項１から３までのいず
れか１項に記載の磁気ヘッド。
【請求項５】前記薄膜コイルの端部は、前記非磁性基
板の第１の規制溝の内側面に形成された導電膜に接続さ
れ、この導電膜を介して外部と接続されることを特徴と
する請求項２に記載の磁気ヘッド。
【請求項６】前記磁性膜の第１のコアとの磁路接続面
は２面あり、それぞれの面積が１×１０^-2ｍｍ²以下で
あることを特徴とする請求項１から５までのいずれか１
項に記載の磁気ヘッド。
【請求項７】前記薄膜コイルは、前記第１のコアと前
記磁性膜との２つの磁路接続面の両方に巻回されるバラ
ンス巻構造に形成されたことを特徴とする請求項１から
６までのいずれか１項に記載の磁気ヘッド。
【請求項８】前記第１のコアの厚さが０．２ｍｍ以下
であることを特徴とする請求項１から７までのいずれか
１項に記載の磁気ヘッド。