JP2942164B2 - 磁気ヘッド - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁気ヘッドに関するも
のであり、特にＶＴＲ用磁気ヘッドに用いて好適な磁気
ヘッドに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】今日、ビデオテープレコーダ（以下、Ｖ
ＴＲ）は、画像圧縮技術や磁気記録の進歩によりディジ
タル化が始まり、民生機器への普及も現実的になってき
た。

【０００３】ディジタルＶＴＲの磁気記録では、高転送
レート要求によるヘッドに対するテープの高速摺動性と
信号の広帯域化が必要となり、磁気ヘッドは、高周波で
の出力対ノイズ特性（以下、Ｃ／Ｎ特性）をいかに稼ぐ
かが課題となる。

【０００４】これらの特性を満たす磁気ヘッドとして、
主要部を図１０に示す磁気ヘッド１００が考えられる。
この図１０に示される磁気ヘッド１００は、ハードディ
スクドライブ用に実用化されている薄膜磁気ヘッド（以
下、ＴＦＨ）であり、不図示の基板上に、下部磁性膜１
０１、薄膜コイル１０２、上部磁性膜１０４およびター
ミナル１０６が不図示の絶縁膜を介して積層されて構成
されている。なお、下部磁性膜１０１と上部磁性膜１０
４の間には磁気ギャップＧが形成されている。このよう
なＴＦＨ１００は、磁路が短く、また、インダクタンス
が低く押さえられるため、Ｃ／Ｎ特性は良いと言える。

【０００５】

【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、記
録媒体の高速な摺動による摩耗に対し、十分なギャップ
デプスＤが確保できない問題があり、仮にギャップデプ
スＤを大きくしても、上部および下部磁性膜１０１，１
０４の断面積が小さいことで、記録時の磁気飽和の問題
が生ずる。

【０００６】また、従来のアナログＶＴＲでは、メタル
テープ対応で摺動特性に優れた図１１に示す磁気ヘッド
１１０が主流となっている。この磁気ヘッド１１０は、
一般に、ＭＩＧ（Metal In Gap）ヘッドと呼ばれてお
り、一対のコアハーフ１１１のそれぞれの磁気ギャップ
形成面に高飽和磁束密度金属膜１１２が形成され、磁気
ギャップＧを介して突合されて構成されている。このＭ
ＩＧヘッド１１０は、ギャップデプスＤを大きくでき、
記録時の磁気飽和の問題も生じないが、ディジタルＶＴ
Ｒ用の磁気ヘッドとして高周波の信号に対応すべく磁路
の小型化を考えた場合、実用的な巻線材の直径を考慮す
ると、巻線窓１１４の大きさ（Ｘ×Ｙ）は、最低でも
０．２５×０．２５［ｍｍ² ］程度以上のサイズは必要
となり、前述したＴＦＨ１００並に小型化することは明
らかに困難である。

【０００７】上記課題を考慮して、本発明は、記録時の
磁気飽和の問題を解決するとともに、磁路を小型化した
Ｃ／Ｎ特性の良い磁気ヘッドを提供することを目的とす
る。

【０００８】

【課題を解決するための手段】従来抱えている課題を解
決し、上記目的を達成するために、本発明の磁気ヘッド
は、磁気ギャップを介して接合される磁性体を有する第
１のコアと、磁性体を有する第２のコアとを備え、前記
第２のコアは、前記第１のコアと接合される２つの接合
部が凹部を挟んで形成されるとともに、前記第２のコア
の接合部は、一対の第１の規制溝と、この第１の規制溝
に交叉して形成される一対の第２の溝とにより接合面積
が規制され、かつ、前記第２のコアは、前記第１および
第２の規制溝によって除去された部分にガラスが充填さ
れ、前記ガラスの前記第１のコアとの接合面における前
記２つの接合部のそれぞれの周囲に薄膜形成法により形
成されるコイルが独立して配され、この独立して配され
たコイルが前記凹部に配された導電膜によって接続され
るとともに、前記コイルの端子が前記ガラスの露出面上
に形成されている。

【０００９】さらに、前記第１のコアは、２つのコアハ
ーフがギャップを介して接合されることにより形成さ
れ、前記２つの接合部は、前記第１のコアと第２のコア
にそれぞれ接続されている。

【００１０】さらに、前記接合部の一方の面積が、１×
１０-2ｍｍ2以下で形成される。

【００１１】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に
説明する。

【００１２】図１は、本発明の第１の実施例を示す磁気
ヘッドの斜視図である。本実施例の磁気ヘッド１０は、
磁気ギャップＧを有する摺動面を有する上部コア１２と
薄膜形成法で形成された薄膜コイル１３を有する下部コ
ア１４とで閉磁路を形成している。上部コア１２は、Ｍ
ｎ−Ｚｎフェライトからなるコアハーフ１２Ａ，１２Ｂ
と、コアハーフ１２Ａ，１２Ｂのギャップ形成面にそれ
ぞれ積層されたセンダスト，パーマロイ等の高飽和磁束
密度金属合金膜（以下、磁性膜）１６と、これらコアハ
ーフ１２Ａ，１２Ｂを、磁性膜１６同士を対向して接合
するガラス２４とを有するＭＩＧ構造となっている。な
お、磁性膜１６，１６の間には磁気ギャップＧが形成さ
れている。上部コア１２の厚さＨは、厚すぎると下部コ
ア１４とで形成される磁路が大きくなるので、Ｈ＝０．
２ｍｍ以下に抑えることが好ましい。上部コア１２のト
ラック幅の規制方法は、従来のＭＩＧヘッドと同様に行
うことができる。図１に示した実施例では、磁気ギャッ
プＧと平行な磁性膜を有する、いわゆる平行ＭＩＧタイ
プを示しており、傾斜面を有するトラック規制溝により
トラック幅を規制されている。その他、図２（ａ），
（ｂ），（ｃ）に示すＭＩＧタイプの磁気ヘッドにも適
応可能である。図２（ａ）に示す磁気ヘッドも平行ＭＩ
Ｇタイプであり、トラック規制溝によりコアハーフ２１
Ａ，２１Ｂに形成された一方の傾斜面２１ａに連続した
磁性膜１６を有している。図２（ｂ）に示す磁気ヘッド
は、磁気ギャップＧが磁気ギャップＧと非平行な磁性膜
１６によって形成されているＭＩＧタイプである。図２
（ｃ）に示す磁気ヘッドは、磁気ギャップＧの両側のみ
に磁性膜１６を持つ平行ＭＩＧタイプである。

【００１３】図１に戻り、下部コア１４は、磁路を短
く、かつ断面積を小さくするため、フェライトからなる
基台１８の磁路の幅（磁気ヘッド１０に対する媒体摺動
方向における長さ）と厚さ（媒体摺動方向に対して直交
する方向における長さ）を規制する２対の規制溝１９
Ａ，１９Ｂ，２０Ａ，２０Ｂが形成されている。この規
制溝１９Ａ，１９Ｂ，２０Ａ，２０Ｂに関しては、後の
工程の説明にて詳述する。ここで、磁路を形成するため
に下部コア１４に形成される上部コア１２との接続面
は、大きくすると比抵抗の大きい薄膜コイルの長さが長
くなることによる抵抗分が増加し、また磁路の断面積が
増すことによるインダクタンスも増加するため、その面
積を０．１×０．１＝１×１０^-2[ ｍｍ² ] 以下に押さ
える必要がある。また、逆に小さくしすぎると磁束密度
が高くなるため磁気飽和の影響が大きくなる。この影響
が及ぼさないようにするためには、接続面積は、０．０
２×０．０２＝４×１０^-2[ ｍｍ² ] 以上が必要であ
る。

【００１４】薄膜コイル１３Ａ，１３Ｂの接続は、巻線
溝１５の内側に導電膜３３が設けられることで行われ、
コイル接続点１７Ａ，１７Ｂで薄膜コイル１３Ａ，１３
Ｂと導電膜３３が直接つながっている。

【００１５】この薄膜コイル１３Ａ，１３Ｂと導電膜３
３との接続に関して、詳細には後の製造方法で述べる
が、下部コア１４に薄膜コイル１３Ａ，１３Ｂを形成す
る際に自動的に行われ、薄膜コイル１３Ａ，１３Ｂの１
層化により形成を簡略化することができる。薄膜コイル
１３Ａ，１３Ｂの端子引き出しは、上部コア１２の接続
面に沿って引き出され、下部コア１０に設けられている
ガラス３６’の露出した面上の導電膜４９’に接続され
ている。

【００１６】次に、図３（ａ）〜（ｆ），図４（ｇ）〜
（ｋ）を用いて、下部コア１４の製造方法について説明
する。

【００１７】まず、図３（ａ）に示すように、強磁性酸
化物磁性材であるフェライトプレート３０の表面を研磨
する。

【００１８】次に、図３（ｂ）に示すように、下部コア
１４に薄膜コイル１３Ａ，１３Ｂを形成するための巻線
溝１５をプレート３０に平行に複数本入れる。この溝１
５は研削により行われ、その深さは深すぎると磁路の拡
大となるため５０μｍ以下が望ましい。

【００１９】その後、図３（ｃ）の要部断面に示すよう
に、プレート３０の表面にＳｉＯ₂，Ｃｒ₂ Ｏ₃ ，Ｔｉ
Ｏ₂ 等からなる絶縁膜３１を真空成膜技術等で形成し、
さらに続けて、この絶縁膜３１上にＣｒ等の下地膜３２
を形成する。この下地膜３２は、次の導電膜３３の積層
を良好に行うために形成されるものである。導電膜３３
は、Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｕ等からなり、下地膜３２上にメッ
キで形成される。この導電膜３３は、隣接する２箇所に
形成される薄膜コイル１３Ａ，１３Ｂ（図１）とを接続
するもので、抵抗値が好ましくは１Ω以下になるよう厚
さを設定する。メッキ後は、導電膜３３が酸化しないよ
うに、導電膜３３の表面にＳｉＯ２，Ｃｒ₂ Ｏ₃ , Ｔｉ
Ｏ₂ 等真空成膜技術等で保護膜３４を形成する。この工
程において導電膜３３は、５〜１０μｍ程度必要である
こと、成膜時間を短縮したいことから、メッキによって
形成したが、スパッタリング、蒸着等真空成膜方法で形
成しても構わない。

【００２０】次の工程では、図３（ｄ）に示すように、
下部コア１４の磁路幅を規制する溝１９Ａ，１９Ｂを複
数本入れる。ただし、加工上は規制溝１９Ａ，１９Ｂが
一本の溝として研削加工により形成される。

【００２１】さらに次の工程では、図３（ｅ−１）に示
すように、磁路の厚さを規制する規制溝２０Ａ，２０Ｂ
を複数本平行に、かつ規制溝１９Ａ，１９Ｂに対して直
交させて形成する。この規制溝２０Ａ，２０Ｂは、規制
溝１９Ａ，１９Ｂに対しては段差を設け、加工上は１本
の溝として研削加工により形成される。

【００２２】なお、磁気ギャップＧがアジマス角θを有
する場合には、規制溝２０Ａ，２０Ｂを上記の場合に比
べアジマス角θだけ傾けて形成する。すなわち、図３
（ｅ−２），３（ｅ−３）に示すように、規制溝１９
Ａ，１９Ｂに対してα（＝９０°−θ）だけ傾けて規制
溝２０Ａ，２０Ｂを形成すればよい。なお、磁気ギャッ
プＧがアジマス角θを有する場合には、規制溝２０Ａ，
２０Ｂをアジマス角θだけ傾けて形成するのは、以下の
理由による。すなわち、図３（ｅ−４）に示すような磁
気ギャップＧがアジマス角を有しない場合のコアの厚さ
をＴとすれば、図３（ｅ−５）に示すように、磁気ギャ
ップＧが大きなアジマス角を有する場合に、前述したコ
ア厚Ｔでコアを切断した際に薄膜コイル１３も切断して
しまう可能性がある。その場合には所定の特性が得られ
なくなってしまったり、薄膜コイル１３Ａ，１３Ｂを完
全に絶縁することができないことになる。このように、
磁気ギャップＧが大きなアジマス角を有する場合に、前
述したように、規制溝２０Ａ，２０Ｂをアジマス角θだ
け傾けて形成すれば、図３（ｅ−６）に示すように、接
合部３０ｂ，３０ｃが平行四辺形状に形成される違いは
あるものの、薄膜コイル１３を切断することなく、所定
のコア厚Ｔに形成することができる。

【００２３】その後、図３（ｆ）に示すように、ガラス
棒３６を加工した溝１９Ａ，１９Ｂの上にセットし加熱
させ、プレート３０上に加工した溝１９Ａ，１９Ｂ，２
０Ａ，２０Ｂすべてをガラスで埋め込む。ここで使用す
るガラス棒３６は、後の上部コア１２の接合を考える
と、高融点ガラスの使用が望ましい。

【００２４】次に、図４（ｇ）に示すように、プレート
３０の表面の不要なガラスを平面研削にて除去する。こ
れにより、詳しくは図４（ｈ−１）に示すように、２つ
の磁路接続部３０ｂ，３０ｃおよび導電膜３３が露出す
る。

【００２５】そして、図４（ｈ−１），（ｈ−２）に示
すように、薄膜コイル１３Ａ，１３Ｂ（図１）を形成す
るために、ガラス３６’の表面に不図示のフォトレジス
トを塗布し、薄膜コイル１３Ａ，１３Ｂのパターン（図
４（ｈ−２））を露光後、フォトレジストの部分を除去
し、さらに、露光された部分をイオンミリングにより加
工し、ガラス表面上に渦巻き状のコイルパターンの凹部
３７Ａ，３７Ｂを形成する。凹み量は４〜５μｍ程度で
ある。薄膜コイル１３Ａ，１３Ｂのパターンは、表面に
露出する２つの磁路接続部３０ｂ，３０ｃを包囲するバ
ランス巻形状であり、凹部３７Ａ，３７Ｂの端部３７
ａ，３７ｂは、導電膜３３の露出部と重なっている。こ
れにより、薄膜コイル１３を凹部３７に形成した際に、
薄膜コイル１３と導電膜３３が自動的に接続される。

【００２６】次に、図４（ｉ）に示すように、渦巻き状
の凹部３７に６μｍ程度の厚さで、Ｃｕ，Ａｕ等の導電
性に優れた金属膜３８が埋め込まれるように、メッキに
て成膜する。この場合も、真空薄膜形成技術で成膜を行
っても構わない。

【００２７】次に、図４（ｊ−１），（ｊ−２）に示す
ように、金属膜３８を研磨加工により除去し、その後、
ＳｉＯ₂ ，Ｃｒ₂ Ｏ₃ 等からなる絶縁膜３９を１μｍ以
下の厚さで真空成膜技術により形成する。絶縁膜３９を
１μｍ以下の厚さで形成するのは、上部コア１２と接合
して磁気ヘッド１０を構成した際に、磁気特性に影響を
与えないためである。ここまでの工程で図４（ｊ−２）
に示すような薄膜コイル１３Ａ，１３Ｂのパターンが形
成され、隣接する薄膜コイル１３Ａと１３Ｂが導電膜３
３とのコイル接続点１７Ａ，１７Ｂを経て、簡単に接続
される。

【００２８】そして、図４（ｋ）に示す破線に沿って切
断することにより、下部コアのブロック４０が得られ
る。

【００２９】次に、上部コア１２の加工方法を図５
（ａ）〜（ｆ）を用いて説明する。ここで説明する製造
方法は、従来のＭＩＧヘッドの製造方法に基本的に準ず
るが、摺動部の部分だけを取り出せば良いので、従来と
同じ大きさのフェライト材から得られる個数は増える。

【００３０】まず、図５（ａ）に示すように、フェライ
トからなるプレート４２の表面を平面研磨する。

【００３１】そして、図５（ｂ）に示すように、ギャッ
プデプスを規制する台形状の規制溝４３を複数本平行に
プレート４２に形成する。

【００３２】さらに、図５（ｃ）に示すように、規制溝
４３に対して垂直方向から、プレート４２の表面に、ト
ラック幅を規制する規制溝４４を等間隔で平行に形成す
る。

【００３３】次に、図５（ｄ）に示すように、プレート
４２の表面上に、真空成膜技術により拡散防止膜となる
不図示の下地膜を成膜した後に、センダスト，パーマロ
イ等磁性膜１６を成膜する。

【００３４】そして、図５（ｅ）に示すように、ＳｉＯ
₂ 等の不図示のギャップ材を表面に形成した後に、反対
側に同様に加工されたプレート４２’を突き合わせ、ガ
ラス棒４５を用いて溶着にて突き合わせ接合を行う。

【００３５】その後、図５（ｆ）に示すように、破線で
示した個所で切断し、Ａ，Ｂ，Ｃで示すような上部コア
のブロック４６を取り出す。

【００３６】以上図３，図４，図５を用いて説明した工
程により得られた下部コアのブロック４０および上部コ
アのブロック４６を図６に示すように加工することで、
磁気ヘッド１０が得られる。

【００３７】図６（ａ）に示す工程では、下部コアブロ
ック４０の接合面に低融点ガラス４８を真空成膜技術に
より成膜し、両ブロック４０，４６を位置合わせした
後、加熱接合する。他の接合手段としては、耐環境が満
足されれば樹脂接着を行ったり、両ブロック接合面に金
属膜を付着させ低温接合する方法も有効である。

【００３８】その次に図６（ｂ）に示すように、下部コ
アブロックの接合面から側面へと延びる薄膜コイル１３
の端部に端子を形成するために、Ｃｕ，Ａｕ等導電性に
優れた導電膜４９を下部コアブロック側面ガラス３６’
上へ、露出する薄膜コイル１３Ａ，１３Ｂの端部に掛か
るように真空成膜技術により形成する。

【００３９】その後、図６（ｃ）に示すように、上部コ
アブロック４６の摺動面４６ａ側に円筒研削を行い、そ
の次に，破線に沿って切断を行えば、図１に示す磁気ヘ
ッド１０が得られる。

【００４０】図８に、以上のようにして構成した磁気ヘ
ッド１０の磁路７０を示す。この図８により、磁路接続
部３０ｂ，３０ｃを介して接続されている上部コア１２
と下部コア１４とにおいて形成される磁路７０が、非常
に短くなっていることが理解できる。したがって、磁路
を小型化したＣ／Ｎ特性の良い磁気ヘッドを供給するこ
とが可能となる。

【００４１】また、磁気ヘッド１０は、上部コア１２と
下部コア１４とに分けて構成し、下部コア１４の上部コ
ア１２との接合面に薄膜形成法により形成したコイルを
設けるようにしたので、コイルの引き出しを容易にし、
磁路を小型化したＣ／Ｎ特性の良い磁気ヘッドの生産性
を高めることができる。

【００４２】なお、磁気ヘッド１０のヘッドベースへの
組立工程の説明は省略するが、図６に示すように、ヘッ
ドベース５０に取り付けられた磁気ヘッド１０における
プリント基板５２への端子引き出しは、半田付け又はＡ
ｕ線を用いたワイヤーボンディング等で、磁気ヘッド１
０の側面に形成された端子（導電膜）４９’とプリント
基板５２上の端子５２ａとが接続されることにより行わ
れる。

【００４３】以上のようにして得られた磁気ヘッド１０
の特性と、従来例で説明したＭＩＧタイプの磁気ヘッド
との比較を行ったデータを表１に示す。機械特性は、ト
ラック幅を１４［μｍ］，ギャップ幅を０．２［μ
ｍ］，ギャップデプスを１２［μｍ］に設定して行っ
た。磁性膜１６，１１２は、両者ともセンダストを使用
した。また、出力測定は、記録媒体として保持力Ｈｃ＝
１６００［Ｏｅ］の蒸着テープを用い、媒体相対速度を
１０．２［ｍ／ｓ］，周波数を２１［ＭＨｚ］として行
った。

【００４４】

【表１】

【００４５】コイルの巻数は、インダクタンスを同じ
０．４５［μＨ］程度にするために、従来の磁気ヘッド
では１４ターンに対し、上記実施例の構成では６ターン
余分に巻くことができ、明らかに低インダクタンスとな
っている。直流（ＤＣ）抵抗は薄膜コイルの採用で大き
くなるものの影響はほとんどなく、Ｃ／Ｎ特性は、２．
６［ｄＢ］向上した。この結果の差は、両者の摺動部が
同じ構造をしていることから、巻線の薄膜化と下部コア
の磁路の小型化の効果として評価できる。

【００４６】次に、他の実施例について、図９（ａ），
（ｂ），（ｃ）を用いて説明する。図９（ａ）に示す構
成は、上部コア１２の媒体走行方向の長さを下部コア１
４の長さよりも短くし、薄膜コイル１３の端子４９’を
下部コア１４の上部コア接合面上に構成することも可能
である。

【００４７】また、図９（ｂ）に示すように、規制溝２
０Ａ，２０Ｂに導電膜８０を配したり、図９（ｃ）に示
すように、規制溝１９Ａ，１９Ｂ，２０Ａ，２０Ｂに導
電膜８０を配した構成においても上述した実施例の構成
を採用することができる。

【００４８】以上説明した実施例によれば、上部コア１
２の厚さを薄くし、下部コア１４の磁路の長さおよび断
面積を小さくすることにより、磁気ヘッド１０全体の磁
路を小型化することができる。

【００４９】また、下部コア１４（基台１８）は、Ｍｎ
−Ｚｎフェライト等の強磁性酸化物磁性材から形成され
ているため、磁路の幅と厚さを、直交する２組の一対の
規制溝１９Ａ，１９Ｂ，２０Ａ，２０Ｂで規制すること
により、磁路の小型化を図ることができる。基台１８に
フェライトを使用する理由は、加工形状に自由度が有
り、多数個取りに適していることである。

【００５０】また、薄膜コイル１３の形成は、巻線溝１
５内に導電膜３３を形成しておくことで、薄膜コイル形
成時に容易に磁路接続部３０ｂ，３０ｃへそれぞれ形成
される薄膜コイル１３が導電膜３３で接続されるので、
生産性に優れている。

【００５１】従来の薄膜ヘッドでは、下部磁性膜，薄膜
コイル，ターミナル，上部磁性膜等と複数の層で構成さ
れ、薄膜コイル形成の部分だけ見ても多くの工程を有す
るが、本実施例における薄膜コイル１３の層は、ターミ
ナル形成が不要なために一層で形成でき、明らかに生産
性が高い。

【００５２】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の磁気ヘッドによれば、上部コアと下部コアとに分けて
構成し、下部コアの上部コアとの磁気的接合部の周囲に
薄膜形成法により形成されるコイルを設けるようにした
ので、コイル間の接続を容易にし、磁路を小型化した出
力対ノイズ（Ｃ／Ｎ）特性の良い磁気ヘッドの生産性を
高めることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁気ヘッドの一実施例を示す斜視図で
ある。

【図２】（ａ），（ｂ），（ｃ）は、それぞれ本発明の
磁気ヘッドに適用できるＭＩＧタイプの磁気ギャップ形
成部の例を示す図である。

【図３】（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ），（ｅ−
１），（ｆ）は、図１に示す磁気ヘッドの下部コアの製
造工程を、図４（ｇ）〜（ｋ）とともに示す図である。
（ｅ−２），（ｅ−３）は、（ｅ−１）の変形例を示
し、（ｅ−４），（ｅ−５），（ｅ−６）は、その説明
図である。

【図４】（ｇ）〜（ｋ）は、図１に示す磁気ヘッドの下
部コアの製造工程を、図３（ａ）〜（ｆ）とともに示す
図である。（ｈ−２）および（ｊ−２）は、（ｈ−１）
および（ｊ−１）のそれぞれ上面図を示している。

【図５】（ａ）〜（ｆ）は、図１に示す磁気ヘッドの上
部コアの製造工程を示す図である。

【図６】（ａ），（ｂ），（ｃ）は、上部コアと下部コ
アから磁気ヘッドが得られる工程を示す図である。

【図７】磁気ヘッドがプリント基板に形成された端子に
接続された構成を示す図である。

【図８】本発明の磁気ヘッドにおける磁路を示す図であ
る。

【図９】（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ本発明の磁気ヘッ
ドの他の実施例を示す図である。

【図１０】従来の磁気ヘッドの一例を示す図である。

【図１１】従来の磁気ヘッドの一例を示す図である。

【符号の説明】

１０ 磁気ヘッド １２ 上部コア １３Ａ，１３Ｂ 薄膜コイル １４ 下部コア １５ 巻線溝 １６ 磁性膜 １８ 基台 １９Ａ，１９Ｂ 規制溝 ２０Ａ，２０Ｂ 規制溝 ３３ 導電膜 ４９ 端子

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 磁気ギャップを介して接合される磁性体
   を有する第１のコアと、磁性体を有する第２のコアとを
   備え、 前記第２のコアは、前記第１のコアと接合される２つの
   接合部が凹部を挟んで形成されるとともに、前記第２の
   コアの接合部は、一対の第１の規制溝と、この第１の規
   制溝に交叉して形成される一対の第２の溝とにより接合
   面積が規制され、かつ、前記第２のコアは、前記第１お
   よび第２の規制溝によって除去された部分にガラスが充
   填され、 前記ガラスの前記第１のコアとの接合面における前記２
   つの接合部のそれぞれの周囲に薄膜形成法により形成さ
   れるコイルが独立して配され、この独立して配されたコ
   イルが前記凹部に配された導電膜によって接続されると
   ともに、前記コイルの端子が前記ガラスの露出面上に形
   成されていることを特徴とする磁気ヘッド。
2. 【請求項２】 請求項１において、前記第１のコアは、
   ２つのコアハーフがギャップを介して接合されることに
   より形成され、 前記２つの接合部は、前記第１のコアと第２のコアにそ
   れぞれ接続されていることを特徴とする磁気ヘッド。
3. 【請求項３】 請求項１あるいは２において、前記接合
   部の一方の面積が、１×１０^-2ｍｍ²以下であることを
   特徴とする磁気ヘッド。