JPH0644524A - 磁気変換器及び磁気変換器を製造する方法 - Google Patents
磁気変換器及び磁気変換器を製造する方法Info
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- JPH0644524A JPH0644524A JP5069285A JP6928593A JPH0644524A JP H0644524 A JPH0644524 A JP H0644524A JP 5069285 A JP5069285 A JP 5069285A JP 6928593 A JP6928593 A JP 6928593A JP H0644524 A JPH0644524 A JP H0644524A
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- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
- G11B5/21—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features the pole pieces being of ferrous sheet metal or other magnetic layers
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Landscapes
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明の磁気テープ媒体を用いて高周波信号
を記録再生する改善された磁気変換器を提供する。多数
の変換器が同じプロセスで同時に形成され、その結果、
均一性の高い大量生産、高精度及び低コストに向く磁気
変換器が得られる。 【構成】 変換器ヘッドは半分に分かれて成層され、部
分的に強磁性のコア部を含み、それは導電性の層を有す
る対向する面で境界され、その各々は信号コイル部分を
形成している。各コア部は、半分のＹ型断面構造として
形成され、足部分及び腕部分を有する。２つの変換器ヘ
ッドの半分は、絶縁ギャップに関し反対向きに接合さ
れ、一つの変換器ヘッド形成する。
を記録再生する改善された磁気変換器を提供する。多数
の変換器が同じプロセスで同時に形成され、その結果、
均一性の高い大量生産、高精度及び低コストに向く磁気
変換器が得られる。 【構成】 変換器ヘッドは半分に分かれて成層され、部
分的に強磁性のコア部を含み、それは導電性の層を有す
る対向する面で境界され、その各々は信号コイル部分を
形成している。各コア部は、半分のＹ型断面構造として
形成され、足部分及び腕部分を有する。２つの変換器ヘ
ッドの半分は、絶縁ギャップに関し反対向きに接合さ
れ、一つの変換器ヘッド形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気ヘッド変換器に関す
るものであり、より詳細には、磁気テープ媒体で使用す
るための磁気ヘッド用の成層された高周波の磁気変換器
及びその変換器を製造する方法に関するものである。
るものであり、より詳細には、磁気テープ媒体で使用す
るための磁気ヘッド用の成層された高周波の磁気変換器
及びその変換器を製造する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】磁気テープレコーダの性能は、録音ヘッ
ド及びテープを作るために使用される磁気材料及び磁気
特性に影響を与えるこれらの材料の構造に依存する。磁
気的にハード材料はその高残留磁気、高保磁力及び低透
磁率によって特徴づけられ、主に記録テープの製造及び
他のメディア記録に使用される。一方、低保磁力、低残
留磁気及び比較的に高い透磁率を示す磁気的にソフト材
料は、一般に、電気信号が磁気テープから再生され及び
記録される磁気ヘッド用の磁気コアを作るために利用さ
れる。
ド及びテープを作るために使用される磁気材料及び磁気
特性に影響を与えるこれらの材料の構造に依存する。磁
気的にハード材料はその高残留磁気、高保磁力及び低透
磁率によって特徴づけられ、主に記録テープの製造及び
他のメディア記録に使用される。一方、低保磁力、低残
留磁気及び比較的に高い透磁率を示す磁気的にソフト材
料は、一般に、電気信号が磁気テープから再生され及び
記録される磁気ヘッド用の磁気コアを作るために利用さ
れる。
【０００３】ビデオレコーダのために、典型的なリング
形式の磁気のビデオ・ヘッドは、非磁性体のギャップ・
スペーサ及び信号情報が接続されるコイルを有する２つ
の磁気コアから構成される。記録ビデオヘッドは、信号
システムからの電気エネルギを物理的ギャップからビデ
オヘッドに放出される磁界に変換し、このビデオヘッド
は電気信号に比例して磁気テープ上に磁気パターンを作
る。再生ビデオヘッドは、逆に、物理的ギャップを通る
磁気テープからの磁束を集め、それを記録された磁束に
比例した電気信号に変換する。
形式の磁気のビデオ・ヘッドは、非磁性体のギャップ・
スペーサ及び信号情報が接続されるコイルを有する２つ
の磁気コアから構成される。記録ビデオヘッドは、信号
システムからの電気エネルギを物理的ギャップからビデ
オヘッドに放出される磁界に変換し、このビデオヘッド
は電気信号に比例して磁気テープ上に磁気パターンを作
る。再生ビデオヘッドは、逆に、物理的ギャップを通る
磁気テープからの磁束を集め、それを記録された磁束に
比例した電気信号に変換する。
【０００４】フェライト材料は、従来、ビデオヘッド用
の磁性体として使用されてきた。高解像度ビデオテープ
レコーダ、デジタルビデオテープレコーダ等の出現によ
って金属粉媒体、金属蒸気媒体等の高保磁力記録媒体が
使用され、より大容量の情報記録のための高密度構造へ
の傾向が速まった。この進展によって、媒体上に記録さ
れた情報信号の周波数を増大させる必要が生じた。
の磁性体として使用されてきた。高解像度ビデオテープ
レコーダ、デジタルビデオテープレコーダ等の出現によ
って金属粉媒体、金属蒸気媒体等の高保磁力記録媒体が
使用され、より大容量の情報記録のための高密度構造へ
の傾向が速まった。この進展によって、媒体上に記録さ
れた情報信号の周波数を増大させる必要が生じた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
フェライトコアは、これらの応用に必要な機能を達成す
る特性を供給することができなかった。その固有の欠点
のために、すなわち、製造プロセス中のフェライト材料
のチッピング（欠け落ち）及びブレイキング（破壊）を
除去できなかったために、フェライトコアによっては幅
の狭いトラックを形成し又は薄い磁気コアの成層を行う
ことができなかった。
フェライトコアは、これらの応用に必要な機能を達成す
る特性を供給することができなかった。その固有の欠点
のために、すなわち、製造プロセス中のフェライト材料
のチッピング（欠け落ち）及びブレイキング（破壊）を
除去できなかったために、フェライトコアによっては幅
の狭いトラックを形成し又は薄い磁気コアの成層を行う
ことができなかった。
【０００６】フェライト・ヘッドの製造上の問題に加え
て、特に記録プロセスの期間にヘッドが高保磁力磁気テ
ープで使用されると、性能上の問題が生じる。高保磁力
磁気テープでは従来の磁気テープよりも記録の間に大き
な信号が必要とされる。これは、テープからの信号レベ
ルは非常に小さいので、フェライト・ヘッドを再生動作
で使用する場合には問題とならない。高記録信号及びよ
り小さいヘッドの場合には、この信号は再生の時にフェ
ライト・ヘッドを飽和させる。フェライト・ヘッドが高
保磁力磁気テープと接触すると大きなノイズ・レベルが
発生し、そのために許容できるＳＮ比を達成するために
さらに大きな信号が必要となる。バルク金属ヘッドは同
様に性能が悪く、主に渦電流損のために高周波数応答が
遅い欠点がある。
て、特に記録プロセスの期間にヘッドが高保磁力磁気テ
ープで使用されると、性能上の問題が生じる。高保磁力
磁気テープでは従来の磁気テープよりも記録の間に大き
な信号が必要とされる。これは、テープからの信号レベ
ルは非常に小さいので、フェライト・ヘッドを再生動作
で使用する場合には問題とならない。高記録信号及びよ
り小さいヘッドの場合には、この信号は再生の時にフェ
ライト・ヘッドを飽和させる。フェライト・ヘッドが高
保磁力磁気テープと接触すると大きなノイズ・レベルが
発生し、そのために許容できるＳＮ比を達成するために
さらに大きな信号が必要となる。バルク金属ヘッドは同
様に性能が悪く、主に渦電流損のために高周波数応答が
遅い欠点がある。
【０００７】上述の考察は、より高い磁束飽和密度を有
する市販のコバルト・ジルコニウム・ニオビウム（ＣＺ
Ｎ）合金のような磁性体、各々がそれぞれ８５％の鉄、
６％のアルミニウム、９％のシリコンを有するアルフェ
シル（Ａｌｆｅｓｉｌ）、センダスト（Ｓｅｎｄｕｓ
ｔ）、スピナロイ（Ｓｐｉｎａｌｌｏｙ）又はバコデュ
ール（Ｖａｃｏｄｕｒ）を含む鉄・アルミニウム・シリ
コン合金、及びアモルファス金属が使用できる。使用さ
さるヘッド・コア材料の磁気特性のほかに、ビデオ・ヘ
ッドの性能に関する大きな設計上の考察点としては、ト
ラック幅、ギャップの長さ、ギャップの深さ、コアの断
面領域、及び他のコアの幾何学的配置（例えば、経路の
長さ）等がある。これらのパラメータの各々は、磁気テ
ープレコーダの設計基準に従って選択されなければなら
ない。一方、同時に、ヘッド効率はできるだけ高く維持
する必要がある。
する市販のコバルト・ジルコニウム・ニオビウム（ＣＺ
Ｎ）合金のような磁性体、各々がそれぞれ８５％の鉄、
６％のアルミニウム、９％のシリコンを有するアルフェ
シル（Ａｌｆｅｓｉｌ）、センダスト（Ｓｅｎｄｕｓ
ｔ）、スピナロイ（Ｓｐｉｎａｌｌｏｙ）又はバコデュ
ール（Ｖａｃｏｄｕｒ）を含む鉄・アルミニウム・シリ
コン合金、及びアモルファス金属が使用できる。使用さ
さるヘッド・コア材料の磁気特性のほかに、ビデオ・ヘ
ッドの性能に関する大きな設計上の考察点としては、ト
ラック幅、ギャップの長さ、ギャップの深さ、コアの断
面領域、及び他のコアの幾何学的配置（例えば、経路の
長さ）等がある。これらのパラメータの各々は、磁気テ
ープレコーダの設計基準に従って選択されなければなら
ない。一方、同時に、ヘッド効率はできるだけ高く維持
する必要がある。
【０００８】したがって、改善された短い磁路を有する
高周波磁気変換器にとってコアの磁気抵抗を減らし、磁
気コアで使われる磁性体の透磁率に依存しないような磁
気抵抗値まで低減することが重要である。それに加え
て、渦電流損及び他の周波数の影響は最小にすべきであ
る。また磁極チップの摩耗も最小にし、さらに、漏洩磁
気抵抗も最小にすべきである。理想的には、ヘッドは、
より高い周波数応答を提供し、そしてコア材料は普通の
録音レベルでは飽和しないような特性にすべきである。
そのような変換器の製造は、大量生産、高精度、低コス
トが達成でき、また高度の均一性を達成すべきである。
本発明は、これらのニーズを満たし、さらに関連する利
点を供給する。
高周波磁気変換器にとってコアの磁気抵抗を減らし、磁
気コアで使われる磁性体の透磁率に依存しないような磁
気抵抗値まで低減することが重要である。それに加え
て、渦電流損及び他の周波数の影響は最小にすべきであ
る。また磁極チップの摩耗も最小にし、さらに、漏洩磁
気抵抗も最小にすべきである。理想的には、ヘッドは、
より高い周波数応答を提供し、そしてコア材料は普通の
録音レベルでは飽和しないような特性にすべきである。
そのような変換器の製造は、大量生産、高精度、低コス
トが達成でき、また高度の均一性を達成すべきである。
本発明は、これらのニーズを満たし、さらに関連する利
点を供給する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気テープ媒体
を用いて高周波信号を記録再生する改善された磁気変換
器は、絶縁ギャップによって分離された一対の半分の変
換器ヘッドを反対向きに接合したものである。変換器ヘ
ッドの各半分は、成層され、少くとも、部分的に強磁性
のコア部を含み、それは導電性の層を有する対向する面
で境界され、その各々は信号コイル部分を形成してい
る。各コア部は、半分のＹ型断面構造として形成され、
足部分及び腕部分を有する。２つの変換器ヘッドの半分
は、絶縁ギャップを形成する接合材料と隣接した足部分
に置かれて接合される。腕部分の端部は、成層コア部分
の磁路中にブロック型の強磁性の極片を有し、端部の中
間のＶ型部分に延び、絶縁ギャップと隣接する。２つの
磁極片はギャップの共通平面と直交する面にある。
を用いて高周波信号を記録再生する改善された磁気変換
器は、絶縁ギャップによって分離された一対の半分の変
換器ヘッドを反対向きに接合したものである。変換器ヘ
ッドの各半分は、成層され、少くとも、部分的に強磁性
のコア部を含み、それは導電性の層を有する対向する面
で境界され、その各々は信号コイル部分を形成してい
る。各コア部は、半分のＹ型断面構造として形成され、
足部分及び腕部分を有する。２つの変換器ヘッドの半分
は、絶縁ギャップを形成する接合材料と隣接した足部分
に置かれて接合される。腕部分の端部は、成層コア部分
の磁路中にブロック型の強磁性の極片を有し、端部の中
間のＶ型部分に延び、絶縁ギャップと隣接する。２つの
磁極片はギャップの共通平面と直交する面にある。
【００１０】各成層コア部分は、第一の絶縁層を有し、
その上に磁性体材料と絶縁材料の薄い複数の層が交互に
成層される。成層コア部の外側及び内側面上の導電性の
層は、外側及び内側導体を形成し、たとえば、ジャンパ
によって電気的に接続されることによって、１又は２タ
ーン・コイルを形成する。内側導体は、磁極片の下の絶
縁ギャップ層の反対側のＹ型の開口を介して通過する
（実質的に充填されている）２つの内側導体の横部分に
よって逆Ｕ型を構成する。内側導体の足部分は成層コア
部にまたがる。内側及び外側の両導体は、成層コア部の
幅より大きい幅であるので、基板ブロックを個々の変換
器を形成するためにスライスした後に、内側及び外側の
導体の端部はジャンパにより接続することにより卷線コ
イルが形成される。
その上に磁性体材料と絶縁材料の薄い複数の層が交互に
成層される。成層コア部の外側及び内側面上の導電性の
層は、外側及び内側導体を形成し、たとえば、ジャンパ
によって電気的に接続されることによって、１又は２タ
ーン・コイルを形成する。内側導体は、磁極片の下の絶
縁ギャップ層の反対側のＹ型の開口を介して通過する
（実質的に充填されている）２つの内側導体の横部分に
よって逆Ｕ型を構成する。内側導体の足部分は成層コア
部にまたがる。内側及び外側の両導体は、成層コア部の
幅より大きい幅であるので、基板ブロックを個々の変換
器を形成するためにスライスした後に、内側及び外側の
導体の端部はジャンパにより接続することにより卷線コ
イルが形成される。
【００１１】前置増幅器手段は、変換器上に直接載置さ
れ、電気的にコイル端と接続され、それにより前置増幅
器から変換器コイルに短いリードで配線される。これに
よって、例えば、１００〜１５０ＭＨｚの高周波におい
て長いリードで生じる静電容量及びインダクタンスによ
る損失が減少する。
れ、電気的にコイル端と接続され、それにより前置増幅
器から変換器コイルに短いリードで配線される。これに
よって、例えば、１００〜１５０ＭＨｚの高周波におい
て長いリードで生じる静電容量及びインダクタンスによ
る損失が減少する。
【００１２】本発明の磁気変換器を製造する方法は、少
くとも２つの全く同じ半分の変換器ヘッドを形成するス
テップを含んでいる。ここで、各半分のＹ型の変換器ヘ
ッドはコア構造を構成するために形成される面及び磁極
構造を構成するために形成させる帯状面を有する基板を
提供することから始まり；外側のコイル導体を供給する
ために面に導電性の層を形成し；成層コア構造を形成す
るために絶縁物質と磁性体とを交互に成層し；個々の成
層コア部を形成するために成層コア構成を選択的に除去
し；成層コア部の面及び側面エッジに絶縁層を形成し；
内側Ｕ型コイル導体を供給するために絶縁層上に第二の
内側導体層を形成し；帯状部に磁性体の磁極片をコア部
の腕の端部に形成し；絶縁された接合材料を有するＹ型
変換器を形成するために、２つの変換器ヘッドの半分を
向い合わせて接合し、２つの極片の間のギャップを形成
する。
くとも２つの全く同じ半分の変換器ヘッドを形成するス
テップを含んでいる。ここで、各半分のＹ型の変換器ヘ
ッドはコア構造を構成するために形成される面及び磁極
構造を構成するために形成させる帯状面を有する基板を
提供することから始まり；外側のコイル導体を供給する
ために面に導電性の層を形成し；成層コア構造を形成す
るために絶縁物質と磁性体とを交互に成層し；個々の成
層コア部を形成するために成層コア構成を選択的に除去
し；成層コア部の面及び側面エッジに絶縁層を形成し；
内側Ｕ型コイル導体を供給するために絶縁層上に第二の
内側導体層を形成し；帯状部に磁性体の磁極片をコア部
の腕の端部に形成し；絶縁された接合材料を有するＹ型
変換器を形成するために、２つの変換器ヘッドの半分を
向い合わせて接合し、２つの極片の間のギャップを形成
する。
【００１３】
【作用】本発明においては、全ての変換器は、物質の堆
積及びフォトリソグラフィ法のような大量生産、高精度
及び低コスト技術によって製造される。バッチ組立てに
よって、多数の変換器ための磁気コア材料のすべてが、
同じプロセスステップで堆積され、変換器のギャップの
すべてが同時に形成される。この結果、全ての変換器が
高い均一性を有する。
積及びフォトリソグラフィ法のような大量生産、高精度
及び低コスト技術によって製造される。バッチ組立てに
よって、多数の変換器ための磁気コア材料のすべてが、
同じプロセスステップで堆積され、変換器のギャップの
すべてが同時に形成される。この結果、全ての変換器が
高い均一性を有する。
【００１４】
【実施例】図１は本発明の高周波用磁気変換器の斜視図
である。図２は図１の変換器の主要な素子の部分的な分
解図である。図１及び図２において、薄膜磁気変換器２
０は絶縁ギャップ層２５を介して接合された２つの同じ
加工片で組み立てられた材料基板２２，２２’によって
構成される。図１及び図２は、説明を容易にするため
に、図式的に表現されており、寸法は正確でない。以下
に述べられるように、組み立てられた加工片は、第一及
び第二のヘッド部２１，２１’を含む変換器２０が供給
される。この変換器２０は第一及び第二の成層磁気コア
部２４，２４’で形成され、１対の内側Ｕ型の導体２
６，２６’、１対の外側導体２８，２８’、一対の磁極
チップ３０，３０’から形成される。変換器２０は、一
般にＹ型の断面を有し、Ｙ型コア部２４，２４’の腕位
置の端部に装着され、絶縁ギャップ層２５の面に直角の
方向に延びる磁極チップ３０，３０’、好ましくは１〜
２ターン・コイルを形成するためのジャンパ線の接続を
可能にするために変換器の外側からアクセス可能な内外
導体２６，２６及び２８，２８’を有する。
である。図２は図１の変換器の主要な素子の部分的な分
解図である。図１及び図２において、薄膜磁気変換器２
０は絶縁ギャップ層２５を介して接合された２つの同じ
加工片で組み立てられた材料基板２２，２２’によって
構成される。図１及び図２は、説明を容易にするため
に、図式的に表現されており、寸法は正確でない。以下
に述べられるように、組み立てられた加工片は、第一及
び第二のヘッド部２１，２１’を含む変換器２０が供給
される。この変換器２０は第一及び第二の成層磁気コア
部２４，２４’で形成され、１対の内側Ｕ型の導体２
６，２６’、１対の外側導体２８，２８’、一対の磁極
チップ３０，３０’から形成される。変換器２０は、一
般にＹ型の断面を有し、Ｙ型コア部２４，２４’の腕位
置の端部に装着され、絶縁ギャップ層２５の面に直角の
方向に延びる磁極チップ３０，３０’、好ましくは１〜
２ターン・コイルを形成するためのジャンパ線の接続を
可能にするために変換器の外側からアクセス可能な内外
導体２６，２６及び２８，２８’を有する。
【００１５】図１において、各成層磁気コア部２４（図
２参照）は、内側導体２６及び外側導体２８の間にはさ
まれ、「内側」及び「外側」の語は、変換器２０の軸の
中心線上の絶縁ギャップ２５の面との関係で使用され
る。絶縁ギャップ２５は一つの素子として表示されてい
るが、絶縁ギャップ２５の部分は２つの同様な各ヘッド
部の上に接合及び接合されたときひとつのギャップを形
づくる２つの層が堆積されている。
２参照）は、内側導体２６及び外側導体２８の間にはさ
まれ、「内側」及び「外側」の語は、変換器２０の軸の
中心線上の絶縁ギャップ２５の面との関係で使用され
る。絶縁ギャップ２５は一つの素子として表示されてい
るが、絶縁ギャップ２５の部分は２つの同様な各ヘッド
部の上に接合及び接合されたときひとつのギャップを形
づくる２つの層が堆積されている。
【００１６】外側導体２８，２８’は、一般に湾曲板状
構造の穴のあいていない導体層である。一方、内側導体
は、一般に、成層コア部２４の半Ｙ形に形成される卷線
ギャップであるウィンドウを通して通過する横部分２６
ａ，２６ａ’を有するＵ型構造である。内側導体２６，
２６’の足２６ｂ，２６ｃ及び２６ｂ’２６ｃ’はコア
部２４の端にまたがっている。上述のように、各コア部
２４，２４’は、絶縁層２７，２７’を有し、これは内
側面及びその横のエッジを覆っている。
構造の穴のあいていない導体層である。一方、内側導体
は、一般に、成層コア部２４の半Ｙ形に形成される卷線
ギャップであるウィンドウを通して通過する横部分２６
ａ，２６ａ’を有するＵ型構造である。内側導体２６，
２６’の足２６ｂ，２６ｃ及び２６ｂ’２６ｃ’はコア
部２４の端にまたがっている。上述のように、各コア部
２４，２４’は、絶縁層２７，２７’を有し、これは内
側面及びその横のエッジを覆っている。
【００１７】図３〜図１５において、本発明の成層され
た高周波磁気変換器２０を組立てる場合に利用されるシ
ーケンシャルなステップが、この組立ての間に利用され
た材料とともに表わされる。特に図３において、この方
法における出発材料としては、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）の
ような適当な非磁性、非導電性材料、チタンカーバイド
（ＴｉＣ）とアルミナの混合物のようなセラミックス、
及びその他の同等の材料で構成される細長い薄いブロッ
ク基板２２が供給される。まず、基板２２は、相互に垂
直で少くとも第一及び第二の面３４及び３６を有する。
基板２２は０．０３０インチ（０．７６ｍｍ）の厚さを
有しており、従来の機械的方法又は反応イオンビームエ
ッチング（ＲＩＢＥ）によって形づくられる。切欠き部
３８、基板２２の長手方向のエッジの下部に形成され
る、この切欠き部３８は直角になっており、第一の面３
４及びそれと垂直な面３８に平行な面３８ａを有する。
た高周波磁気変換器２０を組立てる場合に利用されるシ
ーケンシャルなステップが、この組立ての間に利用され
た材料とともに表わされる。特に図３において、この方
法における出発材料としては、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）の
ような適当な非磁性、非導電性材料、チタンカーバイド
（ＴｉＣ）とアルミナの混合物のようなセラミックス、
及びその他の同等の材料で構成される細長い薄いブロッ
ク基板２２が供給される。まず、基板２２は、相互に垂
直で少くとも第一及び第二の面３４及び３６を有する。
基板２２は０．０３０インチ（０．７６ｍｍ）の厚さを
有しており、従来の機械的方法又は反応イオンビームエ
ッチング（ＲＩＢＥ）によって形づくられる。切欠き部
３８、基板２２の長手方向のエッジの下部に形成され
る、この切欠き部３８は直角になっており、第一の面３
４及びそれと垂直な面３８に平行な面３８ａを有する。
【００１８】上部の長手方向のエッジ、すなわち、２つ
の面３４と３６の交点で、基板２２は、面３４に平行な
第一の面４０を含む斜の凹部と、表面３４及び４０と角
度を持って交差している第二のテーパ面４２とを提供す
るために加工される。後で、明らかになるが、隣接にす
る表面３４と４２は、半Ｙ型構成中のコア部を製造する
ために使用される面を構成するコア断面を提供するため
に隣接面として作用する。
の面３４と３６の交点で、基板２２は、面３４に平行な
第一の面４０を含む斜の凹部と、表面３４及び４０と角
度を持って交差している第二のテーパ面４２とを提供す
るために加工される。後で、明らかになるが、隣接にす
る表面３４と４２は、半Ｙ型構成中のコア部を製造する
ために使用される面を構成するコア断面を提供するため
に隣接面として作用する。
【００１９】面４０は、磁極チップ帯状として作用し、
その中で、等しく分離された同一の複数の磁極チップ切
欠き部４４が形成され、切欠き部４４の底部のエッジは
テーパ面４２と面４０の交差によって形成される線と共
に延びている。切欠き部４４の深さは、面４０の幅に対
応し、本質的には、長方形の構成及び切欠き部４４の寸
法は、以下に述べるように、磁極チップ３０，３０’の
幅及び厚さを形成する。
その中で、等しく分離された同一の複数の磁極チップ切
欠き部４４が形成され、切欠き部４４の底部のエッジは
テーパ面４２と面４０の交差によって形成される線と共
に延びている。切欠き部４４の深さは、面４０の幅に対
応し、本質的には、長方形の構成及び切欠き部４４の寸
法は、以下に述べるように、磁極チップ３０，３０’の
幅及び厚さを形成する。
【００２０】この組立て方法は、単一の基板２２ブロッ
クから、多くの成層された、高周波の磁気変換器２０が
製造されるので、その磁極チップ切欠き部４４の数は、
ひとつの基板２２ブロックから製造される変換器２０の
数と比例している。さらに、図示される実施例において
は、数ダースのオーダ又は数百のオーダ、さらにはそれ
より多くの数の場合にもなる。後の組立てステップを容
易にするために、基板ブロック２２及び面３４及びテー
パ面４２及び磁極チップ帯状面４０を含むより多くのコ
ア構造は、たとえば、機械的研磨によって平面に研磨さ
れ、十分に洗浄されるべきである。図示されない１５０
０オングストロームのオーダの絶縁層は基板ブロック２
２の平面３４及びテーパ面４０の上に堆積され、もし必
要ならば、基板ブロック２２の電気絶縁を改善する。い
くぶん厚い層の絶縁材料が、導体で非磁性体基板ブロッ
ク２２と共に利用することができる。
クから、多くの成層された、高周波の磁気変換器２０が
製造されるので、その磁極チップ切欠き部４４の数は、
ひとつの基板２２ブロックから製造される変換器２０の
数と比例している。さらに、図示される実施例において
は、数ダースのオーダ又は数百のオーダ、さらにはそれ
より多くの数の場合にもなる。後の組立てステップを容
易にするために、基板ブロック２２及び面３４及びテー
パ面４２及び磁極チップ帯状面４０を含むより多くのコ
ア構造は、たとえば、機械的研磨によって平面に研磨さ
れ、十分に洗浄されるべきである。図示されない１５０
０オングストロームのオーダの絶縁層は基板ブロック２
２の平面３４及びテーパ面４０の上に堆積され、もし必
要ならば、基板ブロック２２の電気絶縁を改善する。い
くぶん厚い層の絶縁材料が、導体で非磁性体基板ブロッ
ク２２と共に利用することができる。
【００２１】図３は図１の成層された高周波の磁気変換
器の製造方法における出発材料を示す斜視図である。図
３において示される基板２２ブロックにおいて、磁極チ
ップ帯状面４０における複数の磁極チップ切欠き部４４
の各々は、一般にフォトリソグラフィー又は化学エッチ
ング技術において利用されるフォトレジスト４６で充満
され、そのフォトレジスト４６の容積及び構成は切欠き
部４４の外側の寸法に対応する。すなわち、切欠き部４
４は、周囲の平面３６及び４０まで延びたフォトレジス
ト面で充満される。たとえば銅のような、高導電率で非
磁性体金属の導体層２８が隣接の面３４，４２を構成す
るコア構造上に堆積する。どのような導電層も、切欠き
部３８の上又は下には堆積されない。少しの部分が磁極
チップ面４０上に堆積される。１ミル（２５ミクロン）
の厚さを有するこの導体層２８は、スパッタリング、真
空蒸着、イオンプレーティング等のを含む従来の多くの
技術によって堆積することができる。図４は、フォトレ
ジスト４６で充満された磁極チップ切欠き部４４及び隣
接面３４，４２上に堆積した導体２８の層を有する基板
ブロック２２を示す。
器の製造方法における出発材料を示す斜視図である。図
３において示される基板２２ブロックにおいて、磁極チ
ップ帯状面４０における複数の磁極チップ切欠き部４４
の各々は、一般にフォトリソグラフィー又は化学エッチ
ング技術において利用されるフォトレジスト４６で充満
され、そのフォトレジスト４６の容積及び構成は切欠き
部４４の外側の寸法に対応する。すなわち、切欠き部４
４は、周囲の平面３６及び４０まで延びたフォトレジス
ト面で充満される。たとえば銅のような、高導電率で非
磁性体金属の導体層２８が隣接の面３４，４２を構成す
るコア構造上に堆積する。どのような導電層も、切欠き
部３８の上又は下には堆積されない。少しの部分が磁極
チップ面４０上に堆積される。１ミル（２５ミクロン）
の厚さを有するこの導体層２８は、スパッタリング、真
空蒸着、イオンプレーティング等のを含む従来の多くの
技術によって堆積することができる。図４は、フォトレ
ジスト４６で充満された磁極チップ切欠き部４４及び隣
接面３４，４２上に堆積した導体２８の層を有する基板
ブロック２２を示す。
【００２２】図５は、導体層上に交互に堆積された磁性
体層及び絶縁体層を示す斜視図である。図５において、
導体層２８の上に１００〜２００マイクロインチ（２．
５４〜５．０８ミクロン）の厚さを有する第一の絶縁層
４９が堆積され、次に高透磁率磁性体及び絶縁体材料の
薄い層５０，５１が交互に堆積される。図５に示される
ように、この堆積層は、テーパの上部の面４２に延びて
磁極チップ帯状面４０を覆う。薄い磁性体層５０は、各
々が４０マイクロインチ（１．０６ミクロン）の厚さを
有し、市販のコバルト・ジルコニウム・ニオビウム（Ｃ
ＺＮ）合金のような磁性体、各々がそれぞれ８５％の
鉄、６％のアルミニウム、９％のシリコンを有するアル
フェシル（Ａｌｆｅｓｉｌ）、センダスト（Ｓｅｎｄｕ
ｓｔ）、スピナロイ（Ｓｐｉｎａｌｌｏｙ）又はバコデ
ュール（Ｖａｃｏｄｕｒ）を含む鉄・アルミニウム・シ
リコン合金、及び同様のアモルファス金属が使用でき
る。
体層及び絶縁体層を示す斜視図である。図５において、
導体層２８の上に１００〜２００マイクロインチ（２．
５４〜５．０８ミクロン）の厚さを有する第一の絶縁層
４９が堆積され、次に高透磁率磁性体及び絶縁体材料の
薄い層５０，５１が交互に堆積される。図５に示される
ように、この堆積層は、テーパの上部の面４２に延びて
磁極チップ帯状面４０を覆う。薄い磁性体層５０は、各
々が４０マイクロインチ（１．０６ミクロン）の厚さを
有し、市販のコバルト・ジルコニウム・ニオビウム（Ｃ
ＺＮ）合金のような磁性体、各々がそれぞれ８５％の
鉄、６％のアルミニウム、９％のシリコンを有するアル
フェシル（Ａｌｆｅｓｉｌ）、センダスト（Ｓｅｎｄｕ
ｓｔ）、スピナロイ（Ｓｐｉｎａｌｌｏｙ）又はバコデ
ュール（Ｖａｃｏｄｕｒ）を含む鉄・アルミニウム・シ
リコン合金、及び同様のアモルファス金属が使用でき
る。
【００２３】薄い絶縁体層５１としては１〜２マイクロ
インチ（０．０２５〜０．０５ミクロン）の厚さを有す
るアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）又は二酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏ2）が適当な材料である。薄い絶縁体及び磁性体層５
０，５１は、同様にスパッタリング、真空蒸着、イオン
プレーティング又は同様の従来技術によって堆積でき
る。説明及び紙面の都合上、図５及びその後の図におい
て磁性体層５０及び絶縁層５１の数はそれぞれ２層しか
表わされていない。しかしながら、実際には磁性体層５
０の外側には絶縁層が１０〜１２層程度設けられる。
インチ（０．０２５〜０．０５ミクロン）の厚さを有す
るアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）又は二酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏ2）が適当な材料である。薄い絶縁体及び磁性体層５
０，５１は、同様にスパッタリング、真空蒸着、イオン
プレーティング又は同様の従来技術によって堆積でき
る。説明及び紙面の都合上、図５及びその後の図におい
て磁性体層５０及び絶縁層５１の数はそれぞれ２層しか
表わされていない。しかしながら、実際には磁性体層５
０の外側には絶縁層が１０〜１２層程度設けられる。
【００２４】図６は、積層された材料が部分的に除去さ
れるステップを示す斜視図である。個々の成層コア部２
４は、図６において描写されるように、積層された材料
を部分的に除去することによって形成される。複数のコ
ア部２４は互いに平行に形成され、磁極チップ切欠き部
４４のから下方に一直線に延びている。コア部２４の配
列は、図６に描写されるように、薄い積層した層５０，
５１及び底部絶縁層５１を選択的に除去することによっ
て形成され、それにより導体層２８が露出する。この材
料を選択的に除去するために、反応イオンビームエッチ
ング（ＲＩＢＥ）が使用でき、又は、露光されたフォト
レジストを利用した光化学エッチングを使用することが
できる。上述のように、この材料は、コア部２４に隣接
する部分から除去され、同様に磁極チップ帯状面４０に
沿った材料は上部まで除去され、コア部２４の端部は同
一平面となり、面４０と垂直に形成される。
れるステップを示す斜視図である。個々の成層コア部２
４は、図６において描写されるように、積層された材料
を部分的に除去することによって形成される。複数のコ
ア部２４は互いに平行に形成され、磁極チップ切欠き部
４４のから下方に一直線に延びている。コア部２４の配
列は、図６に描写されるように、薄い積層した層５０，
５１及び底部絶縁層５１を選択的に除去することによっ
て形成され、それにより導体層２８が露出する。この材
料を選択的に除去するために、反応イオンビームエッチ
ング（ＲＩＢＥ）が使用でき、又は、露光されたフォト
レジストを利用した光化学エッチングを使用することが
できる。上述のように、この材料は、コア部２４に隣接
する部分から除去され、同様に磁極チップ帯状面４０に
沿った材料は上部まで除去され、コア部２４の端部は同
一平面となり、面４０と垂直に形成される。
【００２５】図７は、絶縁層及び導体が堆積される様子
を示す斜視図である。図８は、図７の３Ｆ−３Ｆで切断
した上面図である。図７及び図８において、成層コア部
２４が形成された後に、上部絶縁層２７（図２参照）
は、露出された前面及び成層コア部２４の側面及び上部
と同様に、導体２８を含む露出された面上に堆積され
る。この層２７は均一の厚さの層であり、露出面及びエ
ッジの輪郭に続く。この絶縁層２７の堆積に続いて、こ
の加工片の全ての露出面には導体層２６が堆積され、基
板ブロック２２の最初の面３４に平行な十分な厚さの面
を形成する。図８において、導体層２６の面は前のステ
ップで堆積された絶縁層２７と同一平面である。導電体
層は、図７及び図８に示されるように、成層コア部２
４、成層コア部２４の下及びその間のエリア、磁極チッ
プ帯状面４０及び磁極チップ切欠き部４４を覆ってい
る。この上部導体層２６は、隣接のコア部２４間の空間
で０．５ミル（１２ミクロン）の厚さの寸法を有する。
を示す斜視図である。図８は、図７の３Ｆ−３Ｆで切断
した上面図である。図７及び図８において、成層コア部
２４が形成された後に、上部絶縁層２７（図２参照）
は、露出された前面及び成層コア部２４の側面及び上部
と同様に、導体２８を含む露出された面上に堆積され
る。この層２７は均一の厚さの層であり、露出面及びエ
ッジの輪郭に続く。この絶縁層２７の堆積に続いて、こ
の加工片の全ての露出面には導体層２６が堆積され、基
板ブロック２２の最初の面３４に平行な十分な厚さの面
を形成する。図８において、導体層２６の面は前のステ
ップで堆積された絶縁層２７と同一平面である。導電体
層は、図７及び図８に示されるように、成層コア部２
４、成層コア部２４の下及びその間のエリア、磁極チッ
プ帯状面４０及び磁極チップ切欠き部４４を覆ってい
る。この上部導体層２６は、隣接のコア部２４間の空間
で０．５ミル（１２ミクロン）の厚さの寸法を有する。
【００２６】図９は、磁極チップ切欠き部のフォトレジ
ストが除去される様子を示す斜視図である。図９に示さ
れるように、次のステップにおいて、成層コア部２４上
の磁極チップ帯状面４０から、磁極チップ切欠き部４４
のフォトレジスト４６が除去される。この成層コア部２
４の上部の湾曲した腕の露出された端部を介して共通面
が形成される。この共通面は、磁極帯状面４０及び導体
層２６の面に垂直である。導体層２６の上部及び底部エ
ッジの両面は、導体２６の残りの上面エッジ層が磁極チ
ップ切欠き部４４の底面と連続になり、導体２６の底面
エッジ層が成層コア部２４の底面エッジと連続になるよ
うに除去される。
ストが除去される様子を示す斜視図である。図９に示さ
れるように、次のステップにおいて、成層コア部２４上
の磁極チップ帯状面４０から、磁極チップ切欠き部４４
のフォトレジスト４６が除去される。この成層コア部２
４の上部の湾曲した腕の露出された端部を介して共通面
が形成される。この共通面は、磁極帯状面４０及び導体
層２６の面に垂直である。導体層２６の上部及び底部エ
ッジの両面は、導体２６の残りの上面エッジ層が磁極チ
ップ切欠き部４４の底面と連続になり、導体２６の底面
エッジ層が成層コア部２４の底面エッジと連続になるよ
うに除去される。
【００２７】図１０は、磁極チップ切欠き部の中間のエ
リアがフォトレジストでマスクされる様子を示す斜視図
である。図１０に示されるように、磁極チップ帯状面４
０に沿った磁極チップ切欠き部４４の中間のエリアは、
適当なフォトレジスト５６でマスクされ、その部分は棒
状に形成され、それぞれ導体層２６の残りの面及びブロ
ック２２の上部の面３６と横方向の同一平面を形成す
る。その後、磁極チップ帯状面４０の磁極チップ切欠き
部４４及び隣接する棒型フォトレジスト部分５６で形成
され、成層コア部２４の上部にある箱型開口に磁極チッ
プ３０がスパッタされる。磁極チップ３０用の磁性体合
金材料としては、磁性体成層コア部２４中の薄い磁気層
５０で使用される磁気材料と同じものが使用され、成層
コア部２４の上端部と直接接触するようにスパッタされ
る。
リアがフォトレジストでマスクされる様子を示す斜視図
である。図１０に示されるように、磁極チップ帯状面４
０に沿った磁極チップ切欠き部４４の中間のエリアは、
適当なフォトレジスト５６でマスクされ、その部分は棒
状に形成され、それぞれ導体層２６の残りの面及びブロ
ック２２の上部の面３６と横方向の同一平面を形成す
る。その後、磁極チップ帯状面４０の磁極チップ切欠き
部４４及び隣接する棒型フォトレジスト部分５６で形成
され、成層コア部２４の上部にある箱型開口に磁極チッ
プ３０がスパッタされる。磁極チップ３０用の磁性体合
金材料としては、磁性体成層コア部２４中の薄い磁気層
５０で使用される磁気材料と同じものが使用され、成層
コア部２４の上端部と直接接触するようにスパッタされ
る。
【００２８】図１１は棒型フォトレジスト部分が除去さ
れる様子を示す斜視図である。図１２はギャップ層が堆
積される様子を示す斜視図である。次に、スパッタされ
た磁極チップ３０（図１１参照）の間からフォトレジス
ト５６が除去され、成層コア部２４の面を含む正面に面
した前面ギャップ及び導体層２６の上部面及び磁極チッ
プ３０面は、スムーズで平らな面を形成するために研磨
され洗浄される。ＲＩＢＥプロセスを用いた機械研磨又
は旋盤がこのために使用できる。この研磨動作によっ
て、コア部２４（図８参照）を覆っている絶縁層２７の
ほぼ全てが除去され、コア部２４の上の金属層が露出さ
れ、この研磨又動作によって、ギャップ面５８に示され
るように、非常に平らな非常に均一の面が作られる。そ
の後、ギャップ面５８には所定のギャップ間隔の半分の
厚さを有する絶縁ギャップ層２５ａ（図２中の単一ギャ
ップ層２５として描写されている）が堆積され、残りの
半分の厚さは図１２で示されるように形成され、これに
よって磁気変換器２０が完成する。
れる様子を示す斜視図である。図１２はギャップ層が堆
積される様子を示す斜視図である。次に、スパッタされ
た磁極チップ３０（図１１参照）の間からフォトレジス
ト５６が除去され、成層コア部２４の面を含む正面に面
した前面ギャップ及び導体層２６の上部面及び磁極チッ
プ３０面は、スムーズで平らな面を形成するために研磨
され洗浄される。ＲＩＢＥプロセスを用いた機械研磨又
は旋盤がこのために使用できる。この研磨動作によっ
て、コア部２４（図８参照）を覆っている絶縁層２７の
ほぼ全てが除去され、コア部２４の上の金属層が露出さ
れ、この研磨又動作によって、ギャップ面５８に示され
るように、非常に平らな非常に均一の面が作られる。そ
の後、ギャップ面５８には所定のギャップ間隔の半分の
厚さを有する絶縁ギャップ層２５ａ（図２中の単一ギャ
ップ層２５として描写されている）が堆積され、残りの
半分の厚さは図１２で示されるように形成され、これに
よって磁気変換器２０が完成する。
【００２９】図１３は半分の変換器ヘッド部２つを反対
向きに対向させて接合する直前の様子を示す斜視図であ
る。図１４は半分の変換器ヘッド部２つを反対向きに対
向させて接合した後の様子を示す斜視図である。変換器
２０の変換器ヘッド部２１，２１’の２つのそれぞれの
半分は、向い合って置かれ、すなわち、このギャップ
は、ギャップ面のＸ、Ｙ方向の成層ヘッドコア部２４及
び磁極チップ３０を有するギャップ面に形成される。こ
のギャップ面は、実際にはギャップ層２５ａの下のコア
部である参照数字２４で示される点線部分である。図面
の簡単のために、他方のヘッド部２１’はヘッド部２１
と番号が同じで、「’」が付けられる。２つのヘッド部
２１，２１’は、図１３に示されるように、従来方法に
よってガラスで接合され、図１４に示されるような変換
器２０のブロックに作られる。低部切欠き部３８ 一緒
に締めつけられたこの２つのヘッド部２１，２１’は、
合わさって第一の接合切欠き部３８を形成する。同様
に、上部接合用切欠き部は一対の磁極チップ３０，３０
及び３０’，３０’間でスペースを形成する。ガラス５
９が上部及び下部切欠き部内のスペースに充填される。
向きに対向させて接合する直前の様子を示す斜視図であ
る。図１４は半分の変換器ヘッド部２つを反対向きに対
向させて接合した後の様子を示す斜視図である。変換器
２０の変換器ヘッド部２１，２１’の２つのそれぞれの
半分は、向い合って置かれ、すなわち、このギャップ
は、ギャップ面のＸ、Ｙ方向の成層ヘッドコア部２４及
び磁極チップ３０を有するギャップ面に形成される。こ
のギャップ面は、実際にはギャップ層２５ａの下のコア
部である参照数字２４で示される点線部分である。図面
の簡単のために、他方のヘッド部２１’はヘッド部２１
と番号が同じで、「’」が付けられる。２つのヘッド部
２１，２１’は、図１３に示されるように、従来方法に
よってガラスで接合され、図１４に示されるような変換
器２０のブロックに作られる。低部切欠き部３８ 一緒
に締めつけられたこの２つのヘッド部２１，２１’は、
合わさって第一の接合切欠き部３８を形成する。同様
に、上部接合用切欠き部は一対の磁極チップ３０，３０
及び３０’，３０’間でスペースを形成する。ガラス５
９が上部及び下部切欠き部内のスペースに充填される。
【００３０】図１５は変換器がスライスされ個々のブロ
ックとして形成された様子を示す斜視図である。図１５
に示される個々の変換器２０は、図１４に示される切り
込み線６１に沿って基板ブロック２２、２２’を有する
ようにスライスされる。これらの切り込み線６１は通常
基板ブロック２２，２２’とある角度を有し、アジマス
記録のために望ましい角度に選ばれる。通常、個々の変
換器２０は、一度の動作によってスライスされ、全ての
変換器２０が一度に製造される。
ックとして形成された様子を示す斜視図である。図１５
に示される個々の変換器２０は、図１４に示される切り
込み線６１に沿って基板ブロック２２、２２’を有する
ようにスライスされる。これらの切り込み線６１は通常
基板ブロック２２，２２’とある角度を有し、アジマス
記録のために望ましい角度に選ばれる。通常、個々の変
換器２０は、一度の動作によってスライスされ、全ての
変換器２０が一度に製造される。
【００３１】両方の導体層２６，２８は、接合された基
板ブロック２２，２２’の全長と同じである。図１６は
個々の変換器２０の拡大された斜視図である。切断の
後、両方の導体層２６，２８のエッジは、磁極チップ３
０のまわりのギャップ面５８の下の変換器２０の面で露
出される。変換器２０についてさらに述べると、底部の
最初の堆積導体層２８は外側導体２８を構成し、上部の
最後の堆積導体層２６は内側導体２６を構成し、第一の
変換器２０、すなわち、左側半分は「’」なしで表示さ
れ、第二の変換器２０、すなわち、右側半分は「’」に
よって表示される。
板ブロック２２，２２’の全長と同じである。図１６は
個々の変換器２０の拡大された斜視図である。切断の
後、両方の導体層２６，２８のエッジは、磁極チップ３
０のまわりのギャップ面５８の下の変換器２０の面で露
出される。変換器２０についてさらに述べると、底部の
最初の堆積導体層２８は外側導体２８を構成し、上部の
最後の堆積導体層２６は内側導体２６を構成し、第一の
変換器２０、すなわち、左側半分は「’」なしで表示さ
れ、第二の変換器２０、すなわち、右側半分は「’」に
よって表示される。
【００３２】外側導体２８，２８’及び内側導体２６，
２６’は、このように露出するので、これらの導体を適
当なジャンパ線によって接続することによって、１〜２
ターンコイルとして作用するようにできる。図１７と図
１８は変換器２０の反対側の面を示している。図１７に
おいては、外側導体２８は隣接する内側導体２６に第一
のジャンパ６４によって接続され、外側導体２８’は隣
接する内側導体２６’に第一のジャンパ６６によって接
続される。図１８においては、反対面上のジャンパ７６
は、外側の導体２８と内側導体２６’を接続し、さら
に、導体２６と２８を接続し、そこからそれぞれリード
７４及び７２によって引き出すことによって、２ターン
の信号コイルを構成できる。
２６’は、このように露出するので、これらの導体を適
当なジャンパ線によって接続することによって、１〜２
ターンコイルとして作用するようにできる。図１７と図
１８は変換器２０の反対側の面を示している。図１７に
おいては、外側導体２８は隣接する内側導体２６に第一
のジャンパ６４によって接続され、外側導体２８’は隣
接する内側導体２６’に第一のジャンパ６６によって接
続される。図１８においては、反対面上のジャンパ７６
は、外側の導体２８と内側導体２６’を接続し、さら
に、導体２６と２８を接続し、そこからそれぞれリード
７４及び７２によって引き出すことによって、２ターン
の信号コイルを構成できる。
【００３３】さらに、図１８に示すように、小さな集積
回路で構成される前置増幅器７０が変換器２０の反対側
の表面上に直接置かれる。前置増幅器のリード７２は、
外側導体２８’に接続され、前置増幅器の他のリード７
４は、内側導体２６に接続される。変換器２０の設計段
階で、物理的に変換器２０に付けられた前置増幅器７０
は、高周波で長いリードによって生じる静電容量、誘導
損失を減少させるために、信号コイルのヘッド巻線から
前置増幅器７０へ非常に短いリードを供給するように配
置される。
回路で構成される前置増幅器７０が変換器２０の反対側
の表面上に直接置かれる。前置増幅器のリード７２は、
外側導体２８’に接続され、前置増幅器の他のリード７
４は、内側導体２６に接続される。変換器２０の設計段
階で、物理的に変換器２０に付けられた前置増幅器７０
は、高周波で長いリードによって生じる静電容量、誘導
損失を減少させるために、信号コイルのヘッド巻線から
前置増幅器７０へ非常に短いリードを供給するように配
置される。
【００３４】図１９、図２０は完成された変換器２０を
さらに詳細に説明するための平面図である。図２１−図
２３はその断面図である。これらの図において、各変換
器２０は、絶縁ギャップ層２５で分離された対向する成
層コア部２４，２４’を含み、この絶縁ギャップ層２５
は、さらに、対向する一対の磁極チップ３０，３０’を
分離する。図２１に示されるように、対向する成層コア
部２４，２４’の上部は、各々に薄い磁気層及び絶縁層
５０、５１及び５０’，５１’を含み、一般に外側へテ
ーパし、成層コア部２４と２４’がＹ型を形成する。外
側絶縁層２７、２７’で示される底部絶縁層２７は、外
側の導体２８、２８’を伴う成層コア部２４，２４’の
両側に配置され、その各々は、反対側の成層コア部２
４，２４’のＹ型構造と適合する。絶縁ギャップ層２５
の両側のＹ型構造の最上部の幅広部の内側には内側導体
２６，２６’の腕木部分２６ａ，２６ａ’がある（図２
及び図２２参照）。組み合わされた腕木部分２６ａ，２
６ａ’は、絶縁ギャップ層２５に沿って、コア部２４，
２４’の２つの腕部分の接合部に形成されたＶ型卷線ウ
ィンドウの喉部分を実質的に設けられる。磁極チップ３
０、３０’は、Ｙ型成層コア部２４，２４’の上部の上
に配置され、基板２２によって支持されガラス充填剤５
９によって保持される。磁極チップ３０，３０’は、外
側の絶縁層２７，２７’及びＹ型成層コア部２４，２
４’の外側導体２８，２８’の外側に絶縁ギャップ２５
の面と関連してわずかに延びる。
さらに詳細に説明するための平面図である。図２１−図
２３はその断面図である。これらの図において、各変換
器２０は、絶縁ギャップ層２５で分離された対向する成
層コア部２４，２４’を含み、この絶縁ギャップ層２５
は、さらに、対向する一対の磁極チップ３０，３０’を
分離する。図２１に示されるように、対向する成層コア
部２４，２４’の上部は、各々に薄い磁気層及び絶縁層
５０、５１及び５０’，５１’を含み、一般に外側へテ
ーパし、成層コア部２４と２４’がＹ型を形成する。外
側絶縁層２７、２７’で示される底部絶縁層２７は、外
側の導体２８、２８’を伴う成層コア部２４，２４’の
両側に配置され、その各々は、反対側の成層コア部２
４，２４’のＹ型構造と適合する。絶縁ギャップ層２５
の両側のＹ型構造の最上部の幅広部の内側には内側導体
２６，２６’の腕木部分２６ａ，２６ａ’がある（図２
及び図２２参照）。組み合わされた腕木部分２６ａ，２
６ａ’は、絶縁ギャップ層２５に沿って、コア部２４，
２４’の２つの腕部分の接合部に形成されたＶ型卷線ウ
ィンドウの喉部分を実質的に設けられる。磁極チップ３
０、３０’は、Ｙ型成層コア部２４，２４’の上部の上
に配置され、基板２２によって支持されガラス充填剤５
９によって保持される。磁極チップ３０，３０’は、外
側の絶縁層２７，２７’及びＹ型成層コア部２４，２
４’の外側導体２８，２８’の外側に絶縁ギャップ２５
の面と関連してわずかに延びる。
【００３５】変換器２０の物理的サイズは非常に小さ
い。本実施例においては、個々の変換器２０の長さ及び
幅は０．１００インチ（２．５４ｍｍ）であり、一方、
厚さは０．０１７インチ（０．４３ｍｍ）である。より
重要なことは、この磁気コアのサイズは非常に小さく、
成層コア部２４の長さは０．００５インチ（０．１２７
ｍｍ）であり、磁極チップ３０，３０’の高さは０．０
００５インチ（０．０１２７ｍｍ）である。成層コア部
２４，２４’のＹ型構造の中央における内側導体２６，
２６’の高さは、同じ程度、すなわち０．０００５イン
チ（０．０１２７ｍｍ）である。Ｙ型上端における組み
合わされた成層コア部２４，２４’の幅は約０．００２
インチ（０．０５ｍｍ）であり、磁極チップ３０，３
０’の組み合わされた幅はほぼ０．００３５インチ
（０．０９ｍｍ）である。磁極チップ３０，３０’及び
成層コア部２４，２４’の深さは、ともに０．００１イ
ンチ（０．０２５４ｍｍ）である。
い。本実施例においては、個々の変換器２０の長さ及び
幅は０．１００インチ（２．５４ｍｍ）であり、一方、
厚さは０．０１７インチ（０．４３ｍｍ）である。より
重要なことは、この磁気コアのサイズは非常に小さく、
成層コア部２４の長さは０．００５インチ（０．１２７
ｍｍ）であり、磁極チップ３０，３０’の高さは０．０
００５インチ（０．０１２７ｍｍ）である。成層コア部
２４，２４’のＹ型構造の中央における内側導体２６，
２６’の高さは、同じ程度、すなわち０．０００５イン
チ（０．０１２７ｍｍ）である。Ｙ型上端における組み
合わされた成層コア部２４，２４’の幅は約０．００２
インチ（０．０５ｍｍ）であり、磁極チップ３０，３
０’の組み合わされた幅はほぼ０．００３５インチ
（０．０９ｍｍ）である。磁極チップ３０，３０’及び
成層コア部２４，２４’の深さは、ともに０．００１イ
ンチ（０．０２５４ｍｍ）である。
【００３６】図２１及び図２２は、有効磁束パスを劇的
に示したものである。図２２は絶縁を除去した場合の絶
縁ギャップ２５の面に沿った部分である。上記の寸法を
図２２に利用すると、磁極チップ３０の幅は０．００１
インチ（０．０２５４ｍｍ）であり、厚さ（ギャップ深
さに対応する垂直の寸法）は０．０００５インチ（０．
０１２７ｍｍ）であり、それは導体２６の横方向部分２
６ａの厚さと同じ寸法である。磁極チップ３０の上面か
ら成層コア部２４の下部エッジへの全垂直寸法は約０．
００５５インチ（０．１４ｍｍ）である。このため、Ｖ
型開口の喉の下のコア部２４の足部の長さは約０．００
４５（０．１１４ｍｍ）となる。喉部分の軸方向の長さ
は、コア部２４の全長の約１０％である。高磁束結合効
率は、いくつかの要因の結果として得られる。すなわ
ち、ギャップ深さは非常に小さくコイルはこの磁極チッ
プの近くに置かれる。すなわち、内側導体２６の横方向
部分２６ａは、読み取り／記録ギャップ及び使用される
テープのような磁気媒体の両方のすぐ近くに置かれる。
さらに、横方向部分２６ａは、本質的に、コア部２４及
び絶縁ギャップ層２５の腕部分の間の間隔を充満する。
その上、コア部２４に接合された足部分によって形成さ
れる後部ギャップの長さは反対側の磁極チップのギャッ
プ・エリアの読み取り／書き込みエリアより実質的に大
きい。
に示したものである。図２２は絶縁を除去した場合の絶
縁ギャップ２５の面に沿った部分である。上記の寸法を
図２２に利用すると、磁極チップ３０の幅は０．００１
インチ（０．０２５４ｍｍ）であり、厚さ（ギャップ深
さに対応する垂直の寸法）は０．０００５インチ（０．
０１２７ｍｍ）であり、それは導体２６の横方向部分２
６ａの厚さと同じ寸法である。磁極チップ３０の上面か
ら成層コア部２４の下部エッジへの全垂直寸法は約０．
００５５インチ（０．１４ｍｍ）である。このため、Ｖ
型開口の喉の下のコア部２４の足部の長さは約０．００
４５（０．１１４ｍｍ）となる。喉部分の軸方向の長さ
は、コア部２４の全長の約１０％である。高磁束結合効
率は、いくつかの要因の結果として得られる。すなわ
ち、ギャップ深さは非常に小さくコイルはこの磁極チッ
プの近くに置かれる。すなわち、内側導体２６の横方向
部分２６ａは、読み取り／記録ギャップ及び使用される
テープのような磁気媒体の両方のすぐ近くに置かれる。
さらに、横方向部分２６ａは、本質的に、コア部２４及
び絶縁ギャップ層２５の腕部分の間の間隔を充満する。
その上、コア部２４に接合された足部分によって形成さ
れる後部ギャップの長さは反対側の磁極チップのギャッ
プ・エリアの読み取り／書き込みエリアより実質的に大
きい。
【００３７】物理的サイズが小さい磁気コア２６によっ
て、磁路の長さは、短くなり、内側導体２６，２６’の
距離になる。磁路が非常に短くなると、コアの磁気抵抗
は、コアの透磁率に依存しなくなり、その結果、１００
〜１５０ＭＨｚの周波数範囲における磁束効率が非常に
増加する。この周波数範囲の透磁率は、コア部を薄い積
層を用いて製造することによって渦電流損及び他の周波
数の影響を実質的に減少できる。変換器１０において使
用させる４０マイクロインチ（１．０６ミクロン）層の
磁気合金の透磁率は非常に良い状態の５００程度の範囲
にできるので、多層コアの透磁率は、磁気層間の電気的
絶縁の品質値を十分に低くでき、及び発生応力を低くで
きるので多数の磁気の層を設けることができる。従っ
て、コア透磁率への依存を減らすことは１００〜１５０
ＭＨｚの周波数範囲で比較的高い磁束効率を得るために
非常に重要である。
て、磁路の長さは、短くなり、内側導体２６，２６’の
距離になる。磁路が非常に短くなると、コアの磁気抵抗
は、コアの透磁率に依存しなくなり、その結果、１００
〜１５０ＭＨｚの周波数範囲における磁束効率が非常に
増加する。この周波数範囲の透磁率は、コア部を薄い積
層を用いて製造することによって渦電流損及び他の周波
数の影響を実質的に減少できる。変換器１０において使
用させる４０マイクロインチ（１．０６ミクロン）層の
磁気合金の透磁率は非常に良い状態の５００程度の範囲
にできるので、多層コアの透磁率は、磁気層間の電気的
絶縁の品質値を十分に低くでき、及び発生応力を低くで
きるので多数の磁気の層を設けることができる。従っ
て、コア透磁率への依存を減らすことは１００〜１５０
ＭＨｚの周波数範囲で比較的高い磁束効率を得るために
非常に重要である。
【００３８】小さい変換器のサイズの故に、磁極チップ
３０，３０’の上を全コアはギャップ２５の面に垂直な
方向に移動する磁気テープと接触する。ギャップ２５を
その間に有する磁極チップ３０，３０’の厚さは、変換
器２０のトラック幅を構成し、これは従来の方法でビデ
オ・ヘッド・スキャナ上にマウントされる。この磁極チ
ップ３０，３０’は、成層ではなく一体の磁性体である
ので、磁極チップ３０，３０’の耐摩耗性は改善され
る。この成層中の個々の薄い絶縁層５１，５１’は二次
ギャップリップルと一般に呼ばれる波形を発生するか
ら、成層コア部２４，２４’は、磁気ビデオテープに露
出しない。
３０，３０’の上を全コアはギャップ２５の面に垂直な
方向に移動する磁気テープと接触する。ギャップ２５を
その間に有する磁極チップ３０，３０’の厚さは、変換
器２０のトラック幅を構成し、これは従来の方法でビデ
オ・ヘッド・スキャナ上にマウントされる。この磁極チ
ップ３０，３０’は、成層ではなく一体の磁性体である
ので、磁極チップ３０，３０’の耐摩耗性は改善され
る。この成層中の個々の薄い絶縁層５１，５１’は二次
ギャップリップルと一般に呼ばれる波形を発生するか
ら、成層コア部２４，２４’は、磁気ビデオテープに露
出しない。
【００３９】内側及び外側導体２６，２６’、２８，２
８’は漏洩インダクタンスを減らす成層コア部２４の近
くに堆積される。従来の薄膜変換器における螺旋導体
は、かなりの漏洩インダクタンスを有し、ビデオ・ヘッ
ドの機能を低下させる。コア部２４の腕部分の合流点に
卷線ウィンドウを形成することによって、及び堆積され
た導体２６，２６’の横部分２６ａ，２６ａ’を有する
卷線ウィンドウを実質的充填することによって、実際
上、磁束ウィンドウ領域に入るギャップ２５のまわり及
び中のすべての磁束はウィンドウ内の卷線コイルと結合
し、それによって漏れ磁束パスを最小にするか又は除去
する。
８’は漏洩インダクタンスを減らす成層コア部２４の近
くに堆積される。従来の薄膜変換器における螺旋導体
は、かなりの漏洩インダクタンスを有し、ビデオ・ヘッ
ドの機能を低下させる。コア部２４の腕部分の合流点に
卷線ウィンドウを形成することによって、及び堆積され
た導体２６，２６’の横部分２６ａ，２６ａ’を有する
卷線ウィンドウを実質的充填することによって、実際
上、磁束ウィンドウ領域に入るギャップ２５のまわり及
び中のすべての磁束はウィンドウ内の卷線コイルと結合
し、それによって漏れ磁束パスを最小にするか又は除去
する。
【００４０】変換器２０は高周波数及び広いバンド幅を
有するシステム用に設計される。小さいコアサイズにし
た結果、ヘッド・コアの端で拾われる磁束とギャップ２
５によって拾われる磁束の位相が異なるという事実のた
めに測定できる「ヘッド衝突」が起こり得る。この二次
磁束は、ギャップ２５において基本の信号磁束を破壊的
又は建設的に交互に作用し、交互にヘッドバンプと呼ば
れる減衰波動を発生する。第一のバンプは、テープと接
触している長さに対応する波長で発生する。したがっ
て、磁極チップ３０，３０’の長さを成層コア部２４，
２４’を越えて広げることにより、第一のバンプが発生
する波長は増加し、そのため周波数は下がる。さらに、
磁極・エッジ読み取りの高周波効率が減少し、それによ
りエッジ読み取りパルスのピーク振幅は減少する。
有するシステム用に設計される。小さいコアサイズにし
た結果、ヘッド・コアの端で拾われる磁束とギャップ２
５によって拾われる磁束の位相が異なるという事実のた
めに測定できる「ヘッド衝突」が起こり得る。この二次
磁束は、ギャップ２５において基本の信号磁束を破壊的
又は建設的に交互に作用し、交互にヘッドバンプと呼ば
れる減衰波動を発生する。第一のバンプは、テープと接
触している長さに対応する波長で発生する。したがっ
て、磁極チップ３０，３０’の長さを成層コア部２４，
２４’を越えて広げることにより、第一のバンプが発生
する波長は増加し、そのため周波数は下がる。さらに、
磁極・エッジ読み取りの高周波効率が減少し、それによ
りエッジ読み取りパルスのピーク振幅は減少する。
【００４１】本明細書に記載の成層された高周波の磁気
変換器及び製造方法の幅広い種々の変形及び改善は当業
者にとっては明らかである。
変換器及び製造方法の幅広い種々の変形及び改善は当業
者にとっては明らかである。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の磁気コア
のサイズは非常に小さいために、実質的に内側導体のま
わりの距離である短い磁気の経路長が生じる。非常に短
い磁路によって、コアの磁気抵抗はコア透磁率に依存し
なくなり、１００〜１５０ＭＨｚの周波数範囲において
磁束効率が非常に大きくなる。この周波数範囲における
透磁率は、実質的に薄い積層によってコア部を製造する
ことによって最小になる渦電流損及び他の周波数の影響
が減少する。
のサイズは非常に小さいために、実質的に内側導体のま
わりの距離である短い磁気の経路長が生じる。非常に短
い磁路によって、コアの磁気抵抗はコア透磁率に依存し
なくなり、１００〜１５０ＭＨｚの周波数範囲において
磁束効率が非常に大きくなる。この周波数範囲における
透磁率は、実質的に薄い積層によってコア部を製造する
ことによって最小になる渦電流損及び他の周波数の影響
が減少する。
【００４３】また、小さい変換器サイズのために、全コ
アは磁極チップの上を進む磁気テープと接触する。磁性
体が成層というよりもむしろ一体化されたために磁極チ
ップの耐摩耗性が改善さた。成層ヘッド・コア部は、磁
気ビデオテープに露出されない。さらに、内側及び外側
の導体が成層ヘッド・コアの近くにまとめられるので漏
洩インダクタンスは減少する。
アは磁極チップの上を進む磁気テープと接触する。磁性
体が成層というよりもむしろ一体化されたために磁極チ
ップの耐摩耗性が改善さた。成層ヘッド・コア部は、磁
気ビデオテープに露出されない。さらに、内側及び外側
の導体が成層ヘッド・コアの近くにまとめられるので漏
洩インダクタンスは減少する。
【００４４】全変換器２０は、物質の堆積及びフォトエ
ッチングのような、大量生産、高精度、及び低コスト技
術によって製造される。バッチ製造によって、多数の変
換器ための磁気コア材料のすべてが、同じ処理ステップ
の間に堆積され、そして全ての変換ギャップが同時に形
成される。この結果、変換器の全てに対して高い均一性
が得られる。
ッチングのような、大量生産、高精度、及び低コスト技
術によって製造される。バッチ製造によって、多数の変
換器ための磁気コア材料のすべてが、同じ処理ステップ
の間に堆積され、そして全ての変換ギャップが同時に形
成される。この結果、変換器の全てに対して高い均一性
が得られる。
【図１】本発明の高周波用磁気変換器の斜視図である。
【図２】図１の変換器の主要な素子の部分的な分解図で
ある。
ある。
【図３】図１の成層された高周波の磁気変換器の製造方
法における出発材料を示す斜視図である。
法における出発材料を示す斜視図である。
【図４】フォトレジストで充満された磁極チップ切欠き
部及び隣接面上に堆積した導体層を有する基板ブロック
を示す斜視図である。
部及び隣接面上に堆積した導体層を有する基板ブロック
を示す斜視図である。
【図５】導体層上に交互に堆積された磁性体層及び絶縁
体層を示す斜視図である。
体層を示す斜視図である。
【図６】積層された材料が部分的に除去されるステップ
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図７】絶縁層及び導体が堆積される様子を示す斜視図
である。
である。
【図８】図７の上面図である。
【図９】磁極チップ切欠き部のフォトレジストが除去さ
れる様子を示す斜視図である。
れる様子を示す斜視図である。
【図１０】磁極チップ切欠き部の中間のエリアがフォト
レジストでマスクされる様子を示す斜視図である。
レジストでマスクされる様子を示す斜視図である。
【図１１】棒型フォトレジスト部分が除去される様子を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図１２】ギャップ層が堆積される様子を示す斜視図で
ある。
ある。
【図１３】半分の変換器ヘッド部２つを反対向きに対向
させて接合する直前の様子を示す斜視図である。
させて接合する直前の様子を示す斜視図である。
【図１４】半分の変換器ヘッド部２つを反対向きに対向
させて接合した後の様子を示す斜視図である。
させて接合した後の様子を示す斜視図である。
【図１５】変換器がスライスされ個々のブロックとして
形成された様子を示す斜視図である。
形成された様子を示す斜視図である。
【図１６】本発明の成層された高周波磁気変換器の拡大
斜視図である。
斜視図である。
【図１７】本発明の２ターン構造の成層された高周波磁
気変換器の底部の導体ストリップに接続されたジャンパ
を示す底面斜視図である。
気変換器の底部の導体ストリップに接続されたジャンパ
を示す底面斜視図である。
【図１８】図１７の２ターン構造の成層された高周波磁
気変換器の上面の導体ストリップに接続されたジャンパ
を示す平面斜視図であり、変換器上の導体ストリップに
接続された前置増幅器が示される。
気変換器の上面の導体ストリップに接続されたジャンパ
を示す平面斜視図であり、変換器上の導体ストリップに
接続された前置増幅器が示される。
【図１９】図１６−１８の変換器の上面図である。
【図２０】図１６−１８の変換器の正面図図である。
【図２１】図１９の線９−９に沿った断面図である。
【図２２】図２０の線１０−１０に沿った断面図であ
る。
る。
【図２３】図２０の線１１−１１に沿った断面図であ
り、図１７及び図１８に示された電気接続におけるジャ
ンパとリードが示される。
り、図１７及び図１８に示された電気接続におけるジャ
ンパとリードが示される。
２０ 磁気変換器 ２１ ヘッド部 ２２ 基板 ２４ 成層磁気コア部 ２５ 絶縁ギャップ層 ２５ａ 絶縁ギャップ層 ２６ 内側導体 ２６ａ 横部分（腕木部分） ２６ｂ 導体２６の足 ２７ 絶縁層 ２８ 外側導体 ３０ 磁極チップ ３４ 第一の面 ３６ 第二の面 ３８ 切欠き部 ４０ 第一の面（磁極チップ帯状面） ４２ 第二のテーパ面 ４４ 切欠き部 ４６ フォトレジスト ４９ 第一の絶縁層 ５０ 磁性体層 ５１ 絶縁層 ５６ フォトレジスト ５８ ギャップ面 ５９ ガラス ６１ 切り込み線 ６４ ジャンパ ６６ ジャンパ ７０ 前置増幅器 ７２ リード ７４ リード ７６ ジャンパ
Claims (27)
- 【請求項１】 磁気媒体を用いて高周波信号を記録／再
生するための磁気変換器において：絶縁ギャップによっ
て分離されかつ接合された一対の磁気コア部を有し、こ
の磁気コア部は複数の薄い磁性体と絶縁材料とが交互に
層をなし、前記一対の磁気コア部は反対向きに突き合わ
せられＹ型をなすように構成され；一対の外側絶縁層
は、Ｙ型の一対の磁気コア部の外側面上に構成され；一
対の外側導体は、前記一対の外側絶縁層上に構成され；
一対の内側導体は、Ｙ型の一対の磁気コア部の開口端に
構成され、前記一対の内側導体は前記絶縁ギャップのい
ずれかの側の上にあるように構成され；一対の磁性体磁
極チップは前記一対の磁気コア部のＶ型上部端上に構成
され、かつ前記絶縁ギャップによって分離され、前記磁
極の一つは前記一対の磁気コア部の一つの上に構成され
て、前記磁極チップの他は前記磁気コア部の他の一方の
上に構成されることを特徴とする磁気変換器。 - 【請求項２】 請求項１の磁気変換器において、 さらに、信号コイルを形成するために前記一対の磁気コ
ア部の前記内側導体及び外側導体を電気的に接続する手
段を含むことを特徴とする磁気変換器。 - 【請求項３】 請求項２の磁気変換器において、 さらに前記変換器に物理的に結合され、前記信号コイル
に電気的に接続された前置増幅器手段を含むことを特徴
とする磁気変換器。 - 【請求項４】 磁気媒体を用いて高周波信号を記録／再
生するための磁気変換器において：反対向きに突き合わ
されＹ型構造を形成する第一の磁気コア素子及び第二の
磁気コア素子を含み、各磁気コア素子構造は、 ａ．磁性体及び絶縁材料からなる複数の薄い交互の層、 ｂ．前記コア素子の外側面上に構成された外側絶縁層、 ｃ．前記外側絶縁層上に構成された外側導体、 ｄ．前記コア素子の内側面上に構成され、半Ｙ型部の外
側に延びた腕部中のセグメントを含む内側導体素子、 ｅ．前記コア素子の腕部分の端部上で前記セグメント上
に構成された磁極チップ、 ｆ．前記外側導体及び前記磁極チップ部を含む前記コア
素子を支持する基板、とを有し；さらに、前記第一及び
第二の磁気コア素子の間に構成された絶縁ギャップ層；
前記絶縁ギャップ層のまわりの前記Ｙ型構造中で前記第
一及び第二の磁気コア素子を支える接合手段；信号コイ
ルを形成するために前記第一及び第二の磁気コア素子の
前記内側及び外側導体を電気的に相互に接続する手段；
とを備えたことを特徴とする磁気変換器。 - 【請求項５】 請求項４の磁気変換器において、 さらに前記変換器に物理的に結合され、前記信号コイル
に電気的に接続された前置増幅器手段を含むことを特徴
とする磁気変換器。 - 【請求項６】 磁気媒体を用いて高周波信号を記録／再
生するための磁気変換器において：反対向きに突き合わ
せＹ型構造を形成する第一の磁気コア素子及び第二の磁
気コア素子を含み、各磁気コア素子構造は、 ａ．第一の平面及び一定の角度で前記第一の平面と連続
な第二の平面を含む面を構成するコア構造を有し、さら
に、前記第一の面と平行な面を構成し前記第二の面と連
続する磁極チップ面を含む基板、 ｂ．面を構成する前記コア構造上の第一の導体層、 ｃ．前記第一の導体層上の第一の絶縁層、 ｄ．前記第一の絶縁上に構成され、複数の薄い磁性体と
絶縁材料との交互の層を有する成層コアを含み、前記成
層コア部、前記第一の絶縁層及び前記第一の導体層は面
を構成する前記コア構造の断面をなし、 ｅ．前記第二の面に対応している部分において成層コア
部のセグメントを有している第二の導体層、 ｆ．前記第一の絶縁層、前記第一の導体層及び前記第二
の導体層の前記セグメントととオーバーレイ関係にあ
り、前記コア部上部と磁気関係がある前記磁極チップ面
の少くとも一部に構成された磁性体磁極チップと、を有
し；さらに、前記第一及び第二の磁気コア素子の間に構
成された絶縁ギャップ層；前記絶縁ギャップ層のまわり
の前記Ｙ型構造中で前記第一及び第二の磁気コア素子を
支える接合手段；信号コイルを形成するために前記第一
及び第二の磁気コア素子の前記内側及び外側導体を電気
的に相互に接続する手段；とを備えたことを特徴とする
磁気変換器。 - 【請求項７】 請求項６の磁気変換器において、 さらに前記変換器に物理的に結合され、前記信号コイル
に電気的に接続された前置増幅器手段を含むことを特徴
とする磁気変換器。 - 【請求項８】 請求項６の磁気変換器において、 前記磁極チップの磁性体は、前記成層コア部の磁性体と
同一であり、前記磁性体は、コバルト・ジルコニウム・
ニオビウム合金、鉄・アルミニウム・シリコン合金及び
アモルファス金属のグループから選択されることを特徴
とする磁気変換器。 - 【請求項９】 請求項６の磁気変換器において、 前記絶縁材料はアルミナ、二酸化シリコン及びセラミッ
クスのグループから選択されることを特徴とする磁気変
換器。 - 【請求項１０】 請求項６の磁気変換器において、 前記導体層は銅であることを特徴とする磁気変換器。
- 【請求項１１】 磁気媒体を用いて高周波信号を記録／
再生するための磁気変換器において：絶縁ギャップ層に
よって分離された半分の変換器ヘッドを接合した一対の
変換器ヘッドを含み、各半分の変換器ヘッドは、 平面型の第一の導体層と；前記第一の導体層に密接に付
着し、薄い磁性体及び絶縁材料が交互に積層され、前記
第一の導体層及び前記成層コア部からなる複合部は背中
合わせでＹ型の断面を形成し、所定の幅を有する第二の
成層コア部と；コア部エッジに隣接する前記第一の導体
層に沿って前記成層コア部の隣接面及びエッジをオーバ
ーレイする絶縁層と；Ｙ型断面のＶ型部の前記絶縁ギャ
ップ層の反対側に隣接したもう一方の半分の変換器の横
部分に沿って、その横部分を有する逆Ｕ型部材として形
成された前記絶縁層上の第二の導体層と；成層コア部分
の腕の端部と関連する磁路中にあり、及び前記横部分の
すぐ近くにあり、前記絶縁ギャップ層の面に垂直の方向
に前記Ｖ型部分に延びるブロック型磁極チップとを有す
ることを特徴とする磁気変換器。 - 【請求項１２】 請求項１１の磁気変換器において、 内側及び外側導体の両方は成層コア部の幅より大きい幅
であり、半分の成層コア部の２つを接合した後に、前記
第一及び第二の導体層のエッジはアクセス可能であり、
さらに前記変換器は前記第一及び第二の導体層のエッジ
を電気的に相互に接続し信号コイルを形成するための手
段を含むことを特徴とする磁気変換器。 - 【請求項１３】 請求項１１の磁気変換器において、 前記第二導体層の２つの隣接する横部分と前記絶縁ギャ
ップ層の中間部分がＶ型部を構成することを特徴とする
磁気変換器。 - 【請求項１４】 磁気媒体を用いて高周波信号を記録／
再生するための磁気変換器を製造する方法において：各
々が半分のＹ型を有し、少くとも２つの磁気コア部を形
成し、 磁気コア部は、磁性体及び絶縁材の複数の薄い交互の層
を含み、外側の絶縁層は前記コア素子の外側面上に構成
され、外側導体は前記外側の絶縁層上に構成され、内側
導体はＹ型の外側に延びている上部の前記コア素子の内
側面上に構成され、磁極チップは、半分Ｙ型の上の前記
コア部の上に構成され、前記コア素子を支える基板は前
記磁極チップの外側導体と外側面を含み；各半分のＹ型
磁気コア素子の内側面上に絶縁ギャップ層を形成し；Ｙ
型磁気変換器を形成するために絶縁ギャップ層で半分の
磁気コア素子２つを接合し；信号コイルを形成するため
に内側及び外側導体を電気的に相互に接続する；ステッ
プとを有することを特徴とする磁気変換器を製造する方
法。 - 【請求項１５】 請求項１４の磁気変換器を製造する方
法において、 前置増幅器手段を前記磁気コア素子の外側の導体及び前
記磁気コア素子のもう一方の内側導体へ電気的に接続
し、及び前記磁気コア素子の内側導体を前記磁気コア素
子のもう一方の外側導体に電気的に接続すするステップ
を有することを特徴とする磁気変換器を製造する方法。 - 【請求項１６】 請求項１４の磁気変換器を製造する方
法において、 前記磁性体は、コバルト・ジルコニウム・ニオビウム合
金、鉄・アルミニウム・シリコン合金及びアモルファス
金属のグループから選択されることを特徴とする磁気変
換器を製造する方法。 - 【請求項１７】 請求項１５の磁気変換器を製造する方
法において、 前記絶縁材料はアルミナ、二酸化シリコン及びセラミッ
クスのグループから選択されることを特徴とする磁気変
換器を製造する方法。 - 【請求項１８】 請求項１５の磁気変換器を製造する方
法において、 前記導体層は銅であることを特徴とする磁気変換器を製
造する方法。 - 【請求項１９】 磁気テープ媒体を用いて高周波信号を
記録／再生するための磁気変換器を製造する方法におい
て：連続平面を形成するために、非磁性体、非導電性の
基板の平面とテーパ面とを形成し、そのテーパ面に隣接
する平面帯状中に複数の分離された磁極チップ用切り欠
き部を形成し；分離された磁極チップ切欠き部を前記帯
状面と平らになるようにフォトレジストを充填し；前記
平面上及び前記のテーパ付けされた上部面に高導電率、
非磁性の金属層を堆積し；堆積された高電導率、非磁性
金属層の上に絶縁材料層を堆積し；前記堆積された絶縁
材料層の上に複数の磁性体及び絶縁材の薄い層を交互に
堆積することによって成層構造を形成し；記複数の磁極
チップ切欠き部の下で一直線になった複数の平行かつ等
分に分離された成層磁気コア部を形成するために、前記
分離された磁極チップ切欠き部間の領域の前記高電導
率、非磁性金属層の上の前記成層構造の部分を選択的に
除去し；前記高電導率、非磁性金属層の露出された部分
及び前記成層磁気コア部の露出された表面及びエッジの
上に均一な厚さの絶縁層を堆積し；露出された絶縁層上
の高電導率、非磁性金属層を前記基板の前記平面と平行
なレベルまで、また成層磁気コア部の絶縁面に延びて堆
積し、 前記帯状面に垂直な面を有し、前記高電導率、非磁性金
属層の両方の上部の露出されたエッジ、中間の絶縁層及
び前記成層磁気コア部によって構成される面を形成する
ために、前記帯状の領域の堆積された材料を選択的に除
去し；前記テーパにされた上部の面上の複数の磁極チッ
プ切欠き部から前記フォトレジストを除去し；前記成層
磁気コア部の一つと関連する磁路にある複数のブロック
型磁極チップを形成するために、磁性体を前記磁気コア
部の上の前記磁極チップ切欠き部に選択的に堆積し；前
記磁気コア部の面、前記磁極チップの面、堆積された高
電導率、非磁性金属層の面に絶縁ギャップ層を堆積
し、；複数のＹ型の磁気変換器を形成するために、絶縁
ギャップ層に成層磁気コア部を接合し；接合された構造
から個々のＹ型磁気変換器をスライスする；ステップを
有することを特徴とする磁気変換器を製造する方法。 - 【請求項２０】 請求項１９の磁気変換器を製造する方
法において、 前記形成ステップは、反応イオンビーム・エッチングを
用いることを特徴とする磁気変換器を製造する方法。 - 【請求項２１】 請求項１９の磁気変換器を製造する方
法において、 前記堆積ステップは、スパッタリングを用いることを特
徴とする磁気変換器を製造する方法。 - 【請求項２２】 請求項１９の磁気変換器を製造する方
法において、 前記堆積ステップは、真空蒸着を用いることを特徴とす
る磁気変換器を製造する方法。 - 【請求項２３】 請求項１９の磁気変換器を製造する方
法において、 前記堆積ステップは、イオンプレーティングを用いるこ
とを特徴とする磁気変換器を製造する方法。 - 【請求項２４】 磁気テープ媒体を用いて高周波信号を
記録／再生するための磁気変換器を製造する方法におい
て：第一の面中に第二のテーパと連続し交差する第一の
平面及び前記第一の面に平行で前記第二のテーパ面に隣
接する第三の平面帯状面を形成するために、相互に垂直
な第一の面と第二の面を有する非磁性体、非導電性の基
板を形成し、 前記第一及び第二の面上に高導電率、非磁性の金属層を
堆積し；堆積された高電導率、非磁性金属層の上に絶縁
材料層を堆積し；前記堆積された絶縁材料層の上に複数
の磁性体及び絶縁材の薄い層を交互に堆積することによ
って成層構造を形成し；前記第三の帯状面より下の第二
の面に垂直な方向に向いた複数の平行かつ等分に分離さ
れかつ同じ構造の成層磁気コア部を形成するために、前
記高電導率、非磁性金属層の上の前記成層構造の部分を
選択的に除去し；前記高電導率、非磁性金属層の露出さ
れた部分及び前記成層磁気コア部の露出された表面及び
エッジの上に均一な厚さの絶縁層を堆積し；露出された
絶縁層上の高電導率、非磁性金属層を前記第二の面と同
じ面で前記基板び第一の面と平行なレベルまで、成層磁
気コア部の絶縁面に延びて堆積し；前記帯状面に垂直な
面を有し、前記高電導率、非磁性金属層の両方の上部の
露出されたエッジ、中間の絶縁層及び前記成層磁気コア
部によって構成される面を形成するために、前記帯状の
領域の堆積された材料を選択的に除去し；前記成層磁気
コア部の端部と関連する磁路中に複数の磁極チップを形
成するために、磁性体を前記磁気コア部の上の前記磁極
チップ切欠き部に選択的に堆積し；前記磁気コア部の
面、前記磁極チップの面、堆積された高電導率、非磁性
金属層の面に絶縁ギャップ層を堆積し、；複数のＹ型の
磁気変換器を形成するために、絶縁ギャップ層に２つの
成層磁気コア部を接合し；接合された構造から個々のＹ
型磁気変換器をスライスする；ステップを有することを
特徴とする磁気変換器を製造する方法。 - 【請求項２５】 請求項２４の磁気変換器を製造する方
法において、 前記磁性体は、コバルト・ジルコニウム・ニオビウム合
金、鉄・アルミニウム・シリコン合金及びアモルファス
金属のグループから選択されることを特徴とする磁気変
換器を製造する方法。 - 【請求項２６】 請求項２４の磁気変換器を製造する方
法において、 前記絶縁材料はアルミナ、二酸化シリコン及びセラミッ
クスのグループから選択されることを特徴とする磁気変
換器を製造する方法。 - 【請求項２７】 請求項２４の磁気変換器を製造する方
法において、 前記高電導率、非磁性金属層は銅であることを特徴とす
る磁気変換器を製造する方法。
Applications Claiming Priority (2)
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