JP3510165B2 - ヨーク型ｍｒ読み取り磁気ヘッドおよびその製造方法並びに磁気記録再生装置 - Google Patents
ヨーク型ｍｒ読み取り磁気ヘッドおよびその製造方法並びに磁気記録再生装置Info
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- JP3510165B2 JP3510165B2 JP30823399A JP30823399A JP3510165B2 JP 3510165 B2 JP3510165 B2 JP 3510165B2 JP 30823399 A JP30823399 A JP 30823399A JP 30823399 A JP30823399 A JP 30823399A JP 3510165 B2 JP3510165 B2 JP 3510165B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気媒体から磁気
信号を読み取るために用いられるヨーク型ＭＲ（磁気抵
抗）読み取り磁気ヘッドに関し、より詳細には、磁性ヨ
ークの構造およびその製造方法の改善、ならびにそのＭ
Ｒ磁気ヘッドを用いた磁気記録再生装置に関する。
信号を読み取るために用いられるヨーク型ＭＲ（磁気抵
抗）読み取り磁気ヘッドに関し、より詳細には、磁性ヨ
ークの構造およびその製造方法の改善、ならびにそのＭ
Ｒ磁気ヘッドを用いた磁気記録再生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録が高密度化されるに従っ
て薄膜技術を用いて製造されるＭＲヘッドが注目されて
いる。ＭＲヘッドは大きく分けて、シールド型とヨーク
型に分かれる。現状では、シールド型の方が特性が高い
とされ、より精力的に研究されてきている。
て薄膜技術を用いて製造されるＭＲヘッドが注目されて
いる。ＭＲヘッドは大きく分けて、シールド型とヨーク
型に分かれる。現状では、シールド型の方が特性が高い
とされ、より精力的に研究されてきている。
【０００３】しかしながらシールド型は、ＭＲ素子が記
録媒体と接触する表面に出てくるために、摩耗等の課題
を抱えていた。そのため、耐摩耗特性に有利なヨーク型
で、特性を向上させる取り組みも合わせてなされてきて
いる。
録媒体と接触する表面に出てくるために、摩耗等の課題
を抱えていた。そのため、耐摩耗特性に有利なヨーク型
で、特性を向上させる取り組みも合わせてなされてきて
いる。
【０００４】ヨーク型のＭＲヘッドの典型的な構造につ
いて、図８に斜視図、図９にその断面図を示す。同図に
おいて、１１は下部磁性ヨークであり、図面上で左側に
位置する端面において、磁気テープ、磁気ディスク等の
記録媒体に接触する。記録媒体から発生する磁束を下部
磁性ヨーク１１から、上部後部磁性ヨーク１３、ＭＲ素
子１４、上部前部磁性ヨーク１５へと導き、ＭＲ素子１
４の磁化回転による抵抗変化を出力端子１６により取り
出すように構成されている。なお、１８は磁気ギャッ
プ、１９はバイアス層、２０は基板である。
いて、図８に斜視図、図９にその断面図を示す。同図に
おいて、１１は下部磁性ヨークであり、図面上で左側に
位置する端面において、磁気テープ、磁気ディスク等の
記録媒体に接触する。記録媒体から発生する磁束を下部
磁性ヨーク１１から、上部後部磁性ヨーク１３、ＭＲ素
子１４、上部前部磁性ヨーク１５へと導き、ＭＲ素子１
４の磁化回転による抵抗変化を出力端子１６により取り
出すように構成されている。なお、１８は磁気ギャッ
プ、１９はバイアス層、２０は基板である。
【０００５】この構成の磁気ヘッドにおいては、ＭＲ素
子１４の抵抗変化率がそのまま磁気ヘッドの特性に結び
つく。磁束を効率よくＭＲ素子１４に導くためには、上
部後部磁性ヨーク１３と上部前部磁性ヨーク１５と、Ｍ
Ｒ素子１４とが、磁気的に短絡していることが望まし
い。しかしながら、現状においては、各磁性ヨークの材
料としては概ね合金膜が用いられ、導電性であるため、
ＭＲ素子１４と上部磁性ヨーク１３、１５との間に絶縁
膜１７を設ける必要性があった。そのため磁気効率の低
下を引き起こしていた。しかしながら、絶縁膜１７がな
いと、出力端子１６間に流れる電流が、磁性ヨーク１
３、１５内を流れることになり、ＭＲ素子１４の抵抗変
化を十分に取り出せなくなる。
子１４の抵抗変化率がそのまま磁気ヘッドの特性に結び
つく。磁束を効率よくＭＲ素子１４に導くためには、上
部後部磁性ヨーク１３と上部前部磁性ヨーク１５と、Ｍ
Ｒ素子１４とが、磁気的に短絡していることが望まし
い。しかしながら、現状においては、各磁性ヨークの材
料としては概ね合金膜が用いられ、導電性であるため、
ＭＲ素子１４と上部磁性ヨーク１３、１５との間に絶縁
膜１７を設ける必要性があった。そのため磁気効率の低
下を引き起こしていた。しかしながら、絶縁膜１７がな
いと、出力端子１６間に流れる電流が、磁性ヨーク１
３、１５内を流れることになり、ＭＲ素子１４の抵抗変
化を十分に取り出せなくなる。
【０００６】これを回避するために、特開昭６２−６４
２０号公報に開示されているように、絶縁性の高いＮｉ
−Ｚｎフェライトからなる磁性ヨーク材料を用い、直接
磁性ヨークに接するようにＭＲ素子を形成し、効率を上
げようとする試みもなされている。図１０にその一例の
断面図を示す。４１は非磁性基板であり、その上に、下
部磁性ヨーク４２、４３が接合部４４により接合されて
いる。下部磁性ヨーク４２、４３の間には加工溝５０が
形成され、ガラス４５が埋め込まれている。ガラス４５
上に、下部磁性ヨーク４２、４３にまたがるようにして
ＭＲ素子３４が形成されている。３８は磁気ギャップ、
３９はバイアス層、４６は上部磁性ヨークである。
２０号公報に開示されているように、絶縁性の高いＮｉ
−Ｚｎフェライトからなる磁性ヨーク材料を用い、直接
磁性ヨークに接するようにＭＲ素子を形成し、効率を上
げようとする試みもなされている。図１０にその一例の
断面図を示す。４１は非磁性基板であり、その上に、下
部磁性ヨーク４２、４３が接合部４４により接合されて
いる。下部磁性ヨーク４２、４３の間には加工溝５０が
形成され、ガラス４５が埋め込まれている。ガラス４５
上に、下部磁性ヨーク４２、４３にまたがるようにして
ＭＲ素子３４が形成されている。３８は磁気ギャップ、
３９はバイアス層、４６は上部磁性ヨークである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１０
の構造のＭＲ磁気ヘッドにおいても、以下のような課題
があった。
の構造のＭＲ磁気ヘッドにおいても、以下のような課題
があった。
【０００８】ＭＲ素子３４の特性を、最大限に発揮させ
るためには、隙間Ａの長さを、精度良く作製する必要が
あった。この長さは一般的に数ミクロンから十数ミクロ
ンであり、この幅を精度良く機械加工等で加工し、加工
溝５０を形成するのは、困難であり、また、この下部磁
性ヨーク４２、４３は厚さＢが数ミクロンあり、乾式ま
たは、湿式エッチング等で加工溝５０形成することも、
精度、生産性の観点から困難であった。
るためには、隙間Ａの長さを、精度良く作製する必要が
あった。この長さは一般的に数ミクロンから十数ミクロ
ンであり、この幅を精度良く機械加工等で加工し、加工
溝５０を形成するのは、困難であり、また、この下部磁
性ヨーク４２、４３は厚さＢが数ミクロンあり、乾式ま
たは、湿式エッチング等で加工溝５０形成することも、
精度、生産性の観点から困難であった。
【０００９】また、このような構造では、下部磁性ヨー
ク４２、４３の下に非磁性基板４１が必要となり、生産
する上で、工程数が増え、コスト高となっていた。
ク４２、４３の下に非磁性基板４１が必要となり、生産
する上で、工程数が増え、コスト高となっていた。
【００１０】また、加工溝５０に埋め込む材料として
は、低融点ガラスを使用していたが、ガラス面積が大き
く、ＭＲ素子３４を形成する面を平滑にするのが難し
く、良好な特性を持つＭＲ素子３４を形成することが困
難であった。
は、低融点ガラスを使用していたが、ガラス面積が大き
く、ＭＲ素子３４を形成する面を平滑にするのが難し
く、良好な特性を持つＭＲ素子３４を形成することが困
難であった。
【００１１】本発明は、上述した問題点に鑑みてなされ
たものであり、磁気効率の良いヨーク型ＭＲヘッドを高
歩留まりで生産できるヘッド構造を持つヨーク型ＭＲ読
み取り磁気ヘッドを提供することを目的とする。また、
そのようなＭＲ磁気ヘッドを実現する製造方法を提供す
ることを目的とする。さらに、そのようなＭＲ磁気ヘッ
ドを、特に耐摩耗性が要求される、回転シリンダ系をテ
ープが走行するシステムに採用したＶＴＲ等の磁気記録
再生装置を提供することを目的とする。
たものであり、磁気効率の良いヨーク型ＭＲヘッドを高
歩留まりで生産できるヘッド構造を持つヨーク型ＭＲ読
み取り磁気ヘッドを提供することを目的とする。また、
そのようなＭＲ磁気ヘッドを実現する製造方法を提供す
ることを目的とする。さらに、そのようなＭＲ磁気ヘッ
ドを、特に耐摩耗性が要求される、回転シリンダ系をテ
ープが走行するシステムに採用したＶＴＲ等の磁気記録
再生装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決する手段】上記課題を解決するために、本
発明のヨーク型ＭＲ読み取り磁気ヘッドは、磁気信号を
読み取るために磁気媒体近くに配置されるヨーク型ＭＲ
読み取り磁気ヘッドであって、ＭＲ素子と接続される磁
性ヨークは、一対の非導電性バルク磁性ヨーク材が接合
層により接合された構成を有する。ＭＲ素子は、一対の
非導電性バルク磁性ヨーク材に対して接合層上を渡した
橋架構造で直接接合され、接合層は、一対の非導電性バ
ルク磁性ヨーク材の、ＭＲ素子の面と略直交する方向の
面に各々積層された多層の非磁性薄膜を、表層膜面をつ
き合わせて加圧・加熱接着することにより形成される。
発明のヨーク型ＭＲ読み取り磁気ヘッドは、磁気信号を
読み取るために磁気媒体近くに配置されるヨーク型ＭＲ
読み取り磁気ヘッドであって、ＭＲ素子と接続される磁
性ヨークは、一対の非導電性バルク磁性ヨーク材が接合
層により接合された構成を有する。ＭＲ素子は、一対の
非導電性バルク磁性ヨーク材に対して接合層上を渡した
橋架構造で直接接合され、接合層は、一対の非導電性バ
ルク磁性ヨーク材の、ＭＲ素子の面と略直交する方向の
面に各々積層された多層の非磁性薄膜を、表層膜面をつ
き合わせて加圧・加熱接着することにより形成される。
【００１３】上記構成によれば、ＭＲ素子に磁束を導く
ための磁性ヨークを非導電性にし、磁性ヨークとＭＲ素
子とを、磁気的なギャップを介さずに直接接続すること
により、大幅に磁気効率が向上する。また、一対の磁性
ヨーク材を非磁性薄膜により接合するので、磁性ヨーク
材どうしの間隙の長さを高精度に形成でき、高歩留まり
の生産が可能となる。
ための磁性ヨークを非導電性にし、磁性ヨークとＭＲ素
子とを、磁気的なギャップを介さずに直接接続すること
により、大幅に磁気効率が向上する。また、一対の磁性
ヨーク材を非磁性薄膜により接合するので、磁性ヨーク
材どうしの間隙の長さを高精度に形成でき、高歩留まり
の生産が可能となる。
【００１４】
【００１５】上記の構成において、好ましくは、多層の
非磁性薄膜が、表層のＡｕ層とその下層のＣｒ層とを含
む。また好ましくは、多層の非磁性薄膜が、非磁性非導
電性膜―Ｃｒ膜―Ａｕ膜の順に形成された多層膜であ
る。
非磁性薄膜が、表層のＡｕ層とその下層のＣｒ層とを含
む。また好ましくは、多層の非磁性薄膜が、非磁性非導
電性膜―Ｃｒ膜―Ａｕ膜の順に形成された多層膜であ
る。
【００１６】本発明のヨーク型ＭＲ読み取り磁気ヘッド
の製造方法は、以下の工程を備えたことを特徴とする。
すなわち、一対の非導電性磁性基板の鏡面仕上げした表
面に、薄膜形成技術により非磁性非導電性膜を成膜する
第１の工程と、一対の非導電性磁性基板に形成された非
磁性非導電性膜の表面にＣｒ膜と、Ａｕ膜とを順次成膜
し、Ａｕ膜同士の表面を合わせて加圧・加熱接着するこ
とにより、両非導電性磁性基板を接合する第２の工程
と、一対の接合された非導電性磁性基板における、非磁
性非導電性膜、Ａｕ膜、及びＣｒ膜と略直交する表面を
鏡面仕上げする第３の工程と、第３の工程により鏡面仕
上げされた表面に、ＭＲ膜を薄膜形成技術により形成
し、所望の形状に加工する第４の工程である。
の製造方法は、以下の工程を備えたことを特徴とする。
すなわち、一対の非導電性磁性基板の鏡面仕上げした表
面に、薄膜形成技術により非磁性非導電性膜を成膜する
第１の工程と、一対の非導電性磁性基板に形成された非
磁性非導電性膜の表面にＣｒ膜と、Ａｕ膜とを順次成膜
し、Ａｕ膜同士の表面を合わせて加圧・加熱接着するこ
とにより、両非導電性磁性基板を接合する第２の工程
と、一対の接合された非導電性磁性基板における、非磁
性非導電性膜、Ａｕ膜、及びＣｒ膜と略直交する表面を
鏡面仕上げする第３の工程と、第３の工程により鏡面仕
上げされた表面に、ＭＲ膜を薄膜形成技術により形成
し、所望の形状に加工する第４の工程である。
【００１７】
【００１８】上記の構成において、非磁性非導電性膜を
多層膜とすることが好ましい。
多層膜とすることが好ましい。
【００１９】
【発明の実施の形態】図１及び図２は各々、本発明の一
実施の形態におけるヨーク型ＭＲ読み取り磁気ヘッドを
示す斜視図と断面図である。図１及び図２において、６
２及び６３は、非導電性の下部磁性ヨークである。下部
磁性ヨーク６２、６３は、接合層６１により接合されて
いる。ＭＲ素子５４は、接合層６１の上面、及び下部磁
性ヨーク６２、６３の端部にかかるように形成されてい
る。５８は磁気ギャップ材、５９はバイアス層、６６は
上部磁性ヨーク、６８はＭＲ素子５４に接続された出力
端子である。
実施の形態におけるヨーク型ＭＲ読み取り磁気ヘッドを
示す斜視図と断面図である。図１及び図２において、６
２及び６３は、非導電性の下部磁性ヨークである。下部
磁性ヨーク６２、６３は、接合層６１により接合されて
いる。ＭＲ素子５４は、接合層６１の上面、及び下部磁
性ヨーク６２、６３の端部にかかるように形成されてい
る。５８は磁気ギャップ材、５９はバイアス層、６６は
上部磁性ヨーク、６８はＭＲ素子５４に接続された出力
端子である。
【００２０】本実施の形態では、ＭＲ素子５４に磁束を
導くための下部磁性ヨーク６２、６３を非導電性にする
ことにより、下部磁性ヨーク６２、６３とＭＲ素子５４
とを、磁気的なギャップを介さずに直接接続している。
これにより、大幅に磁気効率が向上する。
導くための下部磁性ヨーク６２、６３を非導電性にする
ことにより、下部磁性ヨーク６２、６３とＭＲ素子５４
とを、磁気的なギャップを介さずに直接接続している。
これにより、大幅に磁気効率が向上する。
【００２１】本実施の形態では、下部磁性ヨーク６２、
６３を、比抵抗が１０4〜１０9Ωｃｍと高い値を有する
Ｎｉ−Ｚｎフェライトを用いて構成した。比抵抗の高い
磁性体は、現状ではバルク材でしか得られず、従来は、
図１０の下部磁性ヨーク４２及び４３で示すような２つ
に分けた構造を形成するには、機械加工もしくはエッチ
ングのような手段に頼るしかなかった。本発明では、図
２に示すように、別々に形成した下部磁性ヨーク６２と
下部磁性ヨーク６３とを接合層６１により接合した構造
をとる。接合層６１は、中心部がＡｕ層５１で形成さ
れ、その両側にＣｒ層５２があり、その外側に非磁性非
導電性膜であるＡｌ2Ｏ3層５３があり、各々が下部磁性
ヨーク６２，６３と接合されている。
６３を、比抵抗が１０4〜１０9Ωｃｍと高い値を有する
Ｎｉ−Ｚｎフェライトを用いて構成した。比抵抗の高い
磁性体は、現状ではバルク材でしか得られず、従来は、
図１０の下部磁性ヨーク４２及び４３で示すような２つ
に分けた構造を形成するには、機械加工もしくはエッチ
ングのような手段に頼るしかなかった。本発明では、図
２に示すように、別々に形成した下部磁性ヨーク６２と
下部磁性ヨーク６３とを接合層６１により接合した構造
をとる。接合層６１は、中心部がＡｕ層５１で形成さ
れ、その両側にＣｒ層５２があり、その外側に非磁性非
導電性膜であるＡｌ2Ｏ3層５３があり、各々が下部磁性
ヨーク６２，６３と接合されている。
【００２２】それらの層の膜厚は、Ａｕ層５１が２００
〜５００Å、Ｃｒ層５２が５０〜２００Åである。Ａｌ
2Ｏ3層５３の膜厚は、ＭＲ素子５４が有効に働くよう
に、ヨーク間隙長さＤが設計され、それに合わせて決定
される。このヨーク間隙長さＤの精度は非常に重要であ
り、ヨーク型ＭＲ磁気ヘッドの特性を左右する。通常、
この隙間Ｄは、数μｍから十数μｍである。
〜５００Å、Ｃｒ層５２が５０〜２００Åである。Ａｌ
2Ｏ3層５３の膜厚は、ＭＲ素子５４が有効に働くよう
に、ヨーク間隙長さＤが設計され、それに合わせて決定
される。このヨーク間隙長さＤの精度は非常に重要であ
り、ヨーク型ＭＲ磁気ヘッドの特性を左右する。通常、
この隙間Ｄは、数μｍから十数μｍである。
【００２３】本発明では、接合層６１は、薄膜プロセス
によりＭＲ素子５４の面に対して直行する方向に形成さ
れるため、接合層６１の厚さは、±０．１μｍという高
い精度を容易に実現できる。かつ、接合に接着材等の有
機物も用いていないため、ＭＲ素子５４の形成面の状態
が、粗さ的にも、材料的にも良好で、磁気特性の優れた
ＭＲ素子５４を形成できる。それにより、効率の高いヨ
ーク型ＭＲ読み取り磁気ヘッドを実現できる。
によりＭＲ素子５４の面に対して直行する方向に形成さ
れるため、接合層６１の厚さは、±０．１μｍという高
い精度を容易に実現できる。かつ、接合に接着材等の有
機物も用いていないため、ＭＲ素子５４の形成面の状態
が、粗さ的にも、材料的にも良好で、磁気特性の優れた
ＭＲ素子５４を形成できる。それにより、効率の高いヨ
ーク型ＭＲ読み取り磁気ヘッドを実現できる。
【００２４】さらに、この接合層６１は強度も高く、下
部磁性ヨーク６２、６３と、接合層６１とで十分なヘッ
ド強度を実現でき、構造が簡素化される。構造が簡単で
あることにより、高い生産性で、特性の高いヨーク型Ｍ
Ｒ読み取り磁気ヘッドを容易に製造できる。
部磁性ヨーク６２、６３と、接合層６１とで十分なヘッ
ド強度を実現でき、構造が簡素化される。構造が簡単で
あることにより、高い生産性で、特性の高いヨーク型Ｍ
Ｒ読み取り磁気ヘッドを容易に製造できる。
【００２５】また、接合層を構成する材料として、Ａ
ｕ、Ｃｒの代わりに、非導電性の材料、たとえば、ガラ
ス系の材料を使用することも可能である。それにより、
電流が接合層の中を流れることがなくなるので、出力端
子間においてＭＲ素子の抵抗変化を読み取る効率がさら
に向上する。
ｕ、Ｃｒの代わりに、非導電性の材料、たとえば、ガラ
ス系の材料を使用することも可能である。それにより、
電流が接合層の中を流れることがなくなるので、出力端
子間においてＭＲ素子の抵抗変化を読み取る効率がさら
に向上する。
【００２６】次に、上記構成のヨーク型ＭＲ読み取り磁
気ヘッドの製造方法について、図３〜図６を参照して説
明する。まず、図３に示したような、下部磁性ヨークを
形成するための、一組のバー状のＮｉ−Ｚｎフェライト
からなる非導電性磁性基板７０を用意する。
気ヘッドの製造方法について、図３〜図６を参照して説
明する。まず、図３に示したような、下部磁性ヨークを
形成するための、一組のバー状のＮｉ−Ｚｎフェライト
からなる非導電性磁性基板７０を用意する。
【００２７】図４に示すように、非導電性磁性基板７０
の各々の片面に、薄膜形成技術により、Ａｌ2Ｏ3層７
１、Ｃｒ層７２、及びＡｕ層７３を順次成膜形成し、そ
れらを突き合わせ、加圧、加熱接着を行う。このとき、
圧力は１０ＭＰａ、熱処理温度は３００℃が望ましい。
各膜厚は、Ａｕ層７３が２００〜５００Å、Ｃｒ層７２
が５０〜２００Åである。Ａｌ2Ｏ3層７１は、数μｍと
する。それらの層の形成に薄膜形成技術を用いているた
め、膜厚は、精度良く作製することができる。総膜厚Ｅ
は±０．１μｍを実現できる。この接合されたものを下
部基板７５とする。
の各々の片面に、薄膜形成技術により、Ａｌ2Ｏ3層７
１、Ｃｒ層７２、及びＡｕ層７３を順次成膜形成し、そ
れらを突き合わせ、加圧、加熱接着を行う。このとき、
圧力は１０ＭＰａ、熱処理温度は３００℃が望ましい。
各膜厚は、Ａｕ層７３が２００〜５００Å、Ｃｒ層７２
が５０〜２００Åである。Ａｌ2Ｏ3層７１は、数μｍと
する。それらの層の形成に薄膜形成技術を用いているた
め、膜厚は、精度良く作製することができる。総膜厚Ｅ
は±０．１μｍを実現できる。この接合されたものを下
部基板７５とする。
【００２８】次に、下部基板７５の上面をラップ処理等
の研磨技術により、平坦に仕上げる。その平坦に仕上げ
た面にＭＲ膜を作製し、図５のように、フォトリソエッ
チング等により所望の形状に形成して、ＭＲ素子７６を
完成する。この工程において、Ａｌ2Ｏ3層７１、Ｃｒ層
７２、及びＡｕ層７３からなる接合層は、樹脂等の有機
物を用いていないために、下部基板７５の上面の平面度
は高い。従って、特性の高いＭＲ膜を形成することがで
きる。また、接合層の膜厚精度が高いために、ＭＲ素子
７６の位置決め精度が高く、歩留まりの向上を図ること
ができる。
の研磨技術により、平坦に仕上げる。その平坦に仕上げ
た面にＭＲ膜を作製し、図５のように、フォトリソエッ
チング等により所望の形状に形成して、ＭＲ素子７６を
完成する。この工程において、Ａｌ2Ｏ3層７１、Ｃｒ層
７２、及びＡｕ層７３からなる接合層は、樹脂等の有機
物を用いていないために、下部基板７５の上面の平面度
は高い。従って、特性の高いＭＲ膜を形成することがで
きる。また、接合層の膜厚精度が高いために、ＭＲ素子
７６の位置決め精度が高く、歩留まりの向上を図ること
ができる。
【００２９】次に、図６に示すように、磁気ギャップ材
７７を形成し、さらに、フォトリソグラフィ技術、薄膜
形成技術等の、一般に薄膜ヘッドで用いられる技術を用
いて、バイアス層８９、出力端子８６、上部磁性ヨーク
８２を形成して、磁気ヘッド８０が完成する。
７７を形成し、さらに、フォトリソグラフィ技術、薄膜
形成技術等の、一般に薄膜ヘッドで用いられる技術を用
いて、バイアス層８９、出力端子８６、上部磁性ヨーク
８２を形成して、磁気ヘッド８０が完成する。
【００３０】本実施形態の場合、一度に、２個の磁気ヘ
ッド８０が完成するが、数を増やせば量産性が上がるこ
とはいうまでもない。
ッド８０が完成するが、数を増やせば量産性が上がるこ
とはいうまでもない。
【００３１】尚、接合層を構成する材料として、Ａｕ、
Ｃｒの代わりに、非導電性の材料、たとえば、ガラス系
の材料を使用することも可能である。それにより、電流
が接合層の中を流れることがなくなるので、出力端子間
においてＭＲ素子の抵抗変化を読み取る効率がさらに向
上する。
Ｃｒの代わりに、非導電性の材料、たとえば、ガラス系
の材料を使用することも可能である。それにより、電流
が接合層の中を流れることがなくなるので、出力端子間
においてＭＲ素子の抵抗変化を読み取る効率がさらに向
上する。
【００３２】図７は、本発明にかかる磁気記録再生装置
の一実施の形態を示す。１０３は、ヘリカル走査する回
転シリンダであり、上記実施形態の磁気ヘッド８０及び
記録ヘッド８１が取り付けられている。回転シリンダ１
０３の周面には磁気テープ１０４が卷回され、傾斜ポス
ト１１０に案内されて走行する。磁気ヘッド８０は、走
行しつつある磁気テープ１０４と接触し、磁気テープ１
０４上の信号を再生する。１０６は信号処理回路であ
り、磁気ヘッド８０が再生した信号が印加され、映像信
号および音声信号を出力する。
の一実施の形態を示す。１０３は、ヘリカル走査する回
転シリンダであり、上記実施形態の磁気ヘッド８０及び
記録ヘッド８１が取り付けられている。回転シリンダ１
０３の周面には磁気テープ１０４が卷回され、傾斜ポス
ト１１０に案内されて走行する。磁気ヘッド８０は、走
行しつつある磁気テープ１０４と接触し、磁気テープ１
０４上の信号を再生する。１０６は信号処理回路であ
り、磁気ヘッド８０が再生した信号が印加され、映像信
号および音声信号を出力する。
【００３３】本実施の形態によれば、ヨーク型ＭＲ読み
取り磁気ヘッドを用いているため、摺動面が摩耗して
も、特性を左右するＭＲ素子に対する影響は最小限にお
さえられる。しかも、ＭＲ素子と磁性ヨークとが直接磁
気的につながっており、しかもＭＲ素子に磁束を通すた
めのヨーク間隙は長さの精度が高いため、磁気ヘッド特
性が非常に高く、特にデジタル記録のような高密度記録
の再生には有効である。
取り磁気ヘッドを用いているため、摺動面が摩耗して
も、特性を左右するＭＲ素子に対する影響は最小限にお
さえられる。しかも、ＭＲ素子と磁性ヨークとが直接磁
気的につながっており、しかもＭＲ素子に磁束を通すた
めのヨーク間隙は長さの精度が高いため、磁気ヘッド特
性が非常に高く、特にデジタル記録のような高密度記録
の再生には有効である。
【００３４】尚、記録ヘッド８１は従来のインダクティ
ブヘッドを用いればよい。高密度記録再生には、再生ヘ
ッドの特性がより重要である。
ブヘッドを用いればよい。高密度記録再生には、再生ヘ
ッドの特性がより重要である。
【００３５】以上述べたことから明らかなように、本磁
気記録再生装置は、高密度記録再生に適したものであ
り、かつ信頼性も非常に高いものである。
気記録再生装置は、高密度記録再生に適したものであ
り、かつ信頼性も非常に高いものである。
【００３６】尚、本実施の形態では、磁気テープを用い
る記録再生装置の例を示したが、本発明のヨーク型ＭＲ
読み取り磁気ヘッドをディスク状の磁気媒体を用いる記
録再生装置に適用することも可能である。
る記録再生装置の例を示したが、本発明のヨーク型ＭＲ
読み取り磁気ヘッドをディスク状の磁気媒体を用いる記
録再生装置に適用することも可能である。
【００３７】また、本発明は、通常のＭＲ素子だけでな
く、ＧＭＲ、ＴＭＲ素子を用いたヨーク型読み取り磁気
ヘッドに有効なことは言うまでもない。その場合には、
本発明のヨーク型ＭＲ読み取り磁気ヘッドの構造によ
り、ＧＭＲ、ＴＭＲ素子が接合されるヨーク間隙長さの
精度が高いため、より高い特性のヨーク型ＭＲ読み取り
磁気ヘッドを提供できる。
く、ＧＭＲ、ＴＭＲ素子を用いたヨーク型読み取り磁気
ヘッドに有効なことは言うまでもない。その場合には、
本発明のヨーク型ＭＲ読み取り磁気ヘッドの構造によ
り、ＧＭＲ、ＴＭＲ素子が接合されるヨーク間隙長さの
精度が高いため、より高い特性のヨーク型ＭＲ読み取り
磁気ヘッドを提供できる。
【００３８】
【発明の効果】本発明によれば、磁気効率が良く、しか
も高歩留まりで生産可能なヨーク型ＭＲ読み取り磁気ヘ
ッドを実現できる。また、そのような磁気ヘッドの製造
に適した製造方法を実現できる。さらに、そのような磁
気ヘッドを、特に耐摩耗性が要求される、回転シリンダ
系をテープが走行するシステムに採用した磁気記録再生
装置を実現できる。
も高歩留まりで生産可能なヨーク型ＭＲ読み取り磁気ヘ
ッドを実現できる。また、そのような磁気ヘッドの製造
に適した製造方法を実現できる。さらに、そのような磁
気ヘッドを、特に耐摩耗性が要求される、回転シリンダ
系をテープが走行するシステムに採用した磁気記録再生
装置を実現できる。
【図１】 本発明の一実施形態におけるヨーク型ＭＲ読
み取り磁気ヘッドを示す斜視図
み取り磁気ヘッドを示す斜視図
【図２】 図１のヨーク型ＭＲ読み取り磁気ヘッドの断
面図
面図
【図３】 本発明の一実施形態におけるヨーク型ＭＲ読
み取り磁気ヘッドの製造方法の工程を示す斜視図
み取り磁気ヘッドの製造方法の工程を示す斜視図
【図４】 同製造方法の工程を示す斜視図
【図５】 同製造方法の工程を示す斜視図
【図６】 同製造方法の工程を示す斜視図
【図７】 本発明の一実施形態における磁気記録再生装
置の磁気ヘッド周辺を説明するための斜視図
置の磁気ヘッド周辺を説明するための斜視図
【図８】 従来のヨーク型ＭＲ読み取り磁気ヘッドの一
例を示す斜視図
例を示す斜視図
【図９】 図８のヨーク型ＭＲ読み取り磁気ヘッドの断
面図
面図
【図１０】 従来のヨーク型ＭＲ読み取り磁気ヘッドの
他の例を示す断面図
他の例を示す断面図
５１ Ａｕ層
５２ Ｃｒ層
５３ Ａｌ2Ｏ3層
５４ ＭＲ素子
５８ 磁気ギャップ
５９ バイアス層
６１ 接合層
６２、６３ 下部磁性ヨーク
６６ 上部磁性ヨーク
６８ 出力端子
７０ 非導電性磁性基板
７１ Ａｌ2Ｏ3層
７２ Ｃｒ層
７３ Ａｕ層
７６ ＭＲ膜
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G11B 5/39
Claims (5)
- 【請求項１】 磁気信号を読み取るために磁気媒体近く
に配置されるヨーク型ＭＲ読み取り磁気ヘッドであっ
て、 ＭＲ素子と接続される磁性ヨークは、一対の非導電性バ
ルク磁性ヨーク材が接合層により接合された構成を有
し、前記ＭＲ素子は、前記一対の非導電性バルク磁性ヨ
ーク材に対して前記接合層上を渡した橋架構造で直接接
合され、前記接合層は、前記一対の非導電性バルク磁性
ヨーク材の、前記ＭＲ素子の面と略直交する方向の面に
各々積層された多層の非磁性薄膜を、表層膜面をつき合
わせて加圧・加熱接着することにより形成されているこ
とを特徴とするヨーク型読み取りＭＲ磁気ヘッド。 - 【請求項２】 前記多層の非磁性薄膜が、表層のＡｕ層
とその下層のＣｒ層とを含む請求項１に記載のヨーク型
ＭＲ読み取り磁気ヘッド。 - 【請求項３】 前記多層の非磁性薄膜が、非磁性非導電
性膜―Ｃｒ膜―Ａｕ膜の順に形成された多層膜である請
求項２に記載のヨーク型ＭＲ読み取り磁気ヘッド。 - 【請求項４】 磁気信号を読み取るために磁気媒体近く
に配置されるヘッド表面を有するヨーク型ＭＲ読み取り
磁気ヘッドの製造方法であって、 一対の非導電性磁性基板の鏡面仕上げした表面に、薄膜
形成技術により非磁性非導電性膜を成膜する第１の工程
と、 前記一対の非導電性磁性基板に形成された前記非磁性非
導電性膜の表面にＣｒ膜と、Ａｕ膜とを順次成膜し、前
記Ａｕ膜同士の表面を合わせて加圧・加熱接着すること
により、前記両非導電性磁性基板を接合する第２の工程
と、 前記一対の接合された非導電性磁性基板における、前記
非磁性非導電性膜、Ａｕ膜、及びＣｒ膜と略直交する表
面を鏡面仕上げする第３の工程と、 前記第３の工程により鏡面仕上げされた表面に、ＭＲ膜
を薄膜形成技術により形成し、所望の形状に加工する第
４の工程とを備えたことを特徴とするヨーク型ＭＲ読み
取り磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項５】 前記非磁性非導電性膜が多層膜であるこ
とを特徴とする請求項４に記載のヨーク型ＭＲ読み取り
磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30823399A JP3510165B2 (ja) | 1999-10-29 | 1999-10-29 | ヨーク型ｍｒ読み取り磁気ヘッドおよびその製造方法並びに磁気記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30823399A JP3510165B2 (ja) | 1999-10-29 | 1999-10-29 | ヨーク型ｍｒ読み取り磁気ヘッドおよびその製造方法並びに磁気記録再生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001126220A JP2001126220A (ja) | 2001-05-11 |
| JP3510165B2 true JP3510165B2 (ja) | 2004-03-22 |
Family
ID=17978545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30823399A Expired - Fee Related JP3510165B2 (ja) | 1999-10-29 | 1999-10-29 | ヨーク型ｍｒ読み取り磁気ヘッドおよびその製造方法並びに磁気記録再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3510165B2 (ja) |
-
1999
- 1999-10-29 JP JP30823399A patent/JP3510165B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001126220A (ja) | 2001-05-11 |
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