JPS63225909A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 以下、本発明は次の順序で説明される。

Ａ、産業上の利用分野 Ｂ０発明の概要 Ｃ９従来の技術 り１発明が解決しようとする問題点 Ｅ０問題点を解決するための手段 Ｆ１作用 Ｇ、実施例 Ｇ−１第１の実施例 〔第１図ないし第２０図〕 Ｇ−２第２の実施例 〔第２１図ないし第４１図〕 Ｇ−３第３の実施例 〔第４２図ないし第４７図（Ｂ）〕 ６００発の効果 Ａ、産業上の利用分野 本発明は、ビデオテープレコーダ（ＶＴＲ）等の磁気記
録再生装置に搭載される電磁誘導型の薄膜磁気ヘッドに
関し、詳細には所謂アジマス記録方式に好適なｒＪ膜磁
気ヘッドに関する。

Ｂ１発明の概要 本発明は、アジマス記録方式の磁気記録再生装置に用い
て好適な薄膜磁気ヘッドにおいて、基板の磁気記録媒体
対接面近傍部に当該基板の上面に対して所定角度で傾斜
する傾斜面を形成するとともに、前記傾斜面上の磁性膜
にて磁気ギャップを形成し、前記傾斜面の傾斜角度にて
磁気ギャソてのアジマスを規制することにより、アジマ
ス精度の向上及び生産性、量産性の向上を図るとともに
、所謂ダブルアジマス薄膜磁気ヘッドや所謂マルチチャ
ンネル薄膜磁気ヘッドを容易に構成しようとするもので
ある。

Ｃ０従来の技術 一般に、磁気テープや磁気ディスク等の磁気記録媒体に
情報信号を高密度に記録する装置として薄膜磁気ヘッド
が知られている。

上記薄膜磁気ヘッドは、磁気コア材料としてＦｅ−Ａｊ
！−３ｉ系合金等の強磁性金属薄膜を使用しているので
高周波領域での実効透磁率が高く、しかも飽和磁束密度
が高いことより記録再生効率に優れていること、ギャッ
プ長のコントロールが容易で狭ギャップ化が可能である
こと、磁気ギャップ近傍が薄く急峻な記録磁界を発生で
きること、ウェハ上に多数のヘッド素子を一括形成する
ため均質なヘッドを大量生産できること、等の利点を有
し、高速高密度記録に対応した磁気ヘッドとして実用に
供されている。

さらに近年では、記録密度のより一層の向上を図るため
に、各記録トラック間のガートバンドを無くし、所謂ア
ジマス記録を行うまでになっている。このアジマス記録
方式は、ヘッドの磁気ギャップを記録トラックの幅方向
に対して斜めに配設し記録・再生を行うものであって、
所謂アジマス損失を積極的に利用し隣接トラックからの
信号再生（クロストーク）を防止すものである。

従来、上記アジマス記録方式に好適な薄膜磁気ヘッド、
すなわち磁気ギャップが磁気ヘッドの走行方向に対して
傾斜した構造のヘッドは、以下の手法で作成している。

すなわち、先ず、基板の上面に下部磁性膜を形成し、さ
らに当該下部磁性膜上に絶縁膜を介してコイル導体を積
層巻回した後、ギャップスペーサや絶縁膜を介して上部
磁性膜を積層し磁気ギャップを形成する０次に、この段
階では上記磁気ギャップが基準面となる基板の上面に対
して平行に配！されてい１ので、ヘッドチップに切り出
す際に上記基準面に対して斜めに切断し、磁気ギャップ
にアジマスを持たせている。

Ｄ０発明が解決しようとする問題点 ところで、上述の如く斜めに切り出した場合には、アジ
マス精度を確保するために、当該切断面を精度良く研磨
する必要がある。したがって、薄膜磁気ヘッドの製造工
程が煩雑となるとともに、アジマス精度を確保する上で
も問題となっていた。

さらに近年、ＶＴＲの分野においては、高画質記録が追
求されており、映像信号をＰＣＭ（パルス信号量１Ｍ）
記録方式により記録する、所謂デジタルＶＴＲの開発が
進められている。そして、このデジタルＶＴＲでは、通
常のＶＴＲ（アナログ）に較べ記録する信号量が飛躍的
に増大することから、複数のトランクを同時に記録する
マルチチャンネル記録方式が採用されている。かかる状
況より、アジマスを有するマルチチャンネル薄膜磁気ヘ
ッドの開発が望まれている。

しかしながら、上述の製法では、ヘッドチップに切り出
す際に磁気ギャップにアジマスを持たせているので、ア
ジマスギャップがインラインに並んだマルチチャンネル
薄膜磁気ヘッドを作成できないという本質的な欠点を有
している。

したがって従来は、複数のヘッドチップを磁気記録媒体
の走行方向に対して、所定のアジマスを持たせて精度良
く固定していた。しかしながら、この作業には、かなり
の熟練を要し、特にギャップ間隔の調整やトランク高さ
合わせ等には、相当の苦労を強いられているのが現状で
ある。この結果、記録再生装置の組立作業の能率は大幅
に低下し、歩留まりや製造コストの点で大きな難点を抱
えている。

そこで本発明は、上述の従来の実情に鑑みて提案された
ものであって、アジマス精度や生産性。

量産性に優れた薄膜磁気ヘッドを提供することを目的と
し、さらには容易にダブルアジマス薄膜磁気ヘッドやマ
ルチチャンネル薄膜磁気ヘッドを構成できる薄膜磁気ヘ
ッドを提供することを目的とする。　　゛ Ｅ０問題点を解決するための手段 上述の目的を達成するために、本発明の薄膜磁気ヘッド
は、基板の上面にコイル導体及び磁性膜がそれぞれ絶縁
膜を介して積層形成されてなる薄膜磁気ヘッドにおいて
、前記基板の磁気記録媒体対接面近傍部に前記上面に対
して所定角度で傾斜する傾斜面が形成され、前記傾斜面
上の磁性膜にて磁気ギャップが形成されるとともに、前
記傾斜面の傾斜角度にて磁気ギャップのアジマスが規制
され、かつ、前記コイル導体が前記上面の平坦部に形成
されていることを特徴とするものである。

２６作用 本発明では、予め基板の磁気記録媒体対接面近傍部に溝
部や台部を設けることにより、該基板の上面に対して所
定のアジマスをもって傾斜する傾斜面を形成し、この傾
斜面上の磁性膜にて磁気ギャップを形成しているので、
上記上面に対して直交方向に切断することにより、簡単
に上記磁気ギャップにアジマスをもたせることができる
。

また、一対の上記ｙＩ膜磁気ヘッドを突き合わせること
により、容易にダブルアジマス薄Ｍ８１気ヘッドが構成
される。

さらに、ヘッドチップに切り出す際の切り出し間隔を大
きく設定し、１個のヘントチツブに複数のアジマスギャ
ップを配設することにより、アジマスギャップがインラ
インに並んだマルチチャンネル’Ｆｉｌ　ＭＭ！気ヘア
ヘッド易に構成される。

また本発明では、コイル導体を上記傾斜面以外の平坦部
に形成しているので、このバターニング精度は確保され
、製造歩留まりや電磁変換特性が確保される。

Ｇ、実施例 次に、本発明の具体的な実施例について図面を参照しな
がら説明する。なお、以下の図面においては、基板、コ
イル導体、磁性膜等の眉間に形成される絶縁膜は省略し
て示すが、これら層間が絶縁されていることはいうまで
もない。

Ｇ−１１の この実施例は、磁気ギャップのアジマスを規制する傾斜
面を傾斜溝によって形成した実施例を示す。

以下、本実施例の薄膜磁気ヘッドの構成を明確なものと
するために、そ、の製造方法から説明する。

本実施例の薄膜磁気ヘッドを製造するには、先ず、第１
図に示すように、平坦化処理された磁性基板（工１）の
上面（１２）における磁気記録媒体対接面近傍部分（１
２ｂ）に、砥石加工やイオンエツチング加工等の手法で
複数の傾斜溝（１３）を設け、所定の傾斜角度θで傾斜
する傾斜面（１３ａ）を形成する。

ここで、この傾斜面（１３ａ）が磁気ギャップ形成面に
対応し、上記傾斜角度θが磁気ギャップのアジマスに相
当する。

上記傾斜面（１３ａ）は、その磁気記録媒体対接面方向
の４１１Ｊが少なくとも磁気ギャップのデプスよりも大
きく、しかも傾斜面（１３ａ）の幅ｍが所定トラック幅
と同等あるいは若干大きくなるように形成する。

上記磁性基板（１１）として本実施例では、Ｍｎ　−Ｚ
ｎ系フェライトやＮｉ−Ｚｎ系フェライト等の強磁性酸
化物材料を用いた。この磁性基板（１１）が一方の磁気
コアを構成する。

次に、第２図に示すように、上記傾斜面（１３ａ）を含
む上面（１２）の全体にＳｉＯｘ等よりなる絶縁膜（図
示せず）を形成した後、ＣｕやＡＪ等の導電性金属材料
を平坦部（１２ａ）にスパッタリング等の真空ＴｉＪＷ
ｌ形成技術により被着し、さらに所定形状にパターンエ
ンチングしてコイル導体（１４）を形成する。さらに、
上記コイル導体（１４）を被覆するように絶縁膜（図示
せず）を形成し、この絶縁膜に形成されたコンタクト窓
を介してコイル導体（１４）と電気的に接続される引き
出し電極（１５）を形成する。すなわち本実施例におい
て、コイル導体（１４）は、スパイラル３ターンの＠線
構造となっている。なお、上記コイル導体（１４）の巻
線構造は上述のスパイラル型に限定されず、多層ヘリカ
ル型。

ジグザグ型環如何なる＠線構造であっても良い。

このように本実施例においては、磁気ギャップ形成面と
なる傾斜面（１３ａ）と異なる平坦部（１２ａ）にコイ
ル導体（１４）を形成しているので、このバターニング
時にはエツチングレジストを均一に塗布できる。したが
って本実施例のように、磁性基板（１１）に傾斜溝（１
３）が形成されていてもコイル導体（１４）のパターニ
ング精度はｉ１保できる。

次いで、第３図に示すように、上記コイル導体（１４）
及び引き出し電極（１５）による凹凸を緩和し、同時に
後述の上部磁性膜との絶縁膜を図るなめに、上記コイル
導体（１４）上に樹脂層（１６）を形成する。

上記樹脂層（１６）は、耐熱性樹脂あるいは耐熱性レジ
ストを塗布した後、フロントギャップ部及びバックギャ
ップ部の樹脂を除去することにより形成される。なお、
上記樹脂層（１６）のかわりに　ＳｉＯ□等の絶縁膜を
スパッタリング等で被着形成しても良いことは言うまで
もない。

ここで、上記耐熱性樹脂としては、ポリイミド系樹脂が
用いられ、例えば日立化成工業社製ＰＩＱ（商品名）、
デュポン社製ビラリン（Ｐｙｒａｌｉｎ）（商品名）あ
るいは東し社製ＳＰシリーズ、等の耐熱性に優れた樹脂
が使用できる。一方、上記耐熱性レジストとしては、ゴ
ム系のネガ型レジストが用いられ、例えば東京応化社製
ＯＭＲ−８３系統や日本合成ゴム社製ＪＳＲ系統等が使
用可能である。

さらに、上記傾斜面（１３ａ）上に積層された絶縁膜を
イオンエツチング等により除去した後、この傾斜面（１
３ａ）上に所定のギャップ長となるように、Ｓｔｏｗや
Ｔａｘｅｓ等のギャップ膜（図示せず）を形成する。

続いて、第４図に示すように、上記傾斜面（１３ａ）を
含む上記樹脂層（１６）上に強磁性金属材料を被着した
後、所定のトランク幅Ｔｗとなるようにエツチングを施
して上部磁性ＩＩＩ（１７）を形成する０以上により、
上記傾斜面（１３ａ）上の上部磁性膜（１７）によりト
ラック幅Ｔ−が規制されたアジマスギャップｇが形成さ
れる。

すなわち、上記アジマスギャップｇは、基準面となる磁
性基板（１１）の上面（１２）に対して角度θだけ傾い
た構造となっている。

ここで、上記上部磁性膜（１７）の下層に巻回されるコ
イル導体（１４）の段差が上記樹脂Ｎ　（１６）にて緩
和されていることより、上記上部磁性膜（１７）は略平
坦な形状となる。したがって、上記上部磁性膜の膜特性
、特に磁気特性は向上する。

上記上部磁性膜（１７）の材料としては、強磁性非晶質
金属合金いわゆるアモルファス合金、Ｆａ−ＡＪ−３ｉ
系合金、Ｆｅ−Ｎｉ系合金、Ｆｅ−Ａｌ系合金、Ｆｅ−
３ｉ系合金、Ｆｅ−３ｌ−Ｃ０系合金、Ｆｅ−Ｇａ−３
ｉ系合金、Ｆｅ−３ｉ−Ｇｅ系合金、Ｆｅ−Ｇａ−−Ｇ
ｅ系合金、Ｆｅ−Ｇｅ−３ｉ系合金等の軟磁気特性に優
れ、かつ高い飽和磁束密度を有する強磁性金属材料が好
適であり、その膜付は方法としては、フランシュ蒸着法
。

イオンブレーティング法、スパッタリング法、クラスタ
ー・イオンビーム法等に代表される真空薄膜形成技術が
採用される。また上部磁性Ｈ（１７）は、本実施例のよ
うな単層膜に限定されず、例えばＳＩ　Ｏｘ　、　Ｔａ
ｘｅｓ、ＡＩｌ＊Ｏｓ　ｒ　　Ｚ　ｒ　Ｏｘ　、　　Ｓ
　ｉ、Ｎ４等の高耐摩耗性絶縁膜と上記強磁性金属材料
よりなる薄膜とを交互に積層した積層膜としても良い、
この場合、強磁性金属薄膜の積層数は任意に設定できる
。この上部磁性膜（１７）が他方の磁気コアを構成する
。

続いて、第５図に示すように、上記コイル導体（１４）
や上部磁性膜（１７）等により構成される磁気回路部を
保護し、磁気記録媒体に対する当たりを確保するために
、上記上部磁性膜（１７）上にガラス等の非磁性材（１
８）を溶融充填し平坦化した後、この非磁性材（１８）
上に保護板（１９）を融着接合し、ヘッドブロック（２
０）とする。

最後に、第５図中Ａ−Ａ＆Ｊｌ及びＡ’−Ａ’線で示す
切断位置、すなわち基準面となる上面（１２）に対して
直交する方向にスライシング加工を施した後、磁気記録
媒体対接面を円筒状に研磨して、第６図に示す単一トラ
ックの薄膜磁気ヘッドを完成する。

以上により得られたｉＨＩ！磁気ヘッドは、磁気ギャッ
プが基準面となる上面（１２）に対して所定角度θだけ
傾いた構造となっている。

このように本実施例においては、磁気ギャップのアジマ
スを、予め磁性基板（１１）の上面（１２）に対して所
定角度θで傾斜する如く設けた傾斜面（１３ａ）にて規
制しているので、アジマス精度に優れた薄膜磁気ヘッド
となる。すなわち従来は、上記上面（工２）に対して斜
めにスライシング加工を施すことにより磁気ギャップに
アジマスを持たせ、さらにアジマス精度を確保するため
に該スライシング面の研磨加工を要し、作業性やアジマ
ス精度の点で大きな問題となっていたが、本実施例を適
用することにより、容易かつ高精度に磁気ギャップのア
ジマスが規制できる。

ここで、第５図に示すスライシング加工の際の切り出し
間隔を大きく設定し、１個のヘッドチップに複数の上記
磁気ギャップを配置することにより、アジマスギャップ
ｇがインラインに並んだマルチチャンネル薄膜磁気ヘッ
ドが得られる。なお、第５図には３チヤンネルの薄膜磁
気ヘッドを示すが、このチャンネル数は限定されるもの
ではない。

このように本実施例においては、ヘッドブロックの切断
位置を変えることにより、単一のアジマスギャップｇを
有する薄膜磁気ヘッドや、複数のアジマスギャップｇが
インラインに並んだ構造の　　′マルチチャンネル薄膜
磁気ヘッドが容易かつ高精度に構成できる。

また、上記マルチチャンネルｍＭ磁気ヘッドにおいては
、ドラムに取付ける際にトラックの位置合わせ等をする
ことなく高精度に取付けられるので、信転性でも有利で
ある。さらに、各チャンネル間の時間軸が一致すること
により、時間軸を補正するための回路等が不要となるの
で、駆動回路部の小型化が図れる。

また、第７図に示すように、一対のヘッドブロック（２
０）　、　（２０）が、各アジマスギャップｇをそれぞ
れ媒体走行方向Ｘから見た時に対向する如く接合一体化
した後、第９図中Ｃ−Ｃ線、Ｂ”−Ｂ’線で示す切断位
置でスライシング加工を雄実ことにより、第８図（Ａ）
に示すいわゆるダブルアジマス薄膜磁気ヘッドを作成す
ることができる。

このように本実施例においては、ヘッドブロック（２０
）の状態で既にアジマスギャップｇがインラインに並ん
だ構造となっているので、一対のヘッドブロック（２０
）　、　（２０）を突き合わせ基準面と直交する方向に
切断することにより、容易かつ高精度にダブルアジマス
薄膜磁気ヘッドを構成できる。

上記ダブルアジマス薄膜磁気ヘッドは、同一記録トラッ
クを繰り返し再生操作するフィールドスチル再生等の特
殊再生用のヘッドに好適なもので、本実施例を適用して
アジマス精度の向上を図ることにより、優れた特殊再生
特性が得られる。また、少なくともヘッドブロック（２
０）　、　（２０）の対向側に配置される磁性膜（上部
磁性膜）が薄膜構造であることより、いわゆるバルクタ
イプの磁気ヘッド−を一体化したダブルアジマス磁気ヘ
ッドに比べて、ギャップ間隔δの狭小化が図れる。した
がって、両アジマスギャップｇ、ｇが磁気記録媒体と均
一に摺接する構成となり、所謂当たり特性が向上し優れ
た記録再生特性が得られる。さらに、従来のように、単
一のアジマスヘッドを１個１個回転ドラムに取り付ける
という煩雑な工程が不要となるので、ヘッドの取付は作
業が容易となるとともに、この信顧性が向上する。

さらに、第９図に示すように、一対のヘッドブロック（
２０）　、　（２０）を一体化する際に、両ブロック（
２０）　、　（２０）のアジマスギャップｇが磁気記録
媒体走行方向Ｘから見たときに若干オーバーラツプする
如く突き合わせ一体化した後、第９図中Ｃ−Ｃ線及びｃ
’−ｃ’ｓで示す切断位置でスライシング加工を施すこ
とにより、第１０図（Ａ）に示すマルチチャンネル薄膜
磁気ヘッドを作成できる。

このマルチチャンネル薄膜磁気ヘッドは、同時に複数の
チャンネル（本例では２チヤンネル）の信号を高密度に
記録でき、例えばデジタルＶＴＲに適用して好適なもの
である。

このように、ダブルアジマス薄膜磁気ヘッドやマルチチ
ャンネル薄膜磁気ヘッドに本実施例を適用すれば、ギャ
ップ間隔δの調整やトラック高さ合わせ等が不要となり
、またヘッドを回転ドラムに取り付ける際に機械精度に
対する依存度が減少する。したがって、これら薄膜磁気
ヘッドの信較性が格段に向上する。勿論、アジマス精度
、生産性、歩留まり、ギャップ間隔δの狭小化、当たり
特性も向上することは言うまでもない。

さらに、第７図及び第９図に示すスライシング加工の際
に、この切り出し間隔を大きく設定することにより、１
個のへラドチップに複数のアジマスギャップｇが対向配
置してなるマルチチャンネル薄膜磁気ヘッドを作成でき
る。第７図には３チヤンネルのダブルアジマス薄膜磁気
ヘッドを、第９図には６チヤンネルの薄膜磁気ヘッドを
それぞれ示す。

また、第１１図（Ａ）には第９図中Ｃ−Ｃ線及びｃ’−
ｃ’の切断位置でスライシングして得られる４チヤンネ
ルのマルチチャンネル薄膜磁気ヘッドを示す。この薄膜
磁気ヘッドは、各薄膜ヘッド部（１）、（ｎ）にそれぞ
れインラインに並んだアジマスギャップＧ＋、Ｇｔ及び
Ｇｌ＋Ｃ；４が配設され、これらアジマスギャップＧ１
．Ｇ！及びＧ。

、Ｇ４が磁気記録媒体走行方向Ｘからみた時に若干オー
バーラツプするような構成となっている。

このマルチチャンネル薄膜磁気ヘッドは、ノイズを減少
し、忠実度の高い再生を目的としてデジタル記録方式を
採用したシステムの如き記録信号層が極めて多い磁気記
録再生装置に適用して好適である。

ここで、第８図（Ａ）、第１０図（Ａ）、第１１図（Ａ
）に示すように、アジマスギャップｇを対向配置した場
合には、ギャップ間隔δの狭小化に伴って磁気記録媒体
との当たり特性が向上する反面、対向するギヤツブｇ間
にいわゆるクロストークが発生し易くなり、良好な電磁
変換特性が得難い。

そこで、上記クロストークを解消するためには、第８図
（Ｂ）、第１０図（Ｂ）、第１１図（Ｂ）に示すように
、両アジマスギャップｇ間にシールド層（２１）を介在
させるようにすれば良い。

このようにアジマスギヤ７１２間にシールド層（２１）
を介在させることにより、クロストークの原因となる漏
洩磁界が該シールドＪＷ（２１）により遮断されるので
、良好な電磁変換特性が得られる。

ここで、上記シールド（２１）の材質としては、例えば
Ｎｉ−Ｆｅ系合金（パーマロイ）等の高透磁率材料が好
適であり、この形成方法としてはスパッタリング法等の
真空薄膜形成技術が挙げられる。

また、上記シールド層（２１）の厚みは、厚すぎるとギ
ャップ間隔δが大きくなって、両方のアジマスギャップ
が磁気記録媒体に均一に当たらなくなり、逆に小さすぎ
ると十分なシールド効果が得られなくなることにより、
ヘッドの使用条件等を考慮して適宜設定する必要がある
。さらに、上記シールド層（２１）は、単にアジマスギ
ヤ７１２間に介在させてもよいし、あるいは端子を介し
て接地してもよい、なお、本実施例においては、シール
ド層（２１）を２層設けているが、このシールドＩＩ　
（２１）は対向するアジマスギヤ７１２間に介在してい
れば何層設けても良い、第１１図（Ｂ）には、アジマス
ギヤ７１８１８間に厚み２μ鋼のシールド層（２１）　
、　（２１）を介在させたマルチチャンネル薄膜磁気ヘ
ッドを示す。

また、上述のギャップ間隔δの狭小化に伴い、外部端子
（例えばフレキシブルプリント基板）との接続を図る両
薄膜ヘッド部の電極部が近接配置されることにより、こ
の接続が困難となる。上記接続を確実に行うためには、
上記電極部をヘッドの後端側（磁気記録媒体摺接面の裏
面側）に形成すれば良い。なお、以下の説明に引用する
第１２図ないし第１４図において、第１図ないし第１１
図に示す部材と同一部材には同一符号を付し、その説明
は省略する。

すなわち、第１２図に示すように、先ず、磁性基板（３
１）の磁気記録媒体対接面近傍部分（３２ｂ）に複数の
傾斜溝（１３）を設け、所定のアジマス角度θで傾斜し
磁気ギャップ形成面に相当する傾斜面（１３ａ）を形成
すると同時に、後工程で形成されるコイル導体（１４）
や引き出し導体（１５）の電極部に対応する部分に電極
用溝（３３）を形成する。

次に、第１３図（Ａ）及び第１３図（Ｂ）に示すように
、上記電極用溝（３３）内に導電性金属を充填し電極部
（３４）を形成する。その後、この電極部（３４）を除
く上面（３２）の全体に亘ってｓｔｏｗ等の絶縁膜（図
示せず）を形成し、先の実施例と同様の手法を用いてコ
イル導体（１４）及び引き出し電極（１５）を形成する
。この結果、これらコイル導体（１４）及び引き出し電
極（１５）は、上記電極部（３４）と電気的に導通され
た構造となる。

その後、先の実施例と同様の手法を用いて、樹脂Ｎ　（
ｉ６）や上部磁性膜（１７）を形成する。

続いて、第１４図に示すように、上述の磁性基板（３１
）、コイル導体（１４）、上部磁性膜（１７）等により
構成される磁気回路部を保護するために磁性基板（３１
）の全体に亘ってガラス等よりなる非磁性材（１８）を
溶融充填し、必要に応じて高透磁率材料よりなるシール
ドＩＩ（２１）を被着形成した後、保護板（１９）を接
合し、ヘッドブロック（３５）を作成する。

最後に、得られた一対のへ７ドブロツク（３５）をトラ
ック合わせしながら突き合わせ一体化した後、先の実施
例と同様に所定の切断位置にて切り出すとともに、上記
電極部（３４）の形成位置に相当する切断位置〔第１３
図中ａ−ａｍで示す位置〕で切り出すことにより電極部
（３４）を露出させ、第１５図に示す薄膜磁気ヘッドを
得る。

この薄膜磁気ヘッドは、コイル導体（１４）及び引き出
し導体（１５）と導通形成される電極部（３４）が磁気
記録媒体対接面（２４）の裏面側の一平面（２５）に形
成されているので、ギャップ間隔δが狭小化しても、外
部端子と信幀性の高い接続が可能となる。

また、保護板（１９）をヘッド全体に配置できるので、
ヘッドの機械強度も確保される。なお、上記電極部（３
４）を基板（３１）の側面（３１ｃ）に形成した場合に
も、同一の効果が発揮されることはいうまでもない。

なお以上の実施例では、基板としてＭｎ−Ｚｎフェライ
ト等の強磁性酸化物材料よりなる磁性基板を用いた例に
ついて説明したが、本発明はこれに限定されず、チタン
酸バリウムやチタン酸カルシウム等のセラミックよりな
る非磁性基板上に前述の強磁性金属材料を積層した複合
基板、あるいは上記強磁性酸化物材料上に強磁性金属材
料を積層した複合基板を用いた場合にも適用される。

ただし、これら複合基板を使用する場合には、第１６図
に示すように、予め非磁性基板（あるいは強磁性酸化物
基板）　（４１）に先の実施例と同様にして傾斜溝（４
２）を設はアジマスを有する傾斜面（４２ａ）を形成し
た後、上記傾斜面（４２ａ）を含む基板（４１）の全面
に強磁性金属材料を被着し下部磁性膜（４３）を形成す
る。ここで、基板（４１）として非磁性基板を用いたと
きには上記下部磁性膜（４３）が一方の磁気コアを構成
し、強磁性酸化物基板を用いたときには該基板と下部磁
性膜（４３）とを合わせて一方の磁気コアを構成する。

その後、第１７図に示すように、先の実施例と同様にフ
ォトリソグラフィ技術等の微細加工技術を用いて、コイ
ル導体（図示せず）や上部磁性膜（４３）等を形成する
とともに、保護板（４７）を非磁性材（４６）により融
着接合する０以上により、傾斜面（４２ａ）上の下部磁
性膜（４３）と上部磁性膜（４５）にて磁気ギャップｇ
が形成され、該磁気ギャップｇのアジマスが上記傾斜面
（４２ａ）の傾斜角度によって規制され、さらに該ギャ
ップｇがインラインに並んだ構造のヘッドブロックが形
成される。

そして、上記ヘッドブロックを所定の切断位置で切断す
ることにより薄膜磁気ヘッドが構成され、また一対の上
記ヘンドブロックを接合した後に切断することによりダ
ブルアジマス薄膜磁気ヘッドが構成される。

このように、アジマスギャップｇを高い飽和磁束密度を
有する強磁性金属材料で形成した薄膜磁気ヘッドは、大
きな記録磁界が得られることより、高密度記録化に対応
した高抗磁力磁気記録媒体に対しても優れた記録特性が
発揮される。

あるいは、第１８図に示すように、基板（１５１）の上
面（１５２）に対して所定のアジマスをもって傾斜する
傾斜面（１５３ａ）を有する非磁性基板（あるい、は強
磁性酸化物基板）（１５１）上に、強磁性金属材料をス
パッタリング等により被着した後、該強磁性金属材料が
チャンネル毎に分断残存されるようにバターニングし下
部磁性膜（１５４）とした複合基板を用いても良い。

その後、°第１９図に示すように、先の実施例と同様の
手法にて、コイル導体（図示せず）や上部磁性膜（１５
７）を形成するとともに、保護板（１５９）を非磁性材
（１５８）にて接合することにより、アジマスギャップ
ｇがインラインに並んだ構造のヘッドブロックを作成す
る。そして、所定の切断位置で切断することにより薄膜
磁気ヘッドを完成する。

得られる薄膜磁気ヘッドは、磁気ギャップｇが各チャン
ネル毎に分断形成された構造となる。したがって、下部
磁性膜に起因する隣接トランクあるいは隣々接トラック
からのクロストークが激減し、再生特性に優れた薄膜磁
気ヘッドが提供できる。

さらには、第２０図に示すように、基準面となる磁性基
板（１６１）の上面（１６２）に対して所定のアジマス
をもつて傾斜する傾斜面（１６３ａ）を交互かつ反対向
きに形成してなる傾斜溝（１６３）を複数形成した後、
該傾斜面（１６３ａ）に対応してコイル導体（図示せず
）や上部磁性膜（１６４）等を積層し、さらに保護板（
１６６）を非磁性材（１６５）により融着接合すること
により、アジマスギャップｇが交互かつ反対向きで、し
かもインラインに並んだ構成のマルチチャンネル薄膜磁
気ヘッドを形成することができる。この場合にも、前述
の各種複合基板が使用できることは勿論、アジマスギャ
ップｇを対向配置してなるダブルアジマス薄膜磁気ヘッ
ド等にも適用できることはいうまでもない。

Ｇ−２２の− この実施例は、磁気ギャップのアジマスを規制する傾斜
面を傾斜台部にて形成した実施例を示す。

以下、本実施例の薄膜磁気ヘッドの構成を明確なものと
するために、その製造方法から説明する。

本実施例の薄膜磁気ヘッドを製造するには、先ず、第２
１図に示すように、平坦化処理された磁性基板（５１）
の上面（５２）における磁気記録媒対接面近傍部分（５
２ｂ）に複数の傾斜台部（５３）を所定の間隔をあけて
磁性基板（５１）の全幅に亘って複数個配置する。

上記傾斜台部（５３）は、Ｍｎ−ＺｎフェライトやＮｉ
−Ｚｒ１フエライト等の強磁性酸化物材料やＦｅ−ＦＡ
−３ｉ系合金等の強磁性金属材料、等の磁性材料にて形
成される。また、上記傾斜台部（５３）は、磁気記録媒
体対接面に相当する磁性基板（５３）の前面（５１ａ）
に対して直交方向に延在する２つの傾斜面のうち、少な
くとも一方の傾斜面（５３ａ）が上記上面（５２）に対
して所定の傾斜角度αで傾斜している。ここで、上記傾
斜面（５３ａ）が磁気ギャップ形成面となり、この傾斜
角度αが磁気ギャップのアジマスに相当する。

上記傾斜面（５３ａ）は、その磁気記録媒体対接面方向
の幅りが少なくとも磁気ギャップのデプスよりも大きく
、しかも傾斜面（５３ａ）の幅Ｍが所定トラック幅と同
等あるいは若干大きくなるように設定されている。

ここで、上記傾斜台部（５３）の配設方法としては、■
射出成形等により磁性基板（５１）に一体的に成形する
方法。

■上記傾斜台部（５３）を接着剤等にて固定する方法。

が挙げられる。

なお、上記■の方法で傾斜面（５３ａ）を形成する場合
には、第３１図（Ａ）及び第３２図（Ａ）に示すように
、傾斜台部（５３）を磁性基板（５１）に固定するため
の接着剤（７５）の厚みあるいは傾斜台部（５３）のカ
ケ等により傾斜台部（５３ａ）と上記上面（５２）との
接触部分（７６）に段差Ｈを生じ易い、この段差Ｈは、
磁気ギャップのアジマス精度の劣化の原因となるので、
該段差Ｈを解消することは重要である。

上記段差Ｈの解消手段としては、例えば該段差Ｈが極め
て小さい場合〔第３１図（Ａ）〕には、下記の手法にて
解消すれば良い、すなわち、先ず、第３１図（Ｂ）に示
すように、上記傾斜台部（５３）を含む磁性基板（５１
）の上面（１２）にｓｈｏｗ等の絶縁膜（７７）を少な
くとも上記段差８以上の膜厚となるように被着形成する
６次に、第３１図（Ｃ）に示すように、上記絶縁膜（７
７）を覆うようにエツチングレジスト（７８）を塗布す
る。このエラチンブレジス）　（７８）は、絶縁膜（７
７）との選択比が（１：Ｉ）のものが好適である。最後
に、第３１図（Ｄ）に示す゛ように、上記絶縁膜（７７
）及びエツチングレジスト（７８）にプラズマエツチン
グを施し、残存する絶縁ＩＩ！！　（７７）にて上記段
差Ｈを解消する。

あるいは、第３２図（Ａ）に示すように、上記段差Ｈが
大きく上述の手段ではこの段差Ｈが解消できない場合に
は、以下の手法にて解消することができる。すなわち、
先ず、第３２図（Ｂ）示すように、耐熱性レジスト（７
９）を少なくとも上記段差Ｈよりも厚く塗布した後、傾
斜台部（５３）以外の部分にエツチングレジスト（８０
）を形成する０次いで、第３２図（Ｃ）に示すように、
傾斜台部（５３）上の耐熱性レジスト（７９）をエツチ
ングにて除去し、さらにエツチングレジスト（８０）を
除去することによって段差Ｈを解消する。

次に、以上のようにして傾斜台部（５３）を配設した磁
性基板（５１）を作成した後、第２２図に示すように、
先の実施例と同様にして、コイル導体（５３）　。

引き出し導体（５５）、樹脂層（５６）　、上部磁性膜
（５７すをそれぞれ絶縁膜を介して順次積層形成する。

したがって、上記上部磁性Ｊｕｌ（５７）によりトラッ
ク＄ｉＴｗが規制され、かつ磁気ギャップのアジマスが
上記傾斜面（５３ａ）の傾斜角度αで規制されたアジマ
スギャップｇを有する磁気回路部が形成される。

ここで、上記コイル導体（５４）や引き出し導体（５５
）は、第１の実施例と同様に磁性基板（５Ｉ）の平坦部
（５２ａ）に形成されるので、このバターニング精度は
確保される。同様に、上記上部磁性ＩＰＪ（５７）は、
コイル導体（５４）や引き出し導体（５５）による段差
を樹脂層（５Ｇ）にて緩和した略平坦面上に形成される
ので、良好な磁気特性が得られる。

続いて、第２３図に示すように、上記磁気回路部を覆う
ようにガラス等の非磁性材（５Ｂ）を充填し、さらに保
護板（５９）を接合する。このようにして、磁気ギャッ
プｇのアジマスが傾斜台部（５３）の傾斜面（５３ａ）
にて規制され、かつ該アジマスギャップｇがインライン
に並んだヘッドブロック（６０）が作成される。

Ｉｌ後に、第２３図中Ｄ−Ｄ線及びＤ’−Ｄ’線に示す
切断位置、すなわち磁性基板（５１）の上面（５２）と
直交する方向にスライシング加工を施すことにより、第
２４図に示すような単一のアジマスギヤ、ブｇを有する
薄膜磁気ヘッドが完成する。

ここで、第２３図に示すスライシング加工の際の切り出
し間隔を大きく設定し、１つのへラドチップに複数の磁
気ギャップを配置することにより、アジマスギャップｇ
がインラインに並んだマルチチャンネル薄膜磁気ヘッド
が得られる。第２３図には３チヤンネルの薄膜磁気ヘッ
ドを示すが、このチャンネル数は限定されるものではな
い。

また、第２５図に示すように、上記構成の一対のヘッド
ブロック（６０）　、　（６０）を媒体走行方向Ｘから
みた時に両アジマスギャップｇ、ｇが対向する如く突き
合わせ一体化した後、第２５図中Ｅ−Ｅ線及びＥ’−Ｅ
’線で示す切断位置にてスライシング加工を施すことに
より、第２６図に示すダブルアジマス薄膜磁気ヘッドが
得られる。この場合も同様に、上記スライシング加工の
際の切り出し間隔を大きく設定することにより、ダブル
アジマスマルチチャンネル１１ＷＡ磁気ヘツドが得られ
る。

さらに、第２５図に示すヘッドブロック（６０）　。

（６０）の一体化工程において、対向するアジマスギャ
ップｇを磁気記録媒体走行方向Ｘからみたときに、若干
オーバーラツプする如く付き合わせ一体化した後、所定
の切断位置で切断することにより、第２７図に示すデジ
タルＶＴＲに好適なマルチチャンネル薄膜磁気ヘッド（
この例では４チヤンネル）が得られる。

なお、上述の各種薄膜磁気ヘッドのうち、アジマスギャ
ップｇが対向配置されるものにおいては、対向するアジ
マスギャップ８間にシールド層を介在させ、ギャップ間
隔の狭小化に伴うクロストークを低減させるようにする
ことが好ましい。

また、上述の各種薄膜磁気ヘッドにおいては、基板とし
てＭｎ−Ｚｎフェライト等の強磁性酸化物材料よりなる
磁性基板を用いた例について説明したが、チタン酸バリ
ウムやチタン酸カルシウム等のセラミックよりなる非磁
性基板上に前述の強磁性金属材料を積層した複合基板、
あるいは上記強磁性酸化物基板上に強磁性金属材料を積
層した複合基板を使用した場合にも本実施例は適用され
る。

すなわち、第２８図に示すように、先ず、非磁性基板（
あるいは強磁性酸化物基板）（６１）上に先の実施例と
同様にして傾斜台部（６３）を配設し所定の傾斜角度α
で傾斜する傾斜面（６３ａ）を形成した後、上記傾斜面
（６３ａ）を有する基板（６１）の全面に上記強磁性金
属材料よりなる下部磁性膜（６４）を被着形成して複合
基板を作成する。

その後、第２９図に示すように、上記下部磁性膜（６４
）上に先の実施例と同様の手法を用いて、コイル導体、
上部磁性膜（６５）を絶縁膜を介して積層し、さらに非
磁性材（６６）を介して保護１ｆ！（６７）を接合する
０以上により、上記傾斜面（６３ａ）上の下部磁性膜（
６４）と上部磁性膜（６５）とでアジマスギャップｇを
形成してなるヘッドブロックが完成する。

また、下部磁性膜（６４）を被着した後、該下部磁性膜
（６４）をパターニングしてトランク幅Ｔｗを規制して
なる複合基板を用いても良い。この場合、得られる薄膜
磁気ヘッドは、第３０図に示すように、磁気記録媒体対
接面において、アジマスギャップｇが各チャンネル毎に
分断された構造となるので、下部磁性膜が各チャンネル
に連続形成されることに起因するクロストークが解消さ
れる。したがって、良好な再生特性を有する薄膜磁気ヘ
ッドとなる。

また、上記複合基板を用いた場合には、傾斜台部（６３
）は必ずしも磁性材料で構成する必要はなく、磁性材料
または非磁性材料の何れであっても良い。

以上、磁気ギャップｇのアジマスを規制する傾斜面を傾
斜台部にて形成してなる薄膜磁気ヘッドについて説明し
たが、上記傾斜面を所謂射出成形技術や所謂転写技術を
用いて形成することにより、生産性、量産性の向上並び
に製造コストの大幅な低減が図れる。

すなわち、上記射出成形技術や転写技術を用いて本実施
例の薄膜磁気ヘッドを作成するには、先ず、第３３図に
示すように、所定の傾斜角度αで傾斜する傾斜面（１０
２ａ）を有する突起部（１０２）が−主面に形成されて
なる金型（１２１）を用意し、上記−主面側より射出成
形法を用いて樹脂層（１０３）を形成する。ここで、上
記傾斜角度αがこの製法にて作成される薄膜磁気ヘッド
のアジマスに相当する。

上記金型（１２１）の突起部（１０２）は、当該金型の
一側面（１２１ａ）の近傍部のみに形成する。また、上
記突起部（１０２）は、例えばダイヤモンドバイト等に
よる砥石加工法やイオンエツチング法、あるいはＣｕ−
Ｚｎ系合金やＡｎ等の加工性に優れた金属、非金属を機
械加工する方法により容易に作成される。

次に、上記樹脂層（１０３）を金型（１２１）よりｆｆ
Ｊ＋離する。第３４図にこの剥離工程で得られた樹脂層
（１０３）を示す、以下、この樹脂層（１０３）をダミ
ー基板（１０３）と称する。

上記ダミー基板（１０３）には、該基板（１０３）の−
側面近傍に・上記金型（１２１）の突起部（１０２）力
く凹部（１０４）として転写される惨したがって・上記
凹部（１０４）の傾斜面（１０４ａ）は、該基板（１０
３）の上面（１０３Ａ）に対して角度α傾斜している。

なお、このダミー基板（１０３）は、得られる薄膜磁気
ヘッドの非構成部材である。

続いて、第３５図に示すように、上記ダミー基板（１０
３）の上面（１０３Ａ）側からＦｅ−Ａｆ−Ｓｉ系合金
等の強磁性金属材料を被着形成し、第１の磁性膜（１０
５）を形成する。

上記第１の磁性膜（１０５）の形成方法としては、スパ
ッタリング法、真空蒸着法、あるいはメッキ法等の薄膜
形成技術が採用される。

次に、第３６図に示すように、上記第１の磁性膜（１０
５）上にＳｉＯ□、Ａｊ！ｚｏｉ等の保護膜（１０６）
を、少なくとも上記凹部（１０４）の深さ以上の膜厚を
もって形成し、しかる後にこの保護膜（１０６）をラッ
ピング処理等により平坦化する。その後、上記保護膜（
１０６）上に接着剤（１０７）を用いて、第１の保護板
（１０８）を接合一体化する。

上記接着剤（１０７）としては、上記第１の磁性膜（１
０５）の磁気特性や寸法精度を確保するため接着温度が
余り高くないものが好ましく、例えば低融点ガラス、水
ガラス等の無機系のガラスが好適である。また、上記第
１の保護板（１０８）としては、耐摩耗性に優れた材質
ものが使用され、例えばチタン酸バリウムやチタン酸カ
ルシウム等のセラミックや、非磁性フェライトが好適で
ある。

続いて、アジマスを規制した上記ダミー基板（１０３）
を除去し、第３７図に示すコアブロック（１０９）を得
る。上述のダミー基板（１０３）の除去方法としては、
機械的手段にて剥離する方法、あるいはダミー基板（１
０３）を構成する樹脂を溶剤にて溶解除去する方法等が
挙げられる。

したがって、上記コアブロック（１０９）は、その磁気
記録媒体対接面近傍部に上記ダミー基板（１０３）の凹
部（１０４）が凸字状の傾斜台部（１１０）として転写
され、この傾斜台部（１１０）上に配設された第１の磁
性膜（１０５）の傾斜面（１０５ａ）にてアジマスが規
制された構成となる。すなわち、上記傾斜面（１０５ａ
）が磁気ギャップ形成面となり、この傾斜角度αが磁気
ギャップのアジマスとなる。

ここで、上記コアブロック（１０９）は前述の複合基板
に対応し、上記第１の保護板（１０８）が基板に、上記
第１の磁性膜（１０５）が下部磁性膜に、それぞれ対応
している。

このにょうに本実施例では、バイト加工された金型（１
２１）から射出成形技術や転写技術を用いてアジマスを
規制する傾斜面（１１５）が配設された複合基板を形成
しているので、この複合基板は安価にしかも大量に作成
できるという利点がある。

次に、以上の手法で作成されたコアブロック（１０９）
に対して、先の実施例と同様にしてコイル導体や上部磁
性膜等を積層し磁気回路部を作成する。

すなわち、第３８図に示すように、上記コアブロック（
１０９）の平坦部（１０９ａ）にコイル導体（１１１）
及び引き出し導体（１１２）を形成し、次いで、第３９
図に示すように、上記導体（１１１）　、　（１１２）
の平坦化及び絶縁を兼ねて樹脂層（１１３）を形成し、
しかる後に、第４０図に示すように、所定のトラック幅
にパターニングされた第２の磁性膜（１１４）を積層形
成し、磁気回路部を形成する。上記第２の磁性膜（１１
４）が上部磁性膜に相当する。

その後、第４１図に示すように、第２の保護膜（１１５
）を形成し平坦化処理を施した後、第２の保護板（１１
７）を前述の無機系の接着剤（１１６）により接合し、
ヘッドブロック（１１Ｂ）を完成する。

最後に、上記保護板（１０８）　、　（１１７）に対し
て直交する方向にスライシングすることにより、アジマ
スギャップｇを有する薄膜磁気ヘッドやアジマスギャッ
プｇがインラインに並んだマルチチャンネル薄膜磁気ヘ
ッドを作成する。また、上記ヘッドブロック（１１８）
を２個用意し、これらを接合一体化した後スライシング
加工を施してダブルアジマス薄膜磁気ヘッドが作成され
る。

このようにアジマスを規制する傾斜面を射出成形技術や
転写技術を用いて作成することにより、生産性や量産性
が大幅に向上するので、アジマスギャップを有する薄膜
磁気ヘッドを安価に捉供できる。

なお、この実施例（第３３図ないし第４１図）ではアジ
マスを規制する傾斜面を傾斜台部で構成した実施例に通
用しているが、上記傾斜面を傾斜溝で構成した実施例（
第１の実施例）にも上述の製造方法が適用されることは
いうまでもない。

Ｇ−３３の この実施例は、上記傾斜溝あるいは傾斜台部を磁気ギャ
ップのトラック幅方向に対して斜めに配設し、当該傾斜
面にてアジマスを規制してなる実施例である。以下、上
記傾斜面を傾斜台部にて形成した薄膜磁気ヘッドを例に
挙げて説明する。

本実施例の薄膜磁気ヘッドにおいては、第４２図及び第
４３図に示すように、例えばセラミック等の非磁性材よ
りなる基板（９１）の一平面（９１ａ）に、上記一平面
（９１ａ）と所定角度θ２で傾斜する傾斜面（９２ａ）
を有する傾斜台部（９２）が配設されている。

上記傾斜台部（９２）は上記一平面（！Ｈａ）全体に配
設しても良いが、本実施例では楔状（断面略Ｖ字状）の
傾斜台部（９２）を磁気ギャップｇの近傍部にのみ磁気
記録媒体対接面（１０２）に対して斜めに配設しである
。

このように、傾斜台部（９２）を磁気ギヤツブｇ近傍の
みに配設すれば、後述のコイル導体（９５）は上記一平
面（９１ａ）の平坦面に形成されるので、このパターニ
ング精度は確保される。

また、上記傾斜台部（９２）を含む基板（９１）上には
Ｆｅ−ＡＪ−３ｉ系合金やアモルファス合金等の強磁性
金属材料よりなる下部磁性膜（９３）が被着形成されて
いる。さらに、上記下部磁性膜（９３）上には、絶縁膜
（９４）を介してスパイラル状のコイル導体（９５）、
及びこのコイル導体（９５）上の絶縁膜（９６）に開口
されたコンタクト窓（９７）を介して電気的に接続され
る引き出し導体（９８）が形成されている。

さらに、絶縁膜（９９）を介して上記強磁性金属材料よ
りなる上部磁性膜（１００）が積層されている。

そして、上記下部磁性膜（９３）及び上部磁性膜（１０
０）にて磁気ギャップｇが形成され、この磁気ギヤツブ
ｇ近傍部では、これら磁性膜（９３）　、　（１００）
が所定のトラック幅Ｔ１１となるようにパターニングさ
れている。

さらに図示しないが、通常は、下部磁性膜（９３）。

コイル導体（９５）　、上部磁性膜（１００）等よりな
る磁気回路部を保護し、磁気記録媒体との当たりを確保
するために、上部磁性膜（１００）上に保護板がガラス
等にて接合一体化されている。

すなわち、上記構成の薄膜磁気ヘッドを作成するには、
まず、第４４図に示すように基板（９１）の一平面（９
１ａ）上に梗状の傾斜台部（９２）を磁気記録媒体対接
面に対応する面（１０２ａ）に対して所定角度θ、傾け
て融着接合する。この場合、傾斜台部（９２）の接合部
近傍の段差は、先の第３１図（Ａ）ないし第３１図（Ｄ
）あるいは第３２図（Ａ）ないし第３２図（Ｃ）の手法
にて解消しておく。あるいは１．前述の射出成形法や転
写技術を用いて形成しても良い。

その後、先の実施例と同様にして下部磁性膜（９３）、
コイル導体（９５）　、上部磁性膜（１００）等を順次
積層し、所定の位置で切り出すことにより第４２図及び
第４３図に示す薄膜磁気ヘッドを完成する。

このように本実施例の薄膜磁気ヘッドは、基板（９１）
に配設された傾斜台部（９２）の傾斜面（９２ａ）と基
準面となる基板（９１）の一平面（９１ａ）とがなす角
度θ、及び磁気記録媒体対接面に対応する面（１０２ａ
）と該傾斜台部（９２）のなす角度θ、により、磁気ギ
ャップｇのアジマス角度θ、が決定される構造となって
いる。

ここで、本実施例の薄膜磁気ヘッドにおいては、磁気ギ
ャップｇが基板（９１）の上面（９１ａ）に対して所定
角度傾いているので、当該基板（９１）に対して直交方
向に切断することにより、簡単に磁気ギャップｇのアジ
マスを制御できる。したがって、アジマス精度に優れた
薄膜磁気ヘッドが得られる。

この場合、上記傾斜台部の配設位置を工夫することによ
り、上述のアジマス精度に優れた薄膜磁気ヘッドを効率
良く作成できる。

すなわち、先ず、第４５図（Ａ）に示すように、基板（
８１）の上面（８１ａ）　（基準面）に該上面（８１ａ
）に対して所定角度βで傾斜する傾斜面（８２）　、　
（８２）を互いに平行に複数形成する。この両頭斜面（
８２）　。

（８２）は互い社対向する如く配置する。ここで、上記
傾斜面（８２）　、　（８２）の傾斜角度βが磁気ギャ
ップのアジマスを規制する。

上記傾斜面（８２）　、　（８２）は、磁気ギャップの
トラック幅方向に対して斜めに配置し、しかも基板（８
１）の全体に亘うて互いに平行に配置する。ここで、上
記傾斜面（８２）　、　（８２）のトラック幅方向に対
する配置角度は、後述の磁気回路部が最も多（形成でき
るように設定する。この実施例では、上記配置角度を略
４５°に設定した。

上記傾斜面（８２）　、　（８２）の形成方法としては
、第４５図（Ｂ）に示すように基板（８１）の上面（１
８ａ）に傾斜台部（８３）を配置する方法、あるいは第
４５図（Ｃ）に示すように傾斜溝（８４）を砥石加工や
イオンエツチング加工等で切削形成する方法、が挙げら
れる。

次に、第４６図に示すように、傾斜面（８２）、　（８
２）を含む基板（８１）上に、下部磁性膜（８３）、コ
イル導体（８５）　、引き出し導体（８６）　、上部磁
性膜（８７）を絶縁膜（図示せず）を介して順次形成し
、磁気回路部（８８）を形成する。ここで、上記磁気回
路部（８８）は傾斜面（８２）　、　（８２）を挟んで
交互に対向するように形成する。このように磁気回路部
（８８）　、　（８８）・・・を交互に対向配置するこ
とにより、１個の基板（８１）に多数の磁気回路部（８
８）を配設できる。したがって、量産性の点で有利であ
る。

なお、上記コイル導体（８５）と引き出し導体（８６）
とは、これら層間の絶縁膜に設けられたコンタクト窓部
（８９）を介して導通されている。

この場合、上記コイル導体（８５）及び引き出し導体（
８６）は、その大部分が基板（８１）の平坦部に形成さ
れるため、このパターニング精度が劣化する心配はない
。

次いで、第４６図中Ｙ−Ｙ線・・・及びｚ−ｚｇ・・・
に示す切断位置、すなわち上記傾斜面（８２ｂ）に対し
て斜めで、しかも基板（８１）の上面（８１ａ）と直交
する切断位置にてスライシング加工を施し、第４７図（
Ａ）及び第４７図（Ｂ）に示す薄膜磁気ヘッドを完成す
る。

なお通常は、磁気回路部（８８）を保護するとともに、
磁気記録媒体との当たりを確保するために、該磁気回路
部（８８）を覆うように非磁性材を介して保護板が接合
一体化されていることはいうまでもない。

このようにして作成された薄膜磁気ヘッドは、第４７図
（Ａ）または第４７図（Ｂ）に示すように、磁気ギャッ
プｇのアジマスを規制する傾斜面（８２）が磁気記録媒
体対接面近傍部にのみ形成され、該傾斜面（８２）にて
磁気ギャップｇのアジマスが規制されるとともに、コイ
ル導体（８５）や引き出し導体（８６）が基板（８１）
の平坦部に形成された構造となっている。

したがって、上記スライシング加工を基板（８１）の上
面（８１ａ）と直交する方向に行うことにより、容易に
アジマス精度に優れた薄膜磁気ヘッドが提供できる。

しかも、この薄膜磁気ヘッドは、上記傾斜台部（８３）
または傾斜溝（８４）を基板（８１）の全体に連続的に
形成し、１個の傾斜台部（８３）または傾斜溝（８４）
で複数のヘッドのアジマスを規制しているので、量産性
や生産性の点でも有利である。

Ｈ６発明の効果 以上の説明からも明らかなように、本発明の薄膜磁気ヘ
ッドは、基板の磁気記録媒体対接面近傍部に傾斜溝や傾
斜台部を設けることにより、基板の上面に対して所定の
アジマスをもって傾斜する傾斜面を形成しているので、
上記基板の上面と直交する方向に切断することにより、
容易に磁気ギャップにアジマスを持たせることができる
。したがって、スライシング面の高精度な研磨加工等の
煩雑な工程が不要となり、生産性や量産性、製造歩留ま
りが大幅に向上するとともに、アジマス精度に優れた薄
膜磁気ヘッドが提供できる。

さらに、上記スライシング位置を変えることによりアジ
マスギャップがインラインに並んだマルチチャンネル薄
膜磁気ヘッドが、また一対の上記薄膜磁気ヘッドを突き
合わせることによりダブルアジマス薄膜磁気ヘッドが、
それぞれ高精度かつ容易に構成できるという優れた利点
を有している。

したがって、回転ドラム等に上記薄膜磁気ヘッドを取り
付ける作業が容易なものとなり、しかもこの取付は精度
は格段に向上する。

また、コイル導体は上記傾斜面の形成部以外の平坦面に
形成しているので、このバターニング精度は確保され、
電磁変換特性に優れた薄膜磁気ヘッドが提供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第５図は本発明を適用した薄膜磁気ヘッド
の一実施例の製造方法をその工程に従って示すもので、
第１図は傾斜溝の形成工程の斜視図を、第２図はコイル
導体及び引き出し導体を形成工程の斜視図を、第３図は
樹脂層の形成工程の斜視図を、第４図は上部磁性膜の形
成工程の斜視図を、第５図は保護板の接合工程及びスラ
イシング加工工程の正面図をそれぞれ示す。 第６図は第１図ないし第５図に示す製造工程を経て作成
された薄膜磁気ヘッドを示す正面図である。 第７図は第５図に示す一対のヘッドブロックを各アジマ
スギャップが磁気記録媒体走行方向からみたときに対向
するように接合した状態を示す正面図である。 第８図（Ａ）は第７図に示すヘッドブロックを切り出す
ことにより作成されるダブルアジマス薄膜磁気ヘッドを
、第８図（Ｂ）はシールド層を設けたダブルアジマス薄
膜磁気ヘッドをそれぞれ示す正面図である。 第９図は第５図に示す一対のヘッドブロックを各アジマ
スギャップが磁気記録媒体走行方向からみたときに若干
オーバーラツプするように接合した状態を示す正面図で
ある。 第１０図（Ａ）は第９図に示すヘッドブロックを切り出
すことにより作成されるマルチチャンネル薄膜磁気ヘッ
ドを、第１０図（Ｂ）はシールド層を設けたマルチチャ
ンネル薄ＭＭ１気ヘッドをそれぞれ示す正面図である。 第１１図（Ａ）は４チヤンネルのＷｌ、ＷＡ磁磁気ラン
ド、第１１図（Ｂ）はシールド層を設けた４チヤンネル
の薄膜磁気ヘッドをそれぞれ示す正面図である。 第１２図ないし第１４図は本発明の他の実施例をその製
造工程に従って示すもので、第１２図は傾斜溝及び電極
用溝の形成工程の斜視図を、第１３図（Ａ）は磁気回路
部の形成工程の斜視図を、第１３図（Ｂ）は第１３図中
ａ−ａ線に於ける断面図を、第１４図は保護板の接合工
程の斜視図をそれぞれ示す。 第１５図は第１２図ないし第１４図に示す製造工程を経
て作成されるＦｉｌ膜磁気ヘッドを裏面側からみたとき
の斜視図である。 第１６図及び第１７図は本発明の他の実施例を示すもの
で、第１６図は下部磁性膜の形成工程の斜視図を、第１
７図は第１６図に示す複合基板を用いて作成されるマル
チチャンネル薄膜磁気ヘッドの正面図をそれぞれ示す。 第１８図及び第１９図は本発明の他の実施例を示すもの
で、第１８図は下部磁性膜の形成工程の斜視図を、第１
９図は第１８図に示す複合基板を用いて作成されるマル
チチャンネル薄膜磁気ヘッドの正面図をそれぞれ示す。 第２０図は本発明を適用した他のマルチチャンネル薄膜
磁気ヘッドの実施例を示す正面図である。 第２１図ないし第２３図は本発明を適用した薄膜磁気ヘ
ッドの他の実施例の製造方法をその工程に従って示すも
ので、第２１図は傾斜台部の形成工程の斜視図を、第２
２図は磁気回路部の形成工程の斜視図を、第２３図は保
護板の接合工程及びスライシング工程の正面図をそれぞ
れ示す。 第２４図は第２１図ないし第２３図に示す工程を経て作
成される薄膜磁気ヘッドの正面図である。 第２５図は第２３図に示すヘッドブロックを各アジセス
ギャップが磁気記録媒体走行方向からみたときに対向す
るように接合した状態を示す正面図である。 第２６図は第２５図に示すヘッドブロックを切り出すこ
とにより作成されるダブルアジマス薄膜磁気ヘッドを示
す正面図である。 第２７図は第２５図に示すヘッドブロックを用いて作成
される４チヤンネルの薄膜磁気ヘッドを示す正面図であ
る。 第２８図及び第２９図は本発明の他の実施例を示すもの
で、第２８図は下部磁性膜の形成工程の斜視図を、第２
９図は第２８図に示す複合基板を用いて作成されるマル
チチャンネル薄膜磁気ヘッドの正面図をそれぞれ示す。 第３０図は本発明の他の実施例を示すもので、下部磁性
膜及び上部磁性膜を分断形成した薄膜磁気ヘッドの正面
図である。 第３１図（Ａ）ないし第３１図（Ｄ）は傾斜台部による
段差の解消方法の一例をその工程に従って示す要部断面
図である。 第３２図（Ａ）ないし第３２図（Ｃ）は傾斜台部による
段差の解消゛方法の他の例をその工程に従って示す要部
断面図である。 第３３図ないし第４１図は本発明を適用した薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法をその工程に従って示す斜視図であり、
第３３図は樹脂層の形成及び剥離工程を、第３４図はダ
ミー基板を、第３５図は第１の磁性膜の被着工程を、第
３６図は第１の保護板の接合工程及びダミー基板の剥離
工程を、第３７図はコアブロックを、第３８図はコイル
導体の形成工程を、第３９図は樹脂層の形成工程を、第
４０図は第２の磁性層の被着工程を、第４１図は第２の
保護板の接合工程をそれぞれ示す。 第４２図ないし第４４図は本発明を適用した薄膜磁気ヘ
ッドの他の実施例を示すもので、第４２図は斜視図を、
第４３図は第４２図中ｂ−ｂ線における要部断面図を、
第４４図は傾斜台部の配設工程をそれぞれ示す。 第４５図ないし第４７図（Ｂ）は第４２図に示す薄膜磁
気ヘッドの製造方法をその工程順序に従って示すもので
、第４５図（Ａ）は傾斜面の形成工程の斜視図を、第４
５図（Ｂ）は傾斜面を傾斜台部にて形成した時の基板の
要部断面図を、第４５図（Ｃ）は傾斜面を傾斜溝にて形
成した時の基板の要部断面図を、第４６図は磁気回路部
の形成工程を示す要部平面図を、第４７図（Ａ）は第４
５図（Ｂ）に示す基板を用いて作成される薄膜磁気ヘッ
ドの正面図を、第４７図（Ｂ）は第４５図（Ｃ）に示す
基板を用いて作成される薄膜磁気ヘッドの正面図をそれ
ぞれ示す。 １１．３１，４１，５１，６１，８１，９１，１５１，
１６１・・・・・基板 ４３．６４，８３，９３．１０５．１５４・・・・・下
部磁性膜１７．４５．５７．６５，８７．１００．１１
４．１５４．１６４・・・・・上部磁性膜

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 基板の上面にコイル導体及び磁性膜がそれぞれ絶縁膜を
   介して積層形成されてなる薄膜磁気ヘツドにおいて、 前記基板の磁気記録媒体対接面近傍部に前記上面に対し
   て所定角度で傾斜する傾斜面が形成され、前記傾斜面上
   の磁性膜にて磁気ギヤツプが形成されるとともに、前記
   傾斜面の傾斜角度にて磁気ギヤツプのアジマスが規制さ
   れ、 かつ、前記コイル導体が前記上面の平坦部に形成されて
   いることを特徴とする薄膜磁気ヘツド。