JP2776002B2 - 多チャンネル磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
多チャンネル磁気ヘッドの製造方法Info
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- JP2776002B2 JP2776002B2 JP2167679A JP16767990A JP2776002B2 JP 2776002 B2 JP2776002 B2 JP 2776002B2 JP 2167679 A JP2167679 A JP 2167679A JP 16767990 A JP16767990 A JP 16767990A JP 2776002 B2 JP2776002 B2 JP 2776002B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、VTRなどの磁気記録再生装置における高密
度、高転送レート、多チャンネル記録に使用される複数
チャンネル磁気ヘッドの製造方法に関する。
度、高転送レート、多チャンネル記録に使用される複数
チャンネル磁気ヘッドの製造方法に関する。
従来の技術 近年、VTRなどの磁気記録再生装置においては、高密
度記録化が要求され、それに伴い磁気ヘッドも狭トラッ
ク化、狭ギャップ化したものが要求されている。また、
記録方式も狭トラック化に対応するためアジマス記録と
いう手法で隣接トラック間のクロストークを軽減してい
る。
度記録化が要求され、それに伴い磁気ヘッドも狭トラッ
ク化、狭ギャップ化したものが要求されている。また、
記録方式も狭トラック化に対応するためアジマス記録と
いう手法で隣接トラック間のクロストークを軽減してい
る。
従来の家庭用および業務放送用VTRにおいては、特殊
再生機能(スロー、スチル、高速サーチ等)やYC分離記
録等の使途が実用化されており、複数個の記録再生ヘッ
ドが必要となってきている。
再生機能(スロー、スチル、高速サーチ等)やYC分離記
録等の使途が実用化されており、複数個の記録再生ヘッ
ドが必要となってきている。
以下、従来の単一ヘッドベースの先端に2個のヘッド
チップを固定した磁気ヘッドについて第5図を用いて説
明する。
チップを固定した磁気ヘッドについて第5図を用いて説
明する。
第5図(a)はヘッドベースを含めた全体の平面図で
あり、第5図(b)はヘッド摺動面から見た正面図を表
す。
あり、第5図(b)はヘッド摺動面から見た正面図を表
す。
第5図(a)では、ヘッドチップ23、24を個別に作製
し、スリット9が設けてあるヘッドベース8に接着して
いる。
し、スリット9が設けてあるヘッドベース8に接着して
いる。
第5図(b)において、10はヘッドギャップ、11はフ
ェライトから成るヘッドコア、14はモールドガラス、T
W1はヘッドチップ23のトラック幅、TW2はヘッドチップ
24のトラック幅である。
ェライトから成るヘッドコア、14はモールドガラス、T
W1はヘッドチップ23のトラック幅、TW2はヘッドチップ
24のトラック幅である。
また、第5図(b)で、ギャップ間距離Xを調整装置
にて所定寸法に規制し、ヘッドチップ23、24をそれぞれ
接着し、ヘッドベース8をシリンダに取り付ける面Syか
らのトラック位置H1、H2を最終的に調整するにあたって
は、スリット9の左右でヘッドベース8を弾性変形させ
て調整している。さらに、ヘッドチップ23、24はそれぞ
れアジマスθ1、θ2をもち、θ1とθ2は正負逆のア
ジマスであるために一般にダブルアジマスヘッドと呼ば
れている。その一例として特開昭60−83212号公報など
がある。
にて所定寸法に規制し、ヘッドチップ23、24をそれぞれ
接着し、ヘッドベース8をシリンダに取り付ける面Syか
らのトラック位置H1、H2を最終的に調整するにあたって
は、スリット9の左右でヘッドベース8を弾性変形させ
て調整している。さらに、ヘッドチップ23、24はそれぞ
れアジマスθ1、θ2をもち、θ1とθ2は正負逆のア
ジマスであるために一般にダブルアジマスヘッドと呼ば
れている。その一例として特開昭60−83212号公報など
がある。
発明が解決しようとする課題 しかしながら、今後さらに情報量が多くなった場合に
は、さらに複数の磁気ヘッドを用いて、同時に記録再生
を行うことにより全体としての転送レートを上げて行く
ことが不可欠であり、従来の技術の延長で、ヘッドチッ
プを1つ1つ個別にベースに接着し、複数のヘッドにつ
いてギャップ間距離Xやトラック位置H1+Tw/2、H2+Tw
/2を調整していくことは非常に困難であるという課題を
有していた。
は、さらに複数の磁気ヘッドを用いて、同時に記録再生
を行うことにより全体としての転送レートを上げて行く
ことが不可欠であり、従来の技術の延長で、ヘッドチッ
プを1つ1つ個別にベースに接着し、複数のヘッドにつ
いてギャップ間距離Xやトラック位置H1+Tw/2、H2+Tw
/2を調整していくことは非常に困難であるという課題を
有していた。
本発明は、高速転送レート、マルチチャンネルに対応
するための多チャンネル磁気ヘッドを精度良く、容易に
製造できる方法の提供を目的とする。
するための多チャンネル磁気ヘッドを精度良く、容易に
製造できる方法の提供を目的とする。
課題を解決するための手段 上記の目的を達成するために、本発明では、基準を定
めて一つの磁性体ブロックからヘッド加工を行うこと
で、プラスアジマスとマイナスアジマスとでそれぞれ一
体の複数チャンネルヘッドを作製し、スリットの設けて
ある一つのヘッドベースの先端にそれぞれの複数チャン
ネル磁気ヘッドを固定し、一体型2アジマス多チャンネ
ル磁気ヘッドを作製する。
めて一つの磁性体ブロックからヘッド加工を行うこと
で、プラスアジマスとマイナスアジマスとでそれぞれ一
体の複数チャンネルヘッドを作製し、スリットの設けて
ある一つのヘッドベースの先端にそれぞれの複数チャン
ネル磁気ヘッドを固定し、一体型2アジマス多チャンネ
ル磁気ヘッドを作製する。
使用するヘッドチップはバルクタイプ、MIGタイプ、
積層タイプのいずれかとする。
積層タイプのいずれかとする。
そこで本発明における多チャンネル磁気ヘッドの製造
方法は、バルクタイプ、MIGタイプ、積層タイプのいず
れかのギャップドバーをヘッドチップとした時、そのト
ラック位置がトラック幅方向に任意の寸法ずれるように
二体以上を並列に接合し、それをスライスしてヘッドチ
ップとし、そのヘッドチップをヘッドベースの先端に固
定する 作用 本発明は上記した構成によって、一つのヘッドベース
の先端に二つ以上のプラスアジマスヘッドチップ群と二
つ以上のマイナスアジマスヘッドチップ群が固定され、
プラスアジマスとマイナスアジマスで同一トラックピッ
チの多チャンネル磁気ヘッドとなり、ヘッドチップはバ
ルクタイプ、MIGタイプ、積層タイプのいずれでも実現
できる。
方法は、バルクタイプ、MIGタイプ、積層タイプのいず
れかのギャップドバーをヘッドチップとした時、そのト
ラック位置がトラック幅方向に任意の寸法ずれるように
二体以上を並列に接合し、それをスライスしてヘッドチ
ップとし、そのヘッドチップをヘッドベースの先端に固
定する 作用 本発明は上記した構成によって、一つのヘッドベース
の先端に二つ以上のプラスアジマスヘッドチップ群と二
つ以上のマイナスアジマスヘッドチップ群が固定され、
プラスアジマスとマイナスアジマスで同一トラックピッ
チの多チャンネル磁気ヘッドとなり、ヘッドチップはバ
ルクタイプ、MIGタイプ、積層タイプのいずれでも実現
できる。
また、本発明の多チャンネル磁気ヘッドの製造方法は
ヘッドチップ群の加工精度と、そのヘッドチップ群のヘ
ッドベース先端への固定精度を向上する。
ヘッドチップ群の加工精度と、そのヘッドチップ群のヘ
ッドベース先端への固定精度を向上する。
実施例 以下、本発明の多チャンネル磁気ヘッドとその製造方
法の一実施例について図面を参照しながら説明する。
法の一実施例について図面を参照しながら説明する。
第1図(a)、(b)、(c)、(d)は本発明の多
チャンネル磁気ヘッドの一例を示したものである。
チャンネル磁気ヘッドの一例を示したものである。
第1図(a)は一部にスリット9が設けてあるヘッド
ベース8の先端にヘッドチップ1、2、3、4が搭載さ
れている4チャンネル磁気ヘッドの平面図であり、5は
巻線用のCコア側の窓で、6は巻線用のIコア側の窓、
7は巻線を示している。
ベース8の先端にヘッドチップ1、2、3、4が搭載さ
れている4チャンネル磁気ヘッドの平面図であり、5は
巻線用のCコア側の窓で、6は巻線用のIコア側の窓、
7は巻線を示している。
第1図(b)、(c)、(d)は本発明による磁気ヘ
ッドの各例をヘッド摺動面から見た正面図である。
ッドの各例をヘッド摺動面から見た正面図である。
第1図(b)において1、2、3、4はフェライト、
センダストなどの軟磁性ブロック11からなるヘッドチッ
プで、14はモールドガラス、10はヘッドギャップ、16は
二つのヘッドチップの接着層であり、Twはトラック幅を
示している。
センダストなどの軟磁性ブロック11からなるヘッドチッ
プで、14はモールドガラス、10はヘッドギャップ、16は
二つのヘッドチップの接着層であり、Twはトラック幅を
示している。
ここで、ヘッドベース8のスリット9を境に左右でプ
ラスアジマスθ1、マイナスアジマスθ2(=−θ1)
としている。また、ヘッドベース8をシリンダに取り付
けるときの基準面Syからのトラック位置をH1+Tw/2、H2
+Tw/2、H3+Tw/2、H4+Tw/2と任意の寸法でずらしてい
る。
ラスアジマスθ1、マイナスアジマスθ2(=−θ1)
としている。また、ヘッドベース8をシリンダに取り付
けるときの基準面Syからのトラック位置をH1+Tw/2、H2
+Tw/2、H3+Tw/2、H4+Tw/2と任意の寸法でずらしてい
る。
第1図(c)は、第1図(b)中のフェライト11のギ
ャップ10近傍に高飽和磁束密度の軟磁性薄膜12を配した
いわゆるMIG(Metal−in−gap)タイプのヘッドチップ
で構成されている多チャンネル磁気ヘッドの一例であ
る。
ャップ10近傍に高飽和磁束密度の軟磁性薄膜12を配した
いわゆるMIG(Metal−in−gap)タイプのヘッドチップ
で構成されている多チャンネル磁気ヘッドの一例であ
る。
第1図(d)は、非磁性の基板15で主コアとなる軟磁
性薄膜13を挟持し、軟磁性薄膜13の中に絶縁層19を配し
た積層コアから成る積層タイプの複数チャンネル磁気ヘ
ッドの一例であり、20は非磁性の基板15と軟磁性薄膜13
と絶縁層19からなる主コアを接合する接着層である。
性薄膜13を挟持し、軟磁性薄膜13の中に絶縁層19を配し
た積層コアから成る積層タイプの複数チャンネル磁気ヘ
ッドの一例であり、20は非磁性の基板15と軟磁性薄膜13
と絶縁層19からなる主コアを接合する接着層である。
次に第2図により本発明の多チャンネル磁気ヘッドの
製造方法の一実施例について説明する。
製造方法の一実施例について説明する。
第2図(a)〜(i)は、その製造工程を順次示して
いる。
いる。
第2図(a)は、フェライトからなる一体の大きな軟
磁性体ブロックa1のヘッド摺動面となる面に同一ピッチ
で直線の溝17をエッチング法で形成したところを示して
いる。
磁性体ブロックa1のヘッド摺動面となる面に同一ピッチ
で直線の溝17をエッチング法で形成したところを示して
いる。
第2図(b)は、その大きな磁性体ブロックa1を直線
の溝17に対して垂直方向に切断しコア半体b11、b12、b2
1、b22、b31、b32、b41、b42をそれぞれ形成し、b11、b
21、b31、b41をCコア半体とし、b12、b22、b32、b42を
Iコア半体とする。これにより4チャンネルのヘッドが
でき、ヘッド摺動面となる面の直線の溝17は4チャンネ
ル全てのヘッドでの基準線となっている。
の溝17に対して垂直方向に切断しコア半体b11、b12、b2
1、b22、b31、b32、b41、b42をそれぞれ形成し、b11、b
21、b31、b41をCコア半体とし、b12、b22、b32、b42を
Iコア半体とする。これにより4チャンネルのヘッドが
でき、ヘッド摺動面となる面の直線の溝17は4チャンネ
ル全てのヘッドでの基準線となっている。
第2図(c)は、Cコア半体b11にはギャップ面Sgに
巻線用のC窓溝5を、Iコア半体b12にはギャップ面Sg
と反対の面に巻線用のI窓溝6を施したところを示して
いる。
巻線用のC窓溝5を、Iコア半体b12にはギャップ面Sg
と反対の面に巻線用のI窓溝6を施したところを示して
いる。
第2図(d)は、前記ヘッド摺動面となる面に施して
ある直線の溝17を基準に、Cコア半体b11のギャップ面
とIコア半体b12のギャップ面とにそれぞれ同一ピッチ
でトラック幅Twを規制する溝18をエッチング法で形成し
たところである。
ある直線の溝17を基準に、Cコア半体b11のギャップ面
とIコア半体b12のギャップ面とにそれぞれ同一ピッチ
でトラック幅Twを規制する溝18をエッチング法で形成し
たところである。
第2図(e)は、Cコア半体b11とIコア半体b12とを
ガラスとSiO2から成る空隙材を介してヘッドギャップ10
を形成し、トラック幅規制の溝18にモールド用のガラス
14を流し込みギャップドバーg1を得たところである。
ガラスとSiO2から成る空隙材を介してヘッドギャップ10
を形成し、トラック幅規制の溝18にモールド用のガラス
14を流し込みギャップドバーg1を得たところである。
Cコア半体b21とIコア半体b22からギャップドバーg2
を、Cコア半体b31とIコア本体b32からギャップドバー
g3を、Cコア半体b41とIコア半体b42からギャップドバ
ーg4をそれぞれ形成する工程についても、第2図(c)
(d)(e)までと同様である。
を、Cコア半体b31とIコア本体b32からギャップドバー
g3を、Cコア半体b41とIコア半体b42からギャップドバ
ーg4をそれぞれ形成する工程についても、第2図(c)
(d)(e)までと同様である。
第2図(f)は、ギャップドバーg1とg2を、ギャップ
ドバーg3とg4をそれぞれ接着層16を介して接合したとこ
ろを示している。この接着層16は、本実施例では、低融
点ガラスを使用したが、この接着層は樹脂でもよく、さ
らにクロストークを低減させるために非磁性の金属を挟
むことも可能である。
ドバーg3とg4をそれぞれ接着層16を介して接合したとこ
ろを示している。この接着層16は、本実施例では、低融
点ガラスを使用したが、この接着層は樹脂でもよく、さ
らにクロストークを低減させるために非磁性の金属を挟
むことも可能である。
この第2図(f)の工程で、第2図(g)のようにg1
とg2のトラックピッチpをp+=2Tw+Ltanθ1だけず
らして接合を行う。Lはg1とg2のギャップ間距離であ
り、本実施例では1.2mmとした。そして、第2図(g)
の一点鎖線のように接合されたギャップドバーg1とg2と
をアジマスθ1をつけてスライスする。
とg2のトラックピッチpをp+=2Tw+Ltanθ1だけず
らして接合を行う。Lはg1とg2のギャップ間距離であ
り、本実施例では1.2mmとした。そして、第2図(g)
の一点鎖線のように接合されたギャップドバーg1とg2と
をアジマスθ1をつけてスライスする。
また、ギャップドバーg3とg4もトラックピッチp−=
2Tw+Ltanθ2とし、θ1と逆アジマスのθ2(=−θ
1)の角度をつけて同様にスライスを行う。
2Tw+Ltanθ2とし、θ1と逆アジマスのθ2(=−θ
1)の角度をつけて同様にスライスを行う。
第2図(h)は、ヘッドベース8に、プラスアジマス
で一体となっているヘッドチップ1、2とマイナスアジ
マスで一体となっているヘッドチップ3、4とを接着
し、4チャンネル2アジマス任意トラックピッチからな
る磁気ヘッドを形成している。第2図(i)のように摺
動面にR研磨を行い巻線7を施して回転シリンダに搭載
する。また、ヘッドベース8のスリット9の左のヘッド
チップ(1、2)と右のヘッドチップ(3、4)との相
対的なトラック位置の調整は、ヘッドベースの弾性変形
で最終的に行うことができる。
で一体となっているヘッドチップ1、2とマイナスアジ
マスで一体となっているヘッドチップ3、4とを接着
し、4チャンネル2アジマス任意トラックピッチからな
る磁気ヘッドを形成している。第2図(i)のように摺
動面にR研磨を行い巻線7を施して回転シリンダに搭載
する。また、ヘッドベース8のスリット9の左のヘッド
チップ(1、2)と右のヘッドチップ(3、4)との相
対的なトラック位置の調整は、ヘッドベースの弾性変形
で最終的に行うことができる。
次に第3図を参照しながら本発明の多チャンネル磁気
ヘッドの製造方法の他の実施例について説明する。
ヘッドの製造方法の他の実施例について説明する。
第3図では、第2図で説明した製造方法の第2図
(a)〜(d)までは同様の工程であるが、トラック幅
規制を施した後のギャップ面Sgに、高飽和磁束密度の軟
磁性薄膜12をスパッタリング法で第三図(a)のように
所定の厚さ形成する。本実施例では、この薄膜12にFe−
Al−Si合金薄膜を使用した。この薄膜12は、Fe、Co、Ni
の少なくとも一つの元素を含む軟磁性材料であればよ
い。
(a)〜(d)までは同様の工程であるが、トラック幅
規制を施した後のギャップ面Sgに、高飽和磁束密度の軟
磁性薄膜12をスパッタリング法で第三図(a)のように
所定の厚さ形成する。本実施例では、この薄膜12にFe−
Al−Si合金薄膜を使用した。この薄膜12は、Fe、Co、Ni
の少なくとも一つの元素を含む軟磁性材料であればよ
い。
次に第2図(e)〜(i)までと同様な工程を経て、
最終的には、第3図(b)のようなMIGタイプのヘッド
チップを搭載した多チャンネル磁気ヘッドを得た。
最終的には、第3図(b)のようなMIGタイプのヘッド
チップを搭載した多チャンネル磁気ヘッドを得た。
次に積層タイプのヘッドチップを搭載した多チャンネ
ル磁気ヘッドの製造方法について図面を参照しながら説
明する。
ル磁気ヘッドの製造方法について図面を参照しながら説
明する。
第4図(a)〜(h)は、その製造工程を順次示して
いる。
いる。
第4図(a)は、非磁性の基板15上にスパッタリング
法で軟磁性薄膜13と絶縁層19とを交互に形成して主コア
となる積層磁性膜を形成しA1基板とする。また、同様に
A2、A3、・・・と積層磁性膜を形成した基板を複数枚作
製する。ここで、20はガラスなどの接着層で、21は積層
された主コアである。
法で軟磁性薄膜13と絶縁層19とを交互に形成して主コア
となる積層磁性膜を形成しA1基板とする。また、同様に
A2、A3、・・・と積層磁性膜を形成した基板を複数枚作
製する。ここで、20はガラスなどの接着層で、21は積層
された主コアである。
第4図(b)は、積層磁性層の面ともう一方の非磁性
の基板の面とを接着層20を用いて接着し一体の多層ブロ
ックAを形成したところである。
の基板の面とを接着層20を用いて接着し一体の多層ブロ
ックAを形成したところである。
ここで、22は軟磁性薄膜13と絶縁層19と接着層20とを
表わしている。
表わしている。
第4図(c)は、一体の多層ブロックを積層磁性膜に
対して垂直方向に切断したところであり、コア半体B1
1、B12、B21、B22、B31、B32、B41、B42をそれぞれ形成
し、B11、B21、B31、B41をCコア半体とし、B12、B22、
B32、b42をIコア半体とする。すなわち4チャンネルの
ヘッドができ、積層磁性膜の厚さは4チャンネル全ての
ヘッドでのトラック幅に相当する。
対して垂直方向に切断したところであり、コア半体B1
1、B12、B21、B22、B31、B32、B41、B42をそれぞれ形成
し、B11、B21、B31、B41をCコア半体とし、B12、B22、
B32、b42をIコア半体とする。すなわち4チャンネルの
ヘッドができ、積層磁性膜の厚さは4チャンネル全ての
ヘッドでのトラック幅に相当する。
第4図(d)は、Cコア半体B11にはギャップ面Sgに
巻線用のC窓溝5を、Iコア半体B12にはギャップ面Sg
と反対の面に巻線用のI窓溝6を施したところを示して
いる。
巻線用のC窓溝5を、Iコア半体B12にはギャップ面Sg
と反対の面に巻線用のI窓溝6を施したところを示して
いる。
第4図(e)は、Cコア半体B11とIコア半体B12とを
ガラスとSiO2から成る空隙材を介してヘッドギャップ10
を形成し、巻線窓に接着用のガラス14を流し込みギャッ
プドバーg1を得たところである。
ガラスとSiO2から成る空隙材を介してヘッドギャップ10
を形成し、巻線窓に接着用のガラス14を流し込みギャッ
プドバーg1を得たところである。
Cコア半体B21とIコア半体B22からギャップドバーg2
を、Cコア半体B31とIコア半体B32からギャップドバー
g3を、Cコア半体B41とIコア半体B42からギャップドバ
ーg4をそれぞれ形成する工程についても、第4図(d)
(e)と同様である。
を、Cコア半体B31とIコア半体B32からギャップドバー
g3を、Cコア半体B41とIコア半体B42からギャップドバ
ーg4をそれぞれ形成する工程についても、第4図(d)
(e)と同様である。
第4図(f)は、ギャップドバーg1とg2を、ギャップ
ドバーg3とg4をそれぞれ接着層16を介して接合したとこ
ろである。この接着層16は、本実施例では、低融点ガラ
スを使用したが、この接着層は樹脂でもよく、さらに、
クロストークを低減させるために非磁性の金属を挟むこ
とも可能である。
ドバーg3とg4をそれぞれ接着層16を介して接合したとこ
ろである。この接着層16は、本実施例では、低融点ガラ
スを使用したが、この接着層は樹脂でもよく、さらに、
クロストークを低減させるために非磁性の金属を挟むこ
とも可能である。
次に、第4図(g)のようにg1とg2のトラックピッチ
pをp+=2Tw+Ltanθ1だけずらして接合を行う。L
はg1とg2のギャップ間距離であり、本実施例では1.2mm
とした。そして、第4図(g)の一点鎖線のように接合
されたギャップドバーg1とg2とをアジマスθ1をつけて
スライスする。
pをp+=2Tw+Ltanθ1だけずらして接合を行う。L
はg1とg2のギャップ間距離であり、本実施例では1.2mm
とした。そして、第4図(g)の一点鎖線のように接合
されたギャップドバーg1とg2とをアジマスθ1をつけて
スライスする。
また、ギャップドバーg3とg4もトラックピッチp−=
2Tw+Ltanθ2とし、θ1と逆アジマスのθ2(=−θ
1)の角度をつけて同様にスライスを行う。
2Tw+Ltanθ2とし、θ1と逆アジマスのθ2(=−θ
1)の角度をつけて同様にスライスを行う。
第4図(h)は、ヘッドベース8に、プラスアジマス
で一体となっているヘッドチップ1、2とマイナスアジ
マスで一体となっているヘッドチップ3、4とを接着
し、4チャンネル2アジマス任意トラックピッチなる磁
気ヘッドを形成したこところを示している。なお、それ
ぞれのヘッドチップは、非磁性の基板15で主コアとなる
軟磁性薄膜を挟持した積層タイプのヘッドであり、第4
図(h)の22は軟磁性薄膜と絶縁層と接着層を合わせた
積層コアを表わしており、15は非磁性基板、10はヘッド
ギャップである。
で一体となっているヘッドチップ1、2とマイナスアジ
マスで一体となっているヘッドチップ3、4とを接着
し、4チャンネル2アジマス任意トラックピッチなる磁
気ヘッドを形成したこところを示している。なお、それ
ぞれのヘッドチップは、非磁性の基板15で主コアとなる
軟磁性薄膜を挟持した積層タイプのヘッドであり、第4
図(h)の22は軟磁性薄膜と絶縁層と接着層を合わせた
積層コアを表わしており、15は非磁性基板、10はヘッド
ギャップである。
発明の効果 以上のように本発明の多チャンネル磁気ヘッドの製造
方法によれば、一つのヘッドベースの先端に多チャンネ
ルの磁気ヘッドを搭載する構成としているので、多チャ
ンネル記録および高転送ルート化に優れた磁気ヘッドと
なる。
方法によれば、一つのヘッドベースの先端に多チャンネ
ルの磁気ヘッドを搭載する構成としているので、多チャ
ンネル記録および高転送ルート化に優れた磁気ヘッドと
なる。
また、本発明の多チャンネル磁気ヘッドの製造方法に
よれば、一つのブロックから同一アジマスの多チャンネ
ルヘッドチップを加工するのでプラスアジマスとマイナ
スアジマスとでトラックピッチの精度に優れ、ヘッドベ
ースのスリットの弾性変形で左右のトラック位置を微調
整するので取り付け精度の良い製造方法が提供できる。
よれば、一つのブロックから同一アジマスの多チャンネ
ルヘッドチップを加工するのでプラスアジマスとマイナ
スアジマスとでトラックピッチの精度に優れ、ヘッドベ
ースのスリットの弾性変形で左右のトラック位置を微調
整するので取り付け精度の良い製造方法が提供できる。
第1図(a)は本発明の多チャンネル磁気ヘッドの側面
図、第1図(b)、(c)、(d)は本発明による磁気
ヘッドの各例をヘッド摺動面から見た正面図、第2図
(a)〜(i)はバルクタイプのヘッドチップを搭載し
た本発明の多チャンネル磁気ヘッドの製造工程図、第3
図(a)、(b)はMIGタイプのヘッドチップを搭載し
た本発明の多チャンネル磁気ヘッドの製造工程図、第4
図(a)〜(h)は積層タイプのヘッドチップを搭載し
た本発明の多チャンネル磁気ヘッドの製造工程図、第5
図(a)、(b)はそれぞれ従来の磁気ヘッドの平面図
およびヘッド摺同動面から見た正面図である。 1,2,3,4……ヘッドチップ、8……ヘッドベース、9…
…スリット、Tw……トラック幅、θ1,θ2……アジマス
角、Sy……ベース基準面。
図、第1図(b)、(c)、(d)は本発明による磁気
ヘッドの各例をヘッド摺動面から見た正面図、第2図
(a)〜(i)はバルクタイプのヘッドチップを搭載し
た本発明の多チャンネル磁気ヘッドの製造工程図、第3
図(a)、(b)はMIGタイプのヘッドチップを搭載し
た本発明の多チャンネル磁気ヘッドの製造工程図、第4
図(a)〜(h)は積層タイプのヘッドチップを搭載し
た本発明の多チャンネル磁気ヘッドの製造工程図、第5
図(a)、(b)はそれぞれ従来の磁気ヘッドの平面図
およびヘッド摺同動面から見た正面図である。 1,2,3,4……ヘッドチップ、8……ヘッドベース、9…
…スリット、Tw……トラック幅、θ1,θ2……アジマス
角、Sy……ベース基準面。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G11B 5/265 - 5/29 G11B 5/31
Claims (3)
- 【請求項1】磁性体ブロックのヘッド摺動面に同一ピッ
チで溝を形成する工程と、前記磁性体ブロックを前記摺
動面の溝に対して垂直方向に切断し、少なくとも二対以
上のCコア半体とIコア半体とを形成する工程と、Cコ
ア半体にはギャップ面にIコア半体にはギャップ面と反
対の面にそれぞれ巻線用の溝を形成する工程と、Cコア
半体とIコア半体とのギャップ面にそれぞれ同一ピッチ
でトラック幅規制を施す工程と、ギャップ面に非磁性材
を介してCコア半体とIコア半体とを接合しギャップド
バーを形成する工程と、前記摺動面の溝を基準としてト
ラック位置がトラック幅方向に任意の寸法ずれるように
二体以上のギャップドバーを並列に接合する工程と、そ
の二体以上のギャップドバーを切断しバルクタイプのヘ
ッドチップを形成する工程と、そのヘッドチップを前記
ヘッドベースに固定する工程からなる多チャンネル磁気
ヘッドの製造方法。 - 【請求項2】磁性体ブロックのヘッド摺動面に同一ピッ
チで溝を形成する工程と、前記磁性体ブロックを前記摺
動面の溝に対して垂直方向に切断し、少なくとも二対以
上のCコア半体とIコア半体とを形成する工程と、Cコ
ア半体にはギャップ面に、Iコア半体にはギャップ面と
反対の面にそれぞれ巻線用の溝を形成する工程と、Cコ
ア半体とIコア半体とのギャップ面にそれぞれ同一ピッ
チでトラック幅規制を施す工程と、ギャップ面上に軟磁
性薄膜を形成する工程と、その軟磁性薄膜上に非磁性薄
膜を形成する工程と、その非磁性薄膜を介してCコア半
体とIコア半体とを接合しギャップドバーを形成する工
程と、前記摺動面の溝を基準としてトラック位置がトラ
ック幅方向に任意の寸法ずれるように二体以上のギャッ
プドバーを並列に接合する工程と、その二体以上のギャ
ップドバーを切断しMIGタイプのヘッドチップを形成す
る工程と、そのヘッドチップを前記ヘッドベースに固定
する工程からなる多チャンネル磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項3】非磁性の基板上に軟磁性薄膜と絶縁層を交
互に配し主コアとなる積層磁性膜を形成する工程と、そ
の積層磁性膜の面ともう一方の非磁性の基板の面とを接
着し一体の多層ブロックを形成する工程と、その多層ブ
ロックを前記積層磁性膜に対して垂直方向に切断し少な
くとも二対以上のCコアとIコア半体とを形成する工程
と、Cコア半体にはギャップ面にIコア半体にはギャッ
プ面と反対の面にそれぞれ巻線用の溝を形成する工程
と、ギャップ面に非磁性材料を介してCコア半体とIコ
ア半体とを接合しギャップドバーを形成する工程と、ヘ
ッド摺動面の積層磁性膜を基準としてトラック位置がト
ラック幅方向に任意の寸法ずれるように二体以上のギャ
ップドバーを並列に接合する工程と、その二体以上のギ
ャップドバーを切断し積層タイプのヘッドチップを形成
する工程と、そのヘッドチップを前記ヘッドベースに固
定する工程からなる多チャンネル磁気ヘッドの製造方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2167679A JP2776002B2 (ja) | 1990-06-26 | 1990-06-26 | 多チャンネル磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2167679A JP2776002B2 (ja) | 1990-06-26 | 1990-06-26 | 多チャンネル磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0460909A JPH0460909A (ja) | 1992-02-26 |
JP2776002B2 true JP2776002B2 (ja) | 1998-07-16 |
Family
ID=15854214
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2167679A Expired - Lifetime JP2776002B2 (ja) | 1990-06-26 | 1990-06-26 | 多チャンネル磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2776002B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58199429A (ja) * | 1982-05-14 | 1983-11-19 | Hitachi Denshi Ltd | マルチチヤネル用ヘツド製作法 |
JPS59112423A (ja) * | 1982-12-20 | 1984-06-28 | Sony Corp | 複合磁気ヘツドの製法 |
JPH0786967B2 (ja) * | 1983-07-05 | 1995-09-20 | キヤノン株式会社 | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
JPS63255804A (ja) * | 1987-04-14 | 1988-10-24 | Fuji Photo Film Co Ltd | 複合磁気ヘツド |
-
1990
- 1990-06-26 JP JP2167679A patent/JP2776002B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0460909A (ja) | 1992-02-26 |
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