JPS6332712A - 磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 以下、本発明は次の順序で説明される。

Ａ、産業上の利用分野 Ｂ０発明の概要 Ｃ０従来の技術 り０発明が解決しようとする問題点 Ｅ１問題点を解決するための手段 Ｆ０作用 Ｇ、実施例 Ｇ−１第１の実施例（第１図ないし第１４図）Ｇ−１第
２の実施例（第１５図ないし第２２図）Ｇ−３第３の実
施例（第２３図ないし第２５図）Ｈ６発明の効果 Ａ、産業上の利用分野 本発明は、ビデオテープレコーダ（ＶＴＲ）等に搭載さ
れる電磁誘導型の磁気ヘッドの製造方法に関し、特にア
ジマス記録方式に好適なアジマス付磁気ヘッドの製造方
法に関するものである。

Ｂ０発明の概要 本発明は、磁性薄膜をコア材とするアジマス記録方式の
磁気ヘッドを製造するにあたり、非ヘッド構成部材であ
る転写型に所定のアジマスに相当する傾斜面を形成し、
この傾斜面をコア材である磁性薄膜に転写することによ
り、磁気ヘッドのアジマス精度の向上を図るとともに、
ギャップ長の制御を容易且つ高精度に行い、同時に歩留
まりの向上を図ろうとするものでる。

Ｃ０従来の技術 磁気記録の分野においては、高密度記録化に伴い磁気記
録媒体が高抗磁力化の方向にあり、記録再生波長も短波
長化の一途をたどっている。したがって、磁気ヘッドに
おいても高飽和磁束密度を有するヘッドコア材料を用い
、また狭ギャップ化を進める等、上述の高密度記録化へ
の対応を図っている。

用されていたフェライト材は高透磁率であるものの飽和
磁束密度が低いため、高抗磁力磁気記録媒体への記録が
不十分であった。そこで、上記へラドコアとして、Ｆｅ
−Ａｌ−３ｉ系合金や強磁性非晶質合金等の強磁性金属
薄膜を用いた磁気ヘッドが提案され実用化されているこ
とは周知である。

さらに近年では、記録トラックの高密度化を図り、より
一層の高密度記録化を図るために隣接する記録トラック
間のガートバンドをなくした記録方式、所謂アジマス記
録方式が採用され実用化されている。

一般に、上述のアジマス記録方式に対応した磁気ヘッド
は、この作動ギャップが磁気記録媒体の走行方向に対し
て所要角度傾いた構造をなしている。

従来、この種の磁気へラドを作成するには、先ず、一対
の磁気コア半休をギャップ長に相当する膜厚のギヤ・ヤ
ブスペーサを介してガラスボンディング法にて接合一体
化し所定トラック幅の作動ギャップを形成する。その後
、上記作動ギャップにアジマスをもたせるために、各ヘ
ントチツブに切り出す際に基準面となる作動ギャップ形
成面に対して所定のアジマス角だけ傾けてスライシング
加工を施している。

Ｄ０発明が解決しようとする問題点 ところで、上述の如く斜めにスライシング加工を施した
場合には、このスライシング面を精度良く研磨してアジ
マス精度を確保する必要がある。

したがって、製造工程力（煩雑となるとともに、歩留ま
りの点でも問題があった。

また、作動ギャップをガラスボンディング等の接合技術
にて形成しているので、この接合条件により、上記ギャ
ップスペーサの膜厚とヘッドのギャップ長とが異なる場
合が多々あり、ギャップ長の制御に困難をきたすととも
に、歩留まり低下の原因となっている。

そこで本発明は、上述の諸欠点を解消するために提案さ
れたものであり、アジマス精度が良好で、ギャップ長制
御が容易且つ高精度に行え、しかも歩留まりに優れた磁
気ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。

Ｅ０問題点を解決するための手段 上述の目的を達成するために、本発明の磁気ヘッドの製
造方法は、金型母材にメッキ層を設け該メッキ層に所要
アジマス角を以て傾斜する傾斜面を有する溝を形成する
工程と、上記溝を含むメッキ層上に樹脂層を形成した後
該樹脂層を剥離することにより上記溝が転写されたダミ
ー基板を形成する工程と、上記ダミー基板の溝内に第１
の磁性薄膜を形成する工程と、上記第１の磁性薄膜上に
保護板を接合した後上記ダミー基板を剥離除去する工程
と、上記第１の磁性ＴＩＪ膜上にギャップスペーサを介
して第２の磁性薄膜を形成する工程と、上記第２の磁性
薄膜上に保護板を接合する工程とを有することを特徴と
するものである。

Ｆ０作用 本発明では、作動ギャップのアジマス角を金型母材上の
メッキ層に形成した溝の傾斜面により規制している。そ
して、上記溝を非ヘッド構成部品であるダミー基板に転
写した後、このダミー基板上に第１及び第２の磁性薄膜
やギャップスペーサ等を加工精度に優れた薄膜形成技術
にて積層しアジマスを有する作動ギャップを形成してい
るので、上記アジマスが高精度なものとなると同時に、
ギャップ長の制御が容易となる。また、上記作動ギャッ
プが基準面（保護板の上面）に対して所定アジマスを以
て形成されるので、ヘッドチップに切り出すスライシン
グ加工は上記基準面に対して直交方向に行えば良い。

Ｇ、実施例 以下、本発明を通用した磁気ヘッドの製造方法をその工
程順序に従って図面を参照しながら説明する。なお、以
下の図面では便宜上基板の一部分を拡大して示すが、実
際は複数のへラドチップを一括形成できる大きな基板と
する。

Ｇ−１第１の　ｈ例（第１図ないし第１４図）先ず、本
発明の基本的な製造方法をアジマス付作動ギャップを１
つ有する磁気へ・へドを例に挙げて説明する。

本発明の製造方法により上記磁気ヘッドを製造するには
、先ず、第１図及び第２図に示す手法にて所要アジマス
角θで傾斜する傾斜面（３ａ）を有する金型（４）を作
成する。本実施例では、非球面レンズの金型作成等の高
度な面精度が要求される加工に好適なＮｉメッキとダイ
ヤモンドバイトとを組合わせた技術を利用して上記傾斜
面（３ａ）を形成した。

すなわち、先ず、第１図に示すように、金型母材（１）
にＮｉやＮ１−Ｐ合金等よりなるメッキ層（２）を無電
解メッキ法等にて形成する。上記メッキ層（２）の膜厚
しは、少なくとも磁気ヘッドのトランク幅よりも大きく
なるように形成する。

次いで、第２図に示すように、上記メッキ層（２）に対
して、みがき処理を施したダイヤモンドバイトで上記メ
ッキ層（２）の全幅に亘って切削し、ヘッドコア形成用
の溝（３）を形成し、所要アジマス角θで傾斜する傾斜
面（３ａ）を有する金型（４）を得る。ここで、上記ダ
イヤモンドバイトには、予めこの工、ジ部を上記アジマ
ス角θと等しく成形したものを用いる。

このように、本実施例ではＮｉやＮ１−Ｐ合金よりなる
メッキ層（２）とダイヤモンドバイトを組合わせて溝（
３）加工を施しているので、上記傾斜面（３ａ）のアジ
マス精度は極めて良好なものとなる。

ここで、得られる溝（３）の傾斜面（３ａ）のなす角度
θは作動ギャップのアジマスを規制し、また上記溝（３
）の溝深さｈはトラック幅に相当する。さらに、上記溝
（３）の溝幅Ｗは、磁気ヘッドとしてのコア幅の略Ａと
なるように形成する。なお、上記溝（３）は後工程で各
ヘッドチップに切り出すことを考慮し一定のピッチ精度
をもって形成すると良い。

したがって、得られる磁気ヘッドのアジマス角θ、トラ
ック幅、コア幅等は上記ダイヤモンドバイトの形状等に
より容易に変えることができるという利点がある。

以上で得られた金型（４）に対して、第３図に示すよう
に、メッキ層（２）側より射出成形法等の手法にて樹脂
層（５）を形成し、その後この樹脂層（５）を金型（４
）より剥離する。なお、第４図にこの剥離工程で得られ
た樹脂層（５）を示すが、以下この樹脂層をダミー基板
（５）と称する。

上記ダミー基板（５）には、上記メッキＭ（２）に形成
された溝（３）が凸部（６）として転写されこれら凸部
（６）間に磁性薄膜形成用溝部（７）が形成される。し
たがって、この凸部（６）の斜面（６ａ）の傾斜角度は
アジマス角θとなり、また凸部（６）の高さは同様に溝
深さｈに相当する。

ここで、上記樹脂［（ダミー基板）（５）の材料には、
後工程のスパッタリング等の温度上昇に耐え得るだけの
耐熱性を有すること、面精度が良好であること、寸法安
定性に優れること、転写性に優れることの他、後工程で
このダミー基板を剥離除去することより剥離性に優れる
こと、等の特性が要求され、これら緒特性を有するもの
の中から適宜選択して使用する。なお、このダミー基板
（５）は、完成磁気ヘッドの非構成部品となる。

続いて、第５図に示すように、上記ダミー基板（５）の
凸部（６）側よりＳｉＯ□等よりなる絶縁膜（８）を形
成した後、この絶縁膜（８）上に第１の磁性薄膜（９）
を被着形成する。上記第１の磁性薄膜（９）は、マスク
スパッタ等の手法により磁性ｇｔ膜形成用溝（７）を１
つおきに充填する如く形成する。

また、この第１の磁性薄膜（９）の膜厚は、少なくとも
磁性薄膜形成用溝（７）の溝深さｈよりも大きくなるよ
うに形成する。このように第１の磁性薄膜（９）をダミ
ー基板（５）上に部分的に形成していることより、磁性
薄膜（９）の膜応力によるダミー基板（５）のそりが抑
えられるので、アジマス精度や磁気特性は良好に維持で
きる。

上記第１の磁性薄膜（９）としては、強磁性非晶質合金
、いわゆるアモルファス合金（例えばＦｅ。

Ｎｉ、Ｃｏの１以上の元素とＰ＋　Ｃ，Ｂ、　　Ｓｔの
１以上の元素からなる合金、またはこれを主成分子ｉ、
Ｍｎ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ等を含有する合金等のメ
タル−メタロイド系アモルファス合金、あるいはＣｏ、
Ｈｆ、Ｚｒ等の遷移元素や希土類元素を主成分とするメ
タル−メタル系アモルファス合金）　、Ｆｅ−ＡＪ−３
ｉ系合金であるセンダスト、Ｆｅ−ＡＪ系合金、Ｆｅ−
３ｉ系合金、１”ｅ−５ｉ−Ｃ，ｏ系合金、Ｎｉ−Ｆｅ
系合金であるパーマロイ等の強磁性金属材料、あるいは
ＳｉＯア、ＡＩ−ｚｏｘ等の非磁性材と上記強磁性金属
材料とを交互に積層してなる積層体、等が使用され、そ
の膜付は方法としては、スパッタリング法、真空藩着法
、イオンブレーティング法、あるいはメッキ法等の薄膜
形成技術が採用できる。

次に、第６図に示すように、磁性薄膜形成用溝（７）以
外の磁性薄膜（９）をラッピング等により除去し、ダミ
ー基板（５）の上面（５ａ）を平坦化する。

この平坦化工程において、上記凸部（６）上に形成され
た絶縁膜（８）は、必要に応じて除去し必ずしも完全に
除去する必要はない０以上により、一方の磁気コア半休
〔第１の磁性薄膜（９）〕が形成される。

続いて、第７図に示すように、残存した磁性薄膜形成用
溝（７）を含むダミー基板（５）の上面（５ａ）の全体
にＳｉＯ，膜や（Ｓ　ｉｏ、＋Ｏｒ）膜等よりなる保護
膜（１０）を介して接着剤（１１）を形成した後、この
接着剤（１１）にて第１の保護板（１２）を接合する。

上記接着剤（１１）としては、磁性薄膜（９）の磁気特
性やダミー基板（５）の寸法精度を確保するため接着温
度が余り高くないものが好ましく、例えば点融点ガラス
、水ガラス、無機接着剤等が好適である。また、上記保
護板（１２）の材質としては、耐摩耗性に優れたものが
良く、例えば非磁性フェライト、あるいはチタン酸バリ
ウム等のセラミックが好適である。

次に、第８図に示すように、上記ダミー基板（５）を剥
離し取り除く、この剥離方法としては、機械的手段にて
剥離する方法、あるいはダミー基板（５）を構成する樹
脂を溶剤にて溶解除去する方法、等が挙げられる。

その後、磁性薄膜形成用溝部（７）に形成されている絶
縁膜（８）をエツチング法にて除去し、第９図に示すコ
アブロック（１３）を得る。このコアブロック（１３）
において、第４図に示すダミー基板（５）の凸字状の磁
性薄膜形成溝部（６）はコアブロック（１３）の凹部（
１４）に対応し、同様に斜面（６ａ）は斜面（１４ａ）
に対応する。そして、上記斜面（１４ａ）は作動ギャッ
プの形成面に相当し、この傾斜角度がアジマス角θとな
る。

続いて、第１θ図に示すように、上記斜面（１４ａ）を
含むコアブロック（１３）上にギャップスペーサ（１５
）を薄膜形成技術にて形成した後、前記第１の磁性薄膜
（９）と同様に第２の磁性薄膜（１６）を上記凹部より
なる磁性薄膜形成」溝部（１４）に対して１つおきに充
填する如く被着する。

この時、上記ギャップスペーサ（１５）は、上記斜面（
１４ａ）上の膜厚ｍが所定のギャップ長となるように形
成する。また、上記第２の磁性薄膜（１６）は、この町
匣力え上記凹部（１４）の１濱さよ杓！しなくとｔ１大
きくなるように被着形成する。なお、上記ギャップスペ
ーサ（１５）としては、Ｓ　ｉＯ２＋　Ｔ　ａ　ｚ　Ｏ
Ｓｔ　Ｚｒ０１等が使用され、また上記第２の磁性１膜
（１６）としては、先の第１の磁性薄膜（９）と同様な
ものが使用できる。

このように本発明では、ギャップスペーサ（１５）や各
磁性薄膜（９）　、　（１６）を薄膜形成技術にて形成
した積層構造とし、ガラスボンディング等の接合技術を
用いることなく作動ギャップを形成している。

したがって、ギャップ長の制御を高精度かつ容易に行え
る。また、アジマス精度も良好なものとなり、歩留まり
が格段に向上する。

次いで、第１１図に示すように、上記凹部（１４）以外
の磁性画ＩＩ！　（１６）をラッピング等により除去し
、コアブロック（１３）の上面の平坦化を図る。以上に
より、他方の磁気コア半体〔第２の磁性薄膜（１６）〕
が形成される。

さらに、第１２図に示すように、上記コアブロック（１
３）の上面に保護膜（１７）を形成し、接着剤（１８）
を介して第２の保護板（１９）を接合する。この時り（
２０）が完成する。なお、この第１４図において、保護
膜（１０）　、　（１７）及びギャップスペーサ（１５
）は簡略して示す。

最後に、第１．３図に示すように、超音波加工やレーザ
加工等によりヘッドブロック（２０）の所定位置にコイ
ル（２２）を巻装するための巻線穴（２１）を開口した
後、第１３図中Ａ−Ａ線及びＡ’−Ａ’線の位置でスラ
イシング加工を施し、複数個のヘッドチップを切り出し
、さらに磁気記録媒体対接面（２３）を円筒研磨して第
１４図に示す磁気ヘッドを完成する。

このように本発明では、スライシング加工前のヘッドブ
ロック（２０）の状態で作動ギャップｇが所定のアジマ
スをもっているので、コアブロック（２０）に対して直
交方向にスライシングすることにより、アジマス付作動
ギャップｇを形成できる。したがって、従来は斜めにス
ライシングし、さらに作動ギャップのアジマス精度を確
保するためにスライシング面を精度良く研磨する必要が
あったが、本発明ではこのような煩雑な工程が不要とな
り、製造工程の簡略化が図れる。同時に、アジマス精度
や加工歩留まりが大幅に向上する。

また本発明では、各磁性薄膜（９）　、　（１６）にバ
イト加工を施すことなく作動ギャップｇにアジマスをも
たせることができるので、アジマス精度にバラツキがな
く、しかも磁気特性に優れた磁気ヘッドとなる。

さらに、本発明では、磁気回路を構成する磁性薄膜（９
）　、　（１６）としてセンダストやアモルファス等の
強磁性金属材料を使用しているので、高密度記録化に対
応した高抗磁力磁気記録媒体に対しても、良好な記録再
生特性を示すという利点も有する。

さらに、前述のようにトラック幅は、メッキ層（２）に
形成された溝（３）の溝深さｈを適宜設定することによ
り任意に変えられるという利点も有する。

Ｇ−２−，２の　　　（第１５図ないし第２２図）次に
、本発明をスローモーション、早送り、スチル再生等の
特殊再生に対応した磁気ヘッド、すなわち互いに異なる
アジマス角を有する一対の磁気ヘッドを複合一体化して
なる、いわゆるダブルアジマス磁気ヘッドに適用した実
施例について説明する。

本発明の製造方法によりダブルアジマス磁気ヘッドを作
成するには、先ず、第１図に示す金型母材（１）上のメ
ッキ層（２）に対してダイヤモンドバイト等を用いて溝
（３０）　、　（３１）を切削形成し、第１５図に示す
金型（３２）を得る。この切削加工は、上記溝（３０）
　、　（３１）の傾斜面（３１ａ）　、　（３１ａ）が
完成ヘ−）ドのアジマス角αと同等となるように行う。

すなわち、この傾斜面（３１ａ）　、　（３１ａ）が作
動ギャップ形成面に対応する。

次に、上記金型（３２）に対してメッキＰｉ　（２）側
より樹脂層を形成した後、この樹脂層を金型（３２）よ
り剥離し、第１６図に示すダミー基板（樹脂層）（３５
）を得る。この結果、上記ダミー基板（３５）には、上
記溝（３０）　、　（３１）が凸部（３３）　、　（３
４）として転写される。従って、上記傾斜面（３１ａ）
　、　（３１ａ）は傾斜面（３４ａ）　、　（３４ａ）
に対応し、この傾斜面（３４ａ）　、　（３４ａ）の傾
斜角度がアジマス角αとなる。また、凸部（３３）と凸
部（３４）間に凹状の磁性薄膜形成用溝部（３６）が形
成される。

続いて、第１７図に示すように、絶縁膜（３７）を形成
した後、上記磁性薄膜形成用溝部（３６）を充填するよ
うに、第１の磁性薄膜（３８）をマスクスパッタ等によ
り部分的に被着形成する。

さらに、第１８図に示すように、先の実施例と同様に上
記磁性薄膜形成用溝部（３６）以外の磁性薄膜（３６）
を除去し平坦化した後、第１の保護膜（３９）及び接着
剤（４０）を介して保護板（４１）を接合する。

以上で磁気ヘッドを構成する一方の磁気コア半休〔第１
の磁性薄膜（３６）　）が形成される。

その後、上記ダミー基板（３５）を機械的剥離手段や溶
剤による除去手段にて除去するとともに、上記絶縁膜（
３７）をエツチングにて除去し、第１９図に示すコアブ
ロック（４２）を形成する。この結果、凸状に形成され
た第１の磁性薄膜（３８）の斜面（３８ａ）　、　（３
８ａ）は、アジマス角αをもって傾斜する傾斜面となり
、この面が作動ギヤツブ゛形成面となる。

なお、上記斜面（３８ａ）　、　（３８ａ）に挟まれた
凸部（５３）と上記第１の磁性薄膜（３８）との間には
、凹状の磁性薄膜形成用溝部（５４）　、　（５４）が
形成される。

次いで、第２０図に示すように、上記斜面（３８ａ）を
含むコアブロック（４２）上に所定膜厚（所定ギャップ
長）のギャップスペーサ（４３）を薄膜形成技術にて形
成した後、第１の磁性薄膜（３８）　、　（３８）に跨
がり上記磁性薄膜形成用溝部（５４）　、　（５４）を
充填するように第２の磁性薄膜（５２）をマスクスパッ
ク等により部分的に形成する。この第２の磁性薄膜（５
２）が磁気ヘッドの他方の磁気コア半休となる。

次いで、第２１図に示すように、上記コアブロック（１
３）の上面を平坦化した後、第２の保護膜（４４）及び
接着剤（４５）を介して第２の保護板（４６）を接合す
る。この時点で、異なるアジマス角αを有する作動ギャ
ップｇ＋＋ｇ！が形成される。その後、コイル（４９）
　、　（５０）を巻装するための巻線穴（４７）　、　
（４８）を形成し、第２１図中Ｂ−Ｂ！及ヒＢ’−Ｂ線
の位Ｗ（ヘッドブロックに対して直交する方向）でスラ
イシング加工を施し複数のヘッドチップを切り出し、さ
らに磁気記録媒体対接面（５１）を円筒研磨して第２２
図に示すダブルアジマス磁気ヘッドを完成する。なお、
この第２２図において、保護膜（３９）　、　（４４）
及びギャップスペーサ（４３）は簡略して示す。

このように本発明をダブルアジマス磁気ヘッドに適用す
ることにより、各作動ギャップｇ＋＋ｇ！のアジマス精
度に優れた複合磁気ヘッドを歩留まり良く製造できる。

また、上記ギャップスペーサ（４３）は薄膜形成技術に
より被着形成し、かつ磁性薄膜（３８）　、　（４３）
は接合技術を用いることなく積層構造としているので、
ギャップ長の制御が容易となり、ヘッド性能に優れたダ
ブルアジマス磁気ヘッドが提供できる。

Ｇ−３３の−伊（第２３図ないし第２５図）続いて、本
発明をデジタルＶＴＲ等に搭載される多チャンネルのア
ジマス磁気ヘッドに適用した実施例について説明する。

この実施例においては、基本的な製造方法は先の実施例
と同じであるが、特に異なる点は金型にアジマス角を有
する溝を形成する際に各チャンネル間のトラックのズレ
分を階段状に形成するところにある。

本発明の製造方法により多チャンネルのアジマス磁気ヘ
ッドを作成するには、先ず、先の実施例と同様に第１図
に示すようなメッキＮ（２）を形成した金型母材（１）
を用意する。但し、本実施例において、上記メッキ層（
２）の膜厚りは各チャンネルのトラック幅及びチャンネ
ル数を考慮し適宜設定する。

次に、第２３図に示すように、上記メッキＮ（２）に対
して切削加工を施しピンチ精度をもって溝部（６１）　
、　（６２）及び（６３）　、　（６４）を形成し金型
（６０）を得る。但し、本実施例においては、上記溝部
（６１）。

（６２）と溝部（６３）　、　（６４）とがメッキ層（
２）の厚み方向Ｘに略溝深さくトランク幅）分だけ変位
する如く所謂階段状に形成するとともに、隣接チャンネ
ルに相当する溝部（６１）及び（６３）の各傾斜面（６
１ａ）及び（６３ａ）が互いに異なる方向に傾斜するよ
うに切削する。すなわち、上記各傾斜面（６１ａ）及び
（６３ａ）の傾斜角度βが各チャンネルのアジマスに相
当する。

このような構成の金型（６０）に対してメッキ層（２）
側より樹脂層を形成した後、この樹脂層を金型（６０）
から剥離し、第２４図に示すダミー基板（樹脂層）　（
７０）を得る。ここで、上記ダミー基板（７０）に形成
された各凸部（７１）　、　（７２）　、　（７３）　
、　（７４）はそれぞれ上記金型（６０）の各溝部（６
１）　、　（６２）　、　（６３）　、　（６４）が転
写されたものである。また、傾斜面（７１ａ）及び（７
３ａ）はそれぞれ傾斜面（６１ａ）、及び（６２ａ）が
転写さたもので、この傾斜角度はアジマス角度βとなっ
ている。

以下、上記ダミー基板（６５）を用い、先の実施例と同
様に、上記凸部（７１）　、　（７２）及び（７３）　
、　（７４）に跨るように第１の磁性薄膜を形成し保護
板を接合した後ダミー基板（６５）を除去し、さらに第
２の磁性薄膜やギャップスペーサ等を薄膜形成技術にて
形成し保護板を接合し、第２５図に示すヘッドブロック
（７５）を形成する。なお、この第２５図に示ヘッドブ
ロック（２０）と同一部材には同一符号が付しである。

最後に、第２６図に示すように、上記ヘッドブロック（
６７）に対して、各チャンネル毎に磁気記録媒体対接面
（６９）側で分断されるように分離′ａ（７８）を形成
するとともに磁気記録媒体対接面（７９）に円筒研磨を
施し多チャンネルのアジマス磁気ヘッドを完成する。な
お、第２６図においては４チヤンネルのアジマス磁気ヘ
ッドの例が示しであるが、本実施例はこれに限定されな
い。

このように本発明の製造方法を多チャンネルのアジマス
磁気ヘッドに適用すれば、各チャンネルのアジマス精度
が向上することはもとより、複数のアジマス磁気ヘッド
を一括形成できるので、生産性や歩留まりの点で有利で
ある。また、各チャンネル間の位置合わせも不要であり
、実用価値は極めて高いと言える。さらに、磁性ａｌｌ
やギャップスペーサ等を薄膜形成技術で形成しているの
で、各チャンネル間のヘッド特性が均一となるという利
点もある。

Ｈ０発明の効果 以上の説明からも明らかなように、本発明の製造方法に
よれば、作動ギャップのアジマス角を金型に形成された
溝の傾斜面により規制し、この溝を非ヘッド構成部品で
あるダミー基板に転写し、さらに磁性薄膜に転写するこ
とにより、作動ギャップにアジマスをもたせ、しかもス
ライシング加工をヘッドブロックに対して直交方向に行
っているので、上記アジマス精度は格段に向上する。

また、磁気コア半休となる磁性薄膜やギャップスペーサ
を薄膜形成技術にて形成した積層構造としているので、
従来のような接合技術が不要となり、ギャップ長制御が
容易且つ高精度に行える。

したがって、高密度記録対応の狭ギヤツプ磁気ヘッドを
歩留まり良く製造できる。

さらに、本発明ではへラドチップに切り出す際に、ヘッ
ドフ１０ツクと直交方向にスライシングしていることよ
り、このスライシング面を精魔良く研磨することなく、
アジマス精度に優れた磁気ヘッドが得られるので、生産
性や歩留まりの点で有利である。

【図面の簡単な説明】 第１図ないし第１４図は本発明の第１の実施例をその工
程順序に従って示す概略的な斜視図であり、第１図はメ
ッキ層の形成工程を、第２図は溝の形成工程を、第３図
は樹脂層の形成及び剥離工程を、第４図は得られるダミ
ー基板を、第５図は第１の磁性薄膜の形成工程を、第６
図は平坦化工程を、第７図は第１の保護板の接合工程を
、第８図はダミー基板の剥離工程を、第９図は絶縁膜の
除去工程を、第１０図は第２の磁性薄膜の形成工程を、
第１１図は平坦化工程を、第１２図は第２の保護板の接
合工程を、第１３図は巻線穴の形成工程及びスライシン
グ加工工程を、第１４図は完成した磁気ヘッドを、それ
ぞれ示す。 第１５図ないし第２２図は本発明の第２の実施例をその
工程順序に従って示す概略的な斜視図であり、第１５図
は金型形成工程を、第１６図は得られるダミー基板を、
第１７図は第１の磁性薄膜の形成工程を示、第１８図は
第１の保護板の接合工程を、第１９図はダミー基板の除
去工程及び絶縁膜の除去工程を、第２０図は第２の磁性
薄膜の形成工程を、第２１図は巻線穴形成工程及びスラ
イシング加工工程を示す斜視図、第２２図は完成したダ
ブルアジマス磁気ヘッドを、それぞれ示す。 第２３図ないし第２６図は本発明の第３の実施例をその
工程順序に従って示す概略的な斜視図であり、第２３図
は金型の形成工程を、第２４図は得られるダミー基板を
、第２５図は得られるヘッドブロックを、第２６図は完
成した多チャンネルのアジマス磁気ヘッドを、それぞれ
示す。 １・・・・・金型母材 ２・・・・・メッキ層 ３・・・・・溝 ３ａ　　・・・・傾斜面 ５・・・・・ダミー基板 ９・・・・・第１の磁性薄膜 １２　・・・・第１の保護板 １５　・・・・ギャップスペーサ １６　　・・・・第２の磁性薄膜 １９　　・・・・第２の保護板

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 金型母材にメッキ層を設け該メッキ層に所要アジマス角
   を以て傾斜する傾斜面を有する溝を形成する工程と、 上記溝を含むメッキ層上に樹脂層を形成した後該樹脂層
   を剥離することにより上記溝が転写されたダミー基板を
   形成する工程と、 上記ダミー基板の溝内に第１の磁性薄膜を形成する工程
   と、 上記第１の磁性薄膜上に保護板を接合した後上記ダミー
   基板を剥離除去する工程と、 上記第１の磁性薄膜上にギャップスペーサを介して第２
   の磁性薄膜を形成する工程と、 上記第２の磁性薄膜上に保護板を接合する工程とを有す
   ることを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。