JPS60237614A - 多素子薄膜磁気ヘツド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は磁気ヘッドに係り、特に記録媒体が高保磁力磁
性体である場合に用いて好適な録画兼用ヘッドおよび消
去ヘッドを一体化した多素子薄膜磁気ヘッドに関する。

〔発明の背景〕

第１図は多素子磁気ヘッドの第１の従来例を示す斜視図
である。

第１図において、１ａは録画兼用の磁気ギャツブ、１ｂ
、Ｉｃはそれぞれ消去用の磁気ギャップ、２ａ、２ｂお
よび３ａ、５ｂはそれぞれフェライトバルク材ア、７は
録画ヘッドと消去ヘッドのクロストークをおさえるため
の非磁性体、４ａ、４ｂはそれぞれ巻線コイル、５ａ。

５ｂはそれぞれフェライトバルク材よりなるリアコア、
６は充填ガラスである。

一般に、多素子磁気ヘッドは、記録時にギャップ１ａで
記録した信号を所定のトラック幅に規制するとともに、
隣接する旧トラック信号による影響ヲ防ぎガートバンド
を設けるために消去用ギャップ１ｂ、Ｉｅにより余分な
記録信号を消去するようにするものである。

第１図に示す様に構成された第１の従来例では、コア材
としてフェライトバルク材を用いており、飽和磁束密度
（Ｂ８）が高々４０００〜５０００　Ｇ程度であるため
、記録密度向上を計ったメタル粉等の高保磁力記録媒体
を用いた場合、充分に記録が出来ないという欠点があっ
た。また、製造プロセス上においても、５つの基板（フ
ェライトコア基板２ａ　＋　２ｂ　＋　５ｇ　＋、　５
ｂおよび非磁性基板７）の接着工程があることから、各
磁気ギャップ１ａ、　Ｉｂ、　１ｃ等の位置精度が出せ
ないこと、充填ガラス６の体積が大きくフェライトコア
材２ａ。

２ｂ、　３ａｌ　３ｂとの熱膨張係数の差によるクラッ
ク等が発生し易いことなどの欠点があった。

第２図は多素子磁気ヘッドの第２の従来例を示す斜視図
である。

第２の従来例は基本的構成においては第１の従来例と同
じであるが、次の点で異っている。

即ち、第２図に示す様に第２の従来例では非磁性＄７ａ
、７１）’ｉ用いて録再用ヘッドを、非磁性体７ｃｆ用
いて消去用ヘッドを、それぞれ別々に作った後、ラミネ
ート接着により一体化する構成となっている。

この様に構成された第２の従来例では、コア材としてフ
ェライトバルク材を用いているので第１の従来例と同様
に記録能力が充分でないという欠点を持っている７、ま
た、製造プロセス的に見ても、基板２ａ、２ｂ、７ａ、
７ｂおよび基板３ａｔ　＋　３ｂｔ　＋　７　ｃ　＋　
５ａ２＋　５ｂ２のそれぞれの接着工程があることから
、位置合わせの精度が出ないこと、また、録再ヘッドと
消去ヘッドを１個づつ貼り付けるラミネート構造である
ことから量産性が悪い等の欠点があった。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、上記した従来の欠点をなくし、記録能
力を向上させかつ位置精度及び生産性を高めた多素子薄
膜磁気ヘッドを提供することにある。

〔発明の概要〕

本発明では、上記した目的を達成する為に、第１の非磁
性体の両面にそれぞれ凹形状の溝を施し核溝に高飽和磁
束密度を有する軟磁性薄膜を埋込み、第２および第３の
各非磁性体の片面に同じく軟磁性薄膜を形成し、前記第
１の非磁性体の片面に前記第２の非磁性体の前記片面を
また前記第１の非磁性体の他の面に前記第６の非磁性体
の前記片面を、それぞれギャップ材を介して相対向する
ように配置した後、軟磁性薄膜のまわりに巻線を施すよ
うにした。

〔発明の実施例〕

以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する。

第３図は本発明の第１の実施例全示す斜視図である。

第３図において、８ｂはガラス、フェライト。

セラミック等から成る第１の非磁性基板であり、両面に
高飽和磁束密度Ｂｅ？有するセンダストあるいはラモル
ファス等の軟磁性薄膜９ｂ、１０ａが埋込まれている。

８ａ、８ｃはそれぞれ片面に同様の軟磁性薄膜９ａ、１
０ｂが埋込まれている第２および第３の非磁性基板、１
ａは録再兼用の磁気ギャップ、１ｂ、１ｃはそれぞれ消
去用の磁気ギャップ、　１５ａ　、　１５ｂ　、　１５
ｃ　、　１５ｄはそれぞれ各非磁性基板８ａ、８ｂ、Ｂ
ｃ上に凹形状に形成された非磁性薄膜、４ａ、　４ｂは
それぞれ巻線コイルである。

では、本実施例における磁気ヘッドの製造工程について
説明する。

第４図は第２の非磁性基板８ａにおける加工工程を説明
するための説明図である。

まず最初に、非磁性基板８ａに、巻線を施すだめの＄　
１４ｂ　’ｉ機械加工あるいはエツチング等の方法で、
傾き約４５度、溝幅２００〜５００μｍ。

溝深さ５０〜１００μｍの形状に形成する。

次に、Ｓ　ｉ０２あるいはＡｌ１２０ｓ等の非磁性薄膜
１５ａｉ１０〜４０μｍの膜厚でスパッタリング等の方
法で積層し、エツチング等の手法で所定の凹形状１４ａ
になる様にパターニングする（第４図（ａ））。この時
、エツチング条件を選ぶことにより該非磁性薄膜１５ａ
の溝１４ａの底面は基板の表面（ギャップ面となる）に
対し非平行となる様に制御しておく。

次に、センダストするいはアモルファス等の１４Ｂｓ軟
磁性薄膜（膜厚的５μｍ）と５ｔＯ２あるいはＡｌ２Ｏ
３等の層間材（膜厚的５００　Ｘ）とを交互にスパッタ
リング等の方法により積層し、全膜厚として溝１４ａの
溝深さ以上に形成する。次に非磁性薄膜１５ａが現れる
まで該軟磁性膜９ａｉラッピング等の手法により平坦化
する（第４図（ｂ）　）　ｏこの様にして、軟磁性膜が
埋込まれた第２の非磁性基板８ａが得られる。

第５図は第３の非磁性基板８ｃにおける加工工程を説明
するための説明図である。

この加工工程も上記した第２の非磁性基板と、消去ヘッ
ドのトラック幅より若干幅広の溝１１ａ以外は、全く同
じであり、従って、同様な加工工程により軟磁性膜１０
ｂが埋込まれた第３の非磁性基板が得られる。

第６図は第１の非磁性基板８ｂにおける加工工程を説明
するための説明図である。

非磁性基板８ｂの上面に録再兼用ヘッドのトラック幅を
規制するための非磁性薄膜１５ｂの溝１２ａと巻線を施
すための溝１２ｃとを、また、下面に消去ヘッドのトラ
ック幅會規制するだめの非磁性薄膜１５ｃの溝１２ｂと
巻線を施すための溝１２ｄとを、それぞれ所定の相対位
置になる様に上記と同様プロセスにより設ける。（第６
図（ａ））。

次に、軟磁性多層膜９ｂ、１０ａ’ｅ両面に積層しラッ
ピングする（第６図（ｂ））。この様にして軟磁性膜が
埋込まれた第１の非磁性基鈑が得られるＯ 第７図は本実施例における磁気ヘッドの接着工程を説明
するための説明図である。

第７図に示す様に、上述の如くして得られた第１．第２
および第３の非磁性基板８ａ、８ｂ８ｃｉ、それぞれ、
各ギャップ１　ａ、１　ｂ、Ｉｃが、所定の磁気ギャッ
プ長になる様に、ギャップ材である非磁性体を介してガ
ラス等により接着し、１３ａ、１３ｂ面でそれぞれ切り
離すことにより、本実施例における多素子薄膜磁気ヘッ
ドが得られる。

以上説明した様に本実施例によれば、コア材として飽和
磁束密度Ｂｓが１００００　Ｇ程度のセンダス）Ｉるい
はアモルファス磁性薄膜を用いていることから、メタル
粉等を用いた高Ｈｅ記録媒体に対しても充分に記録する
ことが出来るＯまた、基板としては軟磁性膜が埋込まれ
た６個の基板８ａ、８ｂ、８ｃを同時に接着することが
出来かつ第１の非磁性基板８ｂの両面の溝１２ａ、１２
ｂｔこおいて、録再兼用ヘッドのトラック幅および消去
ヘッドのトラック幅を規制する構造となっているので、
高精度化が計れるとともに量産性に優れている。

ところで、一般に、軟磁性多層膜の眉間材が磁気ギャッ
プ面と平行となった場合、層間材部が擬似磁気ギャップ
となるコンタ−効果（主信号と擬似信号の干渉）が起り
、再生特性の忠実度１ｒ損うことになるが、本実施例の
場合は、溝１０ａ　、　１１ａ　、１２ａ　、１２ｂが
それぞれギャップ面に対し非平行（アジマス角度を持っ
ている。）となっているため、忠実な記録再生を行うこ
とができる。また、本実施例の説明では、ヘッド素子３
個分の基板について説明したが、更に大きな基板を用い
てバッチ処理が可能であることは明白である。

第８図は本発明の第２の実施例を示す斜視図である。

本実施例の特徴は、第８図に示す様にトラツり輪金規制
する第１の非磁性基板８ｂについてのみ、非磁性薄膜１
５ｂ　、　１５ｃ　ｆ積層してパターニングし、第２お
よび第３の非磁性基板８ａ。

８ｃについては、機械加工等により各非磁性基板に直接
溝を設けて軟磁性膜９ａ、１０ｂを埋込むよう構成した
点にある。

この様な構造とすることにより、本実施例では、トラッ
ク幅についてはパターニング用マスク等の精度（±１μ
ｍ）で高精度に規制が出来、また、第１の実施例に比較
して非磁性薄膜１５ａ。

１５ｄが不必要になるので製造プロセスが簡単とがる利
点がある。

第９図は本発明の第３の実施例を示す斜視図である。

本実施例では、第９図に示す様に、前述の第２の実施例
とけ第３の非磁性基板８ｃの構成が異っており、即ち、
第３の非磁性基板８ｃには巻線のための溝１１１）だけ
を設け、軟磁性膜１０ｂ全面全体に形成することにより
構成している。

この様に、消去用ヘッドの片側の軟磁性膜１０ｂをヘッ
ド摺動面全体に広がるよう形成しても、消去を目的とす
る限りは特性的に何んら問題はない。

従って、本実施例では第２の実施例と比較して、第３の
非磁性基板８ｃの溝が減っていること、軟磁性膜１０ｂ
を積層した後にラッピング等が不必要なことなどから、
更ｌこ製造プロセスが簡単となる利点がある。

〔発明の効果〕

本発明によれば、軟磁性膜を埋込んだ非磁性基板を有効
に利用することにより、従来の欠点である記録能力の低
下や、接着工程が多いことによる位置精度および生産性
の悪さなどを解決することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図（ｒｚそれぞれ従来の多素子磁気ヘッ
ドを示す斜視図、第３図は本発明の第１の実施例を示す
斜視図、第４図、第５図、第６図及び第７図はそれぞれ
第３層における多素子薄膜磁気ヘッドの製造工程を説明
するための説明図、第８図は本発明の第２の実施例を示
す斜視図、第９図は本発明の第３の実施例を示す斜視図
、である。 １ａ、Ｉｂ、Ｉｃ・・・磁気ギャップ ２ａ、２ｂ、３ａ、３ｂ・・・フェライトバルクコア ９　ａ、　９　ｂ、１０ａ、　１０ｂ−軟磁性多層膜８
ａ、８ｂ、８ｃ・・・非磁性基板 １５ａ　、　１５ｂ　、　１５ｃ　、　１５ｄ　・−・
非磁性薄膜代理人弁理士　高　橋　明　夫 第　１　図 第３図 第４図　第５図 菊６図 第７図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）第１の非磁性体の両面にそれぞれ凹形状の溝を施し
   該溝に軟磁性薄膜を埋込み、第２および第３の各非磁性
   体の片面に軟磁性薄膜を形成し、前記第１の非磁性体の
   片面に前記第２の非磁性体の前記片面を、また前記第１
   の非磁性体の他の面に前記第５の非磁性体の前記片面を
   、それぞれギャップ材を介して相対向するように配置し
   た後、軟磁性薄膜のまわりに巻線を施して成ることを特
   徴とする多素子薄膜磁気ヘッド。 ２、特許請求の範囲第１項に記載の多素子薄膜磁気ヘッ
   ドにおいて、前記第１の非磁性体に施した溝の底面は、
   該第１の非磁性体における磁気ギャップ面となる所定表
   −面に対して非平行となるようにするとともに、前記第
   ２および第５の各非磁性体の片面に形成する前記軟磁性
   薄膜は、それぞれ前記片面に凹形状の溝を施した後肢溝
   に埋込むように形成し、それぞれの溝の底面は前記第２
   および第３の非磁性体における磁気ギャップ面となる所
   定表面に対してそれぞれ非平行となるようにしたことｆ
   ｔ￥ｆ徴とする多素子薄膜磁気ヘッド。 ３）特許請求の範囲第１項捷たけ第２項に記載の多素子
   薄膜磁気ヘッドにおいて、前記第１の非磁性体に施した
   溝の幅によりトラック幅全規制するようにしたこと全特
   徴とする多素子薄膜磁気ヘッド。