JPS6020804B2 - 磁気抵抗効果ヘッド装置 - Google Patents
磁気抵抗効果ヘッド装置Info
- Publication number
- JPS6020804B2 JPS6020804B2 JP5315076A JP5315076A JPS6020804B2 JP S6020804 B2 JPS6020804 B2 JP S6020804B2 JP 5315076 A JP5315076 A JP 5315076A JP 5315076 A JP5315076 A JP 5315076A JP S6020804 B2 JPS6020804 B2 JP S6020804B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- head
- magnetic
- head device
- magnetoresistive
- magnetoresistive thin
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁束によって抵抗が変化する磁気抵抗効果素子
を用いた滋気抵孔効果ヘッド装置に係り、特に出力の波
長特性を改善し得る磁気ヘッド装涜に関する。
を用いた滋気抵孔効果ヘッド装置に係り、特に出力の波
長特性を改善し得る磁気ヘッド装涜に関する。
第１図に従来のストライプ形の磁気抵抗効果ヘッド（以
下ＭＲヘッドという）を示す。
下ＭＲヘッドという）を示す。
図において１ １は磁気テープ、１２はこの磁気テープ
１ １からの磁束によって磁気抵抗が変化する磁気抵抗
効果素子（以下ＭＲ素子という）を有するＭＲヘッドで
ある。Ｍ凪素子には一定方向に電流が流される。従って
磁気テープ１ １の磁束が変化しＭ舷素子の抵抗値が変
化すると、ＭＲ素子の両端の出力電圧が変化する。この
世力電圧Ｅｏは−毅に次式により与えられる。Ｅ。
１ １からの磁束によって磁気抵抗が変化する磁気抵抗
効果素子（以下ＭＲ素子という）を有するＭＲヘッドで
ある。Ｍ凪素子には一定方向に電流が流される。従って
磁気テープ１ １の磁束が変化しＭ舷素子の抵抗値が変
化すると、ＭＲ素子の両端の出力電圧が変化する。この
世力電圧Ｅｏは−毅に次式により与えられる。Ｅ。
：△ｐ・Ｊ・夕・ｅ−竿Ｑ但し、△ｐ：抵抗変化値、１
：ＭＲ素子内電流密度そ：Ｍ凪素子の長さ、＾：記録波
長 Ｑ：Ｍ旧素子と磁気テープ間距離 Ｗ：ＭＲ素子の幅、６：テープ磁性層 厚さ この世力電圧Ｅｏを１／＾を機軸にして示すと、第３図
の曲線３１のようになる。
：ＭＲ素子内電流密度そ：Ｍ凪素子の長さ、＾：記録波
長 Ｑ：Ｍ旧素子と磁気テープ間距離 Ｗ：ＭＲ素子の幅、６：テープ磁性層 厚さ この世力電圧Ｅｏを１／＾を機軸にして示すと、第３図
の曲線３１のようになる。
一方第２図に従来のシールド形ＭＲヘッドの構造を示す
。
。
このヘッドはＭ凪素子２１の両側にシールド材２２を配
したものである。この場合の出力電圧Ｅｏは次式により
与えられる。２ｍＱ Ｅ。
したものである。この場合の出力電圧Ｅｏは次式により
与えられる。２ｍＱ Ｅ。
三△。．Ｊ．〃隼・寧・ｅ−「「・但し、△ｐ：抵抗変
化値、Ｊ：ＭＲ素子内電流密度そ：ＭＲ素子の長さ、ｔ
：ＭＲ素子の 厚さ Ｑ：Ｍ旧素子と磁気テープ間距離 ＾：記録波長、６：テープ磁性層厚さ ｇ：Ｍ旧素子とシールド材間距離 これを同機に１／入を機軸にして示すと、第３図の曲線
３２のようになる。
化値、Ｊ：ＭＲ素子内電流密度そ：ＭＲ素子の長さ、ｔ
：ＭＲ素子の 厚さ Ｑ：Ｍ旧素子と磁気テープ間距離 ＾：記録波長、６：テープ磁性層厚さ ｇ：Ｍ旧素子とシールド材間距離 これを同機に１／入を機軸にして示すと、第３図の曲線
３２のようになる。
かかる曲線３１，３２から明らかのように、第１図のス
トライプ形へッド‘こよると、長波長領域（１／入小）
においては大きな出力が得られるが、短波長領域におい
ては小さな出力しか得られない。
トライプ形へッド‘こよると、長波長領域（１／入小）
においては大きな出力が得られるが、短波長領域におい
ては小さな出力しか得られない。
これに対して第２図のシールド形ヘッドにおいては短波
長領域においては大きな出力が得られるが、長波長領域
においては４・さな出力しか得られない。すなわち上記
従来の磁気へッド・‘こおいてはいずれも長波長から短
波長までの広い領域にわたって大きな出力を得ることが
できないという欠点があり、特に音響用、ビデオ信号記
録再生用としての使用に支障があった。本発明はこのよ
うな従来のＭＲヘッドの欠点を解消して広い波長領域に
わたって大きな出力を得ることのできるＭＲヘッド装置
を提供することを目的とするものである。
長領域においては大きな出力が得られるが、長波長領域
においては４・さな出力しか得られない。すなわち上記
従来の磁気へッド・‘こおいてはいずれも長波長から短
波長までの広い領域にわたって大きな出力を得ることが
できないという欠点があり、特に音響用、ビデオ信号記
録再生用としての使用に支障があった。本発明はこのよ
うな従来のＭＲヘッドの欠点を解消して広い波長領域に
わたって大きな出力を得ることのできるＭＲヘッド装置
を提供することを目的とするものである。
以下本発明を図面の実施例を参照して詳細に説明する。
第４図は本発明に係るＭＲヘッド装置の一実施例を示す
。図示するようにこのＭ股ヘッドは例えばＮｉ−Ｆｅ合
金からなる第１，第２，第３のＭＲ素子膜４１，４２，
４３をそれぞれの間に電気的にも磁気的にも不良導体で
ある例えばＳｉＱの層４４，４５をはさんで、濃厚１０
０〜１０００Ａ程度で葵着またはスパッタ等の手段によ
り形成して成る。このヘッドはその膿面が磁気テープ４
６に対して図のように垂直になるようにして接触又は微
小間隔をおいて接近させて配層される。前記各ＭＲ素子
４１，４２，４３の両端には端子４７，４７′，４８，
４８′，４９，４９′が設けられ、一定直流電流が流さ
れる。このようにして上記３層構造のヘッドにより滋気
テープ４６からの信号を再生した場合、第２のＭ凪素子
膜４２は両側から第１および第２のＭ旧素子膜４１，４
３により、はさまれているため、従来のシールド形ＭＲ
ヘッドと同様な出力が得られる。
。図示するようにこのＭ股ヘッドは例えばＮｉ−Ｆｅ合
金からなる第１，第２，第３のＭＲ素子膜４１，４２，
４３をそれぞれの間に電気的にも磁気的にも不良導体で
ある例えばＳｉＱの層４４，４５をはさんで、濃厚１０
０〜１０００Ａ程度で葵着またはスパッタ等の手段によ
り形成して成る。このヘッドはその膿面が磁気テープ４
６に対して図のように垂直になるようにして接触又は微
小間隔をおいて接近させて配層される。前記各ＭＲ素子
４１，４２，４３の両端には端子４７，４７′，４８，
４８′，４９，４９′が設けられ、一定直流電流が流さ
れる。このようにして上記３層構造のヘッドにより滋気
テープ４６からの信号を再生した場合、第２のＭ凪素子
膜４２は両側から第１および第２のＭ旧素子膜４１，４
３により、はさまれているため、従来のシールド形ＭＲ
ヘッドと同様な出力が得られる。
また第１，第３のＭＲ素子膜４１，４３は積み重ねた層
の両側からの磁界を磁気シールドされる・ことなく受け
るために従来のストライプ形ＭＲヘッドと同様な出力が
得られる。従ってこの３層のＭＲ素子膜４１，４２，４
３の出力を合成することにより、第５図の如き従来のス
トライプ形、、シールド形両ＭＲヘッドの波長領域を包
含するような広帯域の出力を得ることができる。尚本実
施例においては３層構造のものについて説明したが、４
層以上の構造にすることもできる。その場合は両端がス
トライプ形ＭＲヘッドの特性を示し、中間にある層がシ
ールド形の特性を示す。このように多層構造にする場合
には、分解能の点で両端の層の間の距離が再生しようと
する波長の１／２以下になるようにしなければならない
。尚上記実施例においてはＭＲ素子間に単に絶縁かつ非
磁性層をはさみ込む構造について説明したが、ＭＲヘッ
ド出力の直線性を増すためにバイアス磁界発生のための
層、即ち磁界発生用導体あるいは磁界発生用薄膜マグネ
ット等を絶縁性かつ非磁性層ではさんで、これをＭＲ素
子間にはさみ込む機造にしてもよい。
の両側からの磁界を磁気シールドされる・ことなく受け
るために従来のストライプ形ＭＲヘッドと同様な出力が
得られる。従ってこの３層のＭＲ素子膜４１，４２，４
３の出力を合成することにより、第５図の如き従来のス
トライプ形、、シールド形両ＭＲヘッドの波長領域を包
含するような広帯域の出力を得ることができる。尚本実
施例においては３層構造のものについて説明したが、４
層以上の構造にすることもできる。その場合は両端がス
トライプ形ＭＲヘッドの特性を示し、中間にある層がシ
ールド形の特性を示す。このように多層構造にする場合
には、分解能の点で両端の層の間の距離が再生しようと
する波長の１／２以下になるようにしなければならない
。尚上記実施例においてはＭＲ素子間に単に絶縁かつ非
磁性層をはさみ込む構造について説明したが、ＭＲヘッ
ド出力の直線性を増すためにバイアス磁界発生のための
層、即ち磁界発生用導体あるいは磁界発生用薄膜マグネ
ット等を絶縁性かつ非磁性層ではさんで、これをＭＲ素
子間にはさみ込む機造にしてもよい。
第１図および第２図はそれぞれ従来のＭＲヘッドの構成
を示す図、第３図は上記ＭＲヘッドの出力の波長特性図
、第４図は本発明のＭＲヘッド装置の一実施例の構成を
示す図、第５図はその出力の波長特性図である。 。４１，４２，４３・・・・・・Ｍ旧素子膜、４４，４
５…・・・非導電、非磁性膜、４６・・・・・・磁気テ
ープ、４７，４７′，４８，４８′，４９，４９′・・
・・・・端子。 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図
を示す図、第３図は上記ＭＲヘッドの出力の波長特性図
、第４図は本発明のＭＲヘッド装置の一実施例の構成を
示す図、第５図はその出力の波長特性図である。 。４１，４２，４３・・・・・・Ｍ旧素子膜、４４，４
５…・・・非導電、非磁性膜、４６・・・・・・磁気テ
ープ、４７，４７′，４８，４８′，４９，４９′・・
・・・・端子。 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図
Claims (1)
- １ それぞれ非導電かつ非磁性の膜を介して３層以上積
層されるとともにそれぞれ所定の直流電流が供給される
磁気抵抗薄膜と、これら磁気抵抗薄膜のうち最外部に位
置する磁気抵抗薄膜および両側から磁気抵抗薄膜ではさ
まれた内部の磁気抵抗薄膜より得られる出力信号を加算
する手段とを備えることを特徴とする磁気抵抗効果ヘツ
ド装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5315076A JPS6020804B2 (ja) | 1976-05-12 | 1976-05-12 | 磁気抵抗効果ヘッド装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5315076A JPS6020804B2 (ja) | 1976-05-12 | 1976-05-12 | 磁気抵抗効果ヘッド装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS52136610A JPS52136610A (en) | 1977-11-15 |
| JPS6020804B2 true JPS6020804B2 (ja) | 1985-05-23 |
Family
ID=12934792
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5315076A Expired JPS6020804B2 (ja) | 1976-05-12 | 1976-05-12 | 磁気抵抗効果ヘッド装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6020804B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56140521A (en) * | 1980-04-04 | 1981-11-02 | Fujitsu Ltd | Transversal type magnetic head |
-
1976
- 1976-05-12 JP JP5315076A patent/JPS6020804B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS52136610A (en) | 1977-11-15 |
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