JPS6020804B2 - 磁気抵抗効果ヘッド装置 - Google Patents

磁気抵抗効果ヘッド装置

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JPS6020804B2
JPS6020804B2 JP5315076A JP5315076A JPS6020804B2 JP S6020804 B2 JPS6020804 B2 JP S6020804B2 JP 5315076 A JP5315076 A JP 5315076A JP 5315076 A JP5315076 A JP 5315076A JP S6020804 B2 JPS6020804 B2 JP S6020804B2
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JP
Japan
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head
magnetic
head device
magnetoresistive
magnetoresistive thin
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Expired
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JP5315076A
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English (en)
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JPS52136610A (en
Inventor
立雄 藤原
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Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁束によって抵抗が変化する磁気抵抗効果素子
を用いた滋気抵孔効果ヘッド装置に係り、特に出力の波
長特性を改善し得る磁気ヘッド装涜に関する。
第1図に従来のストライプ形の磁気抵抗効果ヘッド(以
下MRヘッドという)を示す。
図において1 1は磁気テープ、12はこの磁気テープ
1 1からの磁束によって磁気抵抗が変化する磁気抵抗
効果素子(以下MR素子という)を有するMRヘッドで
ある。M凪素子には一定方向に電流が流される。従って
磁気テープ1 1の磁束が変化しM舷素子の抵抗値が変
化すると、MR素子の両端の出力電圧が変化する。この
世力電圧Eoは−毅に次式により与えられる。E。
:△p・J・夕・e−竿Q但し、△p:抵抗変化値、1
:MR素子内電流密度そ:M凪素子の長さ、^:記録波
長 Q:M旧素子と磁気テープ間距離 W:MR素子の幅、6:テープ磁性層 厚さ この世力電圧Eoを1/^を機軸にして示すと、第3図
の曲線31のようになる。
一方第2図に従来のシールド形MRヘッドの構造を示す
このヘッドはM凪素子21の両側にシールド材22を配
したものである。この場合の出力電圧Eoは次式により
与えられる。2mQ E。
三△。.J.〃隼・寧・e−「「・但し、△p:抵抗変
化値、J:MR素子内電流密度そ:MR素子の長さ、t
:MR素子の 厚さ Q:M旧素子と磁気テープ間距離 ^:記録波長、6:テープ磁性層厚さ g:M旧素子とシールド材間距離 これを同機に1/入を機軸にして示すと、第3図の曲線
32のようになる。
かかる曲線31,32から明らかのように、第1図のス
トライプ形へッド‘こよると、長波長領域(1/入小)
においては大きな出力が得られるが、短波長領域におい
ては小さな出力しか得られない。
これに対して第2図のシールド形ヘッドにおいては短波
長領域においては大きな出力が得られるが、長波長領域
においては4・さな出力しか得られない。すなわち上記
従来の磁気へッド・‘こおいてはいずれも長波長から短
波長までの広い領域にわたって大きな出力を得ることが
できないという欠点があり、特に音響用、ビデオ信号記
録再生用としての使用に支障があった。本発明はこのよ
うな従来のMRヘッドの欠点を解消して広い波長領域に
わたって大きな出力を得ることのできるMRヘッド装置
を提供することを目的とするものである。
以下本発明を図面の実施例を参照して詳細に説明する。
第4図は本発明に係るMRヘッド装置の一実施例を示す
。図示するようにこのM股ヘッドは例えばNi−Fe合
金からなる第1,第2,第3のMR素子膜41,42,
43をそれぞれの間に電気的にも磁気的にも不良導体で
ある例えばSiQの層44,45をはさんで、濃厚10
0〜1000A程度で葵着またはスパッタ等の手段によ
り形成して成る。このヘッドはその膿面が磁気テープ4
6に対して図のように垂直になるようにして接触又は微
小間隔をおいて接近させて配層される。前記各MR素子
41,42,43の両端には端子47,47′,48,
48′,49,49′が設けられ、一定直流電流が流さ
れる。このようにして上記3層構造のヘッドにより滋気
テープ46からの信号を再生した場合、第2のM凪素子
膜42は両側から第1および第2のM旧素子膜41,4
3により、はさまれているため、従来のシールド形MR
ヘッドと同様な出力が得られる。
また第1,第3のMR素子膜41,43は積み重ねた層
の両側からの磁界を磁気シールドされる・ことなく受け
るために従来のストライプ形MRヘッドと同様な出力が
得られる。従ってこの3層のMR素子膜41,42,4
3の出力を合成することにより、第5図の如き従来のス
トライプ形、、シールド形両MRヘッドの波長領域を包
含するような広帯域の出力を得ることができる。尚本実
施例においては3層構造のものについて説明したが、4
層以上の構造にすることもできる。その場合は両端がス
トライプ形MRヘッドの特性を示し、中間にある層がシ
ールド形の特性を示す。このように多層構造にする場合
には、分解能の点で両端の層の間の距離が再生しようと
する波長の1/2以下になるようにしなければならない
。尚上記実施例においてはMR素子間に単に絶縁かつ非
磁性層をはさみ込む構造について説明したが、MRヘッ
ド出力の直線性を増すためにバイアス磁界発生のための
層、即ち磁界発生用導体あるいは磁界発生用薄膜マグネ
ット等を絶縁性かつ非磁性層ではさんで、これをMR素
子間にはさみ込む機造にしてもよい。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図はそれぞれ従来のMRヘッドの構成
を示す図、第3図は上記MRヘッドの出力の波長特性図
、第4図は本発明のMRヘッド装置の一実施例の構成を
示す図、第5図はその出力の波長特性図である。 。41,42,43・・・・・・M旧素子膜、44,4
5…・・・非導電、非磁性膜、46・・・・・・磁気テ
ープ、47,47′,48,48′,49,49′・・
・・・・端子。 第1図 第2図 第3図 第4図 第5図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 それぞれ非導電かつ非磁性の膜を介して3層以上積
    層されるとともにそれぞれ所定の直流電流が供給される
    磁気抵抗薄膜と、これら磁気抵抗薄膜のうち最外部に位
    置する磁気抵抗薄膜および両側から磁気抵抗薄膜ではさ
    まれた内部の磁気抵抗薄膜より得られる出力信号を加算
    する手段とを備えることを特徴とする磁気抵抗効果ヘツ
    ド装置。
JP5315076A 1976-05-12 1976-05-12 磁気抵抗効果ヘッド装置 Expired JPS6020804B2 (ja)

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JP5315076A JPS6020804B2 (ja) 1976-05-12 1976-05-12 磁気抵抗効果ヘッド装置

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JPS52136610A JPS52136610A (en) 1977-11-15
JPS6020804B2 true JPS6020804B2 (ja) 1985-05-23

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS56140521A (en) * 1980-04-04 1981-11-02 Fujitsu Ltd Transversal type magnetic head

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JPS52136610A (en) 1977-11-15

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