JPS60140516A - 磁気抵抗効果型磁気ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘツドInfo
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- JPS60140516A JPS60140516A JP24665283A JP24665283A JPS60140516A JP S60140516 A JPS60140516 A JP S60140516A JP 24665283 A JP24665283 A JP 24665283A JP 24665283 A JP24665283 A JP 24665283A JP S60140516 A JPS60140516 A JP S60140516A
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- JP
- Japan
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- magnetic
- thin film
- film
- bias
- yoke
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- Pending
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
- G11B5/3922—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure
- G11B5/3925—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure the two parts being thin films
-
- G—PHYSICS
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- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
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- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は再生磁気ヘッドに適用して好適な磁気抵抗効果
型磁気ヘッド（以下ＭＲヘッドという）に係る。
型磁気ヘッド（以下ＭＲヘッドという）に係る。
背景技術とその問題点
磁気抵抗効果薄膜（以下ＭＲ薄膜という）が磁気媒体（
磁気テープ）との対接面より後退位置に配置されると共
に、磁気ヨークを用いたヨーク型のＭＲヘッドが提案さ
れている。このヨーク型のＭＲヘッドは、例えば第１図
にその要部の拡大断面図を示し、第２図にその拡大路線
的乎面図を示すように、−例えばＮｉ−Ｚｎ系フェライ
トよりなる高抵抗の磁性基体Ｉｌｌ上に、ＭＲＭ欣に対
してバイアス磁界を与えるためのバイアス磁界発生の電
流通路となる帯状導電膜よりなるバイアス導体（３）が
被着され、これの上に絶縁層（５′）を介して例えばＮ
１−Ｐｅ系合金、或いはＮｉ−Ｃｏ系合金薄躾等よりな
るＭ ＲＷＥ ＩＩ １４）が被着形成され、このＭＲ
薄膜（４）の両端から導出される金等のり−ト°導電ｒ
ｔ！ （１２） 。
磁気テープ）との対接面より後退位置に配置されると共
に、磁気ヨークを用いたヨーク型のＭＲヘッドが提案さ
れている。このヨーク型のＭＲヘッドは、例えば第１図
にその要部の拡大断面図を示し、第２図にその拡大路線
的乎面図を示すように、−例えばＮｉ−Ｚｎ系フェライ
トよりなる高抵抗の磁性基体Ｉｌｌ上に、ＭＲＭ欣に対
してバイアス磁界を与えるためのバイアス磁界発生の電
流通路となる帯状導電膜よりなるバイアス導体（３）が
被着され、これの上に絶縁層（５′）を介して例えばＮ
１−Ｐｅ系合金、或いはＮｉ−Ｃｏ系合金薄躾等よりな
るＭ ＲＷＥ ＩＩ １４）が被着形成され、このＭＲ
薄膜（４）の両端から導出される金等のり−ト°導電ｒ
ｔ！ （１２） 。
（１２）が磁性基体（１）の表面上に被着形成される。
そして、このＭＲ薄１＋Ｊ！ （４１の一端部の上に絶
縁層（５）を介してＮｉ −Ｆｅ系合金等の磁性層より
なる第１及び第２の磁気ヨーク（６）及び（７）が、Ｍ
Ｒ薄模（４）上を横切る方向に、且つＭＲ＠膜（４）上
において所要の間隔すなわち不連続部Ｇを介して形成さ
れる。第１の磁気ヨーク（６）の外端部は、非磁性層、
例えば、絶縁層（５）を介して磁性基体（１）と対向し
、第１の磁気ヨーク（６）と磁性基体（１１との間に磁
気ギャップｇが形成されるようになされる。他方の第２
の磁気ヨーク（７）の外端は、絶縁層に穿設された窓（
５ａ）を通じて磁性基体（１１に連接されて磁気的に結
合されるようになされる。そして、これらバイアス導体
（２）、ＭＲ薄膜（４）、第１及び第２の磁気ヨーク（
６）及び（７）を覆って非磁性絶縁性保護層（８）が被
覆され、これの上に接着剤層（９）によって保護基体α
ωが接着される。そして、両基体＜１１及びｄｌｌ＋と
第１の磁気ヨーク（６）の前端側か切削研磨されて磁気
媒体との対接面（１１）が形成される。このようにして
磁気ギャップｇが対接面（１１）に臨みこの磁気ギャッ
プｇ及びＭＲ薄膜（４）を含む閉磁路が形成されて磁気
ヘッドが構成される。すなわち、磁性基体＋１１＝磁気
ギャップｇ−第１の磁気ヨーク＋６１− Ｍ Ｒ薄膜（
４）−第２の磁気ヨーク（７）−磁性基体（１）によっ
て閉磁路が形成される。
縁層（５）を介してＮｉ −Ｆｅ系合金等の磁性層より
なる第１及び第２の磁気ヨーク（６）及び（７）が、Ｍ
Ｒ薄模（４）上を横切る方向に、且つＭＲ＠膜（４）上
において所要の間隔すなわち不連続部Ｇを介して形成さ
れる。第１の磁気ヨーク（６）の外端部は、非磁性層、
例えば、絶縁層（５）を介して磁性基体（１）と対向し
、第１の磁気ヨーク（６）と磁性基体（１１との間に磁
気ギャップｇが形成されるようになされる。他方の第２
の磁気ヨーク（７）の外端は、絶縁層に穿設された窓（
５ａ）を通じて磁性基体（１１に連接されて磁気的に結
合されるようになされる。そして、これらバイアス導体
（２）、ＭＲ薄膜（４）、第１及び第２の磁気ヨーク（
６）及び（７）を覆って非磁性絶縁性保護層（８）が被
覆され、これの上に接着剤層（９）によって保護基体α
ωが接着される。そして、両基体＜１１及びｄｌｌ＋と
第１の磁気ヨーク（６）の前端側か切削研磨されて磁気
媒体との対接面（１１）が形成される。このようにして
磁気ギャップｇが対接面（１１）に臨みこの磁気ギャッ
プｇ及びＭＲ薄膜（４）を含む閉磁路が形成されて磁気
ヘッドが構成される。すなわち、磁性基体＋１１＝磁気
ギャップｇ−第１の磁気ヨーク＋６１− Ｍ Ｒ薄膜（
４）−第２の磁気ヨーク（７）−磁性基体（１）によっ
て閉磁路が形成される。
このような構成において、バイアス導体（２）にバイア
ス磁界発生用の電流１Ｂを通じてＭＲ薄膜（４）に所要
のバイアス磁界を与え、ＭＲ薄膜（４）に電流Ｉを流す
ことによっζ、その各磁気ギャップｇに対接ないしは対
向する磁気記録媒体よりの、これに記録された記録磁化
による信号磁界が各ＭＲ薄膜（４）に与えられ、これに
よる抵抗変化に基ずく電気的信号、すなわち再生出力信
号が各ＭＲ素子（４）の両端に得られる。
ス磁界発生用の電流１Ｂを通じてＭＲ薄膜（４）に所要
のバイアス磁界を与え、ＭＲ薄膜（４）に電流Ｉを流す
ことによっζ、その各磁気ギャップｇに対接ないしは対
向する磁気記録媒体よりの、これに記録された記録磁化
による信号磁界が各ＭＲ薄膜（４）に与えられ、これに
よる抵抗変化に基ずく電気的信号、すなわち再生出力信
号が各ＭＲ素子（４）の両端に得られる。
そして、かかる磁気ヘッドが、磁性基体（１１、バイア
ス導体（３）を共通として、多数形成されることにより
、ＰＣＭ信号再生用のマルチチャンネルヘッドが構成さ
れる。
ス導体（３）を共通として、多数形成されることにより
、ＰＣＭ信号再生用のマルチチャンネルヘッドが構成さ
れる。
ところで、上述のＭＲヘッドでは、専用のバイアス導体
（３）を設けているので、構成が複雑となると共に、製
造が面倒になる。
（３）を設けているので、構成が複雑となると共に、製
造が面倒になる。
発明の目的
かかる点に鑑み、本発明は構成簡単、製造容易にして、
バイアス導体を具備する磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提
案しようとするものである。
バイアス導体を具備する磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提
案しようとするものである。
発明の概要
本発明による磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、磁性基扱と
、非磁性体を介して磁性基板上に形成された磁気抵抗効
果薄膜と、磁性基体の表面の端部と対向して磁気ギャッ
プが形成されると共に、磁気抵抗効果薄膜の一端と磁気
的に連結された第１の磁気ヨークと、磁性基体と磁気的
に連結されると共に、磁気抵抗効果薄膜の他端と磁気的
に連結されると共に、バイアス導体として機能する導電
性の第２の磁気ヨークとを具備して成ることを特徴とす
るものである。
、非磁性体を介して磁性基板上に形成された磁気抵抗効
果薄膜と、磁性基体の表面の端部と対向して磁気ギャッ
プが形成されると共に、磁気抵抗効果薄膜の一端と磁気
的に連結された第１の磁気ヨークと、磁性基体と磁気的
に連結されると共に、磁気抵抗効果薄膜の他端と磁気的
に連結されると共に、バイアス導体として機能する導電
性の第２の磁気ヨークとを具備して成ることを特徴とす
るものである。
かかる本発明によれば、構成簡単、製造容易にして、バ
イアス導体を具備する磁気抵抗効果型磁気ヘッドを得る
ことができる。
イアス導体を具備する磁気抵抗効果型磁気ヘッドを得る
ことができる。
実施例
以下に、第３図及び第４図を参照して、本発明の一実施
例を説明するも、第１図及び第２図と対応する部分には
同一符号を付して重複説明を省略する。
例を説明するも、第１図及び第２図と対応する部分には
同一符号を付して重複説明を省略する。
本実施例では、各磁気ヘッド毎のＭＲ薄膜＋４１を直接
各磁気ヘッドに共通の磁性基体（１）上に形成し、その
上に各磁気ヘッドに共通の絶縁層（５）を被着形成する
。そして、第１の磁気ヨーク（６）を各磁気ヘッド毎に
絶縁層（５）上に被着形成すると共に、各磁気ヘッドに
共通の導電性の第２の磁気ヨーク（７）を絶縁Ｎ（５）
上に被着形成し、これをバイアス導体としても使用する
。その他の構成は第１νＩ及び第２図、の磁気ヘッドと
同様である。
各磁気ヘッドに共通の磁性基体（１）上に形成し、その
上に各磁気ヘッドに共通の絶縁層（５）を被着形成する
。そして、第１の磁気ヨーク（６）を各磁気ヘッド毎に
絶縁層（５）上に被着形成すると共に、各磁気ヘッドに
共通の導電性の第２の磁気ヨーク（７）を絶縁Ｎ（５）
上に被着形成し、これをバイアス導体としても使用する
。その他の構成は第１νＩ及び第２図、の磁気ヘッドと
同様である。
次に、第５図及び第６図を参照して、本発明の他の実施
例を説明する。例えばＮｉ−Ｚｎ系フェライトよりなる
各磁気ヘッドに共通の商抵抗の磁性基体（１）の表面に
共通の凹溝（１ａ）が形成され、その凹溝（ｌａ）内に
ガラス等の各磁気ヘッドに共通の絶縁性の非磁性充填部
材（２）が充填される。磁性基体（１１及び充填部材（
２）の各表面は同一面とされる。
例を説明する。例えばＮｉ−Ｚｎ系フェライトよりなる
各磁気ヘッドに共通の商抵抗の磁性基体（１）の表面に
共通の凹溝（１ａ）が形成され、その凹溝（ｌａ）内に
ガラス等の各磁気ヘッドに共通の絶縁性の非磁性充填部
材（２）が充填される。磁性基体（１１及び充填部材（
２）の各表面は同一面とされる。
そして、充填部材（２）の表面（露出表面）及び磁性基
体ｉｌｌの表面に跨がる如く、各磁気ヘッド毎に例えば
旧−Ｆｅ系合金、或いはＮｉ−Ｃｏ系合金等よりなるＭ
Ｒ薄１１ｉＸ＋（４１が被着形成され、この各ＭＲ＊膜
（４）の両端から夫々導出される金等の非磁性のリード
導電層（１１） 、（１２）が充填部材（２）及び磁性
基体（１１の表面−ヒに亘って被着形成される。そして
、このＭＲ薄薄膜４）の、トに、磁性基体（１１、リー
ド導電層（１１） 、（１２）及びＭＲ薄膜（４）の各
表面を覆う絶縁層（５）を介してＮｔ−Ｆｅ糸金合金の
磁性層よりなる第１及び第２の磁械ヨーク（６）及び（
７）が、ＭＲ薄映（４）上を横切る方向に、且つＭＲ薄
薄膜４）上において所要の間隔、即ち不連続部Ｇを介し
て形成される。そして、第１及び第２の磁気ヨーク（６
１，（７１の各内端部が絶縁層（５）を介してＭＲ薄膜
（４）の両端と磁気的に連結される。第１の磁電ヨーク
（６）は各磁気ヘッド別に設けられ、その外端部は、非
磁性層、即ち絶縁層（５）を介して磁性基体（１）と対
向し、この第１の磁気コーク（６）と磁性基体（１）と
の間に各磁気ヘッド毎の磁気ギャップｇが形成されるよ
うになされる。導電性の第２の磁気ヨーク（７）は共通
とされ、その外端は、絶縁層（５）に穿設された窓（５
Ｂ）を通じて磁性基体（１）に直接接触せしめられて磁
気的に連結される。そして、ＭＲ薄膜（４）、第１及び
第２の磁気ヨーク（６）及び（７）を覆って各磁気ヘッ
ドに共通の非磁性絶縁性保護層（８）が被覆され、これ
の上に各磁気ヘッドに共通の接着剤層（９）によって各
磁気ヘッドに共通の保護基体００）が接着される。
体ｉｌｌの表面に跨がる如く、各磁気ヘッド毎に例えば
旧−Ｆｅ系合金、或いはＮｉ−Ｃｏ系合金等よりなるＭ
Ｒ薄１１ｉＸ＋（４１が被着形成され、この各ＭＲ＊膜
（４）の両端から夫々導出される金等の非磁性のリード
導電層（１１） 、（１２）が充填部材（２）及び磁性
基体（１１の表面−ヒに亘って被着形成される。そして
、このＭＲ薄薄膜４）の、トに、磁性基体（１１、リー
ド導電層（１１） 、（１２）及びＭＲ薄膜（４）の各
表面を覆う絶縁層（５）を介してＮｔ−Ｆｅ糸金合金の
磁性層よりなる第１及び第２の磁械ヨーク（６）及び（
７）が、ＭＲ薄映（４）上を横切る方向に、且つＭＲ薄
薄膜４）上において所要の間隔、即ち不連続部Ｇを介し
て形成される。そして、第１及び第２の磁気ヨーク（６
１，（７１の各内端部が絶縁層（５）を介してＭＲ薄膜
（４）の両端と磁気的に連結される。第１の磁電ヨーク
（６）は各磁気ヘッド別に設けられ、その外端部は、非
磁性層、即ち絶縁層（５）を介して磁性基体（１）と対
向し、この第１の磁気コーク（６）と磁性基体（１）と
の間に各磁気ヘッド毎の磁気ギャップｇが形成されるよ
うになされる。導電性の第２の磁気ヨーク（７）は共通
とされ、その外端は、絶縁層（５）に穿設された窓（５
Ｂ）を通じて磁性基体（１）に直接接触せしめられて磁
気的に連結される。そして、ＭＲ薄膜（４）、第１及び
第２の磁気ヨーク（６）及び（７）を覆って各磁気ヘッ
ドに共通の非磁性絶縁性保護層（８）が被覆され、これ
の上に各磁気ヘッドに共通の接着剤層（９）によって各
磁気ヘッドに共通の保護基体００）が接着される。
そして、両基体（１）及び００）と第１の磁気ヨーク（
６）の前端側か切削研磨されて磁気媒体との対接面（１
１）が形成される。かくして、マルチチャンネル磁気ヘ
ッドが構成される。
６）の前端側か切削研磨されて磁気媒体との対接面（１
１）が形成される。かくして、マルチチャンネル磁気ヘ
ッドが構成される。
そして、磁性基体（１）−磁気ギャップビー第１の磁気
ヨー１！６１−ＭＲｖｉ膜ｆ４１−第２ （７１＆を気
ヨー’＋１７１−磁性基体（１）によって閉磁路が形成
される。
ヨー１！６１−ＭＲｖｉ膜ｆ４１−第２ （７１＆を気
ヨー’＋１７１−磁性基体（１）によって閉磁路が形成
される。
しかして、第２の磁気ヨーク（７）にバイアス磁界発生
用の電流１Ｂを流すことにより、各ＭＲ薄薄膜４）に所
要のバイアス磁界を与え、ＭＲ薄膜（４）に電流Ｉを流
すことによって、その各磁気ギャップｇに対接ないしは
対向する磁気記録媒体よりの、これに記録された記録磁
化による信号磁界がＭＲ薄膜（４）に与えられ、これに
よる抵抗変化に基ずく電気的信号、即ち再生出力信号が
ＭＲ薄膜（４）のＹｉｂＪ端に得られる。
用の電流１Ｂを流すことにより、各ＭＲ薄薄膜４）に所
要のバイアス磁界を与え、ＭＲ薄膜（４）に電流Ｉを流
すことによって、その各磁気ギャップｇに対接ないしは
対向する磁気記録媒体よりの、これに記録された記録磁
化による信号磁界がＭＲ薄膜（４）に与えられ、これに
よる抵抗変化に基ずく電気的信号、即ち再生出力信号が
ＭＲ薄膜（４）のＹｉｂＪ端に得られる。
かかる磁気ヘッドは磁性基体（１）の表面に於いて、Ｍ
Ｒ薄膜（４）と対向する部分に凹溝（１ａ）が形成され
ているため、ＭＲ薄膜（４）の中央付近から磁性基体（
１）へ漏洩する磁束が軽減されるので、磁気的効率が高
いという利点があると共に、次のような利点がある。
Ｒ薄膜（４）と対向する部分に凹溝（１ａ）が形成され
ているため、ＭＲ薄膜（４）の中央付近から磁性基体（
１）へ漏洩する磁束が軽減されるので、磁気的効率が高
いという利点があると共に、次のような利点がある。
即ち、ＭＲ薄膜（４）が非磁性充填部材（２）の露出表
面上のみに形成されているので、ＭＲ薄膜（４）は磁性
基体ｆｌ）及び充填部材（２）の境界の影響、磁性基体
＋１１の磁気的特性の劣化の影響を受けず、再生出力レ
ベルが大きく、その出力レベルのばらつきは少なくなる
。
面上のみに形成されているので、ＭＲ薄膜（４）は磁性
基体ｆｌ）及び充填部材（２）の境界の影響、磁性基体
＋１１の磁気的特性の劣化の影響を受けず、再生出力レ
ベルが大きく、その出力レベルのばらつきは少なくなる
。
上述せる本発明によれば、磁気抵抗効果層成と磁性基体
とを磁気的に連結する第２の磁気ヨークをバイアス導体
に兼用しているので、構成簡単、製造容易にして、バイ
アス導体を具備する磁気抵抗効果型磁気ヘッドを得るこ
とができる。
とを磁気的に連結する第２の磁気ヨークをバイアス導体
に兼用しているので、構成簡単、製造容易にして、バイ
アス導体を具備する磁気抵抗効果型磁気ヘッドを得るこ
とができる。
発明の効果
」二連せる本発明によれば、磁気抵抗効果薄膜と磁性基
体とを磁気的に連結する第２の磁気ヨークをバイアス導
体に兼用しているので、構成簡単、製造容易にして、バ
イアス導体を具備する磁気抵抗効果型磁気ヘッドを得る
ことができる。
体とを磁気的に連結する第２の磁気ヨークをバイアス導
体に兼用しているので、構成簡単、製造容易にして、バ
イアス導体を具備する磁気抵抗効果型磁気ヘッドを得る
ことができる。
第１図及び第２図は従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの
要部を示す断面図及びその部分的平面図、第３図及び第
４図並びに第５図及び第６図は本発明による磁気抵抗効
果型磁気ヘッドの各実施例の要部を示す断面図及びその
一部の平面図である。 （１１は磁性基体、（２）は非磁性充填部材、（４）は
ＭＲ薄膜、（５）は絶縁層、（６１，（７１は第１及び
第２の磁気ヨークである。 １１１ａ Ｉ２因 １１８図
要部を示す断面図及びその部分的平面図、第３図及び第
４図並びに第５図及び第６図は本発明による磁気抵抗効
果型磁気ヘッドの各実施例の要部を示す断面図及びその
一部の平面図である。 （１１は磁性基体、（２）は非磁性充填部材、（４）は
ＭＲ薄膜、（５）は絶縁層、（６１，（７１は第１及び
第２の磁気ヨークである。 １１１ａ Ｉ２因 １１８図
Claims (1)
- 磁性基板と、非磁性体を介して上記磁性基板上に形成さ
れた磁気抵抗効果薄膜と、上記磁性基体の表面の端部と
対向して磁気ギャップが形成されると共に、上記磁気抵
抗効果薄膜の一端と磁気的に連結された第１の磁気ヨー
クと、上記磁性基体と磁気的に連結されると共に、上記
磁気抵抗効果薄膜の他端と磁気的に連結されると共に、
バイアス導体として機能する導電性の第２の磁気ヨーク
とを具備して成ることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気
ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24665283A JPS60140516A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24665283A JPS60140516A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60140516A true JPS60140516A (ja) | 1985-07-25 |
Family
ID=17151599
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24665283A Pending JPS60140516A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60140516A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5933298A (en) * | 1995-03-24 | 1999-08-03 | U.S. Philips Corporation | System comprising a magnetic head, measuring device and a current device |
-
1983
- 1983-12-28 JP JP24665283A patent/JPS60140516A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5933298A (en) * | 1995-03-24 | 1999-08-03 | U.S. Philips Corporation | System comprising a magnetic head, measuring device and a current device |
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