JPS60136018A - 磁気抵抗効果型磁気ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘツドInfo
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- JPS60136018A JPS60136018A JP24617983A JP24617983A JPS60136018A JP S60136018 A JPS60136018 A JP S60136018A JP 24617983 A JP24617983 A JP 24617983A JP 24617983 A JP24617983 A JP 24617983A JP S60136018 A JPS60136018 A JP S60136018A
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- Japan
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- magnetic
- thin film
- yoke
- magneto
- substrate
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
- G11B5/3922—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure
- G11B5/3925—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure the two parts being thin films
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は再生磁気ヘッドに適用して好適な磁気抵抗効果
型磁気ヘッド（以下ＭＲヘッドという）に係る。
型磁気ヘッド（以下ＭＲヘッドという）に係る。
背景技術とその問題点
磁気抵抗効果薄膜（以−卜’ＭＲ薄験という）が磁気媒
体（磁気テープ）との対接向より後退位置に配置される
と共に、磁気ヨークを用いたヨーク型のＭＲへノドが提
案されている。このヨーク型のＭＲヘッドは、例えば第
１図にその要部の拡大断面図を示し、第２図にその拡大
路線的平面図をポすように、例えばＮｉ−Ｚｎ系フェラ
イトよりなる高抵抗の磁性基体＋１１の表面に凹溝（ｌ
ａ）が形成され、その凹ｊｌｉ（ｌａ）内にガラス等の
絶縁性の非磁性充填部材（２）が充填される。磁性基体
＜Ｕ及び充填部材（２）の各表面は同一面とされる。
体（磁気テープ）との対接向より後退位置に配置される
と共に、磁気ヨークを用いたヨーク型のＭＲへノドが提
案されている。このヨーク型のＭＲヘッドは、例えば第
１図にその要部の拡大断面図を示し、第２図にその拡大
路線的平面図をポすように、例えばＮｉ−Ｚｎ系フェラ
イトよりなる高抵抗の磁性基体＋１１の表面に凹溝（ｌ
ａ）が形成され、その凹ｊｌｉ（ｌａ）内にガラス等の
絶縁性の非磁性充填部材（２）が充填される。磁性基体
＜Ｕ及び充填部材（２）の各表面は同一面とされる。
そして、充填部材（２）の表面及び磁性基体（ｌ）の表
面に跨がる如く、例えばＮ１−ｒｅ系合金、或いはＮ１
−Ｇｏ系合金等よりなるＭＲ薄膜（４）が被着形成され
、このＭＲ薄膜（４）の両端から導出される金等の非磁
性のリード導電層（１１） 、（１２）が磁性基体（１
１の表面上に被着形成される。そして、このＭＲ）％ｌ
膜（４）の一端部の上に、磁性基体（１１、リード導電
層（１１） 、（１２）及びＭＲ＊膜１ａｌノ各表ｈｉ
ｔ−６ｉつ絶縁層（５）を介してＮｉ−Ｐｇ系合金等の
磁性層よりなる磁気ヨーク（６）が、ＭＲ薄１１１１１
（４）上を横切る方向に形成される。そして、磁気ヨ
ーク（６）の内端部が絶縁層（６）を介し°ζＭＲ薄膜
（４）の一端と磁気的に連結される。磁気ヨーク（６）
の外端部は、非磁性層、即ち絶縁層（５）を介して磁性
基体＋１１と対向し、この磁気日−り（６）と磁性基体
（１１との間に磁気ギャップｇが形成されるようになさ
れる。そして、ＭＲ＃１１１＋ａ、磁気ヨーク（６）を
覆って非磁性絶縁性保鏝層（８）が被覆され、これの上
に接着剤層（９）によって保護基体０１が接着される。
面に跨がる如く、例えばＮ１−ｒｅ系合金、或いはＮ１
−Ｇｏ系合金等よりなるＭＲ薄膜（４）が被着形成され
、このＭＲ薄膜（４）の両端から導出される金等の非磁
性のリード導電層（１１） 、（１２）が磁性基体（１
１の表面上に被着形成される。そして、このＭＲ）％ｌ
膜（４）の一端部の上に、磁性基体（１１、リード導電
層（１１） 、（１２）及びＭＲ＊膜１ａｌノ各表ｈｉ
ｔ−６ｉつ絶縁層（５）を介してＮｉ−Ｐｇ系合金等の
磁性層よりなる磁気ヨーク（６）が、ＭＲ薄１１１１１
（４）上を横切る方向に形成される。そして、磁気ヨ
ーク（６）の内端部が絶縁層（６）を介し°ζＭＲ薄膜
（４）の一端と磁気的に連結される。磁気ヨーク（６）
の外端部は、非磁性層、即ち絶縁層（５）を介して磁性
基体＋１１と対向し、この磁気日−り（６）と磁性基体
（１１との間に磁気ギャップｇが形成されるようになさ
れる。そして、ＭＲ＃１１１＋ａ、磁気ヨーク（６）を
覆って非磁性絶縁性保鏝層（８）が被覆され、これの上
に接着剤層（９）によって保護基体０１が接着される。
そし°ζ、両基体ｉｌ＋及びＱｌと磁気ヨーク（６）の
前端側か切削研磨されて磁気媒体との対接面（１１）が
形成される。かくして、磁性基体＋１１−磁気ギャソプ
ｇ−磁気ローク１６１− Ｍ Ｒ薄膜（４）−磁性基体
（１１によって閉磁路が形成される。
前端側か切削研磨されて磁気媒体との対接面（１１）が
形成される。かくして、磁性基体＋１１−磁気ギャソプ
ｇ−磁気ローク１６１− Ｍ Ｒ薄膜（４）−磁性基体
（１１によって閉磁路が形成される。
しかして、ＭＲ＊賎１ａ）に電流ｌを流すことによって
、その各磁気ギヤツブｇに対接ないしは対向する磁気記
録媒体よりの、これに記録された記録磁化による信号磁
界がＭＲ＠膜（４）に与えられ、これによる抵抗変化に
基ずく電気的信号、即ち再生出力信号がＭＲ５％＠膜（
４）の両端に得られ、リード導電層（１１） 、（１２
）を通じて出力される。
、その各磁気ギヤツブｇに対接ないしは対向する磁気記
録媒体よりの、これに記録された記録磁化による信号磁
界がＭＲ＠膜（４）に与えられ、これによる抵抗変化に
基ずく電気的信号、即ち再生出力信号がＭＲ５％＠膜（
４）の両端に得られ、リード導電層（１１） 、（１２
）を通じて出力される。
そして、かかる磁気ヘッドが、磁性基体（１１、その凹
溝（ｌａ）、非磁性充填部材（２）を共通として、多数
形成されることにより、ＰＣＭ信号再生用のマルチチャ
ンネルヘッドが構成される。
溝（ｌａ）、非磁性充填部材（２）を共通として、多数
形成されることにより、ＰＣＭ信号再生用のマルチチャ
ンネルヘッドが構成される。
かかる磁気ヘッドは磁性基体＋１１の表面に於いて、Ｍ
Ｒ薄膜（４）と対向する部分に凹溝（１ａ）が形成され
ているため、ＭＲ薄ＮｆＩ４（４１の中央付近から磁性
基体＋１１へ漏洩する磁束が軽減されるので、磁気的効
率が高いという利点がある。
Ｒ薄膜（４）と対向する部分に凹溝（１ａ）が形成され
ているため、ＭＲ薄ＮｆＩ４（４１の中央付近から磁性
基体＋１１へ漏洩する磁束が軽減されるので、磁気的効
率が高いという利点がある。
ところで、かかる磁気ヘッドは、ＭＲ薄膜（４）を磁性
基体（１１に磁気的に連結するために、ＭＨＩ膜（４）
が非磁性充填部材（２）及び磁性基体＋１）の各表面に
跨って被着形成されているため、次のような欠点がある
。
基体（１１に磁気的に連結するために、ＭＨＩ膜（４）
が非磁性充填部材（２）及び磁性基体＋１）の各表面に
跨って被着形成されているため、次のような欠点がある
。
ＭＲ１ｉ膜（４）の凹溝（ｌａ）、即ち充填部材（２）
への重ね合せ精度は、以下の種々の要因によって低下す
るため、ＭＲ＃膜（４１の幅Ｗを大きくしなければなら
ず、このため磁性基体（１）上の重なり部分の幅りも大
きくなり、再生出力レベルに有効な部分の幅への全体の
幅Ｗに対する率が小さくなって再生出力レベルが小さく
なり、損失が多い他に、出力レベルにバラツキが生じる
。
への重ね合せ精度は、以下の種々の要因によって低下す
るため、ＭＲ＃膜（４１の幅Ｗを大きくしなければなら
ず、このため磁性基体（１）上の重なり部分の幅りも大
きくなり、再生出力レベルに有効な部分の幅への全体の
幅Ｗに対する率が小さくなって再生出力レベルが小さく
なり、損失が多い他に、出力レベルにバラツキが生じる
。
ＭＲ＠ｌｉ！＜４）の充填部材＜１１への重ね合せ精度
の低下の要因としては、次のようなものがある。凹溝（
１ａ）を機械加工により形成する際の送すビソチ娯差、
溝幅のばらつき、チンピング、ＭＲＩＩ膜（４）の形成
のためのマスクの磁性基体（１）に対する位置合せ誤差
等がある。又、凹溝（１ａ）内に非磁性充填部材（２）
を充填する際の、磁性基体ｉｌ＋の磁気的特性の劣化が
ある。更に、凹溝（１ａ）内に充填部材（２）を充填し
た後、磁性基体＋１１及び充填部材（２）の表面をラッ
ピングするが、それでも充填部材（２）の周縁と磁性基
体（１１との境界部分に１００人オーダーの段差が生じ
、又、その境界部分にμ謝オーダーの凹凸が生じるが、
ＭＲ１ｆ１１！＋４はその厚さが数１００人程度と極く
薄いことから、それへの影響は頗る大きい。
の低下の要因としては、次のようなものがある。凹溝（
１ａ）を機械加工により形成する際の送すビソチ娯差、
溝幅のばらつき、チンピング、ＭＲＩＩ膜（４）の形成
のためのマスクの磁性基体（１）に対する位置合せ誤差
等がある。又、凹溝（１ａ）内に非磁性充填部材（２）
を充填する際の、磁性基体ｉｌ＋の磁気的特性の劣化が
ある。更に、凹溝（１ａ）内に充填部材（２）を充填し
た後、磁性基体＋１１及び充填部材（２）の表面をラッ
ピングするが、それでも充填部材（２）の周縁と磁性基
体（１１との境界部分に１００人オーダーの段差が生じ
、又、その境界部分にμ謝オーダーの凹凸が生じるが、
ＭＲ１ｆ１１！＋４はその厚さが数１００人程度と極く
薄いことから、それへの影響は頗る大きい。
発明の目的
かかる点に繻み、本発明は再生出力レベルが大で、しか
もその出力レベルのばらつきの少ない磁気抵抗効果型磁
気ヘッドを提案しようとするものである。
もその出力レベルのばらつきの少ない磁気抵抗効果型磁
気ヘッドを提案しようとするものである。
発明の概要
本発明による磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、表面に凹溝
が形成され、その凹溝内に非磁性充填部材が充填された
磁性基体と、非磁性充填部材の露出表面−ヒのみに被着
形成された磁気抵抗効果）１！膜と、磁性基体の表向の
端部と対向して磁気ギャップが形成されると共に、磁気
抵抗効果薄膜の一端と磁気的に連結された第１の磁気ヨ
ークと、磁性基体と磁気的に連結されると共に、磁気抵
抗効果薄膜の他端と磁気的に連結された第２の磁気ヨー
クとを具備して成ることを特徴とするものである。
が形成され、その凹溝内に非磁性充填部材が充填された
磁性基体と、非磁性充填部材の露出表面−ヒのみに被着
形成された磁気抵抗効果）１！膜と、磁性基体の表向の
端部と対向して磁気ギャップが形成されると共に、磁気
抵抗効果薄膜の一端と磁気的に連結された第１の磁気ヨ
ークと、磁性基体と磁気的に連結されると共に、磁気抵
抗効果薄膜の他端と磁気的に連結された第２の磁気ヨー
クとを具備して成ることを特徴とするものである。
かかる本発明によれば、再生出力レベルが大で、しかも
出力レベルのばらつきの少ない磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドを得ることができる。
出力レベルのばらつきの少ない磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドを得ることができる。
実施例
以下に、第３図及び第４図を参照して、本発明の一実施
例を詳細に説明するも、第３図及び第４図に於いて、上
述の第１図及び第２図と対応する部分には同一符号を付
して重複説明を省略する。
例を詳細に説明するも、第３図及び第４図に於いて、上
述の第１図及び第２図と対応する部分には同一符号を付
して重複説明を省略する。
例えばＮｉ−Ｚｎ系フェライトよりなる高抵抗の磁性基
体（１１の表面に凹溝（１ａ）が形成され、その凹溝（
１ａ）内にガラス等の絶縁性の非磁性充填部材（２）が
充填される。磁性基体＋１１及び充填部材（２）の各表
面は同一面とされる。
体（１１の表面に凹溝（１ａ）が形成され、その凹溝（
１ａ）内にガラス等の絶縁性の非磁性充填部材（２）が
充填される。磁性基体＋１１及び充填部材（２）の各表
面は同一面とされる。
そして、充填部材（２）の表面（露出表面）上のみに、
例えばＮｉ −Ｆｅ系合金、或いはＮ１−Ｇｏ系合金等
よりなるＭＲ薄膜（４）が被着形成され、このＭＲ薄膜
（４）の両端から導出される金等の非磁性のリード導電
層（１１） 、（１２）が充填部材（２）及び磁性基体
１１）の表面上に亘って被着形成される。そして、この
ＭＲ薄膜（４）の上に、磁性基体＋１１、リード導電層
（１１） 、（ｉ２）及びＭＲ薄膜（４）の各表面を覆
う絶縁層（５）を介してＮｌ −Ｆｅ系合金等の磁性層
よりなる第１及び第２の磁気ヨーク（６）及び（７）が
、ＭＲ薄験（４）上を横切る方向に、且つＭＲ″＃ ５
１ （４）上において所要の間隔、即ち不連続部Ｇを介
して形成される。
例えばＮｉ −Ｆｅ系合金、或いはＮ１−Ｇｏ系合金等
よりなるＭＲ薄膜（４）が被着形成され、このＭＲ薄膜
（４）の両端から導出される金等の非磁性のリード導電
層（１１） 、（１２）が充填部材（２）及び磁性基体
１１）の表面上に亘って被着形成される。そして、この
ＭＲ薄膜（４）の上に、磁性基体＋１１、リード導電層
（１１） 、（ｉ２）及びＭＲ薄膜（４）の各表面を覆
う絶縁層（５）を介してＮｌ −Ｆｅ系合金等の磁性層
よりなる第１及び第２の磁気ヨーク（６）及び（７）が
、ＭＲ薄験（４）上を横切る方向に、且つＭＲ″＃ ５
１ （４）上において所要の間隔、即ち不連続部Ｇを介
して形成される。
そして、第１及び第２の磁気ヨークｆ６）、（７）の各
内端部が絶縁層（５）を介してＭＲ薄Ｉｆｌ！ １４１
の両端と磁気的に連結される。第１の磁気ヨーク（６）
の夕４端部は、非磁性層、即ち絶縁層（５）を介して磁
性基体＋１１と対向し、この第１の磁気ヨーク（６）と
磁性基体（１）との間に磁気ギャップｇが形成されるよ
うになされる。
内端部が絶縁層（５）を介してＭＲ薄Ｉｆｌ！ １４１
の両端と磁気的に連結される。第１の磁気ヨーク（６）
の夕４端部は、非磁性層、即ち絶縁層（５）を介して磁
性基体＋１１と対向し、この第１の磁気ヨーク（６）と
磁性基体（１）との間に磁気ギャップｇが形成されるよ
うになされる。
第２の磁気ヨーク（７）の外端は、絶縁層（５）に穿設
された窓（５ａ）を通じて磁性基体＋１１に直接接触せ
しめられて磁気的に連結される。四ｍ（２’ｒの底部、
即ち非磁性充填部材（２）の１には銅等より成るバイア
ス導体（３１が充填される。そし”（、ＭＲ薄膜（４）
、第１及び第２の磁気ヨーク（６）及び（７）を覆って
非磁性絶縁性床ＮＮ（ｓ＋が被覆され、これの上に接着
剤層（９）によって保護基体０Ｉが接着される。そして
、両基体（１１及び（１（ｌと第１の磁気ヨーク（６）
の前端側が切削研磨されて磁気媒体との対接面（１１）
が形成される。かくして、磁性基体（１）−磁気ギャソ
プｇ−第１の磁気ヨーク＋６１−Ｍ Ｒ薄膜（４）−第
２の磁気ヨーク＋７１−磁性基体（１）によって閉磁路
が形成される。
された窓（５ａ）を通じて磁性基体＋１１に直接接触せ
しめられて磁気的に連結される。四ｍ（２’ｒの底部、
即ち非磁性充填部材（２）の１には銅等より成るバイア
ス導体（３１が充填される。そし”（、ＭＲ薄膜（４）
、第１及び第２の磁気ヨーク（６）及び（７）を覆って
非磁性絶縁性床ＮＮ（ｓ＋が被覆され、これの上に接着
剤層（９）によって保護基体０Ｉが接着される。そして
、両基体（１１及び（１（ｌと第１の磁気ヨーク（６）
の前端側が切削研磨されて磁気媒体との対接面（１１）
が形成される。かくして、磁性基体（１）−磁気ギャソ
プｇ−第１の磁気ヨーク＋６１−Ｍ Ｒ薄膜（４）−第
２の磁気ヨーク＋７１−磁性基体（１）によって閉磁路
が形成される。
しかして、バイアス導体（３）にバイアス磁界発生用の
電流Ｉｎを流すことにより、ＭＲｓｌ＊＋４１に所要の
バイアス磁界をりえ、ＭＲ薄Ｍ （４）に電流■を流す
ことによって、その各磁気ギャップｇに対接ないしは対
向する磁気記録媒体よりの、これに記録された記録磁化
による信号磁界がＭＲ薄膜（４）に与えられ、これによ
る抵抗変化に基ずく電気的信号、即ち群生出力信号がＭ
Ｒ＊険ｔ４）の両端に得られる。
電流Ｉｎを流すことにより、ＭＲｓｌ＊＋４１に所要の
バイアス磁界をりえ、ＭＲ薄Ｍ （４）に電流■を流す
ことによって、その各磁気ギャップｇに対接ないしは対
向する磁気記録媒体よりの、これに記録された記録磁化
による信号磁界がＭＲ薄膜（４）に与えられ、これによ
る抵抗変化に基ずく電気的信号、即ち群生出力信号がＭ
Ｒ＊険ｔ４）の両端に得られる。
そして、かかる磁気ヘッドが、磁性基体＋１１、その凹
溝（ｌａ）、非磁性充填部材（２）、バイアス導体（３
）を共通として、多数形成されることにより、ＰＣＭ信
号再生用のマルチチャンネルヘッドが構成される。
溝（ｌａ）、非磁性充填部材（２）、バイアス導体（３
）を共通として、多数形成されることにより、ＰＣＭ信
号再生用のマルチチャンネルヘッドが構成される。
かかる磁気ヘッドは磁性基体（１１の表面に於いて、Ｍ
Ｒ薄膜（４）と対向する部分に凹溝（１ａ）が形成され
ているため、ＭＲ＊賎（４１の中央付近から磁性基体Ｔ
ｌ）へ漏洩する磁束が軽減されるので、磁気的効率が高
いという利点があると共に、次のような利点がある。
Ｒ薄膜（４）と対向する部分に凹溝（１ａ）が形成され
ているため、ＭＲ＊賎（４１の中央付近から磁性基体Ｔ
ｌ）へ漏洩する磁束が軽減されるので、磁気的効率が高
いという利点があると共に、次のような利点がある。
即ち、ＭＲ＊Ｉｌｌ＋４）が非磁性充填部材（２）の露
出表面上のみに形成されているので、ＭＲ薄膜（４）は
磁性基体（１１及び充填部材（２）の境界の影響、磁性
基体（１１の磁気的特性の劣化の影響を受けず、再生出
力レベルが大きく、その出力レベルのばらつきは少なく
なる。
出表面上のみに形成されているので、ＭＲ薄膜（４）は
磁性基体（１１及び充填部材（２）の境界の影響、磁性
基体（１１の磁気的特性の劣化の影響を受けず、再生出
力レベルが大きく、その出力レベルのばらつきは少なく
なる。
発明の効果
−に述せる本発明によれば、再生出力レベルが大きく、
その出力レベルのばらつきの少ない磁気抵抗効果型磁気
ヘッドを得ることができる。
その出力レベルのばらつきの少ない磁気抵抗効果型磁気
ヘッドを得ることができる。
第１図及び第２図は従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの
要部をポず断面図及びその部分的平面図、第３図及び第
４図は本発明による磁気抵抗効果型磁気ヘッドの一実施
例の要部を示す断面図及びその一部の平面図である。 （１）は磁性基板、（２）は非磁性充填部材、（３）は
バイアス導体、＋４１ Ｌｌ： Ｍ Ｒ＊賎、（６１４
；ｌ： 絶縁層、（６１，＋７１１：を第１及び第２の
磁気ヨークである。 第１図 第２図 第３図 第４図
要部をポず断面図及びその部分的平面図、第３図及び第
４図は本発明による磁気抵抗効果型磁気ヘッドの一実施
例の要部を示す断面図及びその一部の平面図である。 （１）は磁性基板、（２）は非磁性充填部材、（３）は
バイアス導体、＋４１ Ｌｌ： Ｍ Ｒ＊賎、（６１４
；ｌ： 絶縁層、（６１，＋７１１：を第１及び第２の
磁気ヨークである。 第１図 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- 表面に凹溝が形成され、該凹溝内に非磁性充填部材が充
填された磁性基体と、上記非磁性充填部材の躇出表面上
のみに被着形成された磁気抵抗効果薄膜と、上記磁性基
体の表面の端部と対向して磁気ギャップが形成されると
共に、上記磁気抵抗効果薄膜の一端と磁気的に連結され
た第１の磁気ヨークと、上記磁性基体ぶ磁気的に連結さ
れると共に、上記磁気抵抗効果薄膜の他端と磁気的に連
結された第２の磁気ヨークとを具備して成ることを特徴
とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24617983A JPS60136018A (ja) | 1983-12-23 | 1983-12-23 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24617983A JPS60136018A (ja) | 1983-12-23 | 1983-12-23 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60136018A true JPS60136018A (ja) | 1985-07-19 |
Family
ID=17144688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24617983A Pending JPS60136018A (ja) | 1983-12-23 | 1983-12-23 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60136018A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0616318A2 (en) * | 1993-03-18 | 1994-09-21 | Fujitsu Limited | Magnetoresistive head |
| US5995339A (en) * | 1993-03-18 | 1999-11-30 | Fujitsu Limited | Magnetoresistive head with a front flux guide and an embedded MR element |
-
1983
- 1983-12-23 JP JP24617983A patent/JPS60136018A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0616318A2 (en) * | 1993-03-18 | 1994-09-21 | Fujitsu Limited | Magnetoresistive head |
| EP0616318A3 (en) * | 1993-03-18 | 1997-02-26 | Fujitsu Ltd | Magnetoresistive head. |
| US5995339A (en) * | 1993-03-18 | 1999-11-30 | Fujitsu Limited | Magnetoresistive head with a front flux guide and an embedded MR element |
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