JPS58115621A - 磁気抵抗効果型磁気ヘツド - Google Patents

磁気抵抗効果型磁気ヘツド

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JPS58115621A
JPS58115621A JP21001381A JP21001381A JPS58115621A JP S58115621 A JPS58115621 A JP S58115621A JP 21001381 A JP21001381 A JP 21001381A JP 21001381 A JP21001381 A JP 21001381A JP S58115621 A JPS58115621 A JP S58115621A
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JP
Japan
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magnetic
magnetic head
permeability magnetic
high permeability
magnetic material
Prior art date
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Pending
Application number
JP21001381A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideo Fujiwara
英夫 藤原
Yasutaro Kamisaka
保太郎 上坂
Yoshihisa Kamo
加茂 善久
Takayuki Kumasaka
登行 熊坂
Hiroshi Yamamoto
博司 山本
Moichi Otomo
茂一 大友
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Publication of JPS58115621A publication Critical patent/JPS58115621A/ja
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/187Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、磁気記録媒体対向面にギャップを形成するご
とく構成した磁気回路の一部に直列に磁気抵抗効果素子
を配した磁気抵抗効果型磁気ヘッドに関する。
磁気抵抗効果素子を磁気記録媒体の記録信号の読出しに
用いる磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、その高感度性の故
に、将来の高密度磁気記録装置における信号再生用磁気
ヘッドとして近来盛んに研究されている。この中で、特
に、耐摺動性、高分解能性の観点から、磁気記録媒体対
向面にギャップを形成するごとく構成した磁気回路の一
部に直列に磁気抵抗効果素子(以下本明細書においては
、1MR素子と略称する。)を配した磁気ヘッドも強い
関心を集めている。具体的には2例えば、第1図に示す
ごとく、ギャップ11を介して相対峙するフェライト等
の高透磁率磁性材料よりなる磁気回路構成体12.12
’の背後に後部ギャップ11′を設け、該後部ギャップ
部にMR素子13を配する案がある。しかし、この案で
は磁気回路の磁路長が長く、かつ相対峙する磁気回路形
成体間の磁束の漏洩も大きく十分な再生効率を得ること
ができないという難点がある。他の案としては、第2図
に示すごとく、基板2o上に磁性薄膜22゜22’、2
2“によって磁気回路を構成し、該磁気回路の途中にM
R素子23を配する案が提案されている。第2図におい
て、21はギャップ規制用非磁性膜である。しかし、か
くのごとき磁気ヘッドでは、磁気記録媒体対向面におけ
る磁気回路構成。
体のトラック方向長さを十分とることができず。
長波長記録の再生に不適であると同時に、短波長記録の
再生においてもコンタ−効果による雑音の混入が防ぎ難
いという難点がある。
本発明の目的は、かがる欠点を除去した短波長ならびに
長波長記録の再生に適し、コンタ−効果の小さい磁気抵
抗効果型磁気ヘッドを提供することである。
上記目的を達成するために1本発明による冒頭に述べた
種類の磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、ギャップが相対峙
するバルク状の第1および第2の高透磁率磁性体で形成
され、上記第1の高透磁率磁性体の上記ギャップ形成面
に溝が設けられ、該溝内に非磁性材料を介して第6の高
透磁率磁性体が埋め込まれて平坦化され、上記第2の高
透磁率磁性体のギャップ形成面が、上記第3の高透磁率
磁性体と磁気的に密に結合されるごとくi置され。
かつ上記磁気抵抗効果素子が、上記第3の高透磁率磁性
体および上記第1の高透磁率磁性体と磁気的に密に結合
されるごとく配置されていることを要旨とする。
以下に本発明を陰口を参照しながら実施例を用′いて一
層詳しく説明する。
本発明による磁気ヘッドは、第3図に断面図を模式的に
示すごとく、バルク状の第10高透磁本磁性体60の表
面に溝34が設けられ、該溝の中に非磁性材35を介し
て第3の高透磁率磁性体36が、その表面が、該バルク
状高透磁率磁性体30の表面と略同−面を形成するごと
く平坦化され、該バルク林の第1の高透磁率磁性体3o
の幾面にギャップ規制用非磁性膜31を介して第2のバ
ルク状高透磁率磁性体50’が、上記埋込み高透磁率磁
性体36と磁気的に密に結合するごとく配置されるとと
もに、上記表面上にMR素子33が上記埋込み高透磁率
磁性体56および上記第1のバルク状高透磁率磁性体3
0と磁気的に密に結合するごとく配置された構造を有す
る。
第3図においては、ギャップ規制膜31を第1のバルク
状高透磁率磁性体50の全表面仁亘るごとく配しである
が、必ずしもかくのごとくする必要はな(、MR素子3
3と上記平坦化された表面との間には必要に応じて別途
電気的絶縁層を設け。
ることかできる。また、MR素子35と上記高透磁率磁
性体30および36との磁気的結合は必ずしも第3図の
ごとく直接結合する必要はなく1倍の高透磁率磁性体を
介して結合することも可能である。
かくのごとき構造の磁気ヘッドは、第2のバルク状高透
磁率磁性体30′を接合する面、すなわち第1のバルク
状高透磁率磁性体30の表面と埋込。
み高透磁率磁性体36の表面が略同−面を形成するごと
く平坦化しであるので1通常の接合手法を用いて接合す
ることができるという利点を有するなお、かくのごとき
構造の磁気ヘッドにおいては、磁気記録媒体対向面がバ
ルク状高透磁率磁性体で構成されているので、トラック
方向に十分の長さをとることができるため、長波長記録
に対しても十分の感度をもたせることができるとともに
上記高透磁率磁性体のトラック方向の端部を、ヘッドの
動作時に磁気記録媒体から十分離しておくことができる
ように該端部に丸みをもたせることができるので、コン
タ−効果による雑音の混入を防ぐことができる。
本発明による磁気ヘッドは、具体的には、たとえば、以
下のごとくすることにより、容易に製造することができ
る。
第4図(a)に示すごとく、高透磁率フェライト基板4
0に深さ数μm乃至数十μmの溝44を研MV蝕刻等の
手段によシ設け、ついで、第4図(b)に示すごとく、
上記溝と略垂直方向に等しいピッチでトラック幅に略等
しい2幅数μm乃至数百μmの凸部47a、 J7a−
47b、 47b’が残ルコトく複数本ノ溝48a、 
48a% 48b、 48b’−・・を設け、上記溝4
4および48を埋めるごとくガラス充填を行なった後。
平面研削、研摩等の平坦化手法により2表面を平坦化j
−で、第4図(C)に上面図を示すごとき基体55を準
備する。つぎに、該基板の溝44を埋めた非磁性体部に
第4図(d)に示すごとき浅い溝49を設け、該溝を埋
めるごとく蒸着、スパッタリング等の手法によりパーマ
ロイ等の高透磁率磁性体50を付着せしめた後2表面を
平面研削、研摩等の平坦化手法により平坦化して、上記
高透磁率磁性体の表面が、フェライト基板の表面と略同
一平面上に来るごとく、シかる後にギャップ規制用なら
びに電気的絶縁用として、5i02等の非磁性薄膜51
を付着せしめ、第4図(e)に示すごとく上記高透磁率
磁性体50およびフェライト基板の溝の縁にかかるごと
く、厚さ数十nm・、長さ数μm乃至、数百μmのMR
素子膜45a、 45b・・・・・・を形成し、各MR
素子の両端に、電流端子用導線52a、 52at52
b、 52b−・・・・・・および電圧端子用導線53
a、 53a’53b、 53b−・・・・・・を設け
た後、上記素子および端子の一部を覆うとと(,8i0
2等の保護膜を形成して、MR素子担体54をを準備す
る。一方、第4図(b)に示した基体55の作製と同様
の手法により第5図(a)に示したようなフェライト等
のバルク状高透磁率磁性体60の表面に溝64および、
上記基体と同一ピッチの凸部を残すような複数本の溝6
8a、 68a’、 68b、 68b’、 −・−・
−を設け、該溝64および68a、 68a′、6sb
、 6Bb’−・−を埋めるごとくガラス。
樹脂等の非磁率材料を充填した後9表面を平坦化して基
体65を作製し、これを同図鎖線で示した箇処で二分し
て半基体66.66’となし、これを第6図に示すごと
く上記MR素子担体54上に重・ねて接合する。上記接
合に当っては、上記溝に充填した非磁性材料がガラス等
の加熱により軟化。
熔融する物質であるときは、単に加圧加熱することによ
り接合可能である。上記充填非磁性材料力゛熱硬化性樹
脂のごとく、軟化、熔融の困難な物質であるときは、上
記非磁性材料充填部の少くとも一部に凹部(図示せず)
を設け、接着剤を入れて接合する等の手段により接合す
ることができる。
かくして得られた接合ブロックから単独の磁気ヘッドチ
ップを得るには、該接合ブロックのギャップ形成端面側
を研削、研摩等の手段により2例えば第6図に一点鎖線
で示すごとく、ギヤツブ深さならびに磁気記録媒体対向
面の形状を適当に定め。
点線で示すごとく切断する等の手法が用いられる。
また、上記切断を行なわなければ、そのまま、マルチト
ラックヘッドを作製することもできる。マルチトラック
ヘッドの作製に当っては、MR素子に接合する電流端子
用導線は、必ずしも各MR素子独立にする必要はなく、
複数個のMR素子に共通することも可能である。なお上
記例ではMR素子にバイアスをかける手段を示さなかっ
たが、適宜これを設けることができるのは当然である。
以上説明した通り9本発明によれば短波長ならびに長波
長記録の再生に適し、コンタi効果の/Jトさい磁気抵
抗効果型磁気ヘッドを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの一例の模式
的側面図、第2図は従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの
他の例の模式的断面図、第3図は本発明の磁気ヘッドの
模式的断面図、第4図は本発明の磁気ヘッドの製造過程
の一例における第1の基体の製造過程を示す斜視図、上
面図および断面図、第5図は上記磁気ヘッドの製造過程
において用いる第2の基体の斜視図、第6図は上記磁気
ヘッド製造過程の最終工程を示す斜視図である。 11 ・・・・・・・・・・・・ギャップ11′・・・
・・・・・・・・・後部ギャップ12.12’・・・・
・・磁気回路構成体13.23.53・・・・・・磁気
抵抗効果素子20・・・・・・・・・・・・基板 21、51・・・・・・ギャップ規制用非磁性膜22、
22’、 22’・・・・・・磁性薄膜30・・・・・
・・・・・・・第1の高透磁率磁性体30′・・・・・
・・・・・・・第2の高透磁率磁性体34・・・・・・
・・・・・・溝 35・・・・・・・・・・・・非磁性材36・・・・・
・・・・・・・第3の高透磁率磁性体40・・・・・・
・・・・・・フェライト基板43a、 43b、 ・・
・・−MR,素子膜44 ・・・・・・・・・・・・溝 47a、 47a’、 47b、 47b; ・−・−
凸部48a、   48a;   4sb、   48
bz −・−−−−溝49・・・・・・・・・・・・浅
い溝 50・・・・・・・・・・・・高透磁率磁性体51・・
・・・・・・・・・・非磁性薄膜52a、 52a−5
2b、 52b’、−−−−−−電流端子用導線55a
、 55a’、 55b、 55b’、−−−−−−電
圧端子用導線り、、、、、、、、、、、、M R素子担
体55.65S・・・・・基体 60・・・・・・・・・・・・バルク状高透磁率磁性体
64 ・・・・・・・・・・・・溝 66.66’・・・・・・半基体 68a、 68a’、 68b、 68b’ ・−・−
溝代理人弁理士 中 村 純之助 矛1図  才2図 1’3図 才4図 (Q) (b) (C) 中4図 (d) 9 (e) 0 第1頁の続き 0発 明 者 山本博司 国分寺市東恋ケ窪−丁目280番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 0発 明 者 犬友茂− 国分寺市東恋ケ窪−丁目280番 地株式会社日立製作所中央研究 所内

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 磁気記録媒体対向面にギャップを形成するごとく構成し
    た磁気回路の一部に直列に磁気抵抗効果素子を配した磁
    気ヘッドにおいて、上記ギャップ。 が相対峙するバルク状の第1および第2の高透磁゛率磁
    性体で形成され、上記第1の高透磁率磁性体の上記ギャ
    ップ形成面に溝が設けられ、該溝内に非磁性材料を介し
    て第3の高透磁率磁性体が埋め、込まれて平坦化され、
    上記第2の高透磁率磁性体のギャップ形成面が、上記第
    3の高透磁率磁性体と磁気的に密に結合されるごとく配
    置され、かつ上記磁気抵抗効果素子が、上記第3の高透
    磁率磁性体および上記第1の高透磁率磁性体と磁気的に
    密に結合されるごとく配置されていることを特徴とする
    磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
JP21001381A 1981-12-28 1981-12-28 磁気抵抗効果型磁気ヘツド Pending JPS58115621A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4803581A (en) * 1983-09-26 1989-02-07 Sharp Kabushiki Kaisha Thin film yoke-type magnetoresistive head
EP0727645A1 (en) * 1994-08-23 1996-08-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Magnetic signal detector

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