JPH06251324A

JPH06251324A - 磁気抵抗効果再生型複合磁気ヘッドとその製造方法

Info

Publication number: JPH06251324A
Application number: JP5040995A
Authority: JP
Inventors: Toshihiko Ota; 俊彦大田; Futoshi Nakamura; 太中村
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1993-03-02
Filing date: 1993-03-02
Publication date: 1994-09-09

Abstract

(57)【要約】【目的】記録再生分離のピギーバック型ヘッドにおい
て、巻線を被覆銅線などで行う場合に被覆剥がれや断線
を防止し、巻線作業を容易化し、記録電流の最適範囲を
拡大すること。【構成】誘導型記録ヘッドを構成する巻線溝７付のコ
アブロックＡ及び巻線溝なしのコアブロックＢを接合
し、巻線溝７を一旦非磁性絶縁材料８で充填した後、コ
アブロックＢを厚さ３０μm 以下まで削り、前記充填さ
れた巻線溝部分に巻線穴１０を穿孔する。その巻線穴は
入口が広く出口が狭い円錐台形状で、出口及び入口の縁
が丸味を帯びるようにした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、誘導型記録ヘッドと、
磁気抵抗効果型再生ヘッドとを積層して成る複合型ヘッ
ドに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、磁気記録の高密度化が進み、ＶＴ
Ｒでは７８Mb／cm² （５００Mb／inch² ）、ＨＤＤ（ハ
ードディスク駆動装置）では３１Mb／cm² （２００Mb/i
nch²）という高記録密度のシステムが商品化されてい
る。これらのシステムでは、主に誘導型のヘッドが用い
られている。一方、ある種の磁性薄膜や磁性多層薄膜等
の電気抵抗が、外部磁界によって変化するという磁気抵
抗効果を用いたヘッドも、以前から知られている。この
磁気抵抗効果型ヘッド（以下でＭＲヘッドと呼ぶ）は、
ヘッドと媒体の相対速度が遅いシステムでも高出力が得
られるため、これまでは固定ヘッド方式のテープ媒体を
再生するシステムに主に用いられてきた。しかし、最近
は、相対速度が数メータ／秒と遅い相対速度をもつ小型
ＨＤＤに対しても、ＭＲヘッドはその高Ｓ／Ｎ性から、
誘導型に代わって用いられ始めた。

【０００３】さて、ＭＲヘッドでは、図１９に示すよう
に、磁気抵抗効果を示す素子（ＭＲ素子５１）に、リー
ド線５２、５３を通してセンス電流Ｉｓと呼ばれる直流
ないしは交流の定電流を通電し、この素子の電気抵抗が
媒体５０からの磁界に応じて変化することを利用して、
媒体の残留磁化を検出するものである。

【０００４】よく知られているように、磁気抵抗効果に
は、電流と磁化のなす角度によって電気抵抗が変わる異
方性磁気抵抗効果と、隣り合う層の磁化のなす角に依存
して電気抵抗が大きく変化するスピン依存散乱による磁
気抵抗効果とがある。

【０００５】これらの磁気抵抗効果を利用するＭＲヘッ
ドは、媒体からの漏れ磁界を高感度、高Ｓ／Ｎで検出す
るには適しているが、媒体を磁化することはできないの
で、磁気記録に用いるには記録ヘッドを別に用意し、記
録されたトラックをＭＲヘッドが通過するよう、２ケの
磁気ヘッドを配置する必要がある。この配置の方法とし
ては、記録ヘッドとＭＲヘッドを別々に作成し、所定の
位置合わせをしてから位置を固定する方法と、基板上に
固定したＭＲヘッド上に記録ヘッドを固定する方法とが
考えられている。

【０００６】このうち、トラックが直線でない磁気ディ
スクで使用する場合には、記録ヘッドとＭＲヘッドのオ
フトラックを小さくする必要があり、このため記録ヘッ
ドと磁気ギャップとＭＲヘッド素子部までの相対距離を
数ミクロン程度まで小さくすることができる後者に属す
る図２０のピギーバック型薄膜ヘッドが用いられてい
る。図２０において、５１がＭＲ素子、５５が記録ヘッ
ド、５５はシールド壁である。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このピ
ギーバック型薄膜ヘッドは、工数が多いため歩留まりが
悪い上、耐熱性が２５０℃程度しかないＭＲ素子の特性
を劣化させないようにするためには、先に形成されたＭ
Ｒヘッド上に記録ヘッドを形成する次のプロセスで、こ
の温度を越えないよう、低温プロセスを用いる必要があ
る。従ってこの条件を満たすことが可能なメッキプロセ
スを用いる必要があり、このため磁性膜材料はＮｉＦｅ
に限定されているのが実情である。

【０００８】トラック幅が狭い場合、磁極先端部の組成
と後部の広い部分の組成が異なるため、磁極の磁歪が場
所ごとに異なり、磁区を制御するのが困難となり、ヘッ
ドの効率をさげる。ＭＲの熱劣化を防止するため、記録
ヘッドを先に形成し、ＭＲ再生ヘッドを上に重ねる方法
も考えられ、この方法では記録ヘッド材料はＮｉＦｅよ
り飽和磁束密度Ｂｓの大きい材料を用いることができる
ため、より磁化転移幅の狭い磁気記録を実現することは
可能となるが、凹凸のある記録ヘッドの上にＭＲ素子の
ように数１００Åの薄い膜の特性を確保するためには、
記録ヘッドの凹凸より厚い非磁性体膜を一旦形成し、し
かる後に平坦化する必要があり、さらに工数が増える。
このため図２０のピギーバック型薄膜ヘッドは従来の誘
導型薄膜ヘッドよりは高価なものとなってしまう。

【０００９】また、記録ヘッドを公知のバルクヘッドで
形成し、ＭＲ再生ヘッドをその上に形成する方法も考え
られるが、この場合にはバルクヘッドのポール長さが大
きいため、記録ヘッドと磁気ギャップとＭＲヘッド素子
部までの相対距離が数百ミクロン程度に大きくなってし
まい、記録ヘッドとＭＲヘッドのオフトラックを小さく
することが実際上不可能となる。さらに、この型のヘッ
ドは、ヘッドの磁気飽和が生じにくいため、記録電流を
増加していった場合、ある電流以上では記録減磁が生じ
てしまい、実際に使用する場合には、最適記録電流を探
し、コントロールするという作業が必要であった。

【００１０】取りわけ、巻線を被覆銅線などで行う場合
に、巻線穴の切り立った縁部で巻線がこすられ、被膜が
剥がれることによる絶縁不良や断線が生じるだけでな
く、剥離した被覆材料が媒体面に付着し、ヘッドクラッ
シュを起こす恐れがあった。また、被覆線を巻線穴に通
す場合に、穴径が大きい方が線を通しやすく巻線不良も
少ないが、その一方磁路長が大きくなり、ヘッドの効率
を低下させる。このため従来は、コア接合用ガラスの量
を精密に制御し、図２２のように、巻線穴付近のガラス
を接合強度限界に近くして、できるだけ穴径を大きくす
る方法が用いられ、その結果、チップ強度を低下させチ
ップ破損が生じる場合があった。そこで本発明は上述し
た課題に対処して、チップ強度を低下させることなく、
記録電流の最適範囲の広い磁気抵抗効果再生型複合磁気
ヘッド及びその製造方法を提供する。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、第１に、誘導
型記録ヘッドと磁気抵抗効果型再生ヘッドとが積層され
て成る複合型ヘッドにおいて、前記誘導型記録ヘッドの
巻線が被覆導体線で構成され、巻線穴は入口が広く出口
が狭い実質的に円錐台形の空孔で、出口／入口の孔端径
の比が０．６〜０．８であり、出口及び入口の外方に夫
々１０μm 〜１００μm の盛り上がり部が形成されてい
ることを特徴とする磁気抵抗効果再生型磁気ヘッドの構
造を提案する。

【００１２】本発明は、第２に、前記の磁気抵抗効果再
生型磁気ヘッドを製造するための、下記のポイントを含
む製造方法を提案する。ＭＲ素子の特性を劣化させないようにするため、誘
導型記録ヘッドのコア部分を先に形成する。巻線溝を設けた磁気コアブロックＡ及び巻線溝を設
けない磁気コアブロックＢの接合体の機械的強度を増
し、磁気コアブロックＢの厚さが数ミクロンになるまで
削り取り可能にするために、巻線溝全体を例えばガラス
などの非磁性絶縁材料で一旦充填する。前記充填材料に改めて巻線穴を設ける。この巻線穴
の出口の大きさは、所望の巻線数を収容するのに必要且
つ十分な程度で、入口の大きさは出口よりも広くして巻
線の挿入を容易化する。巻線穴の入口及び出口に切立った縁部が生じないよ
うにするため、夫々の穴の外方に盛り上り部が形成され
るような穿孔手段、例えばレーザ光による穿孔方式を採
用する。

【００１３】

【実施例】

（１）誘導型記録ヘッド部分：まず、図１の記録ヘッド
部分の製造方法を説明する。ここでは積層型ヘッドを例
にとっている。通常用いられている積層型ヘッドでは、
図２（イ）のように、まず非磁性基板１を複数用意し、
それぞれの基板の片側に、スパッタリングや蒸着を用い
て、センダストやＦｅＺｒＮなどの磁性薄膜２を数ミク
ロン厚に形成する。さらにＳｉＯ₂ やアルミナの非磁性
絶縁膜３を例えばスパッタリングにより数千オングスト
ローム形成し、さらに磁性膜４を形成する。このよう
に、磁性膜と非磁性絶縁膜を交互に、トラック幅と同じ
厚さないしはそれ以上の厚さまで積層したもの図２
（イ）を複数個用意し、それらを図２（ロ）のように積
み重ね、例えばガラスなどで接合し、次にブロック図２
（ロ）を図の破線５、６に沿って分割し、片側のブロッ
ク（以下コアブロックＡ）に巻線溝７を形成し、もう一
方のブロック（以下コアブロックＢ）とともに、磁気ギ
ャップ面を鏡面にポリシングし、コアブロックＡ、Ｂの
磁性膜がギャップ膜を介して対向するように配置して、
所定の膜厚のＳｉＯ₂ などのギャップ膜を介して、例え
ばガラスなどでコアブロックＡ、Ｂを接合し、図２
（ハ）の記録ヘッド集合体ブロックを得る。

【００１４】本発明では、この接合方法が通常のバルク
ヘッドと異なる。通常のヘッドでは巻線溝７はエナメル
線が複数回巻けるだけの大きさの穴が開いている必要が
あるが、本発明では、巻線溝７が例えばガラスなどの非
磁性絶縁材料８により略充填されるようにすることが重
要である。次に、研削、ポリシングなどの方法で、図２
（ハ）の点線の位置９（コアブロックＢ端の磁気ギャッ
プからの距離が３０μm 以下）まで削除し、図３のブロ
ックＣを得る。このとき、巻線溝７が例えばガラス８な
どにより略充填されていない場合には、コアブロックＢ
は削除工程で破損してしまうので、この加工に耐えるだ
けのガラス８が充填されている必要がある。これで、図
３の形の積層型ヘッドブロックＣを作成する方法を説明
した。

【００１５】本発明での記録ヘッドは積層型ヘッド以外
に、ＭＩＧ(Metal In Gap)ヘッドあるいはその他のバル
クヘッドのどれでも良く、また単磁極ヘッドでもよい。
本発明では、記録ヘッドはコイルに電流を流した場合
に、磁界が外部に発生し、磁気媒体を磁化できるもので
あれば、記録ヘッドの形状や材料にはこだわらない。

【００１６】（２）ＭＲヘッド部分：次に、ＭＲヘッド
部分の一例を説明する。ここでは、ＭＲヘッドとしては
シールド型ＭＲをとりあげ、磁界検出原理としてＮｉＦ
ｅの異方性磁気抵抗効果を利用し、バイアス磁界はＭＲ
膜に近接させたソフト膜を用いた、いわゆるＳＡＬ(Sof
t Adjacent Layer) 膜方式のシールド型ＭＲヘッドを例
としてとりあげる。しかしながら、本発明で利用するＭ
Ｒヘッドは、図２１（イ）のシールド型、ノンシールド
型、図２１（ロ）のヨーク型あるいはその他の型のどれ
でもよく、また、磁界検出原理は異方性磁気抵抗効果で
もよいし、スピン依存散乱を利用したスピンバルブでも
良いし、人工格子の巨大ＭＲ効果を利用したものでも良
い。半導体や半金属のホール効果を利用したものでも良
いし、またトンネル効果を利用したＳＴＭやＡＦＭやＭ
ＦＭその他の方法でもよく、磁気信号を電気信号に変換
するのに、磁気誘導によりコイルに誘起される電気信号
を検出するものでなければ、この検出方法は問わない。

【００１７】例えば、図４のＭＲ素子を得る場合、図５
（イ）のように、厚さ０．１mm〜１mm程度の透明の非磁
性基板１１を用意し、エッチング、レーザー加工、超音
波加工機などで、径が数ミクロンから数mmの複数個の貫
通孔１２を形成する。このとき、後のヘッド１ケ当たり
貫通孔を２ケ以上割り当てられるようにし、図５（イ）
の１ヘッド当たり複数の貫通孔を一組とし、この一組が
マトリックス状に上下左右に繰り返えされる。上下方向
のピッチは図２（ロ）の巻線溝７のピッチと同一であ
り、左右方向のピッチは図２（ロ）のトラック部分のピ
ッチと同じピッチで繰り返されるように、貫通孔を配置
する。

【００１８】次に、メッキなどの方法で、貫通孔の内側
に銅や金等の導電体１３を充填し、さらに基板をポリシ
ングで平坦化し、図５（ロ）のＭＲ用ウェーハを得る。
このウェーハを基板としてＭＲヘッドを薄膜技術を用い
てマトリックス状に作成する。このＭＲヘッドの配列ピ
ッチも、上記記録ヘッドのピッチと同一にする。ＭＲヘ
ッドの構造やプロセスは本発明では問わない。例えば J
ournal of Applied Physics 誌、 Vol. 53, 2605頁 (19
82年) に紹介されているように、縦バイアスを反強磁性
体とＮｉＦｅの交換結合で与え、横バイアスはＳＡＬ膜
を併置し、自己電流で与える構造としてもよい。銅や金
その他のリード線も、公知のエッチングやリフトオフで
形成する。このとき、リード線はビアホールと接続する
ようにする。

【００１９】図６〜図９はシールド型ＭＲの製造方法の
一例を示したものである。前述のように、外部回路との
接続のために、あらかじめ貫通孔に導電性金属１３を埋
め込んだ０．３mm厚の基板１１（図６（イ）参照）を用
意し、その上にシールド用のＮｉＦｅなどの軟磁性薄膜
１４を２μm 、全面に形成する（図６（ロ）参照）。次
にシールド部分とボンディングパッド部分１４ａを残し
て、残りの部分を公知のリングラフィとイオンミーリン
グなどのエッチング方法を用いて図６（ハ）のように除
去する。次にＳｉＯ₂ などの非磁性絶縁体の薄膜１５を
スパッタリングやＣＶＤ法などの方法で全面に形成す
る。この非磁性絶縁体の厚さは、シールド膜の厚さより
０．１μm 程度薄くしておく（図６（ニ）参照）。さら
に、図７のように非磁性絶縁膜より高硬度の非磁性絶縁
膜、例えばアルミナなどの膜１６を０．１μm 程度の厚
さに形成する。この厚さは、先ほど述べたシールド膜と
絶縁膜の厚さの差と同程度であることが重要である。

【００２０】次に図７の膜面をポリシングする。ポリシ
ング工程では、まず最初にシールド膜やボンディングパ
ッドの上のアルミナ膜およびＳｉＯ₂ 膜がラップ盤に接
触するが、この部分は他の部分より突出しているのです
ぐに除去され、次にシールド膜やボンディングパッド膜
とアルミナ膜が同一平面上に露出する。アルミナ膜の表
面に占める面積はシールド膜部分やパッド部分より広
く、またアルミナは研磨速度が遅いため、この状態では
ラップ速度が急激に遅くなる。さらにラップを続ける
と、ついにはアルミナがすべて除去され、ＳｉＯ₂ 膜と
シールド膜やボンディングパッド膜１４とが同一平面と
なる部分が露出する（図８（イ）参照）。この段階で
は、ＳｉＯ₂ はアルミナより研磨速度が速いため、ラッ
プ速度は急激に早くなる。

【００２１】いま説明している本発明の例では、ラップ
速度が遅くなってしばらくして再び早くなる前にラップ
を完了させるようにする。するとラップ完了の状態で
は、シールド膜やボンディングパッド膜とアルミナ膜が
同一平面にあり、しかもシールド膜やボンディングパッ
ド膜の厚さの誤差は、アルミナ膜の厚さ以下、すなわち
この例では０．１μm 以下に押さえられる。

【００２２】次にアルミナなどの非磁性絶縁膜１７を、
ＭＲ膜とシールド膜の距離ｇと等しくなる厚さに図８
（ロ）のように形成したあと、公知の方法でボンディン
グパッド部の非磁性絶縁膜を除去し、ビアホールを形成
する（図示せず）。

【００２３】次にＭＲ用ＮｉＦｅ、バイアス用反強磁性
膜１８、ＳＡＬ膜１９を形成し、所定のストライプにパ
ターニングする（図９）。次に銅、金などの導電性薄膜
をリフトオフ、エッチングなどの方法でパターン形成
し、ＭＲのリード線５２、５３とする（図１０（イ）、
（ロ）参照）。

【００２４】次に、再びアルミナ膜を厚さｇだけ形成
し、さらに、同様の方法でシールド膜のもう一方をパタ
ーニングする。このとき、必要に応じて、ＭＲのリード
線の一部が絶縁膜を介してシールド膜で覆われても良い
し、リード線の一部にシールド膜が積層された構造とな
っても良い（図示せず）。

【００２５】次に必要に応じて、アルミナ膜を数μm 程
度の厚さに形成し、再びポリシングしシールド膜の上の
アルミナ膜の厚さが所定の例えば１μm になるように平
坦化する。これでＭＲヘッドの工程は終了し、図４（シ
ールド膜は図示せず）のウェーハが得られる。

【００２６】（３）記録ヘッド部分と再生ヘッド部分の
結合、及びブロック分割：次に図３の記録ヘッド集合ブ
ロックと図４のＭＲヘッドウェーハとを接着剤やガラス
などで接合し、図１１のブロックＤを得る。このとき、
記録ヘッドとＭＲヘッドが所定の相対位置となるよう、
合わせマークなどを用いて正確に位置合わせを行う。こ
の接合では、あらかじめ接合面に接着剤やガラス形成し
ておき、位置合わせ後に加圧加熱などで固着してもよい
し、位置合わせ後に接着剤やガラスを流しこんでもよ
く、接合手順は問わない。

【００２７】次に、ブロックＤの媒体と対向する側の形
状を整える。この例では、ウインチェスタ型のエアベア
リングサーフェス (Air Bearing Surface ／ＡＢＳ面）
を形成する場合をとりあげてある。図１１の矢印の点線
３０に沿ってブロックＤを分割し、治具に取り付けギャ
ップデプスが所定の値になるまで、ＡＢＳ面をポリシン
グする（図１２）。次に図１２の点線３１〜３７の部分
をエッチングや研削してＡＢＳ幅を規制し、次に空気流
の流入側のテーパ部分を形成し、図１２の矢印の点線３
８に沿って分割して図１（イ）のヘッドチップＥを得
る。

【００２８】（４）巻線穴の穿孔：次に、巻線溝７に充
填されていたガラス８を取り除き巻線穴１０を形成す
る。このとき、巻線穴１０はヘッド強度の確保のため
に、図１３のごとく、２ケの穴口の一方１０ａを広く
し、他方１０ｂを被覆線部分の総断面積とほとんど等し
くし、広い方から被覆線を挿入し、コアとＭＲヘッドを
周回して再び広い方の穴口にもどるようにする。このと
き、被覆線の剥離を防止するため、図１４のように、入
口と出口の縁１０ｃが曲線となる形状が望ましい。その
ため、本発明者はレーザ光を用いた穿孔実験と超音波加
工機を用いた実験を行なった。

【００２９】図１５は、コーニング社製の７０５９ガラ
スの厚さ２５０μm の薄板にピーク値１KW、平均１００
Ｗの炭酸ガスレーザ光（例示であって、他のレーザ光で
も可能である。）を照射し、穴形状のパルス幅の依存性
を調べた状況を示す図である。パルス幅が２msと長い場
合には、穴は１０ｓで貫通したが、図１５（イ）のよう
に、入口と出口の縁が大きく盛り上がり、また照射され
た部分の温度が高すぎたためか、後でガラス部分にクラ
ックが発生していた。パルス幅０．５msのときには貫通
までに２０ｓを要し、図１５（ロ）のように入射側の内
径は２８０μm、出口側の内径は２００μm であり入口
及び出口にはガラスが２０μm 程度盛り上がっていた。
またパルス幅が０．１msのときには貫通に１０分を要
し、図１５（ハ）のように盛り上がった。この３つの形
状の穴に２５μm のエナメル被覆銅線が何回巻けるかを
調べた。その結果図１５において（イ）では平均４８
回、（ロ）では３５回、（ハ）では３２回であったが、
（イ）ではエナメル被覆の剥離粉が多発し、銅線が途中
で切れる場合も多かった。一方、（ロ）、（ハ）ではこ
のような問題は生じなかった。従って、このレーザ装置
の場合、パルス幅０．５ms程度が本発明の実施には適し
ており、最良の実施態様に相当する。

【００３０】一方、超音波加工機で、１００μm 径のホ
ーン径を用いてパワーを変えて穿孔を試みたが、穴エッ
ジ部分がするどく、さらに貫通する前にクラックが多発
し、本発明の穴形状は得られなかった。

【００３１】本実施例では、前述したような条件でヘッ
ドに穿孔を施し、さらに、ＭＲ素子基板の裏面に設けら
れたパッド部にＭＲヘッド信号取りだし用のワイアを接
続し、コイルを記録ヘッドの片側のコアとＭＲヘッド基
板とを周回して巻き、図１（イ）のバルクヘッド記録−
ＭＲ再生の複合ヘッドを得た。

【００３２】次に、このヘッドの電磁変換特性を測定し
た。図１８のように、コア厚さが３０μm 程度以下の場
合、記録電流を増加させていくと、再生出力は最初は増
加したがすぐに飽和し、そのまま大きな変化はなかっ
た。これは、このヘッドのコアの片側が図１のごとく薄
膜ヘッド並みに薄く、そのため媒体から遠い部分が強い
磁界では磁気飽和を起こし、電流を増加させても磁極先
端の磁界が強くならないためと考えられる。

【００３３】これまで説明したのは、別々に用意したバ
ルクヘッドとＭＲヘッドを所定の配置で接合して複合ヘ
ッドを得る方法であった。別の実施例として、図３のよ
うなバルク型記録ヘッド集合体を基板とし、通常の薄膜
技術を用いてＭＲヘッドを図１０と同様の方法で形成し
たのち巻線穴の充填材の一部を取り除いて巻線を通す方
法でもよい。このときにはＡＢＳ面を形成するときに、
ＭＲヘッドの膜はがれを防止するために、通常用いられ
ている２０μm 程度の厚いアルミナ保護膜が必要であ
り、リード線はアルミナ膜を貫通して形成する方法が適
している。

【００３４】（５）別の実施例：別の実施例として、バ
ルク型の垂直ヘッド集合ブロックにＭＲヘッドを接合す
る方法を説明する。この場合には、垂直ヘッド集合ブロ
ックの作成方法が異なるだけで、ＭＲヘッド部分はこれ
まで説明したものと同じでよい。

【００３５】垂直ヘッド集合ブロックは例えば次のよう
にして得られる。まず例えば図１６のフェライトのブロ
ック４１と非磁性絶縁体の接合体ブロック４２を用意
し、高飽和磁束密度を持つ軟磁性膜４３を積層し、さら
にＳｉＯ₂ などの保護膜４４を重ねる。次に所定のトラ
ック幅と配列ピッチを得るよう、公知の方法でパターン
エッチングをする。次に巻線溝４５が施された非磁性ブ
ロック４６（図１７）を用意し公知の方法でガラス接合
し接合体Ｊを得る。このとき、巻線溝４５がガラスで充
填されるようにするのは、前述と同様重要なポイントで
ある。あとは、この接合体ＪにＭＲヘッドウェーハを接
合しても良いし、このＪを基板としてＭＲヘッドを薄膜
プロセスで形成してもよい。そして、あとで巻線溝４５
内のガラス４７を、本発明の形状に仕上げれば、垂直ヘ
ッド記録、ＭＲ再生の複合ヘッドが得られる。

【００３６】狭トラック記録ヘッドが必要な場合には、
ＡＢＳ面からトラック規制用の溝をエッチングなどで形
成しても良い。ＡＢＳ面のこの凹みをなくしたならば、
ＡＢＳ面にアルミナなどの非磁性絶縁膜をエッチング深
さより厚く形成し、あとでＡＢＳ面を研磨して平坦にす
ればよい。

【００３７】これまでの実施例では、主にウインチェス
タ型の複合ヘッドを作成する場合の例を説明してきた
が、本発明はウインチェスタ型のヘッドに限定されるも
のではなく、フロッピーヘッド、ＶＴＲ用ヘッド、ある
いはポイントコンタクト型のヘッドにも適用できる。

【００３８】（６）本発明の他の実施態様：（１）記録ヘッドのコアの再生ヘッドと隣接する側のポ
ール長さが、３０μm以下であることを特徴とする磁気
ヘッド。（２）記録ヘッドのコアの再生ヘッドと隣接する側のポ
ールの平均的な容易軸が、デプス深さ方向と実質的に直
角方向であることを特徴とする磁気ヘッド。（３）再生ヘッドの信号取りだしリードは、再生素子が
形成された側から基板裏面まで、ウェーハを貫通して配
置され、外部回路との接続パッドは基板裏面に配置され
ていることを特徴とする磁気ヘッド。（４）コイルはこの除去された穴を貫通し、コアＢと再
生ヘッドの基板を取り巻いて巻かれていることを特徴と
する磁気ヘッド。

【００３９】

【発明の効果】本発明の誘導型記録ＭＲ再生の複合ヘッ
ドにおいては、巻線の不良が減少し、信頼性が改善され
た。さらに高Ｂｓ磁性膜をコアとする記録ヘッド記録も
可能となり、また記録電流の最適値範囲が広がったの
で、記録電流を精密にコントロールする必要がなくなっ
た。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のピギーバック型ヘッドの実施例を示す
図である。

【図２】同記録ヘッド部分の製造段階を示す図である。

【図３】同記録ヘッド部分の完成ブロックＣを示す図で
ある。

【図４】同ＭＲヘッド部分の実施例を示す図である。

【図５】同ＭＲヘッド部分の基板を示す図である。

【図６】同ＭＲヘッド部分の製造段階を示す図である。

【図７】同ＭＲヘッド部分の製造段階を示す図である。

【図８】同ＭＲヘッド部分の製造段階を示す図である。

【図９】同ＭＲヘッド部分の製造段階を示す図である。

【図１０】同ＭＲヘッド部分の製造段階を示す図であ
る。

【図１１】同記録ヘッド部分とＭＲヘッド部分を接合し
て得たブロックＤを示す図である。

【図１２】ブロックＤの加工方法を示す斜視図である。

【図１３】ヘッドの巻線穴を示す斜視図である。

【図１４】巻線穴を示す拡大断面図である。

【図１５】巻線穴の形状のパルス幅依存性を示す図であ
る。

【図１６】本発明の垂直記録用単磁極ヘッドの例を示す
図である。

【図１７】本発明の垂直記録用単磁極ヘッドの例を示す
図である。

【図１８】本発明のヘッドの入出力特性を示す図であ
る。

【図１９】磁気抵抗効果素子の原理説明図である。

【図２０】従来のピギーバック型ヘッドの構造図であ
る。

【図２１】従来のＭＲヘッドの構造図である。

【図２２】従来の巻線穴におけるガラス充填状況図であ
る。

【符号の説明】

１非磁性基板２、４磁性薄膜３非磁性絶縁膜７巻線溝８非磁性絶縁材料（充填物）１０巻線穴１１基板１４ａボンディングパッド５１ＭＲ素子５２、５３リード線

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】誘導型記録ヘッドと磁気抵抗効果型再生
ヘッドとが積層されて成る複合型ヘッドにおいて、前記
誘導型記録ヘッドの巻線が被覆導体線で構成され、巻線
穴は入口が広く出口が狭い実質的に円錐台形の空孔で、
出口／入口の孔端径の比が０．６〜０．８であり、出口
及び入口の外方に夫々１０μm 〜１００μm の盛り上が
り部が形成されていることを特徴とする磁気抵抗効果再
生型複合磁気ヘッド。
【請求項２】巻線溝を設けた磁気コアブロックＡ及び
巻線溝を設けない磁気コアブロックＢの突合せ部にギャ
ップスペーサを介在させて、両コアブロックＡ及びＢを
接合して成る誘導型記録ヘッドコア組立体を用意する工
程と、前記巻線溝に非磁性絶縁材料を充填する工程と、前記磁気コアブロックＢの前記磁気コアブロックＡに対
接する厚さが３０μm以下になるまで、前記磁気コアブ
ロックＢの背面を削り取る工程と、別に用意した薄膜ＭＲヘッドを、前記磁気コアブロック
Ｂの背面に且つＭＲヘッドの読取素子部が前記誘導型記
録ヘッドの記録ギャップと並行になるように、非磁性絶
縁材料層及び磁気シールド膜を介して接合する工程と、前記巻線溝に充填された非磁性絶縁材料に対して、前記
材料を溶解しうるレーザ光を照射することにより、所望
の円錐台形の空孔部分と出口及び入口における盛上り部
分とを有する貫通孔を、前記記録ギャップと並行に設け
る工程と、前記広い入口から被覆導体線を挿入し、前記磁気コアブ
ロックＢ及びその上に接合された前記ＭＲヘッドを周回
して、再び広い入口に戻るように巻付ける工程と、を含
むことを特徴とする磁気抵抗効果再生型複合磁気ヘッド
の製造方法。