JPS592090B2 - ジキヘツド - Google Patents
ジキヘツドInfo
- Publication number
- JPS592090B2 JPS592090B2 JP13696075A JP13696075A JPS592090B2 JP S592090 B2 JPS592090 B2 JP S592090B2 JP 13696075 A JP13696075 A JP 13696075A JP 13696075 A JP13696075 A JP 13696075A JP S592090 B2 JPS592090 B2 JP S592090B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic pole
- strip
- auxiliary magnetic
- thin plate
- ferromagnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッドにおいて
、構成を簡単にし、良好な動作を行なわしめるものであ
る。
、構成を簡単にし、良好な動作を行なわしめるものであ
る。
一般に強磁性体に磁界を印加したとき電気的抵抗値が変
化する磁気抵抗効果を利用した磁気ヘッドの原理的構成
としては第１図に示されるような構成の短冊状素子の磁
気抵抗効果形ヘッドが考えられていた。
化する磁気抵抗効果を利用した磁気ヘッドの原理的構成
としては第１図に示されるような構成の短冊状素子の磁
気抵抗効果形ヘッドが考えられていた。
第１図の例では記録媒体１と垂直（ｙ方向）に強磁性薄
板よりなる磁気抵抗効果素子２を当接または近接させ、
磁気抵抗効果素子２の長手方向（２方向）の両端に電極
３、４を配置し、電極３、４間に定電流ｉを流し、記録
媒体１のｙ方向の信号磁界によりＺ方向の抵抗値変化を
電極３、４間の電圧変化より検出する方式である。この
方式では磁気抵抗効果素子２のｙ方向の幅をＷとすると
、記録媒体１からの信号磁界強度は指数函数的に減少し
、特に記録媒体上の記録波長が短い領域では信号磁界の
減衰は非常に大きなものとなる。このため、幅Ｗは加工
精度、耐摩粍特性などを考慮して可及的に小さいことが
望ましい。磁気抵抗効果素子の比抵抗変化Δρは強磁性
薄板の磁化Ｍｓの方向と電流ｉとのなす角度をΘ、ａ、
ｂを定数とするとΔρ＝ａ＋ ｂ ′ ｃｏｓ２Θ という関係が成立つている。
板よりなる磁気抵抗効果素子２を当接または近接させ、
磁気抵抗効果素子２の長手方向（２方向）の両端に電極
３、４を配置し、電極３、４間に定電流ｉを流し、記録
媒体１のｙ方向の信号磁界によりＺ方向の抵抗値変化を
電極３、４間の電圧変化より検出する方式である。この
方式では磁気抵抗効果素子２のｙ方向の幅をＷとすると
、記録媒体１からの信号磁界強度は指数函数的に減少し
、特に記録媒体上の記録波長が短い領域では信号磁界の
減衰は非常に大きなものとなる。このため、幅Ｗは加工
精度、耐摩粍特性などを考慮して可及的に小さいことが
望ましい。磁気抵抗効果素子の比抵抗変化Δρは強磁性
薄板の磁化Ｍｓの方向と電流ｉとのなす角度をΘ、ａ、
ｂを定数とするとΔρ＝ａ＋ ｂ ′ ｃｏｓ２Θ という関係が成立つている。
印加磁界Ｈと比抵抗変化Δρをその最大値Δρｍａｘで
除した比抵抗変化率（Δρ／Δρｍａｘ）との関係は第
２図に示すような特性となり、Ｈ■：Ｈｓで飽和する著
しい非直線性を有しており、この非値線性を改善するた
めにはバイアス磁界Ｈｓを印加して動作点をＰに設定す
る必要がある。このＰ点ではＨＢ−Ｈｓ／２、Θ＝４５
０となつている。通常、磁気抵抗効果素子は抵抗変化率
を犬きくとるため及びヒステリシス特性を避けるため一
軸に配向した強磁性薄板が使用されるのが普通である。
除した比抵抗変化率（Δρ／Δρｍａｘ）との関係は第
２図に示すような特性となり、Ｈ■：Ｈｓで飽和する著
しい非直線性を有しており、この非値線性を改善するた
めにはバイアス磁界Ｈｓを印加して動作点をＰに設定す
る必要がある。このＰ点ではＨＢ−Ｈｓ／２、Θ＝４５
０となつている。通常、磁気抵抗効果素子は抵抗変化率
を犬きくとるため及びヒステリシス特性を避けるため一
軸に配向した強磁性薄板が使用されるのが普通である。
一例として第３図に示す短冊形伏の素子を考えると、ａ
図のように素子長手方向に配向した場合、その配向性は
安定であるが、動作点Ｐのθ４５そに設定するためにバ
イアス磁界としては素子短手方向の反磁界程度即ちＨＢ
二４ＭＳ山／ｗ程度必要であり（ここでｔは素子厚を示
す）、これはかなり大きな磁界を必要とする。一方ｂ図
のように短手方向実線で示す方向に配向されたとすると
、その反磁界（点線方向）のために配向保持は非常に弱
くなり、素子長手方向にわずかなバイアス磁界を印加す
ることによりθ＝４５゜を実現できるが、信号磁界とバ
イアス磁界が同方向でないこと、素子中の配向が不安定
？（なりやすい等の問題がある。さらに同Ｃ′図に示す
ように、素子の磁化配向方向を長手方向からθ傾けて配
向した場合を考えると素子幅方向に磁荷が発生し、反磁
界（点線）が生じ、磁化Ｍｓの方向は長手方向に曲げら
れるためθを初期値に保持するのが困難である等の問題
があつた。本発明は以上のような問題点を解決しようと
するものである。
図のように素子長手方向に配向した場合、その配向性は
安定であるが、動作点Ｐのθ４５そに設定するためにバ
イアス磁界としては素子短手方向の反磁界程度即ちＨＢ
二４ＭＳ山／ｗ程度必要であり（ここでｔは素子厚を示
す）、これはかなり大きな磁界を必要とする。一方ｂ図
のように短手方向実線で示す方向に配向されたとすると
、その反磁界（点線方向）のために配向保持は非常に弱
くなり、素子長手方向にわずかなバイアス磁界を印加す
ることによりθ＝４５゜を実現できるが、信号磁界とバ
イアス磁界が同方向でないこと、素子中の配向が不安定
？（なりやすい等の問題がある。さらに同Ｃ′図に示す
ように、素子の磁化配向方向を長手方向からθ傾けて配
向した場合を考えると素子幅方向に磁荷が発生し、反磁
界（点線）が生じ、磁化Ｍｓの方向は長手方向に曲げら
れるためθを初期値に保持するのが困難である等の問題
があつた。本発明は以上のような問題点を解決しようと
するものである。
第４図にその原理的構成図を示す。短冊伏磁気抵抗効果
素子５の長手方向に平行、同一面上に素子５と同じ強磁
性材よりなる補助磁極６を微小空隙ａだけ隔て＼配置し
、素子５の長手方向に対し、角度θだけ傾けて強磁性材
の磁化を配向した構成にすると、素子５、磁極６の端部
に磁化に伴う磁荷が発生し、正磁荷を１、負磁荷をＯで
各々図式的に表示している。この結果素子５中の反磁界
（点線で示す）は微小空隙内の磁荷が打消合うため小さ
くでき、磁化配向方向を保持しやすくなり、磁気抵抗効
果形ヘツドを構成するにおいて磁気抵抗効果素子中の磁
化配向を希望する方向に設定できる。こ＼で近接する補
助磁極６の形伏は素子５の短手方向に大きい程、素子５
の短手方向即ち幅方向への磁化配向が容易になる。実際
の磁化方向としては補助磁極６の磁化方向をθとすると
、素子５中の磁化方向の平均値θ″は素子下端部即ち、
補助磁極６と反対側の磁荷による反磁界のためθより小
さくなる。このため素子中の平均磁化配向方向θ５を第
２図に示す動作点Ｐ近くになるように購成することも可
能である。なお、磁化方向における物体の長さは、物体
を磁化させる場合に、磁化方向に長い方が容易であるの
で、第５図に示すような購成にするとよい。
素子５の長手方向に平行、同一面上に素子５と同じ強磁
性材よりなる補助磁極６を微小空隙ａだけ隔て＼配置し
、素子５の長手方向に対し、角度θだけ傾けて強磁性材
の磁化を配向した構成にすると、素子５、磁極６の端部
に磁化に伴う磁荷が発生し、正磁荷を１、負磁荷をＯで
各々図式的に表示している。この結果素子５中の反磁界
（点線で示す）は微小空隙内の磁荷が打消合うため小さ
くでき、磁化配向方向を保持しやすくなり、磁気抵抗効
果形ヘツドを構成するにおいて磁気抵抗効果素子中の磁
化配向を希望する方向に設定できる。こ＼で近接する補
助磁極６の形伏は素子５の短手方向に大きい程、素子５
の短手方向即ち幅方向への磁化配向が容易になる。実際
の磁化方向としては補助磁極６の磁化方向をθとすると
、素子５中の磁化方向の平均値θ″は素子下端部即ち、
補助磁極６と反対側の磁荷による反磁界のためθより小
さくなる。このため素子中の平均磁化配向方向θ５を第
２図に示す動作点Ｐ近くになるように購成することも可
能である。なお、磁化方向における物体の長さは、物体
を磁化させる場合に、磁化方向に長い方が容易であるの
で、第５図に示すような購成にするとよい。
すなわち補助磁極の磁化方向を磁気抵抗効果素子の長手
方向からθ傾けて有効に磁化するために第５図に示すよ
うに補助磁極９の一辺を磁化配向方向θに略一致させる
形伏にし、空隙８を介して磁気抵抗効果素子７の長手方
向と配向方向を略θに保つて配置し、素子７の両端より
電極１０，１１を設ける。以上の考え方の磁気抵抗効果
形ヘツドを薄膜で具体的に構成する場合の例を第６図に
示す。
方向からθ傾けて有効に磁化するために第５図に示すよ
うに補助磁極９の一辺を磁化配向方向θに略一致させる
形伏にし、空隙８を介して磁気抵抗効果素子７の長手方
向と配向方向を略θに保つて配置し、素子７の両端より
電極１０，１１を設ける。以上の考え方の磁気抵抗効果
形ヘツドを薄膜で具体的に構成する場合の例を第６図に
示す。
非導電性基板１２の上に導電性強磁性薄膜例えばＮｉＦ
ｅ，Ｎｉ−ＣＯ等の合金を蒸着、電着等で被着し、フオ
トエツチングやスパツタエツチング等で第６図に示すよ
うな形伏に形成する。磁気抵抗効果素子部１３の長手方
向の長さＷを磁気ヘツドのトラツク幅とし、素子部１３
の幅をｄ１素子部１３と空隙ａを介して補助磁極部１５
の一辺Ｂとリード部１６を素子部１３の長手方向に対し
てθ傾け、補助磁極１５、磁気抵抗効果素子部１３、リ
ード部１６の磁化配向方向を素子部１３の長手方向と鋭
角であるθだけ傾けた方向とする。素子部１３の両端部
に電圧を印加すべく電極導電体部１７，１８を設けて同
一素材よりなる磁気ヘツドを購成する。素子部１３の下
端部で長手方向に平行な部位Ａ−Ａ″を記録媒体との当
近接部としＡ−Ａ″線を研削する。以上のような構成に
することにより磁気抵抗効果素子中の磁化配向方向を素
子の長手方向以外に安定に配向でき、素子にバイアス磁
界を与えなくても動作領域近傍で直線性の良好な磁気抵
抗効果形ヘツドを得ることができる。
ｅ，Ｎｉ−ＣＯ等の合金を蒸着、電着等で被着し、フオ
トエツチングやスパツタエツチング等で第６図に示すよ
うな形伏に形成する。磁気抵抗効果素子部１３の長手方
向の長さＷを磁気ヘツドのトラツク幅とし、素子部１３
の幅をｄ１素子部１３と空隙ａを介して補助磁極部１５
の一辺Ｂとリード部１６を素子部１３の長手方向に対し
てθ傾け、補助磁極１５、磁気抵抗効果素子部１３、リ
ード部１６の磁化配向方向を素子部１３の長手方向と鋭
角であるθだけ傾けた方向とする。素子部１３の両端部
に電圧を印加すべく電極導電体部１７，１８を設けて同
一素材よりなる磁気ヘツドを購成する。素子部１３の下
端部で長手方向に平行な部位Ａ−Ａ″を記録媒体との当
近接部としＡ−Ａ″線を研削する。以上のような構成に
することにより磁気抵抗効果素子中の磁化配向方向を素
子の長手方向以外に安定に配向でき、素子にバイアス磁
界を与えなくても動作領域近傍で直線性の良好な磁気抵
抗効果形ヘツドを得ることができる。
素子に特にバイアス磁界を印加しなくてもよいためバイ
アス付勢用の電流導体又は永久磁石等が不要となるため
磁気ヘツドとしての構造が簡単になり、生産性、歩留り
の向上につながり、さらに磁気ヘツドが記録媒体と摺動
する場合、導電体層が一層であるため摺動による導体層
の流れがあつても電気的リーク、シヨート等の問題が起
らない。さらにこの購成の素子を非磁性非導電性層で挟
持し、それらを強磁性材で挟持することにより高分解な
磁気ヘツドを購成することも容易に実現できる等の効果
を有する。
アス付勢用の電流導体又は永久磁石等が不要となるため
磁気ヘツドとしての構造が簡単になり、生産性、歩留り
の向上につながり、さらに磁気ヘツドが記録媒体と摺動
する場合、導電体層が一層であるため摺動による導体層
の流れがあつても電気的リーク、シヨート等の問題が起
らない。さらにこの購成の素子を非磁性非導電性層で挟
持し、それらを強磁性材で挟持することにより高分解な
磁気ヘツドを購成することも容易に実現できる等の効果
を有する。
第１図は従来の磁気抵抗効果型ヘツドの斜視図、第２図
は磁気抵抗効果素子の印加磁界と比抵抗変化率との関係
を示す図、第３図は短冊伏強磁性導板の磁化方向と反磁
界との関係を示す図、第４図から第６図は本発明に関す
るものであり、第４図は近接補助磁極を有する場合の短
冊伏強磁性薄板の磁化と反磁界を示す図、第５図は近接
補助磁極の一辺を磁化配向方向に傾斜された構造を示す
図、第６図は近傍補助磁極を有する磁気ヘツドの一具体
例を示す図である。 ５，７・・・・・・短冊伏磁気抵抗効果素子、６，９・
・・・・・補助磁極、８・・・・・・空隙、１０，１１
・・・・・・電極。
は磁気抵抗効果素子の印加磁界と比抵抗変化率との関係
を示す図、第３図は短冊伏強磁性導板の磁化方向と反磁
界との関係を示す図、第４図から第６図は本発明に関す
るものであり、第４図は近接補助磁極を有する場合の短
冊伏強磁性薄板の磁化と反磁界を示す図、第５図は近接
補助磁極の一辺を磁化配向方向に傾斜された構造を示す
図、第６図は近傍補助磁極を有する磁気ヘツドの一具体
例を示す図である。 ５，７・・・・・・短冊伏磁気抵抗効果素子、６，９・
・・・・・補助磁極、８・・・・・・空隙、１０，１１
・・・・・・電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 記録媒体面に平行に配した短冊状強磁性薄板の端面
に沿つて空隙を介して強磁性体よりなる補助磁極を同一
平面状に配し、前記短冊状強磁性体薄板の長手方向に対
して傾斜して前記短冊状強磁性薄板および前記補助電極
を磁化配向し、前記補助磁極の磁化方向の長さを前記強
磁性薄板の磁化配向の方向の長さより大とし、かつ前記
強磁性薄板および前記補助磁極の抗磁力が略同じである
ことを特徴とする磁気ヘッド。 ２ 短冊状強磁性薄板および補助磁極磁化方向を前記短
冊状強磁性薄板および前記補助磁極の一端面と一致させ
たことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の磁気
ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13696075A JPS592090B2 (ja) | 1975-11-13 | 1975-11-13 | ジキヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13696075A JPS592090B2 (ja) | 1975-11-13 | 1975-11-13 | ジキヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5260607A JPS5260607A (en) | 1977-05-19 |
| JPS592090B2 true JPS592090B2 (ja) | 1984-01-17 |
Family
ID=15187509
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13696075A Expired JPS592090B2 (ja) | 1975-11-13 | 1975-11-13 | ジキヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS592090B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5774819A (en) * | 1980-10-24 | 1982-05-11 | Canon Inc | Magnetic resistance effect type reproducing head |
| TW349690U (en) * | 1994-12-16 | 1999-01-01 | Ibm | Magnetoresistive head with a magnetoresistive film shaped to provide an improved read sensitivity profile |
-
1975
- 1975-11-13 JP JP13696075A patent/JPS592090B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5260607A (en) | 1977-05-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0279536B1 (en) | Magnetoresistive head and process for its manufacture | |
| US5363265A (en) | Planarized magnetoresistive sensor | |
| US5736060A (en) | Read sensitivity MR head using permanent magnet longitudinal stabilization | |
| EP0269129B1 (en) | Thin film magnetic head | |
| JPH07192230A (ja) | 蒸着バイアス磁石を有する磁気抵抗ヘッド | |
| JP3089828B2 (ja) | 強磁性磁気抵抗素子 | |
| JPH05281319A (ja) | 磁気センサ | |
| JPS592090B2 (ja) | ジキヘツド | |
| JPH0870148A (ja) | 磁気抵抗素子 | |
| JPS5931771B2 (ja) | 薄膜磁気抵抗ヘツド | |
| JPH039126Y2 (ja) | ||
| JP2702210B2 (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPS634359B2 (ja) | ||
| JPS5911522A (ja) | 磁気抵抗効果ヘツド | |
| JPS6326451B2 (ja) | ||
| JPS61199684A (ja) | 磁気抵抗効果型素子 | |
| JPS5821328B2 (ja) | タソシジキヘツド | |
| JPS6326450B2 (ja) | ||
| JPS5987617A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPH0375925B2 (ja) | ||
| JPS5963019A (ja) | 磁気抵抗効果ヘツド | |
| JPS6089809A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘツドおよびその製造方法 | |
| JPH0719343B2 (ja) | 磁気抵抗型磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPS59112422A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド | |
| JP3047607B2 (ja) | 強磁性磁気抵抗素子 |