JPH07192230A - 蒸着バイアス磁石を有する磁気抵抗ヘッド - Google Patents

蒸着バイアス磁石を有する磁気抵抗ヘッド

Info

Publication number
JPH07192230A
JPH07192230A JP6300780A JP30078094A JPH07192230A JP H07192230 A JPH07192230 A JP H07192230A JP 6300780 A JP6300780 A JP 6300780A JP 30078094 A JP30078094 A JP 30078094A JP H07192230 A JPH07192230 A JP H07192230A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
head
thin film
magnetoresistive
magnetoresistive element
permanent magnet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6300780A
Other languages
English (en)
Inventor
Neil Smith
スミス ネイル
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Eastman Kodak Co
Original Assignee
Eastman Kodak Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Eastman Kodak Co filed Critical Eastman Kodak Co
Publication of JPH07192230A publication Critical patent/JPH07192230A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
    • G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
    • G11B5/3929—Disposition of magnetic thin films not used for directly coupling magnetic flux from the track to the MR film or for shielding
    • G11B5/3932—Magnetic biasing films

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Magnetic Heads (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ヘッドのＭＲ要素にバイアスをかける永久磁
石を有するタイプの改善ＭＲヘッドで、均一性を避け、
ＭＲ要素の長さに沿ってより大きな勾配を与え、ＭＲ要
素の端に強いバイアス磁界を提供し、単磁区磁化状態を
さらに安定にする 【構成】 ＭＲヘッド１０は、ＭＲヘッド１０のＭＲ要
素１４よりも長い長方形の本体を有し、ＭＲ要素１４に
平行に同一平面に配置される。ＰＭ要素１２は、幅方向
に広がるエンドタブ２０の組み合わせを有し、ＭＲヘッ
ド１４はエンドタブ２０の間に位置する。ＭＲ要素１４
には、ＰＭ要素１２によってバイアスがかけられるが、
ＰＭ要素１２はヘッド媒体インタフェースから離れてい
るので、周囲が劣化したり、媒体の情報が歪んだりしな
い。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一般に薄膜磁気抵抗再
生ヘッドの磁気抵抗要素にバイアスをかける薄膜永久磁
石を有する薄膜磁気抵抗再生ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】線密度を高くしトラック幅を狭くして高
い記録密度での磁気記録が追求されるのに従い、磁気抵
抗（ＭＲ）再生ヘッドは次第に最高の技術として認めら
れるようになってきた。現在、ＭＲヘッドを実際に利用
するには、２つの技術的問題がある。すなわち、いかに
最適なバイアス磁化分布を確立し再生信号を線状化する
かと、いかにＭＲ要素の中央（活性）領域全体における
磁壁のない準単磁区の磁化を安定化するかに問題があ
る。永久磁石（ＰＭ）バイアス方法は、特に、電力を消
費せず、ＭＲ感知電流を分路しても信号を一切損失しな
いことに魅力がある。
【０００３】1990年発行のSmith の米国特許第 4,903,1
58号（'158号特許）では、ＭＲ要素と同じまたはほぼ同
じ構成をＭＲ要素に重ねる蒸着ＰＭ要素の使用について
説明している。図２に示すように、ＭＲヘッド１０は、
（１）支持体（図示せず）に蒸着させたＰＭ要素１２と
支持体上のＰＭ要素１２に蒸着させたＭＲ要素１４とを
有する。尚、以下の図面においても、ＭＲヘッドの参照
番号を１０、ＰＭ要素の参照番号を１２、ＭＲ要素の参
照番号を１４とする。蒸着ＰＭ要素１２は、空間的に非
常に不均一で縦方向の安定磁界を供給し、ＭＲ要素１４
と同様に不均一で単磁区を不安定にする根源となる内部
減磁界を相補的に相殺する。基盤になる蒸着ＰＭ要素
は、ＭＲ要素１４の中央活性領域に極端に縦方向の磁界
を供給しないので、ＭＲヘッド１０の再生感度は低減す
る。'158号特許で説明されたＭＲヘッド１０には、ヘッ
ド媒体インタフェースに隣接するＰＭ要素１２の縁の磁
場が相対的に強いために、磁気媒体に記録した情報が歪
むことに問題がある。ＭＲヘッド１０に関し、ＰＭ要素
１２に密接した部分が異質な場合、ＭＲ要素１４の磁気
特性および再生特性あるいはその一方が不安定になると
いう問題も生じる。また、本発明に係るＭＲヘッド１０
は、ＭＲヘッド１０の平らな表面に隣接するＰＭ要素１
２の位置を決定する。ＰＭ要素１２がこの位置にある場
合、ＰＭフィルムにおける異質性から生じる局部的漂遊
磁界によって、ＭＲ要素１４の磁気構成が劣化する。
【０００４】これに代わる方法として、1990年11月20日
発行のSmith らの米国特許第 4,972,284号（'284号特
許）では、ＭＲ要素１４をバイアス磁化するための横方
向磁界とＭＲ要素１４の活性領域を磁壁のない磁化状態
に維持するための単向性縦方向の磁界成分とを同時に提
供する蒸着ＰＭ要素１２の構成が説明されている。'284
号特許によると、蒸着ＰＭ要素１２は「Ｃ」型または
「Ｌ」型をしており、ＰＭ要素１２は、ＭＲ要素１４と
同一平面にある。図３に示すように、Ｃ型ＰＭ要素１２
は、ＭＲ要素１４に隣接して同一平面に位置する。ＰＭ
要素１２は、縦軸に角度θで磁化されているので、ＭＲ
要素１４のバイアス磁化を確立するための横方向磁界
と、ＭＲ要素１４の活性領域を磁壁のない磁化状態に維
持するための単向性縦方向の磁界成分とを提供する。Ｐ
Ｍ要素１２は、ヘッド媒体インタフェース１６から離れ
ているので、ヘッド媒体インタフェース１６で劣化（co
rrosion）されない。ＰＭ要素１２は、ヘッド媒体イン
タフェース１６から離れているので、磁気媒体に記録さ
れた情報が歪みにくいという長所がある。しかし、'284
号で開示された構成では、ＰＭ要素１２によって生じた
磁界の縦方向成分は、ＭＲ要素１４の長さ方向に沿っ
て、最適な再生感度に望まれるよりも均一であることに
欠点がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】したがって、ヘッドの
ＭＲ要素にバイアスをかける永久磁石を有するタイプの
改善ＭＲヘッドで、均一性を避け、ＭＲ要素の長さに沿
ってより大きな勾配を与え、ＭＲ要素の端に強いバイア
ス磁界を提供し、単磁区磁化状態をさらに安定にする必
要があると考えられるようになってきた。
【０００６】したがって本発明の目的は、上述の問題の
１つまたはそれ以上を解決することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段および作用】要約すれば、
本発明に係る態様では、薄膜蒸着磁気抵抗ヘッドは長方
形の薄膜磁気抵抗要素を有し、薄膜永久磁石は前記磁気
抵抗要素よりも長い長方形の本体を有し、前記磁気抵抗
要素と同一平面に平行に配置され、前記永久磁石は、前
記長方形の本体から幅方向に広がる第１の組み合わせの
エンドタブ（end tab ）を有し、前記磁気抵抗要素は前
記エンドタブの間に位置し、前記永久磁石が前記磁気抵
抗要素の長さに垂直な磁界成分を提供し、前記磁気抵抗
要素の磁壁のない磁化分布を安定化する。本発明に係る
ある態様では、永久磁石は、前記磁気抵抗要素から離れ
る幅方向に広がる第２の組合わせのエンドタブを有す
る。また、別の態様では、前記磁気抵抗要素は、デュア
ル（dual）磁気抵抗要素である。
【０００８】本発明に係る磁気抵抗ヘッドは、感度を改
善する利点があり、永久磁石層はヘッド媒体インタフェ
ースから離れて位置するので、この媒体に記憶される情
報はさらに歪まなくなる利点もある。また、この媒体は
ＭＲ要素から離れて位置するので、磁化状態がさらに安
定化する。本発明に係るＰＭ要素によって、バイアス磁
界の縦方向成分にさらに大きな勾配がかかり、ＭＲ要素
端のバイアス磁界が広くなる。
【０００９】
【実施例】図１は、本発明に係るＭＲヘッド１０を示す
図である。ＰＭ要素１２は、図３に示す従来のＰＭ要素
１２と同様の構成に加え、ＰＭ要素１２から幅方向に広
がる一対のエンドタブ２０を有しており、ＭＲ要素１４
はエンドタブ２０の間に位置している。ＰＭ要素１２
は、縦軸から約４５度の角度θで磁化された磁気的に同
質の永久磁石材料であるので、横方向磁界と縦方向の磁
界成分とを提供する。エンドタブ２０とその間のＰＭ要
素１２の縦方向部分２２によって、ＭＲ要素１４に沿っ
て、端で強く中間付近で弱い縦方向の磁気成分が生じる
ので、ＭＲ要素の単磁区は最大限安定化し、ＭＲヘッド
の感度低下は最小限で済む。
【００１０】図４および図５は、本発明に係るマルチト
ラックＭＲヘッドの一部であり、支持体２４に蒸着さ
れ、各々が永久バイアス磁石を有するＭＲ要素１４から
なる線状配列である。ＰＭ要素１２は、当業者に知られ
る技術に基づいてＣｏＰｔやＣｏＳｍなどの材料を使用
して形成される。ＰＭ要素１２は、ＳｉＯ２などの絶縁
材料から成る薄層２６で被覆することができる。蒸着導
線２８は、当業者に良く知られるように、ＭＲ要素１４
を通過する外部で生成された感知電流を導電するＭＲ要
素１４に電気的に接触するよう形成される。
【００１１】組立後、ＭＲヘッド１０は、外部の強い磁
界に置かれ、ＰＭ要素１２は外部の磁界によって定めら
れた方向によって決定される所望の方向に磁化される。
磁化方向を選択すれば、磁化困難な方向にも磁化容易な
方向に所望の大きさでバイアスをかけることができる。
【００１２】図５からは、ＭＲ要素１４およびＰＭ要素
１２の厚さが等しくないが、支持体２４のほぼ共通平面
に蒸着していることがわかる。
【００１３】図６では、本発明に係る原理を、デュアル
ＭＲ（ＤＭＲ）ヘッドとして知られるタイプの磁気抵抗
ヘッドを用いて説明した者である。ＤＭＲヘッドは、米
国特許第 5,084,795号に説明されているように、一方が
他方に蒸着した一対のＭＲ要素１４および１４´を有す
る。ＤＭＲ要素に流れる感知電流には、磁化困難な方向
に相互にバイアスがかかる。ＰＭ要素１２は、縦方向に
磁化される。エンドタップ２０は、ＭＲ要素１４と１４
´の端で縦方向に強い磁界を生成する。ＰＭ要素１２に
おいて縦軸から磁化方向の僅かに角度θだけ偏向させる
と、ＭＲ要素１４および１４´の厚さの不釣合を補正す
ることができる。ＭＲ要素１４の間の電気接触導線と絶
縁層は図６に示していないが、従来技術の原理に従って
提供できると思われる。ＰＭ要素１２の伸延中央部分２
２には、ＭＲ要素１４および１４´の中心付近の縦方向
の磁界の強さを弱化する作用があるので、ＭＲ要素１４
および１４´付近の強いＰＭ磁界を不安定にする効果を
下げずにＤＭＲヘッドの感度を改善することができる。
図７に示すように、ＭＲ要素１４および１４´付近の磁
界は、幅方向に広がるタブ３２を追加することによって
弱くすることができる。図７に示すように、タブ３２
は、上下あるいはその一方に伸延しても良い。米国特許
第 4,792,284号に比較し、本発明においてＰＭを利用す
る開示された構成は、縦方向のバイアス磁界成分の勾配
をはるかに大きくするので、ＭＲ要素の端のバイアス磁
界を広くすることができる。このようにバイアス磁界が
広ければ、単磁区の磁化状態をさらに安定化し、同時
に、ＭＲ要素の中央のすなわち活性部分への縦方向の磁
界は広くならない。ＭＲ要素の中央部分の縦軸方向の磁
界が広ければ、安定性は弱まる。
【００１４】図８に示すように、間隙３４をＰＭ要素１
２の中央部分２２に提供し、ＭＲ要素に短絡する導線に
係る問題を最小にすることができる。尚、このような間
隙３４を通過する導線の通路は任意である。
【００１５】
【発明の効果】本発明を特に好ましい実施例を参考に説
明してきたが、当業者には、本発明を逸脱せずに様々な
変更および同等の要素と実施例の要素との交換が可能で
あることは理解できよう。さらに、本発明に係る本質的
な原理を逸脱せずに、特定の状況および材料を本発明に
係る原理に適合させるために多くの修正を可能であるこ
とも理解できよう。
【００１６】上述の説明から明らかなように、本発明に
係る特定の態様は、図示の例の詳細を限定されるもので
はないので、その他の修正および用途が当業者によって
見出だされるであろう。従って、本発明の請求項は、こ
のような修正および用途のすべてを本発明に係る精神な
らびに範囲から逸脱しないように含んでいる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る永久バイアス磁石を有するＭＲヘ
ッドを示す図である。
【図２】従来技術による基盤となる永久バイアス磁石を
有するＭＲヘッドを示す図である。
【図３】従来技術による同一平面バイアス磁石を有する
ＭＲヘッドを示す図である。
【図４】本発明に係るマルチトラックＭＲヘッドの部分
平面図である。
【図５】図４に示したＭＲヘッドをライン５−５で切り
取った断面図である。
【図６】本発明に係る永久バイアス磁石を有するデュア
ル磁気抵抗ヘッドを示す図である。
【図７】デュアル磁気抵抗要素中間付近の縦方向バイア
ス磁界を弱化する中央タブを含み、本発明に係る永久バ
イアス磁石を有するデュアル磁気抵抗ヘッドを示す図で
ある。
【図８】導線用の経路を提供する一対の間隙を含み、本
発明に係る永久バイアス磁石を有するデュアル磁気抵抗
ヘッドを示す図である。
【符号の説明】
１０ ＭＲヘッド、１２ ＰＭ要素、１４，１４´ Ｍ
Ｒ要素、１６ ヘッド媒体インタフェース、１８ 、２
０ エンドタブ、２２ 縦方向部分、２４ 支持体、２
６ 薄層、２８ 蒸着導線、３０ 、３２ タブ、３４
間隙。

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 薄膜蒸着磁気抵抗ヘッドにおいて、 ａ．長さと幅を有する長方形の薄膜磁気抵抗要素と、 ｂ．前記磁気抵抗要素よりも長い長方形の本体を有し、
    前記磁気抵抗要素にほぼ同一平面で平行に配置され、幅
    方向に広がり、間に前記磁気抵抗要素を挟んだ第１の組
    合わせのエンドタブを有する薄膜永久磁石と、 を有し、 ｃ．前記磁気抵抗要素の長さに平行な磁気成分を提供
    し、前記磁気抵抗要素において磁壁のない（domain wal
    l free）磁化分布を安定化する、 ことを特徴とする薄膜蒸着磁気抵抗ヘッド。
  2. 【請求項２】 前記磁気抵抗要素がデュアル磁気抵抗要
    素であり、前記薄膜永久磁石が前記磁気抵抗要素の長さ
    に平行な方向に磁化されていることを特徴とする請求項
    １記載の薄膜蒸着磁気抵抗ヘッド。
  3. 【請求項３】 前記永久磁石が前記デュアル磁気抵抗要
    素の中間付近の磁界の強度を低減する機構（feature ）
    を有することを特徴とする請求項２記載の薄膜蒸着磁気
    抵抗ヘッド。
  4. 【請求項４】 前記機構が前記永久磁石の間隙を含むこ
    とを特徴とする請求項３記載の薄膜蒸着磁気抵抗ヘッ
    ド。
  5. 【請求項５】 前記機構が前記永久磁石から幅方向に広
    がり前記永久磁石の中間付近に位置するタブを含むこと
    を特徴とする請求項３記載の薄膜蒸着磁気抵抗ヘッド。
  6. 【請求項６】 前記永久磁石が前記第１の組合わせのエ
    ンドタブに対向し幅方向に広がる第２の組合わせのエン
    ドタブを有し、前記磁気抵抗要素の長さに直角の磁界成
    分を提供し前記磁気抵抗要素にバイアスをかけることを
    特徴とする請求項１記載の薄膜蒸着磁気抵抗ヘッド。
  7. 【請求項７】 前記永久磁石を前記永久磁石の縦軸から
    ４５度の角度θ方向に磁化したことを特徴とする請求項
    １記載の薄膜蒸着磁気抵抗ヘッド。
JP6300780A 1993-12-03 1994-12-05 蒸着バイアス磁石を有する磁気抵抗ヘッド Pending JPH07192230A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US161298 1993-12-03
US08/161,298 US5428491A (en) 1993-12-03 1993-12-03 Magnetoresistive head with deposited biasing magnet

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH07192230A true JPH07192230A (ja) 1995-07-28

Family

ID=22580627

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6300780A Pending JPH07192230A (ja) 1993-12-03 1994-12-05 蒸着バイアス磁石を有する磁気抵抗ヘッド

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5428491A (ja)
EP (1) EP0656621A3 (ja)
JP (1) JPH07192230A (ja)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5657190A (en) * 1993-03-02 1997-08-12 Tdk Corporation Apparatus for detecting a magnetic field using a giant magnetoresistance effect multilayer
JP3210192B2 (ja) * 1994-09-29 2001-09-17 アルプス電気株式会社 磁気検出素子
US5532892A (en) * 1995-06-05 1996-07-02 Quantum Peripherals Colorado, Inc. Soft adjacent layer biased magnetoresistive device incorporating a natural flux closure design utilizing coplanar permanent magnet thin film stabilization
US5734533A (en) * 1996-05-15 1998-03-31 Read-Rite Corporation Dual gap magnetic head and method of making the same
US5946169A (en) * 1996-11-07 1999-08-31 Seagate Technology, Inc. Soft adjacent layer vertically biased magnetoresistive sensor having improved sensor stability
US5982177A (en) * 1997-08-08 1999-11-09 Florida State University Magnetoresistive sensor magnetically biased in a region spaced from a sensing region
US6356420B1 (en) 1998-05-07 2002-03-12 Seagate Technology Llc Storage system having read head utilizing GMR and AMr effects
US6005753A (en) * 1998-05-29 1999-12-21 International Business Machines Corporation Magnetic tunnel junction magnetoresistive read head with longitudinal and transverse bias
US7106856B1 (en) 2000-01-12 2006-09-12 Avaya Technology Corp. Method and apparatus for performing echo cancellation within a communication network
US6563679B1 (en) * 2000-08-08 2003-05-13 Tdk Corporation Current perpendicular-to-the-plane magnetoresistance read heads with transverse magnetic bias
US7151654B1 (en) * 2002-03-12 2006-12-19 Seagate Technology Llc TMR head structure with conductive shunt
US6842312B1 (en) * 2002-06-25 2005-01-11 Storage Technology Corporation Dual stripe read head with magnetic support structures which provide a uniform magnetic field for stabilization during manufacture
JP4016857B2 (ja) * 2002-10-18 2007-12-05 ヤマハ株式会社 磁気センサ及びその製造方法
US7019371B2 (en) * 2004-01-26 2006-03-28 Seagate Technology Llc Current-in-plane magnetic sensor including a trilayer structure
US7436637B2 (en) * 2005-10-05 2008-10-14 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Magnetoresistive sensor having an improved pinning structure

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3796859A (en) * 1971-12-27 1974-03-12 Ibm Magnetic ink recording system to both magnetize and read ink
JPS54157610A (en) * 1978-05-26 1979-12-12 Sony Corp Magnetic head
JPS5815113A (ja) * 1981-07-22 1983-01-28 Hitachi Ltd 歯数計測装置
DE3279790D1 (en) * 1981-12-09 1989-08-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd Thin film magnetic head
US4547824A (en) * 1982-12-17 1985-10-15 International Business Machines Corporation Dual biasing for integrated inductive MR head
US4623867A (en) * 1984-08-13 1986-11-18 Ampex Corporation Permanent magnet biased narrow track magnetoresistive transducer
US4663685A (en) * 1985-08-15 1987-05-05 International Business Machines Magnetoresistive read transducer having patterned longitudinal bias
US4649447A (en) * 1985-08-15 1987-03-10 International Business Machines Combed MR sensor
US4755897A (en) * 1987-04-28 1988-07-05 International Business Machines Corporation Magnetoresistive sensor with improved antiferromagnetic film
JPS63304416A (ja) * 1987-06-05 1988-12-12 Hitachi Ltd 磁気抵抗効果型再生ヘツド
JP2790811B2 (ja) * 1988-04-20 1998-08-27 シャープ株式会社 薄膜磁気ヘッド
US4899240A (en) * 1988-07-28 1990-02-06 Eastman Kodak Company Biasing for a UMR head
US4903158A (en) * 1988-07-28 1990-02-20 Eastman Kodak Company MR head with complementary easy axis permanent magnet
US5005096A (en) * 1988-12-21 1991-04-02 International Business Machines Corporation Magnetoresistive read transducer having hard magnetic shunt bias
US4987508A (en) * 1988-12-23 1991-01-22 Eastman Kodak Company Permanent magnet shaped to provide uniform biasing of a magnetoresistive reproduce head
US4972284A (en) * 1989-01-03 1990-11-20 Eastman Kodak Company Deposited permanent magnet for hard and easy axes biasing of a magnetoresistive head
US5018037A (en) * 1989-10-10 1991-05-21 Krounbi Mohamad T Magnetoresistive read transducer having hard magnetic bias
JP2765175B2 (ja) * 1990-03-27 1998-06-11 日本電気株式会社 磁気抵抗効果形ヘッド装置
JP2826895B2 (ja) * 1990-09-19 1998-11-18 ティーディーケイ株式会社 永久磁石磁気回路
JPH05159247A (ja) * 1991-12-10 1993-06-25 Nec Corp 磁気抵抗効果ヘッド

Also Published As

Publication number Publication date
EP0656621A2 (en) 1995-06-07
EP0656621A3 (en) 1996-07-31
US5428491A (en) 1995-06-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5668686A (en) Magneto-resistive reading head with reduced side-lobe
US5402292A (en) Magnetoresistance effect type thin film magnetic head using high coercion films
JPH07192230A (ja) 蒸着バイアス磁石を有する磁気抵抗ヘッド
US5638235A (en) Magnetic storage system with canted hardbias magnetoresistive head
US6191925B1 (en) Dual element read with shaped elements
JP2790811B2 (ja) 薄膜磁気ヘッド
US5412524A (en) Magneto-resistive head
US5535077A (en) Magnetoresistive head having magnetically balanced magnetoresistive elements laminated on opposite sides of an electrically conductive film
EP0573155B1 (en) Magnetoresistive transducer conductor configuration
JPH0375925B2 (ja)
JPH07153036A (ja) 磁気抵抗効果型磁気ヘッド
JPS58100216A (ja) 磁気抵抗効果ヘツド
JP2559109B2 (ja) ヨ−ク型薄膜磁気ヘッド
JPH0944817A (ja) 薄膜磁気ヘッド
JP2596010B2 (ja) 磁気抵抗効果型磁気ヘッド
JPS59144025A (ja) 薄膜磁気ヘツド
JPH06215333A (ja) 磁気抵抗効果型ヘッドおよびこれを用いた記録再生装置
JPH10275310A (ja) 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法
JPH06267027A (ja) 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
JPH09305929A (ja) 薄膜磁気ヘッド
JPH07114008B2 (ja) 磁気抵抗効果型磁気ヘッド
JPH0325714A (ja) 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
JPH1021511A (ja) 磁気抵抗効果型磁気ヘッド
JPH0757218A (ja) 記録・再生複合型磁気ヘッド
JPH1049831A (ja) 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法