JP3210192B2 - 磁気検出素子 - Google Patents
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
- G11B5/3922—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure
- G11B5/3925—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure the two parts being thin films
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気抵抗効果（ＭＲ効
果）を使用して、記録媒体からの漏れ磁界などを検出す
る磁気検出素子に係り、特にバルクハウゼンノイズを低
減して、高精度な磁気検出を可能とした磁気検出素子に
関する。
果）を使用して、記録媒体からの漏れ磁界などを検出す
る磁気検出素子に係り、特にバルクハウゼンノイズを低
減して、高精度な磁気検出を可能とした磁気検出素子に
関する。
【０００２】
【従来の技術】図５（Ａ）（Ｂ）は、磁気抵抗効果を説
明する説明図であり、符号１が磁気抵抗効果膜（ＭＲ
膜）である。磁気抵抗効果膜（ＭＲ膜）１は、例えばパ
ーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ系合金）などの導電性の磁性材料
により形成される。ＭＲ膜１に与えられる電流をＩ、磁
気ディスクや磁気テープなどの記録媒体からの漏れ磁界
などの外部磁界をＨ、ＭＲ膜１の磁化をＭで示す。ＭＲ
膜１の磁化Ｍの方向と電流Ｉの方向との成す角度をφと
すると、ＭＲ膜１の電気抵抗Ｒは数１で表わされる。
明する説明図であり、符号１が磁気抵抗効果膜（ＭＲ
膜）である。磁気抵抗効果膜（ＭＲ膜）１は、例えばパ
ーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ系合金）などの導電性の磁性材料
により形成される。ＭＲ膜１に与えられる電流をＩ、磁
気ディスクや磁気テープなどの記録媒体からの漏れ磁界
などの外部磁界をＨ、ＭＲ膜１の磁化をＭで示す。ＭＲ
膜１の磁化Ｍの方向と電流Ｉの方向との成す角度をφと
すると、ＭＲ膜１の電気抵抗Ｒは数１で表わされる。
【０００３】
【数１】
【０００４】上記においてＲ0はＭＲ膜１の基本的な電
気抵抗値である。数１においてφ＝０°のとき、Ｒ＝Ｒ
0＋ΔＲで、φ＝９０°のとき、Ｒ＝Ｒ0である。図５
（Ｂ）は、横軸に外部磁界Ｈの強さを示し、縦軸に前記
電気抵抗Ｒを示している。ＭＲ膜１に外部磁界Ｈが与え
られ、磁化Ｍの角度φが±Δφだけ変化すると、電気抵
抗Ｒが変化する。この電気抵抗Ｒの変化を電圧として検
出することにより、外部磁界Ｈの強度変化を検出するこ
とができる。ただし、外部磁界Ｈの変化を電気抵抗Ｒの
変化として直線性を有して検出するためには、ＭＲ膜１
の磁化Ｍの方向と電流Ｉの方向との角度φを予め４５°
付近に設定しておくことが必要である。図５（Ｂ）はφ
が４５°付近のときの、外部磁界Ｈの変化に対する電気
抵抗Ｒの変化を示している。
気抵抗値である。数１においてφ＝０°のとき、Ｒ＝Ｒ
0＋ΔＲで、φ＝９０°のとき、Ｒ＝Ｒ0である。図５
（Ｂ）は、横軸に外部磁界Ｈの強さを示し、縦軸に前記
電気抵抗Ｒを示している。ＭＲ膜１に外部磁界Ｈが与え
られ、磁化Ｍの角度φが±Δφだけ変化すると、電気抵
抗Ｒが変化する。この電気抵抗Ｒの変化を電圧として検
出することにより、外部磁界Ｈの強度変化を検出するこ
とができる。ただし、外部磁界Ｈの変化を電気抵抗Ｒの
変化として直線性を有して検出するためには、ＭＲ膜１
の磁化Ｍの方向と電流Ｉの方向との角度φを予め４５°
付近に設定しておくことが必要である。図５（Ｂ）はφ
が４５°付近のときの、外部磁界Ｈの変化に対する電気
抵抗Ｒの変化を示している。
【０００５】例えば、ハードディスク装置用の浮上式磁
気ヘッドに設けられる磁気検出素子では、永久磁石を使
用したハードバイアス方式またはエクスチェンジバイア
ス方式によりＭＲ膜１が電流と同じ方向へ単磁区化さ
れ、またＳＡＬバイアスを与えることによりＭＲ膜１の
磁化Ｍの方向を変え、φがほぼ４５°に設定されるよう
になっている。上記ハードバイアス方式ではトラック幅
の狭いハードディスク用などに適しているが、各層の成
膜が難しく、価格が高くなる欠点がある。また同じ磁気
抵抗効果を利用した磁気検出素子として、図４に示され
るものが知られている。これは Barber pole方式と呼ば
れているものであり、比較的トラック幅の広いＤＣＣな
どの磁気テープ用の磁気ヘッドなどに用いられている。
気ヘッドに設けられる磁気検出素子では、永久磁石を使
用したハードバイアス方式またはエクスチェンジバイア
ス方式によりＭＲ膜１が電流と同じ方向へ単磁区化さ
れ、またＳＡＬバイアスを与えることによりＭＲ膜１の
磁化Ｍの方向を変え、φがほぼ４５°に設定されるよう
になっている。上記ハードバイアス方式ではトラック幅
の狭いハードディスク用などに適しているが、各層の成
膜が難しく、価格が高くなる欠点がある。また同じ磁気
抵抗効果を利用した磁気検出素子として、図４に示され
るものが知られている。これは Barber pole方式と呼ば
れているものであり、比較的トラック幅の広いＤＣＣな
どの磁気テープ用の磁気ヘッドなどに用いられている。
【０００６】図４に示す磁気検出素子は、パーマロイな
どにより形成されたＭＲ膜１上に、複数の非磁性導電体
膜２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄが重ねられて設けられてい
る。この非磁性導電体膜２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄは、固
有抵抗ρが小さい金属材料で、例えば金（Ａｕ）、銅
（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）やこれらの合金などに
より形成される。互いに隣り合う非磁性導電体膜には、
ＭＲ膜１上にて互いに平行に対向する傾斜辺３ａと３ｂ
が形成されている。各傾斜辺３ａと３ｂと、ＭＲ膜１の
磁化Ｍの方向との成す角度φは４５°付近に設定されて
いる。電流Ｉは、例えば左端の非磁性導電体膜２ａに与
えられ、この電流ＩがＭＲ膜１内を通る。電流Ｉは、固
有抵抗の小さい非磁性導電体膜２ｂ，２ｃおよび２ｄに
引かれながらＭＲ膜１内を流れ、右端の非磁性導電体膜
２ｄから出る。ここで、固有抵抗の小さい非磁性導電体
膜の傾斜辺３ａと３ｂは、ＭＲ膜１上にて角度φにて互
いに平行に対向している。したがって、非磁性導電体膜
の中間のＡ，Ｂ，Ｃの部分では、電流Ｉが傾斜辺３ａと
３ｂ間の最短距離を流れようとし、その結果、Ａ，Ｂ，
Ｃの部分にてＭＲ膜１内を流れる電流Ｉの方向が磁化Ｍ
の方向に対してほぼφの角度を持つことになる。その結
果、図５（Ｂ）で示すように、外部磁界Ｈの強さが変化
すると、直線性を有する電気抵抗Ｒの変化が得られる。
どにより形成されたＭＲ膜１上に、複数の非磁性導電体
膜２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄが重ねられて設けられてい
る。この非磁性導電体膜２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄは、固
有抵抗ρが小さい金属材料で、例えば金（Ａｕ）、銅
（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）やこれらの合金などに
より形成される。互いに隣り合う非磁性導電体膜には、
ＭＲ膜１上にて互いに平行に対向する傾斜辺３ａと３ｂ
が形成されている。各傾斜辺３ａと３ｂと、ＭＲ膜１の
磁化Ｍの方向との成す角度φは４５°付近に設定されて
いる。電流Ｉは、例えば左端の非磁性導電体膜２ａに与
えられ、この電流ＩがＭＲ膜１内を通る。電流Ｉは、固
有抵抗の小さい非磁性導電体膜２ｂ，２ｃおよび２ｄに
引かれながらＭＲ膜１内を流れ、右端の非磁性導電体膜
２ｄから出る。ここで、固有抵抗の小さい非磁性導電体
膜の傾斜辺３ａと３ｂは、ＭＲ膜１上にて角度φにて互
いに平行に対向している。したがって、非磁性導電体膜
の中間のＡ，Ｂ，Ｃの部分では、電流Ｉが傾斜辺３ａと
３ｂ間の最短距離を流れようとし、その結果、Ａ，Ｂ，
Ｃの部分にてＭＲ膜１内を流れる電流Ｉの方向が磁化Ｍ
の方向に対してほぼφの角度を持つことになる。その結
果、図５（Ｂ）で示すように、外部磁界Ｈの強さが変化
すると、直線性を有する電気抵抗Ｒの変化が得られる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図４に示すBa
rber pole方式の磁気検出素子には、以下の問題点があ
る。 （１）パーマロイなどのＭＲ膜１の上に、Ａｕ、Ｃｕ、
Ａｌなどの金属材料が積層されて非磁性導電体膜２ａ，
２ｂ，２ｃ，２ｄが形成される。この金属材料がＭＲ膜
１の表面に成膜されるときに、成膜時の熱などにより、
両膜の界面に酸化膜が形成されやすい。この酸化膜はＭ
Ｒ膜１と非磁性導電体膜とのコンタクト抵抗を増大させ
ることになる。その結果、Ａ，Ｂ，Ｃで示す部分にてＭ
Ｒ膜１内を流れる電流が、非磁性導電体膜２ｂ，２ｃ，
…の傾斜辺３ａ，３ｂに対して直交する方向へ向かわな
くなり、磁化Ｍの方向と電流Ｉの方向との角度φを高精
度に設定できなくなる。そのため、図５（Ｂ）に示す磁
気検出出力の直線性が維持できなくなり、検出精度が低
下する。
rber pole方式の磁気検出素子には、以下の問題点があ
る。 （１）パーマロイなどのＭＲ膜１の上に、Ａｕ、Ｃｕ、
Ａｌなどの金属材料が積層されて非磁性導電体膜２ａ，
２ｂ，２ｃ，２ｄが形成される。この金属材料がＭＲ膜
１の表面に成膜されるときに、成膜時の熱などにより、
両膜の界面に酸化膜が形成されやすい。この酸化膜はＭ
Ｒ膜１と非磁性導電体膜とのコンタクト抵抗を増大させ
ることになる。その結果、Ａ，Ｂ，Ｃで示す部分にてＭ
Ｒ膜１内を流れる電流が、非磁性導電体膜２ｂ，２ｃ，
…の傾斜辺３ａ，３ｂに対して直交する方向へ向かわな
くなり、磁化Ｍの方向と電流Ｉの方向との角度φを高精
度に設定できなくなる。そのため、図５（Ｂ）に示す磁
気検出出力の直線性が維持できなくなり、検出精度が低
下する。
【０００８】（２）ＭＲ膜１の磁化Ｍの方向は図４の右
方向に設定される。ただし、外部からバイアス磁界が与
えられていないと、ＭＲ膜１が多磁区構造となり、バル
クハウゼンノイズが生じ、検出精度が低下する。ＭＲ膜
１をＭ方向へ単磁区化するためには、ＭＲ膜１に外部か
らバイアス磁界を与えることが必要である。このバイア
ス磁界を与えるための層を設けると、磁気検出素子の構
造が複雑になって、成膜が困難になる。またBarber pol
e方式の磁気検出素子は、トラック幅Ｔｗが広くなるの
が一般的であるため、外部からのバイアス磁界によっ
て、Ｔｗ全域にてＭＲ膜１を高精度に単磁区化させるの
は実質的に不可能である。
方向に設定される。ただし、外部からバイアス磁界が与
えられていないと、ＭＲ膜１が多磁区構造となり、バル
クハウゼンノイズが生じ、検出精度が低下する。ＭＲ膜
１をＭ方向へ単磁区化するためには、ＭＲ膜１に外部か
らバイアス磁界を与えることが必要である。このバイア
ス磁界を与えるための層を設けると、磁気検出素子の構
造が複雑になって、成膜が困難になる。またBarber pol
e方式の磁気検出素子は、トラック幅Ｔｗが広くなるの
が一般的であるため、外部からのバイアス磁界によっ
て、Ｔｗ全域にてＭＲ膜１を高精度に単磁区化させるの
は実質的に不可能である。
【０００９】本発明は上記従来の課題を解決するもので
あり、ＭＲ膜と永久磁石膜との２層を主体とした構造に
より、外部磁界の高精度な検出ができ、またバルクハウ
ゼンノイズを低減できる磁気検出素子を提供することを
目的としている。
あり、ＭＲ膜と永久磁石膜との２層を主体とした構造に
より、外部磁界の高精度な検出ができ、またバルクハウ
ゼンノイズを低減できる磁気検出素子を提供することを
目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、電流が与えら
れる磁気抵抗効果膜と、この磁気抵抗効果膜に重ねられ
て磁気抵抗効果膜にバイアス磁界を与える複数の永久磁
石膜とを有し、前記永久磁石膜は、前記電流の方向およ
び外部磁界の方向に対して傾斜する傾斜辺を有し、異な
る磁極の傾斜辺どうしが磁気抵抗効果膜上にて対向し、
磁気抵抗効果膜の電気抵抗よりも、永久磁石膜の電気抵
抗の方が大きいことを特徴とするものである。
れる磁気抵抗効果膜と、この磁気抵抗効果膜に重ねられ
て磁気抵抗効果膜にバイアス磁界を与える複数の永久磁
石膜とを有し、前記永久磁石膜は、前記電流の方向およ
び外部磁界の方向に対して傾斜する傾斜辺を有し、異な
る磁極の傾斜辺どうしが磁気抵抗効果膜上にて対向し、
磁気抵抗効果膜の電気抵抗よりも、永久磁石膜の電気抵
抗の方が大きいことを特徴とするものである。
【００１１】
【００１２】また、磁気抵抗効果膜の両端部に重ねられ
ている永久磁石膜を、磁気抵抗効果膜に電流を与えるリ
ード層として兼用することも可能である。また本発明で
は、前記磁気抵抗効果膜に流れる電流方向は、外部磁界
に対し直交する方向であることが好ましい。また本発明
では、前記永久磁石膜の傾斜辺どうしの中間に位置する
前記磁気抵抗効果膜は、前記傾斜辺に対し直交する方向
に磁化されていることが好ましい。また本発明では、前
記永久磁石膜の傾斜辺どうしの中間に位置する前記磁気
抵抗効果膜の磁化方向は、電流方向に対し傾斜角を有し
ていることが好ましい。さらに本発明では、前記磁気検
出素子の前後にヨーク層が近接配置され、一方の前記ヨ
ーク層上にギャップ層を介して別のヨーク層が対向して
いる形態を提供することができる。
ている永久磁石膜を、磁気抵抗効果膜に電流を与えるリ
ード層として兼用することも可能である。また本発明で
は、前記磁気抵抗効果膜に流れる電流方向は、外部磁界
に対し直交する方向であることが好ましい。また本発明
では、前記永久磁石膜の傾斜辺どうしの中間に位置する
前記磁気抵抗効果膜は、前記傾斜辺に対し直交する方向
に磁化されていることが好ましい。また本発明では、前
記永久磁石膜の傾斜辺どうしの中間に位置する前記磁気
抵抗効果膜の磁化方向は、電流方向に対し傾斜角を有し
ていることが好ましい。さらに本発明では、前記磁気検
出素子の前後にヨーク層が近接配置され、一方の前記ヨ
ーク層上にギャップ層を介して別のヨーク層が対向して
いる形態を提供することができる。
【００１３】
【作用】上記手段では、磁気抵抗効果膜（ＭＲ膜）がパ
ーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ系合金）などの導電性の磁性材料
により形成される。このＭＲ膜の上に複数の磁性体膜が
形成され、この磁性体膜が、残留磁化を有する永久磁石
膜となっている。この永久磁石膜には、ＭＲ膜に与えら
れる電流の方向および磁気ディスクや磁気テープからの
漏れ磁界などの外部磁界の方向に対して傾斜した傾斜辺
が形成され、ＭＲ膜上にて異なる磁極の傾斜辺が平行に
対向している。したがって、永久磁石膜の傾斜辺どうし
の中間に位置しているＭＲ膜は、対向する傾斜辺に直交
する方向へ磁化されて単磁区化され、これにより電流Ｉ
の方向と磁化Ｍの方向との間に４５°付近の角度φが設
定される。ＭＲ膜に外部磁界Ｈが与えられると、磁化Ｍ
の方向がφに対して±Δφにて変化し、その結果、図５
（Ｂ）に示すように、外部磁界Ｈの変化に対するＭＲ膜
の電気抵抗Ｒの変化が直線性を有するようになる。この
電気抵抗Ｒの変化に対応する電圧の変化を検出すること
により、外部磁界Ｈの変化を検出することができる。
ーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ系合金）などの導電性の磁性材料
により形成される。このＭＲ膜の上に複数の磁性体膜が
形成され、この磁性体膜が、残留磁化を有する永久磁石
膜となっている。この永久磁石膜には、ＭＲ膜に与えら
れる電流の方向および磁気ディスクや磁気テープからの
漏れ磁界などの外部磁界の方向に対して傾斜した傾斜辺
が形成され、ＭＲ膜上にて異なる磁極の傾斜辺が平行に
対向している。したがって、永久磁石膜の傾斜辺どうし
の中間に位置しているＭＲ膜は、対向する傾斜辺に直交
する方向へ磁化されて単磁区化され、これにより電流Ｉ
の方向と磁化Ｍの方向との間に４５°付近の角度φが設
定される。ＭＲ膜に外部磁界Ｈが与えられると、磁化Ｍ
の方向がφに対して±Δφにて変化し、その結果、図５
（Ｂ）に示すように、外部磁界Ｈの変化に対するＭＲ膜
の電気抵抗Ｒの変化が直線性を有するようになる。この
電気抵抗Ｒの変化に対応する電圧の変化を検出すること
により、外部磁界Ｈの変化を検出することができる。
【００１４】この手段では、永久磁石膜の傾斜辺の中間
では、傾斜辺の磁極によりＭＲ膜が前記角度φの方向へ
高精度に単磁区化される。したがって、検出電圧でのバ
ルクハウゼンノイズが低減され、高精度な磁界検出が可
能になる。ここで、永久磁石膜となる磁性材料の膜は、
例えばＣｏ−Ｐｔ（コバルト・白金）系合金や、Ｃｏ−
Ｃｒ−Ｔａ（コバルト・クロム・タンタル）系合金によ
り形成される。Ｃｏ−Ｐｔ系合金やＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ系
合金は、導電性の磁性材料である。したがって、ＭＲ膜
に流れる電流の方向を例えば外部磁界に対して直交する
方向へ固定するために、永久磁石膜の電気抵抗を、ＭＲ
膜の電気抵抗よりも大きく設定しておくことが好まし
い。そのためには、ＭＲ膜の固有抵抗をρ1、膜厚をｔ
1、永久磁石膜の固有抵抗をρ2、膜厚ｔ2としたとき
に、（ρ1／ｔ１）＜（ρ2／ｔ2）に設定することが好
ましい。
では、傾斜辺の磁極によりＭＲ膜が前記角度φの方向へ
高精度に単磁区化される。したがって、検出電圧でのバ
ルクハウゼンノイズが低減され、高精度な磁界検出が可
能になる。ここで、永久磁石膜となる磁性材料の膜は、
例えばＣｏ−Ｐｔ（コバルト・白金）系合金や、Ｃｏ−
Ｃｒ−Ｔａ（コバルト・クロム・タンタル）系合金によ
り形成される。Ｃｏ−Ｐｔ系合金やＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ系
合金は、導電性の磁性材料である。したがって、ＭＲ膜
に流れる電流の方向を例えば外部磁界に対して直交する
方向へ固定するために、永久磁石膜の電気抵抗を、ＭＲ
膜の電気抵抗よりも大きく設定しておくことが好まし
い。そのためには、ＭＲ膜の固有抵抗をρ1、膜厚をｔ
1、永久磁石膜の固有抵抗をρ2、膜厚ｔ2としたとき
に、（ρ1／ｔ１）＜（ρ2／ｔ2）に設定することが好
ましい。
【００１５】永久磁石膜の電気抵抗をＭＲ膜の電気抵抗
よりも大きくすることにより、電流が永久磁石膜の傾斜
辺に直交する方向へ流れるのを防止でき、ＭＲ膜内を電
流が直線的に流れるようになる。永久磁石膜の電気抵抗
をＭＲ膜の電気抵抗よりも大きく設定しておくことによ
り、上記のようにＭＲ膜内の電流の方向を直線的に固定
できる。したがって、ＭＲ膜の両端部分に重ねられてい
る永久磁石膜を、ＭＲ膜に電流を与えるためのリード層
として兼用できることになる。
よりも大きくすることにより、電流が永久磁石膜の傾斜
辺に直交する方向へ流れるのを防止でき、ＭＲ膜内を電
流が直線的に流れるようになる。永久磁石膜の電気抵抗
をＭＲ膜の電気抵抗よりも大きく設定しておくことによ
り、上記のようにＭＲ膜内の電流の方向を直線的に固定
できる。したがって、ＭＲ膜の両端部分に重ねられてい
る永久磁石膜を、ＭＲ膜に電流を与えるためのリード層
として兼用できることになる。
【００１６】また、図４に示す従来例では、ＭＲ膜１と
非磁性導電体膜２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄとの界面での酸
化物により、コンタクト抵抗が増大することが問題とな
ったが、本発明では、むしろこのコンタクト抵抗が大き
く、ＭＲ膜内を流れる電流が永久磁石膜の傾斜辺に引か
れないようにした方が好ましい。したがって、本発明で
は図４に示す従来例よりも成膜条件の制約が少なくな
り、製造が容易である。
非磁性導電体膜２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄとの界面での酸
化物により、コンタクト抵抗が増大することが問題とな
ったが、本発明では、むしろこのコンタクト抵抗が大き
く、ＭＲ膜内を流れる電流が永久磁石膜の傾斜辺に引か
れないようにした方が好ましい。したがって、本発明で
は図４に示す従来例よりも成膜条件の制約が少なくな
り、製造が容易である。
【００１７】あるいは、永久磁石膜を、非導電性の磁性
材料の膜により形成することができる。この場合には、
永久磁石膜をリード層として兼用できない。よって、永
久磁石膜とは別個のリード膜（電極膜）を形成し、この
リード膜によりＭＲ膜に電流を与えればよい。
材料の膜により形成することができる。この場合には、
永久磁石膜をリード層として兼用できない。よって、永
久磁石膜とは別個のリード膜（電極膜）を形成し、この
リード膜によりＭＲ膜に電流を与えればよい。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。図１は本
発明の第１実施例による磁気検出素子１０の平面図であ
る。この磁気検出素子１０では、パーマロイ（Ｆｅ−Ｎ
ｉ系合金）により形成された平面が矩形状の磁気抵抗効
果膜（ＭＲ膜）１が設けられ、その上に複数の永久磁石
膜４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄが形成されている。この磁気
検出素子１０が磁気ヘッドなどとして使用される場合に
は、パーマロイなどの磁気シールド層の上にＡｌ2Ｏ3な
どの電気絶縁層が形成され、その上にＭＲ膜１と永久磁
石膜４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄが積層される。その上にＡ
ｌ2Ｏ3などの電気絶縁層が形成され、さらに磁気シール
ド層が形成される。
発明の第１実施例による磁気検出素子１０の平面図であ
る。この磁気検出素子１０では、パーマロイ（Ｆｅ−Ｎ
ｉ系合金）により形成された平面が矩形状の磁気抵抗効
果膜（ＭＲ膜）１が設けられ、その上に複数の永久磁石
膜４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄが形成されている。この磁気
検出素子１０が磁気ヘッドなどとして使用される場合に
は、パーマロイなどの磁気シールド層の上にＡｌ2Ｏ3な
どの電気絶縁層が形成され、その上にＭＲ膜１と永久磁
石膜４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄが積層される。その上にＡ
ｌ2Ｏ3などの電気絶縁層が形成され、さらに磁気シール
ド層が形成される。
【００１９】図１の実施例では、永久磁石膜として、Ｃ
ｏ−Ｐｔ系合金や、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金などの導電
性の磁性材料膜が磁化されたものが使用される。ＭＲ膜
１にはＸ方向へ直線的に電流Ｉが流れる。また磁気ディ
スクや磁気テープなどの磁気記録媒体からの漏れ磁束な
どの外部磁界Ｈの方向はＹ方向である。隣り合う各永久
磁石膜４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄには、互いに平行（また
はほぼ平行）に対向する傾斜辺５ａ，５ｂが形成されて
いる。各傾斜辺５ａ，５ｂは、電流Ｉの方向（Ｘ方向）
と、外部磁界Ｈの方向（Ｙ方向）の双方に対して傾斜し
ている。Ｘ方向に対する傾斜辺５ａ，５ｂの傾斜角度φ
は４５°付近である。永久磁石膜４ａ〜４ｄの残留磁化
の方向はＸ方向あるいは、Ｘ方向に対して角度φだけ傾
斜した方向（図１のＭと同じ方向）であり、例えば傾斜
辺５ａがＮ極で、傾斜辺５ｂがＳ極となるように、傾斜
辺５ａと５ｂでの極性が相違している。
ｏ−Ｐｔ系合金や、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金などの導電
性の磁性材料膜が磁化されたものが使用される。ＭＲ膜
１にはＸ方向へ直線的に電流Ｉが流れる。また磁気ディ
スクや磁気テープなどの磁気記録媒体からの漏れ磁束な
どの外部磁界Ｈの方向はＹ方向である。隣り合う各永久
磁石膜４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄには、互いに平行（また
はほぼ平行）に対向する傾斜辺５ａ，５ｂが形成されて
いる。各傾斜辺５ａ，５ｂは、電流Ｉの方向（Ｘ方向）
と、外部磁界Ｈの方向（Ｙ方向）の双方に対して傾斜し
ている。Ｘ方向に対する傾斜辺５ａ，５ｂの傾斜角度φ
は４５°付近である。永久磁石膜４ａ〜４ｄの残留磁化
の方向はＸ方向あるいは、Ｘ方向に対して角度φだけ傾
斜した方向（図１のＭと同じ方向）であり、例えば傾斜
辺５ａがＮ極で、傾斜辺５ｂがＳ極となるように、傾斜
辺５ａと５ｂでの極性が相違している。
【００２０】永久磁石膜４ａ〜４ｄは、導電性材料膜で
あるが、各永久磁石膜の電気抵抗が、ＭＲ膜１の電気抵
抗よりも大きくなるように設定されている。導電体の電
気抵抗ｒは以下の数２により表わされる。
あるが、各永久磁石膜の電気抵抗が、ＭＲ膜１の電気抵
抗よりも大きくなるように設定されている。導電体の電
気抵抗ｒは以下の数２により表わされる。
【００２１】
【数２】
【００２２】上記においてρは固有抵抗、ｔは膜厚寸
法、ｗは幅寸法、ｌは長さである。ＭＲ膜１がパーマロ
イの場合、その固有抵抗ρ1がほぼ２５（μΩ・ｃｍ）
で、永久磁石膜４ａ〜４ｄがＣｏ−Ｐｔ系合金や、Ｃｏ
−Ｃｒ−Ｔａ系合金の場合、その固有抵抗ρ2はほぼ９
０（μΩ・ｃｍ）である。この実施例では、永久磁石膜
の固有抵抗ρ2が、ＭＲ膜１の固有抵抗ρ1の３倍以上で
ある。図１に示す磁気検出素子１０では、ＭＲ膜１の電
気抵抗よりも永久磁石膜４ａ〜４ｄの電気抵抗を大きく
しておくことにより、ＭＲ膜１に流れる電流Ｉが傾斜辺
５ａと５ｂの間を短絡しないようにし、電流Ｉ方向がＸ
方向に対して傾斜するのを防止できるようになってい
る。また、両側の永久磁石膜４ａと４ｄをリード層（電
極層）として兼用でき、電流Ｉを永久磁石膜４ａからＭ
Ｒ膜１に与え、さらに永久磁石膜４ｄから取り出すこと
ができる。しかも前述のように、永久磁石膜の電気抵抗
を大きくしておくことにより、傾斜辺５ａと５ｂ間にて
Ｍ方向へ電流が短絡するのを防止できる。
法、ｗは幅寸法、ｌは長さである。ＭＲ膜１がパーマロ
イの場合、その固有抵抗ρ1がほぼ２５（μΩ・ｃｍ）
で、永久磁石膜４ａ〜４ｄがＣｏ−Ｐｔ系合金や、Ｃｏ
−Ｃｒ−Ｔａ系合金の場合、その固有抵抗ρ2はほぼ９
０（μΩ・ｃｍ）である。この実施例では、永久磁石膜
の固有抵抗ρ2が、ＭＲ膜１の固有抵抗ρ1の３倍以上で
ある。図１に示す磁気検出素子１０では、ＭＲ膜１の電
気抵抗よりも永久磁石膜４ａ〜４ｄの電気抵抗を大きく
しておくことにより、ＭＲ膜１に流れる電流Ｉが傾斜辺
５ａと５ｂの間を短絡しないようにし、電流Ｉ方向がＸ
方向に対して傾斜するのを防止できるようになってい
る。また、両側の永久磁石膜４ａと４ｄをリード層（電
極層）として兼用でき、電流Ｉを永久磁石膜４ａからＭ
Ｒ膜１に与え、さらに永久磁石膜４ｄから取り出すこと
ができる。しかも前述のように、永久磁石膜の電気抵抗
を大きくしておくことにより、傾斜辺５ａと５ｂ間にて
Ｍ方向へ電流が短絡するのを防止できる。
【００２３】数２に示すように、電気抵抗ｒは長さ
（ｌ）に比例し、断面積（ｔ・ｗ）に反比例する。図１
において、Ｘ方向の長さが最も短いのは永久磁石膜４ｂ
と４ｃである。よって、この永久磁石膜４ｂと４ｃの電
気抵抗が、ＭＲ膜１のＡ，Ｂ，Ｃで示す部分の電気抵抗
よりも大きければよい。薄膜の磁気検出素子１０では、
Ａ，Ｂ，Ｃで示す部分のＭＲ膜１と、永久磁石膜４ｂ，
４ｃとで、幅寸法（ｗ）と長さ（ｌ）の差はわずかであ
る。したがって、ＭＲ膜１の膜厚をｔ1、永久磁石膜４
ａ〜４ｄの膜厚をｔ2とした場合に、（ρ1／ｔ１）＜
（ρ2／ｔ2）に設定すれば、永久磁石膜４ｂ，４ｃの電
気抵抗を、Ａ，Ｂ，Ｃの部分のＭＲ膜１の電気抵抗より
も大きくできる。
（ｌ）に比例し、断面積（ｔ・ｗ）に反比例する。図１
において、Ｘ方向の長さが最も短いのは永久磁石膜４ｂ
と４ｃである。よって、この永久磁石膜４ｂと４ｃの電
気抵抗が、ＭＲ膜１のＡ，Ｂ，Ｃで示す部分の電気抵抗
よりも大きければよい。薄膜の磁気検出素子１０では、
Ａ，Ｂ，Ｃで示す部分のＭＲ膜１と、永久磁石膜４ｂ，
４ｃとで、幅寸法（ｗ）と長さ（ｌ）の差はわずかであ
る。したがって、ＭＲ膜１の膜厚をｔ1、永久磁石膜４
ａ〜４ｄの膜厚をｔ2とした場合に、（ρ1／ｔ１）＜
（ρ2／ｔ2）に設定すれば、永久磁石膜４ｂ，４ｃの電
気抵抗を、Ａ，Ｂ，Ｃの部分のＭＲ膜１の電気抵抗より
も大きくできる。
【００２４】次に図１に示す磁気検出素子１０の動作を
説明する。隣り合う永久磁石膜の傾斜辺５ａと５ｂは、
ＭＲ膜１上にて平行に対向し、傾斜辺５ａと５ｂは電流
方向（Ｘ方向）に対して角度φにて傾斜している。また
対向する傾斜辺５ａはＮ極で傾斜辺５ｂはＳ極である。
したがって、永久磁石膜の間に位置するＡ，Ｂ，Ｃの部
分でのＭＲ膜１は、図１にて点線で示すように、電流Ｉ
の方向（Ｘ方向）に対して角度φの方向が磁化Ｍの方向
となり、Ａ，Ｂ，Ｃの部分のＭＲ膜１がＭの方向へ単磁
区化されている。この実施例では、両側に位置する永久
磁石膜４ａと４ｄがリード層として兼用されており、電
流Ｉは、永久磁石膜４ａからＭＲ膜１に与えられる。前
述のように、永久磁石膜４ｂ，４ｃの電気抵抗は、Ａ，
Ｂ，Ｃの部分でのＭＲ膜１の電気抵抗よりも大きいた
め、ＭＲ膜１内にて電流ＩはＸ方向に流れる。
説明する。隣り合う永久磁石膜の傾斜辺５ａと５ｂは、
ＭＲ膜１上にて平行に対向し、傾斜辺５ａと５ｂは電流
方向（Ｘ方向）に対して角度φにて傾斜している。また
対向する傾斜辺５ａはＮ極で傾斜辺５ｂはＳ極である。
したがって、永久磁石膜の間に位置するＡ，Ｂ，Ｃの部
分でのＭＲ膜１は、図１にて点線で示すように、電流Ｉ
の方向（Ｘ方向）に対して角度φの方向が磁化Ｍの方向
となり、Ａ，Ｂ，Ｃの部分のＭＲ膜１がＭの方向へ単磁
区化されている。この実施例では、両側に位置する永久
磁石膜４ａと４ｄがリード層として兼用されており、電
流Ｉは、永久磁石膜４ａからＭＲ膜１に与えられる。前
述のように、永久磁石膜４ｂ，４ｃの電気抵抗は、Ａ，
Ｂ，Ｃの部分でのＭＲ膜１の電気抵抗よりも大きいた
め、ＭＲ膜１内にて電流ＩはＸ方向に流れる。
【００２５】よって、ＭＲ膜１のＡ，Ｂ，Ｃの部分で
は、電流Ｉの方向に対して単磁区化された磁化Ｍの方向
が４５°付近の角度φを有する。したがって、磁気ディ
スクまたは磁気テープなどの記録媒体からの漏れ磁界な
どの外部磁界Ｈの強さの変化に対して、磁化Ｍの角度φ
が変化し、図５（Ｂ）に示したように、磁界Ｈの変化に
対して、ＭＲ膜１の抵抗Ｒが直線性を有して変化する。
このときの電圧の変化を検出することにより磁界Ｈを検
出できる。中間に位置する永久磁石膜４ｂ，４ｃの数
は、磁気検出素子１０のトラック幅Ｔｗの大きさに応じ
て選ばれる。Ａ，Ｂ，Ｃで示す部分にてＭＲ膜１をＭ方
向へ単磁区化するためには、傾斜辺５ａと傾斜辺５ｂの
間隔をある程度狭くしておく必要がある。したがってト
ラック幅Ｔｗが大きい場合には、中間の永久磁石膜の数
が多くなる。
は、電流Ｉの方向に対して単磁区化された磁化Ｍの方向
が４５°付近の角度φを有する。したがって、磁気ディ
スクまたは磁気テープなどの記録媒体からの漏れ磁界な
どの外部磁界Ｈの強さの変化に対して、磁化Ｍの角度φ
が変化し、図５（Ｂ）に示したように、磁界Ｈの変化に
対して、ＭＲ膜１の抵抗Ｒが直線性を有して変化する。
このときの電圧の変化を検出することにより磁界Ｈを検
出できる。中間に位置する永久磁石膜４ｂ，４ｃの数
は、磁気検出素子１０のトラック幅Ｔｗの大きさに応じ
て選ばれる。Ａ，Ｂ，Ｃで示す部分にてＭＲ膜１をＭ方
向へ単磁区化するためには、傾斜辺５ａと傾斜辺５ｂの
間隔をある程度狭くしておく必要がある。したがってト
ラック幅Ｔｗが大きい場合には、中間の永久磁石膜の数
が多くなる。
【００２６】また、トラック幅Ｔｗが狭いものである場
合には、図２に示すように、永久磁石膜を４ａと４ｄで
示す２ヶ所にのみ設け、それぞれの永久磁石膜４ａと４
ｄに形成された傾斜辺５ａ，５ｂを角度φにて平行に設
ければよい。また、図１に示す永久磁石膜４ａ〜４ｄま
たは図２に示す永久磁石膜４ａ，４ｄを非導電性の磁性
材料膜により形成してもよい。この場合に、両側の永久
磁石膜４ａと４ｄをリード層として兼用できないため、
ＭＲ膜１の左右両端に接続されるリード層（電極層）を
別個に形成することになる。
合には、図２に示すように、永久磁石膜を４ａと４ｄで
示す２ヶ所にのみ設け、それぞれの永久磁石膜４ａと４
ｄに形成された傾斜辺５ａ，５ｂを角度φにて平行に設
ければよい。また、図１に示す永久磁石膜４ａ〜４ｄま
たは図２に示す永久磁石膜４ａ，４ｄを非導電性の磁性
材料膜により形成してもよい。この場合に、両側の永久
磁石膜４ａと４ｄをリード層として兼用できないため、
ＭＲ膜１の左右両端に接続されるリード層（電極層）を
別個に形成することになる。
【００２７】図１または図２に示す磁気検出素子１０
は、そのまま磁気記録媒体などに対向させ、漏れ磁界で
ある外部磁界ＨがＭＲ膜１に直接作用するようにして使
用することができる。ただし、図３に示すように、磁気
検出素子１０の前後にヨーク層１１と１２を近接して配
置し、その上にヨーク層１３を形成し、ヨーク層１３の
一端１３ａがヨーク層１１にギャップを介して対向し、
他端１３ｂがヨーク層１２に磁気的に接触する構造にで
きる。この場合には、ヨーク層１１の幅寸法はトラック
幅Ｔｗとなり、ヨーク層１１と一端１３ａの間隔が磁気
ギャップ長Ｇｌとなる。この磁気検出素子１０は、磁気
ディスクや磁気テープなどの記録媒体の記録信号の再生
や、その他の磁気検出装置に使用することが可能であ
る。
は、そのまま磁気記録媒体などに対向させ、漏れ磁界で
ある外部磁界ＨがＭＲ膜１に直接作用するようにして使
用することができる。ただし、図３に示すように、磁気
検出素子１０の前後にヨーク層１１と１２を近接して配
置し、その上にヨーク層１３を形成し、ヨーク層１３の
一端１３ａがヨーク層１１にギャップを介して対向し、
他端１３ｂがヨーク層１２に磁気的に接触する構造にで
きる。この場合には、ヨーク層１１の幅寸法はトラック
幅Ｔｗとなり、ヨーク層１１と一端１３ａの間隔が磁気
ギャップ長Ｇｌとなる。この磁気検出素子１０は、磁気
ディスクや磁気テープなどの記録媒体の記録信号の再生
や、その他の磁気検出装置に使用することが可能であ
る。
【００２８】
【発明の効果】本発明の磁気検出素子は、ＭＲ膜と永久
磁石膜の２層構造を主体としたものであり、比較的簡単
な成膜工程により製造できる。
磁石膜の２層構造を主体としたものであり、比較的簡単
な成膜工程により製造できる。
【００２９】また、ＭＲ膜は永久磁石膜により単磁区化
されるので、バルクハウゼンノイズが低減され、高精度
な磁気検出が可能である。
されるので、バルクハウゼンノイズが低減され、高精度
な磁気検出が可能である。
【００３０】また、永久磁石膜の電気抵抗を、ＭＲ膜の
電気抵抗よりも大きくすることにより、電流を直線的に
流すことが可能になる。また両側の永久磁石膜を導電性
材料とし、且つ上記のようにＭＲ膜よりも電気抵抗を大
きくしておくことにより、永久磁石膜を、ＭＲ膜に電流
を与えるリード層として兼用できる。
電気抵抗よりも大きくすることにより、電流を直線的に
流すことが可能になる。また両側の永久磁石膜を導電性
材料とし、且つ上記のようにＭＲ膜よりも電気抵抗を大
きくしておくことにより、永久磁石膜を、ＭＲ膜に電流
を与えるリード層として兼用できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の磁気検出素子の第１実施例を示す平面
図、
図、
【図２】本発明の他の実施例による磁気検出素子を示す
平面図、
平面図、
【図３】磁気検出素子の使用例を示す斜視図、
【図４】従来の磁気検出素子の平面図、
【図５】磁気抵抗効果を説明する図であり、（Ａ）は磁
気抵抗効果膜の平面図、（Ｂ）は外部磁界に対する電気
抵抗の変化を示す線図、
気抵抗効果膜の平面図、（Ｂ）は外部磁界に対する電気
抵抗の変化を示す線図、
１ 磁気抵抗効果膜（ＭＲ膜） ４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ 永久磁石膜 ５ａ，５ｂ 傾斜辺 １０ 磁気検出素子 Ｉ 電流 Ｍ 磁化 Ｈ 外部磁界
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 43/08 G01R 33/09 G11B 5/39 H01F 41/32 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (6)
- 【請求項１】 電流が与えられる磁気抵抗効果膜と、こ
の磁気抵抗効果膜に重ねられて磁気抵抗効果膜にバイア
ス磁界を与える複数の永久磁石膜とを有し、前記永久磁
石膜は、前記電流の方向および外部磁界の方向に対して
傾斜する傾斜辺を有し、異なる磁極の傾斜辺どうしが磁
気抵抗効果膜上にて対向し、磁気抵抗効果膜の電気抵抗
よりも、永久磁石膜の電気抵抗の方が大きいことを特徴
とする磁気検出素子。 - 【請求項２】 磁気抵抗効果膜の両端部に重ねられてい
る永久磁石膜が、磁気抵抗効果膜に電流を与えるリード
層として兼用されている請求項１記載の磁気検出素子。 - 【請求項３】 前記磁気抵抗効果膜に流れる電流方向
は、外部磁界に対し直交する方向である請求項１または
２に記載の磁気検出素子。 - 【請求項４】 前記永久磁石膜の傾斜辺どうしの中間に
位置する前記磁気抵抗効果膜は、前記傾斜辺に対し直交
する方向に磁化されている請求項１ないし３のいずれか
に記載の磁気検出素子。 - 【請求項５】 前記永久磁石膜の傾斜辺どうしの中間に
位置する前記磁気抵抗効果膜の磁化方向は、電流方向に
対し傾斜角を有している請求項１ないし４のいずれかに
記載の磁気検出素子。 - 【請求項６】 前記磁気検出素子の前後にヨーク層が近
接配置され、一方の前記ヨーク層上にギャップ層を介し
て別のヨーク層が対向している請求項１ないし５のいず
れかに記載の磁気検出素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25937994A JP3210192B2 (ja) | 1994-09-29 | 1994-09-29 | 磁気検出素子 |
| US08/525,874 US5592082A (en) | 1994-09-29 | 1995-09-08 | Magnetic sensor with permanent magnet bias layers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25937994A JP3210192B2 (ja) | 1994-09-29 | 1994-09-29 | 磁気検出素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0897488A JPH0897488A (ja) | 1996-04-12 |
| JP3210192B2 true JP3210192B2 (ja) | 2001-09-17 |
Family
ID=17333318
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25937994A Expired - Fee Related JP3210192B2 (ja) | 1994-09-29 | 1994-09-29 | 磁気検出素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5592082A (ja) |
| JP (1) | JP3210192B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| FR2710753B1 (fr) * | 1993-09-27 | 1995-10-27 | Commissariat Energie Atomique | Capteur de courant comprenant un ruban magnétorésistif et son procédé de réalisation. |
| US5739988A (en) * | 1996-09-18 | 1998-04-14 | International Business Machines Corporation | Spin valve sensor with enhanced magnetoresistance |
| EP0909047B1 (en) * | 1997-10-07 | 2003-04-02 | Lucent Technologies Inc. | Optical dispersion compensation |
| JP2000099924A (ja) * | 1998-09-18 | 2000-04-07 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 磁気再生ヘッド |
| US6230390B1 (en) | 1998-10-30 | 2001-05-15 | Headway Technologies, Inc. | Canted longitudinal patterned exchange biased dual-stripe magnetoresistive (DSMR) sensor element and method for fabrication thereof |
| US6717403B2 (en) * | 2001-09-06 | 2004-04-06 | Honeywell International Inc. | Method and system for improving the efficiency of the set and offset straps on a magnetic sensor |
| US7191759B2 (en) * | 2004-04-09 | 2007-03-20 | Ksr Industrial Corporation | Inductive sensor for vehicle electronic throttle control |
| US7292026B2 (en) | 2005-04-08 | 2007-11-06 | Ksr International Co. | Signal conditioning system for inductive position sensor |
| US7449878B2 (en) | 2005-06-27 | 2008-11-11 | Ksr Technologies Co. | Linear and rotational inductive position sensor |
| US7495871B1 (en) * | 2005-07-26 | 2009-02-24 | Storage Technology Corporation | Top formed grating stabilizer |
| US7423849B2 (en) * | 2005-09-19 | 2008-09-09 | Hitachi Global Sotrage Technologies Netherlands B.V. | Magnetoresistive (MR) elements having pinned layers with canted magnetic moments |
| US20090185865A1 (en) * | 2005-11-16 | 2009-07-23 | The Charles Machine Works, Inc. | Soft excavation potholing method and apparatus |
| IT1395964B1 (it) * | 2009-06-30 | 2012-11-02 | St Microelectronics Rousset | Sensore magnetoresistivo e suo procedimento di fabbricazione |
| US8240024B2 (en) | 2009-08-25 | 2012-08-14 | International Business Machines Corporation | Methods for fabricating magnetic transducers using post-deposition tilting |
| US8351152B2 (en) | 2009-08-25 | 2013-01-08 | International Business Machines Corporation | Magnetic writer structures formed using post-deposition tilting |
| US8416537B2 (en) * | 2009-11-06 | 2013-04-09 | International Business Machines Corporation | Recording head with tilted orientation |
| TWI409488B (zh) * | 2011-09-29 | 2013-09-21 | Voltafield Technology Corp | 磁阻感測元件與磁阻感測裝置 |
| US9372242B2 (en) * | 2012-05-11 | 2016-06-21 | Memsic, Inc. | Magnetometer with angled set/reset coil |
| JP2015194389A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | Tdk株式会社 | 磁界検出装置および多面取り基板 |
| TWI541526B (zh) * | 2014-04-28 | 2016-07-11 | 宇能電科技股份有限公司 | 磁阻元件及磁阻裝置 |
| FR3027404A1 (fr) * | 2014-10-16 | 2016-04-22 | Commissariat Energie Atomique | Capteur de champ magnetique pour la detection d'au moins deux composantes de champ magnetique |
| US9841469B2 (en) | 2016-01-26 | 2017-12-12 | Nxp Usa, Inc. | Magnetic field sensor with multiple sense layer magnetization orientations |
| US9897667B2 (en) | 2016-01-26 | 2018-02-20 | Nxp Usa, Inc. | Magnetic field sensor with permanent magnet biasing |
| US10545196B2 (en) | 2016-03-24 | 2020-01-28 | Nxp Usa, Inc. | Multiple axis magnetic sensor |
| US10145907B2 (en) | 2016-04-07 | 2018-12-04 | Nxp Usa, Inc. | Magnetic field sensor with permanent magnet biasing |
| US9933496B2 (en) | 2016-04-21 | 2018-04-03 | Nxp Usa, Inc. | Magnetic field sensor with multiple axis sense capability |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL279482A (ja) * | 1961-06-15 | |||
| US3840898A (en) * | 1972-12-29 | 1974-10-08 | Ibm | Self-biased magnetoresistive sensor |
| NL7901578A (nl) * | 1979-02-28 | 1980-09-01 | Philips Nv | Magnetoweerstandkop. |
| US5260652A (en) * | 1992-03-25 | 1993-11-09 | Seagate Technology, Inc. | Magnetoresistive sensor with electrical contacts having variable resistive regions for enhanced sensor sensitivity |
| MY108956A (en) * | 1992-11-12 | 1996-11-30 | Quantum Peripherals Colorado Inc | Magnetoresistive device and method having improved barkhausen noise suppression |
| US5428491A (en) * | 1993-12-03 | 1995-06-27 | Eastman Kodak Company | Magnetoresistive head with deposited biasing magnet |
| US5420736A (en) * | 1994-04-15 | 1995-05-30 | International Business Machines Corporation | MR read transducer with thermal noise cancellation |
-
1994
- 1994-09-29 JP JP25937994A patent/JP3210192B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-09-08 US US08/525,874 patent/US5592082A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5592082A (en) | 1997-01-07 |
| JPH0897488A (ja) | 1996-04-12 |
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