JPS5816580A - 磁気抵抗効果素子のバイアス磁界印加方法 - Google Patents
磁気抵抗効果素子のバイアス磁界印加方法Info
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- JPS5816580A JPS5816580A JP56115471A JP11547181A JPS5816580A JP S5816580 A JPS5816580 A JP S5816580A JP 56115471 A JP56115471 A JP 56115471A JP 11547181 A JP11547181 A JP 11547181A JP S5816580 A JPS5816580 A JP S5816580A
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- Japan
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- film
- layer
- hard
- magnetization
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は信号磁界の検出手段等として用いられる磁気抵
抗効果素子のバイアス磁界印加方法に関するものである
。
抗効果素子のバイアス磁界印加方法に関するものである
。
磁気抵抗効果特性を有する強磁性体金属薄膜素子（以下
ＭＲ膜素子称す）を用いた磁界検出器は検出感度が高く
ディジタル磁気信号の検出手段としての応用が期待され
ている。しかしながら一方、従来のＭＲ膜素子バルクハ
ウゼンノイズによる抵抗値の不連続変化や異方性分散に
よる磁界応答のヒステリシス特性に起因する検出出力の
歪、不安定性等を呈する場合があり、また製作面に於い
ても加工後の素子特性が不均一になり易く歩留りが変動
する等の問題点を有していた。これらの問題点を解決す
るため、ＭＲ膜素子磁化容易軸方向にバイアス磁界を印
加することにより、検出出力の不安定性を抑制し、素子
特性の不均一による検出出力の変動を緩和する方法が提
唱されている。
ＭＲ膜素子称す）を用いた磁界検出器は検出感度が高く
ディジタル磁気信号の検出手段としての応用が期待され
ている。しかしながら一方、従来のＭＲ膜素子バルクハ
ウゼンノイズによる抵抗値の不連続変化や異方性分散に
よる磁界応答のヒステリシス特性に起因する検出出力の
歪、不安定性等を呈する場合があり、また製作面に於い
ても加工後の素子特性が不均一になり易く歩留りが変動
する等の問題点を有していた。これらの問題点を解決す
るため、ＭＲ膜素子磁化容易軸方向にバイアス磁界を印
加することにより、検出出力の不安定性を抑制し、素子
特性の不均一による検出出力の変動を緩和する方法が提
唱されている。
第１図囚の）（Ｃ）はそれぞれ従来のＭＲ膜素子用いた
磁界検出器の要部構成を説明する断面図、平面図及び斜
視図である。また第２図は第１図に示す磁界検出器の磁
界に対する抵抗変化を実測した特性曲線図である。
磁界検出器の要部構成を説明する断面図、平面図及び斜
視図である。また第２図は第１図に示す磁界検出器の磁
界に対する抵抗変化を実測した特性曲線図である。
基板１上にＣ６−Ｐ等の高抗磁力強磁性材料から成るハ
ード膜２をスパッタリングにより形成し、更に絶縁膜３
としてＳ ｔｏｗ 、 Ｔａ２０５ ＋ Ｙ２０．。
ード膜２をスパッタリングにより形成し、更に絶縁膜３
としてＳ ｔｏｗ 、 Ｔａ２０５ ＋ Ｙ２０．。
Ａ 、Ａ２０３ ＋ ８１３Ｎ４ 等を蒸着又はスパ
ッタリングにより堆積する。この絶縁膜３上にＮｉ−Ｃ
ｏ、Ｎｉ−Ｆｅ 等の磁気抵抗効果層（以下ＭＲ層と
称す）４を積層してＭＲ層４の両端に外部装置と接続さ
れるリード５を設けることにより磁界検出器が構成され
ている。ノ・−ド膜２を第１図（Ｂ）に示すＸ方向即ち
ハード膜２の長手方向に垂直な方向に着磁すれば、ハー
ド膜２のＸ方向即ち長手方向と平行な方向の端面６，７
に生じた磁荷による漏洩磁界ＨＢ により第２図めＰ点
までＭＲ層４はバイアスされる。この際、予め・・−ド
膜２の膜厚を厚めに形成し、第１図（Ｏに示す如くＸ方
向に対してθ（０〈θ〈９０°）の角度にノ・−ド膜２
を磁化させた時に適正バイアス点であるＰ点にバイアス
される様な磁界検出器を想定すると、この磁界検出器に
はハード膜２のＸ方向と平行、な端面８，９にも磁荷が
生じ、Ｘ方向にも磁界ができる。この磁化容易軸方向の
成分の磁界の大きさによりＭＲ素子特性が改善される。
ッタリングにより堆積する。この絶縁膜３上にＮｉ−Ｃ
ｏ、Ｎｉ−Ｆｅ 等の磁気抵抗効果層（以下ＭＲ層と
称す）４を積層してＭＲ層４の両端に外部装置と接続さ
れるリード５を設けることにより磁界検出器が構成され
ている。ノ・−ド膜２を第１図（Ｂ）に示すＸ方向即ち
ハード膜２の長手方向に垂直な方向に着磁すれば、ハー
ド膜２のＸ方向即ち長手方向と平行な方向の端面６，７
に生じた磁荷による漏洩磁界ＨＢ により第２図めＰ点
までＭＲ層４はバイアスされる。この際、予め・・−ド
膜２の膜厚を厚めに形成し、第１図（Ｏに示す如くＸ方
向に対してθ（０〈θ〈９０°）の角度にノ・−ド膜２
を磁化させた時に適正バイアス点であるＰ点にバイアス
される様な磁界検出器を想定すると、この磁界検出器に
はハード膜２のＸ方向と平行、な端面８，９にも磁荷が
生じ、Ｘ方向にも磁界ができる。この磁化容易軸方向の
成分の磁界の大きさによりＭＲ素子特性が改善される。
第３図は磁化容易軸方向の磁界成分の変化により、外部
印加磁界（横軸）に対する抵抗変化（縦軸）の特性が変
化する様子を実測したデータを示す説明図である。第３
図の測定に用いたＭＲ膜素は、Ｎｉ （８２）−Ｆｅの
ＭＲ層４を膜厚４００Ｘで層設し、素子幅１３μｍ、長
さ５００μｍに加工したものであり、またハード膜２と
してはＣｏ−Ｐを２５０ＯＡ厚にスパッタリング形成し
ている。第３図の各曲線上のＰ、乃至２５点はバイアス
点を示す。またθは前述したハード膜２の着磁方向を示
すものでθ＝０°は磁化容易軸方向。
印加磁界（横軸）に対する抵抗変化（縦軸）の特性が変
化する様子を実測したデータを示す説明図である。第３
図の測定に用いたＭＲ膜素は、Ｎｉ （８２）−Ｆｅの
ＭＲ層４を膜厚４００Ｘで層設し、素子幅１３μｍ、長
さ５００μｍに加工したものであり、またハード膜２と
してはＣｏ−Ｐを２５０ＯＡ厚にスパッタリング形成し
ている。第３図の各曲線上のＰ、乃至２５点はバイアス
点を示す。またθは前述したハード膜２の着磁方向を示
すものでθ＝０°は磁化容易軸方向。
θ＝９０°は磁化困難軸方向に相当する。各θに対する
曲線はＨｅｘ方向に対して頂点の位置が一致するように
シフトしである。ハード膜２の磁化方向が磁化容易軸方
向へ漸近するにつれてバイアス点が低磁界側に移動する
とともに抵抗変化の乱れ及びヒステリシス現象も抑制さ
れる。
曲線はＨｅｘ方向に対して頂点の位置が一致するように
シフトしである。ハード膜２の磁化方向が磁化容易軸方
向へ漸近するにつれてバイアス点が低磁界側に移動する
とともに抵抗変化の乱れ及びヒステリシス現象も抑制さ
れる。
実際には、ＭＲ膜素の磁化容易軸方向に適当な磁界を印
加しつつ磁化困難軸方向に適正なバイアス磁界を発生さ
せるためには、ハード膜２をあ・なり厚く堆積させるこ
とが必要となる。また磁化容易軸方向の磁界は端面付近
では大きいがＭＲ膜素の長手方向に対して急激に減少す
るため、ＭＲ膜素の長さが長くなれば素子中央部迄有効
に磁界が印加されず、素子特性の改善効果は不充分なも
のとなる。
加しつつ磁化困難軸方向に適正なバイアス磁界を発生さ
せるためには、ハード膜２をあ・なり厚く堆積させるこ
とが必要となる。また磁化容易軸方向の磁界は端面付近
では大きいがＭＲ膜素の長手方向に対して急激に減少す
るため、ＭＲ膜素の長さが長くなれば素子中央部迄有効
に磁界が印加されず、素子特性の改善効果は不充分なも
のとなる。
本発明は上記現状に鑑み、高抗磁力強磁性体膜の漏洩磁
界を利用してバイアス磁界の印加されるＭＲ膜素に対し
、技術的手段を駆使することにより磁界応答性を簡単な
構成で確実に改善することのできる新規有用なＭＲ膜素
のバイアス磁界印加方法を提供することを目的とするも
のである。
界を利用してバイアス磁界の印加されるＭＲ膜素に対し
、技術的手段を駆使することにより磁界応答性を簡単な
構成で確実に改善することのできる新規有用なＭＲ膜素
のバイアス磁界印加方法を提供することを目的とするも
のである。
以下、本発明を実施例に従って図面を参照しながら詳説
する。
する。
笛４図囚（Ｂ）（Ｃ’）は本発明の１実施例を説明す８
狙素子の断面図及び平面図である。
狙素子の断面図及び平面図である。
ガラス基板１０上にＮｉ Ｇ１２） Ｆｅ （または
Ｎ１−Ｃｏ）合金の蒸着膜（またはスパッタ膜）を厚さ
４００Ａ程度形成し、−軸異方性強磁性金属薄膜から盛
るＭＲ層１１とする。このＭＲ層１１を幅１３μｍ、長
さ２０００μｍにエツチング等で加工し、ＭＲ層１１の
両端にＡ、１等のリード１２を接続形成する。更にＭＲ
層１１の上にＳｔ ０２ ＴＴａ２０５ ＋ Ｙ２Ｏ５
＋ ＡＩ’２０３ ＋ Ｓ ｉ３Ｎ＋等の絶縁膜１３番
厚さ１μｍ程度蒸着またはスパッタリングでコートする
。この絶縁膜１３上にバイアス磁界を形成するＣｏ−Ｐ
合金等の高抗磁力強磁性体から成るハード膜１４を厚さ
４０００Ａ程度蒸着またはスパッタリングで層設する。
Ｎ１−Ｃｏ）合金の蒸着膜（またはスパッタ膜）を厚さ
４００Ａ程度形成し、−軸異方性強磁性金属薄膜から盛
るＭＲ層１１とする。このＭＲ層１１を幅１３μｍ、長
さ２０００μｍにエツチング等で加工し、ＭＲ層１１の
両端にＡ、１等のリード１２を接続形成する。更にＭＲ
層１１の上にＳｔ ０２ ＴＴａ２０５ ＋ Ｙ２Ｏ５
＋ ＡＩ’２０３ ＋ Ｓ ｉ３Ｎ＋等の絶縁膜１３番
厚さ１μｍ程度蒸着またはスパッタリングでコートする
。この絶縁膜１３上にバイアス磁界を形成するＣｏ−Ｐ
合金等の高抗磁力強磁性体から成るハード膜１４を厚さ
４０００Ａ程度蒸着またはスパッタリングで層設する。
ハード膜１４はＭＲ層１１の全体をカバーし得るように
ＭＲ層１１の幅より若干広＜ＭＲ層１１の全長にわたっ
てストライプ状に形成される。次にこのハード膜１４を
横方向に切断して複数のハード膜１４に分割する。本実
施例ではこのハード膜１４を３分割してそれぞれの長さ
を６００μｍ、７００μｍ、６００μｍハード膜１４を
分離する間隙を５０μｍとした。
ＭＲ層１１の幅より若干広＜ＭＲ層１１の全長にわたっ
てストライプ状に形成される。次にこのハード膜１４を
横方向に切断して複数のハード膜１４に分割する。本実
施例ではこのハード膜１４を３分割してそれぞれの長さ
を６００μｍ、７００μｍ、６００μｍハード膜１４を
分離する間隙を５０μｍとした。
複数のハード膜１４の形成はエツチング加工あるいはマ
スクパターン法により容易に行なわれる。
スクパターン法により容易に行なわれる。
ハード膜１４の磁化の大きさは６００ｅｍｕ／ｃｃ程度
、Ｈｃ〜５０００ｅ、角形比０．６５に設定される。
、Ｈｃ〜５０００ｅ、角形比０．６５に設定される。
着磁方向はＯｏ＜θ〈９０°の範囲で例えばθ−４５゜
とする。
とする。
以上により構成されたＭＲ膜素の磁化容易軸方向の磁界
分布は第５図に実線で示す如く、波状の曲線となる。第
５図に於いて、縦軸は漏洩磁界の大きさ、横軸は磁化容
易軸方向のＭＲ層１１端面からの距離である。また破線
はハード膜１４を分割しないで配設した時の計算値であ
る。第５図より、ハード膜１４を分割した場合には分割
しない場合に比較して磁化容易軸方向に有効にバイアス
磁界が印加されていることがわかる。尚、ハード膜１４
の分割間隙に対応するＭＲ層１１の領域には逆方向のバ
イアス磁界が印加されることになるが、この領域は全体
の素子長に対してきわめて小領域であり、その影響は無
視することができ実測値に於いても素子特性への影響は
観測されなかった。またこの点を考慮して第４図（ｃ）
に示す如くハード膜１４の分割間隙に対応するＭＲ層１
１をリード材料１５で被覆して逆バイアスされる部分の
磁界応答性を無くすようにすることも可能である。
分布は第５図に実線で示す如く、波状の曲線となる。第
５図に於いて、縦軸は漏洩磁界の大きさ、横軸は磁化容
易軸方向のＭＲ層１１端面からの距離である。また破線
はハード膜１４を分割しないで配設した時の計算値であ
る。第５図より、ハード膜１４を分割した場合には分割
しない場合に比較して磁化容易軸方向に有効にバイアス
磁界が印加されていることがわかる。尚、ハード膜１４
の分割間隙に対応するＭＲ層１１の領域には逆方向のバ
イアス磁界が印加されることになるが、この領域は全体
の素子長に対してきわめて小領域であり、その影響は無
視することができ実測値に於いても素子特性への影響は
観測されなかった。またこの点を考慮して第４図（ｃ）
に示す如くハード膜１４の分割間隙に対応するＭＲ層１
１をリード材料１５で被覆して逆バイアスされる部分の
磁界応答性を無くすようにすることも可能である。
第６図囚０３）は第４図に示すＭＲ膜素を用いて磁界検
出を行なった実測データの説明図であり、第６図囚は第
４図のハード膜１４を分割しないで層設しθ＝３５°の
方向に着磁した場合であり、第６図（Ｂ）は・・−ド膜
１４を分割しθ＝３５°の方向に着磁した上記実施例に
対応する特性曲線図である。
出を行なった実測データの説明図であり、第６図囚は第
４図のハード膜１４を分割しないで層設しθ＝３５°の
方向に着磁した場合であり、第６図（Ｂ）は・・−ド膜
１４を分割しθ＝３５°の方向に着磁した上記実施例に
対応する特性曲線図である。
第６図囚では磁界変化の向きにより一部ヒステリシス現
象をともなって乱れているが、第６図（Ｂ）ではこの乱
れが消失している。これは第５図に示す如＜ＭＲ膜素の
磁化容易軸方向に有効にバイアス磁界が印加され、磁化
の回転が外部磁界変化に対して一様回転に近似されてい
ることを示している。
象をともなって乱れているが、第６図（Ｂ）ではこの乱
れが消失している。これは第５図に示す如＜ＭＲ膜素の
磁化容易軸方向に有効にバイアス磁界が印加され、磁化
の回転が外部磁界変化に対して一様回転に近似されてい
ることを示している。
以上詳説した如く、本発明のバイアス磁界印加方法によ
れば、ＭＲ膜素の磁化容易軸方向にも有効に磁界を印加
することによって磁界応答特性の不良素子の出現を大幅
に抑制することができ、特に素子長の長いＭＲ膜素を用
いた磁界検出器の製造に対してウェハーロット間の特性
不良発生率のバラツキを改善するとともに歩留りを著し
く向上させることができる。本発明を用いた磁界検出器
は応答特性が良好であり、従って信頼性の高い磁界検出
を行なうことができる。
れば、ＭＲ膜素の磁化容易軸方向にも有効に磁界を印加
することによって磁界応答特性の不良素子の出現を大幅
に抑制することができ、特に素子長の長いＭＲ膜素を用
いた磁界検出器の製造に対してウェハーロット間の特性
不良発生率のバラツキを改善するとともに歩留りを著し
く向上させることができる。本発明を用いた磁界検出器
は応答特性が良好であり、従って信頼性の高い磁界検出
を行なうことができる。
第１図（Ａ Ｑ３）（ｃ）はそれぞれ従来のＭＲ膜素を
用いた磁界検出器の要部構成を説明する断面図、平面
（を図及び斜視図である。第２図は第１図に示す磁界検
出器の特性曲線図である。第３図は磁界成分変化に対す
る抵抗変化特性を示す説明図である。 第４図（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は本発明の１実施例を説明す
るＭＲ□、）、つ、ゎヤウ、アあ、０□５よ□４゜Ｇに
示すＭＲ膜素の磁化容易軸方向の磁界分布図である。第
６図は第°４図に示すＭＲ膜素を用いて磁界検出を行な
った実測データの説明図である。 １０・ガラス基板 １１・・・ＭＲ膜素 １２・・・リ
ード １３・・・絶縁層 １４・・・ハード膜
（（代理人 弁理士 福 士 愛 彦 第１Ｗ
用いた磁界検出器の要部構成を説明する断面図、平面
（を図及び斜視図である。第２図は第１図に示す磁界検
出器の特性曲線図である。第３図は磁界成分変化に対す
る抵抗変化特性を示す説明図である。 第４図（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は本発明の１実施例を説明す
るＭＲ□、）、つ、ゎヤウ、アあ、０□５よ□４゜Ｇに
示すＭＲ膜素の磁化容易軸方向の磁界分布図である。第
６図は第°４図に示すＭＲ膜素を用いて磁界検出を行な
った実測データの説明図である。 １０・ガラス基板 １１・・・ＭＲ膜素 １２・・・リ
ード １３・・・絶縁層 １４・・・ハード膜
（（代理人 弁理士 福 士 愛 彦 第１Ｗ
Claims (1)
- １、−軸異方性強磁性薄膜からなる磁気抵抗効果層に対
し、絶縁層を介して高抗磁力強磁性体から成るハード膜
を層設し、該ハード膜を前記磁気抵抗効果層の長手方向
に複数分割するとともにその着磁方向を長手方向に対し
て！！、（０’＜θ〈９０°）に設定し２前記ノ・−ド
膜の漏洩磁界で前記磁気抵抗効果層の磁化困難軸方向に
バイアス磁界を印加すると同時に磁化容易軸方向にも磁
界を付与することを特徴とする磁気抵抗効果素子のバイ
アス磁界印加方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56115471A JPS5816580A (ja) | 1981-07-22 | 1981-07-22 | 磁気抵抗効果素子のバイアス磁界印加方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56115471A JPS5816580A (ja) | 1981-07-22 | 1981-07-22 | 磁気抵抗効果素子のバイアス磁界印加方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5816580A true JPS5816580A (ja) | 1983-01-31 |
| JPS6331116B2 JPS6331116B2 (ja) | 1988-06-22 |
Family
ID=14663355
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56115471A Granted JPS5816580A (ja) | 1981-07-22 | 1981-07-22 | 磁気抵抗効果素子のバイアス磁界印加方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5816580A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59169187A (ja) * | 1983-03-16 | 1984-09-25 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗効果素子の製造方法 |
| DE3543603A1 (de) * | 1984-12-14 | 1986-06-19 | Nippondenso Co., Ltd., Kariya, Aichi | Stellungsdetektor |
| US4835509A (en) * | 1986-07-29 | 1989-05-30 | Nippondenso Co., Ltd. | Noncontact potentiometer |
| US5005064A (en) * | 1987-08-21 | 1991-04-02 | Nippondenso Co., Ltd. | Device for detecting magnetism |
| US5432494A (en) * | 1992-05-27 | 1995-07-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Magnetoresistance element |
| WO1996006329A1 (fr) * | 1994-08-23 | 1996-02-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Detecteur de signaux magnetiques |
| US5999379A (en) * | 1997-12-11 | 1999-12-07 | International Business Machines Corporation | Spin valve read head with plasma produced metal oxide insulation layer between lead and shield layers and method of making |
| US9207292B2 (en) | 2011-02-02 | 2015-12-08 | Infineon Technologies Ag | Magnetoresistive device and method for manufacturing the same |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02116246U (ja) * | 1989-03-01 | 1990-09-18 |
-
1981
- 1981-07-22 JP JP56115471A patent/JPS5816580A/ja active Granted
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59169187A (ja) * | 1983-03-16 | 1984-09-25 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗効果素子の製造方法 |
| DE3543603A1 (de) * | 1984-12-14 | 1986-06-19 | Nippondenso Co., Ltd., Kariya, Aichi | Stellungsdetektor |
| US4754221A (en) * | 1984-12-14 | 1988-06-28 | Nippondenso Co., Ltd. | Position detecting apparatus for detecting a signal magnetic field indicative of a desired position |
| US4835509A (en) * | 1986-07-29 | 1989-05-30 | Nippondenso Co., Ltd. | Noncontact potentiometer |
| US5005064A (en) * | 1987-08-21 | 1991-04-02 | Nippondenso Co., Ltd. | Device for detecting magnetism |
| US5432494A (en) * | 1992-05-27 | 1995-07-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Magnetoresistance element |
| WO1996006329A1 (fr) * | 1994-08-23 | 1996-02-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Detecteur de signaux magnetiques |
| US5663644A (en) * | 1994-08-23 | 1997-09-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetoresistive sensor having a bias field applied at approximately 56° |
| US5999379A (en) * | 1997-12-11 | 1999-12-07 | International Business Machines Corporation | Spin valve read head with plasma produced metal oxide insulation layer between lead and shield layers and method of making |
| US6162305A (en) * | 1997-12-11 | 2000-12-19 | International Business Machines Corporation | Method of making spin valve read head with plasma produced metal oxide insulation layer between lead and shield layers |
| US9207292B2 (en) | 2011-02-02 | 2015-12-08 | Infineon Technologies Ag | Magnetoresistive device and method for manufacturing the same |
| US9523747B2 (en) | 2011-02-02 | 2016-12-20 | Infineon Technologies Ag | Magnetoresistive device and method for manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6331116B2 (ja) | 1988-06-22 |
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