JPS63184377A - 強磁性磁気抵抗素子 - Google Patents
強磁性磁気抵抗素子Info
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- JPS63184377A JPS63184377A JP62016347A JP1634787A JPS63184377A JP S63184377 A JPS63184377 A JP S63184377A JP 62016347 A JP62016347 A JP 62016347A JP 1634787 A JP1634787 A JP 1634787A JP S63184377 A JPS63184377 A JP S63184377A
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- JP
- Japan
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- insulating substrate
- thin film
- surface roughness
- metal thin
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- Pending
Links
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- UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N iron nickel Chemical compound [Fe].[Ni] UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は強磁性磁気抵抗素子に関し、更に詳しくいえば
検出出力の歪、不安定性を抑制し、均一な素子特性をも
つ強磁性磁気抵抗素子に関する。
検出出力の歪、不安定性を抑制し、均一な素子特性をも
つ強磁性磁気抵抗素子に関する。
［従来の技術］
磁気抵抗効果特性を有する強磁性磁気抵抗素子（ＭＲ素
子という）を用いた磁界検出器は検出感度が高（デジタ
ル磁気信号の検出手段としての応用が期待されている。
子という）を用いた磁界検出器は検出感度が高（デジタ
ル磁気信号の検出手段としての応用が期待されている。
しかし従来のＭＲ素子は、第５図に示すように、バルク
ハウゼンノイズによる抵抗値の不連続変化や異方性分散
による磁気応答のヒステリシス特性に基因する検出出力
の歪、不安定性等を呈する場合があり、又製作面におい
ても加工後の素子特性が不均一になり易く歩留りが変動
する等の問題点を有していた。
ハウゼンノイズによる抵抗値の不連続変化や異方性分散
による磁気応答のヒステリシス特性に基因する検出出力
の歪、不安定性等を呈する場合があり、又製作面におい
ても加工後の素子特性が不均一になり易く歩留りが変動
する等の問題点を有していた。
［発明が解決しようとする問題点］
本発明は、上記問題点を克服するものであり、バルクハ
ウゼンノイズを非常に小さくてき又異方性分散も小さく
でき、そのため検出抵抗値の不連続変化や検出出力の歪
をなくして均一な素子特性をもつＭＲ素子を提供するこ
とを目的とする。
ウゼンノイズを非常に小さくてき又異方性分散も小さく
でき、そのため検出抵抗値の不連続変化や検出出力の歪
をなくして均一な素子特性をもつＭＲ素子を提供するこ
とを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
本発明のＭＲ素子は、表面粗さ１００オングストローム
以下の絶縁基板と、該絶縁基板の表面上に形成された強
磁性金属薄膜層と、該金属薄膜層の両端に接続して形成
された各電極と、を有することを特徴とする。
以下の絶縁基板と、該絶縁基板の表面上に形成された強
磁性金属薄膜層と、該金属薄膜層の両端に接続して形成
された各電極と、を有することを特徴とする。
［実施例１
以下、実施例により本発明を説明する。
本実施例のＭＲ素子の平面図を第１図に、第１図のＡ−
／Ｍ断面図を第２図に示す。
／Ｍ断面図を第２図に示す。
このＭＲ素子は、表面粗さが１００オングストローム以
下のガラス等の絶縁基板１上にアルミニウム等の電極材
料力冒うなる電極３ａ、３ｂと、ニッケルー鉄、または
ニツケルーコバル１−等の合金を厚さ３００〜１５００
オングストローム堆積した強磁性金属薄膜（ＭＲ層とい
う）２とで構成されている。ここで絶縁基板１の表面粗
さとは基板１表面の微細な凹凸を意味するものである。
下のガラス等の絶縁基板１上にアルミニウム等の電極材
料力冒うなる電極３ａ、３ｂと、ニッケルー鉄、または
ニツケルーコバル１−等の合金を厚さ３００〜１５００
オングストローム堆積した強磁性金属薄膜（ＭＲ層とい
う）２とで構成されている。ここで絶縁基板１の表面粗
さとは基板１表面の微細な凹凸を意味するものである。
第３図に本実施例のＭＲ素子の磁界強度に対する抵抗値
変化を示し、その比較として従来のＭＲ素子の磁界強度
に対する抵抗値変化を第５図に示す。又第４図にＭＲ層
３の膜厚が３００オンゲス］〜ロームのＭＲ素子のバル
クハウゼンノイズの発生確率−３＝ と基板の表面粗さく５０〜４００人）との関係を示した
。
変化を示し、その比較として従来のＭＲ素子の磁界強度
に対する抵抗値変化を第５図に示す。又第４図にＭＲ層
３の膜厚が３００オンゲス］〜ロームのＭＲ素子のバル
クハウゼンノイズの発生確率−３＝ と基板の表面粗さく５０〜４００人）との関係を示した
。
これらの図によれば、ＭＲ層２の膜厚に対し基板表面の
粗さを小さくするとＭＲ層２の異方性分散が小さくなり
第５図に示すバルクハウゼンノイズの発生を防止するこ
とができる。
粗さを小さくするとＭＲ層２の異方性分散が小さくなり
第５図に示すバルクハウゼンノイズの発生を防止するこ
とができる。
このように基板の表面粗さが１００オングストローム以
下の絶縁基板１を用いると、ＭＲ素子の抵抗値の不連続
変化および歪等がなくなり、均一な素子特性をもつＭＲ
素子とすることができた。
下の絶縁基板１を用いると、ＭＲ素子の抵抗値の不連続
変化および歪等がなくなり、均一な素子特性をもつＭＲ
素子とすることができた。
なお、本発明においては上記実施例に示すものに限られ
ず、目的、用途に応じて本発明の範囲内で種々変更して
適用可能である。即ち上記強磁性金属薄膜層としてはニ
ッケルー鉄、ニッケル−コバルト以外の強磁性を示す他
の金属からなるものとすることができる。さらにこの金
属薄膜層としては上記実施例の膜厚に限られず、用途に
応じて適宜の厚さとすることができる。通常この膜厚は
３００〜１５００オングストロ一ム程度である。
ず、目的、用途に応じて本発明の範囲内で種々変更して
適用可能である。即ち上記強磁性金属薄膜層としてはニ
ッケルー鉄、ニッケル−コバルト以外の強磁性を示す他
の金属からなるものとすることができる。さらにこの金
属薄膜層としては上記実施例の膜厚に限られず、用途に
応じて適宜の厚さとすることができる。通常この膜厚は
３００〜１５００オングストロ一ム程度である。
又上記絶縁基板は通常ガラスが用いられるが絶縁性を有
するものであればよい。またこの絶縁基板としては適当
な基板上に絶縁薄膜が形成されたものを用いることもで
きる。又上記電極の材質はアルミニウムに限定されず、
種々の導電性材質を用いることができる。
するものであればよい。またこの絶縁基板としては適当
な基板上に絶縁薄膜が形成されたものを用いることもで
きる。又上記電極の材質はアルミニウムに限定されず、
種々の導電性材質を用いることができる。
［発明の効果］
本発明の強磁性磁気抵抗素子は、表面粗さ１゜Ｏオング
ストローム以下の絶縁基板と、該絶縁基板の表面上に形
成された強磁性金属薄膜層と、該金属薄膜層の両端に接
続する各電極と、を有することを特徴とする。即ち本強
磁性磁気抵抗素子の絶縁基板の表面粗さは１００オング
ストローム以下であるので、強磁性金属薄膜のバルクハ
ウゼンノイズを非常に小さくすることができ、又異方性
分散も小さくすることができる。従って本ＭＲ素子の抵
抗値の不連続変化や検出出力の歪や不安定性がなくなり
、そのため均一な素子特性をもつものとすることができ
る。
ストローム以下の絶縁基板と、該絶縁基板の表面上に形
成された強磁性金属薄膜層と、該金属薄膜層の両端に接
続する各電極と、を有することを特徴とする。即ち本強
磁性磁気抵抗素子の絶縁基板の表面粗さは１００オング
ストローム以下であるので、強磁性金属薄膜のバルクハ
ウゼンノイズを非常に小さくすることができ、又異方性
分散も小さくすることができる。従って本ＭＲ素子の抵
抗値の不連続変化や検出出力の歪や不安定性がなくなり
、そのため均一な素子特性をもつものとすることができ
る。
第１図は本実施例に係わるＭＲ素子の平面図である。第
２図は第１図に示ずＭＲ素子のＡ−Ａ′断面図である。 第３図は実施例に係わるＭＲ素子の磁界強度と抵抗値の
関係を示すグラフである。 第４図は本実施例のＭＲ素子の基板の表面粗さとバルク
ハウゼンノイズ発生確率との関係を示すグラフである。 第５図は従来のＭＲ素子の磁界強度と抵抗値の関係を示
すグラフである。 １・・・絶縁基板 ２・・・強磁性金属薄膜層＜ＭＲ層） ３・・・電極 特許出願人 日本電装株式会社 代理人 弁理士 大川 宏 同 弁理士 丸山明夫 第１図 第２図 第３図 第４図 歩。 ン ゛ト
２図は第１図に示ずＭＲ素子のＡ−Ａ′断面図である。 第３図は実施例に係わるＭＲ素子の磁界強度と抵抗値の
関係を示すグラフである。 第４図は本実施例のＭＲ素子の基板の表面粗さとバルク
ハウゼンノイズ発生確率との関係を示すグラフである。 第５図は従来のＭＲ素子の磁界強度と抵抗値の関係を示
すグラフである。 １・・・絶縁基板 ２・・・強磁性金属薄膜層＜ＭＲ層） ３・・・電極 特許出願人 日本電装株式会社 代理人 弁理士 大川 宏 同 弁理士 丸山明夫 第１図 第２図 第３図 第４図 歩。 ン ゛ト
Claims (2)
- （１）表面粗さ１００オングストローム以下の絶縁基板
と、 該絶縁基板の表面上に形成された強磁性金属薄膜層と、 該金属薄膜層の両端に接続して形成された各電極と、を
有することを特徴とする強磁性磁気抵抗素子。 - （２）強磁性金属薄膜層は、ニッケル鉄、ニッケル−コ
バルト等の合金から構成される特許請求の範囲第１項記
載の強磁性磁気抵抗素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62016347A JPS63184377A (ja) | 1987-01-27 | 1987-01-27 | 強磁性磁気抵抗素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62016347A JPS63184377A (ja) | 1987-01-27 | 1987-01-27 | 強磁性磁気抵抗素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63184377A true JPS63184377A (ja) | 1988-07-29 |
Family
ID=11913841
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62016347A Pending JPS63184377A (ja) | 1987-01-27 | 1987-01-27 | 強磁性磁気抵抗素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63184377A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6040198A (ja) * | 1983-08-16 | 1985-03-02 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Ｃｏｍ調整方法 |
| JPS61248214A (ja) * | 1985-04-26 | 1986-11-05 | Sharp Corp | 薄膜磁気ヘツド |
| JPS61248486A (ja) * | 1985-04-25 | 1986-11-05 | Nippon Denso Co Ltd | 強磁性磁気抵抗素子 |
-
1987
- 1987-01-27 JP JP62016347A patent/JPS63184377A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6040198A (ja) * | 1983-08-16 | 1985-03-02 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Ｃｏｍ調整方法 |
| JPS61248486A (ja) * | 1985-04-25 | 1986-11-05 | Nippon Denso Co Ltd | 強磁性磁気抵抗素子 |
| JPS61248214A (ja) * | 1985-04-26 | 1986-11-05 | Sharp Corp | 薄膜磁気ヘツド |
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