JP2850584B2 - 磁気抵抗効果素子の製造方法 - Google Patents
磁気抵抗効果素子の製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は強磁性磁気抵抗効果（以
下、ＭＲ効果と略す。）を利用して磁界を検出する磁気
抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子と略す。）に関するもの
である。
下、ＭＲ効果と略す。）を利用して磁界を検出する磁気
抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子と略す。）に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】ＭＲ素子を、線形応答性を有する高感度
の磁気センサーとして使用する場合には、ＭＲ素子に流
すセンス電流とＭＲ素子内のＭＲ効果層の磁化とのなす
角度を４５度前後に設定するバイアス手段を具備しなけ
ればならない。上述のバイアス手段として、種々の方法
が開示されているが、この中で特願昭６２−３１２８５
９号に開示されたＭＲ素子においては、バイアス磁界発
生用の非晶質軟磁性体層と、非磁性導体層と、ＭＲ層
が、基板上にこの順に積層された構造を有している。従
って非晶質軟磁性体層の磁界中熱処理がＭＲ層成膜前に
実施できるため、熱処理条件を自由に設定でき良好なバ
イアス磁界を発生させる非晶質軟磁性体層を得ることが
できる。
の磁気センサーとして使用する場合には、ＭＲ素子に流
すセンス電流とＭＲ素子内のＭＲ効果層の磁化とのなす
角度を４５度前後に設定するバイアス手段を具備しなけ
ればならない。上述のバイアス手段として、種々の方法
が開示されているが、この中で特願昭６２−３１２８５
９号に開示されたＭＲ素子においては、バイアス磁界発
生用の非晶質軟磁性体層と、非磁性導体層と、ＭＲ層
が、基板上にこの順に積層された構造を有している。従
って非晶質軟磁性体層の磁界中熱処理がＭＲ層成膜前に
実施できるため、熱処理条件を自由に設定でき良好なバ
イアス磁界を発生させる非晶質軟磁性体層を得ることが
できる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のＭＲ
素子において、非磁性導体層として種々の金属を用い、
三層構造の作製条件を変化させて多種類のＭＲ素子を作
製し、印加磁界と出力電圧の関係を測定したところ、試
料によっては出力電圧のふらつき、およびバルクハウゼ
ンノイズの著しい増加がみられた。同試料においては、
Ｍ−Ｈ特性の困難軸ループが大きく開いてショルダーが
みられることから、ＭＲ効果層内の一軸磁気異方性が分
散し、磁区構造が乱れていることが原因と考えられる。
従って、安定した出力を保ちバルクハウゼンノイズのみ
られないＭＲ素子を得るためには、ＭＲ効果層において
良好な一軸磁気異方性がみられ、Ｍ−Ｈ特性の困難軸ル
ープに異常がみられない条件を満たす非磁性導体層材料
を選択しなければならない。さらに、作製条件として最
も影響が大きいと考えられる非磁性導体層上にＭＲ層を
成膜する際の成膜基板温度について検討しなければなら
ない。本発明は上記のような点に留意して、磁気異方性
の分散がみられず、安定した出力を有する高性能、高出
力のＭＲ素子を提供することを目的とする。
素子において、非磁性導体層として種々の金属を用い、
三層構造の作製条件を変化させて多種類のＭＲ素子を作
製し、印加磁界と出力電圧の関係を測定したところ、試
料によっては出力電圧のふらつき、およびバルクハウゼ
ンノイズの著しい増加がみられた。同試料においては、
Ｍ−Ｈ特性の困難軸ループが大きく開いてショルダーが
みられることから、ＭＲ効果層内の一軸磁気異方性が分
散し、磁区構造が乱れていることが原因と考えられる。
従って、安定した出力を保ちバルクハウゼンノイズのみ
られないＭＲ素子を得るためには、ＭＲ効果層において
良好な一軸磁気異方性がみられ、Ｍ−Ｈ特性の困難軸ル
ープに異常がみられない条件を満たす非磁性導体層材料
を選択しなければならない。さらに、作製条件として最
も影響が大きいと考えられる非磁性導体層上にＭＲ層を
成膜する際の成膜基板温度について検討しなければなら
ない。本発明は上記のような点に留意して、磁気異方性
の分散がみられず、安定した出力を有する高性能、高出
力のＭＲ素子を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、バイアス磁界
発生用の非晶質軟磁性体層と、非磁性導体層と、磁気抵
抗効果を有する強磁性体からなる磁気抵抗効果層とを基
板上に順次積層してなる磁気抵抗効果素子の製造方法に
おいて、非磁性導体層としてＴｉを用い、該非磁性導体
層上に磁気抵抗効果層を成膜する際の基板温度を５０〜
２５０℃の範囲とするか、あるいは非磁性導体層として
Ｔａを用い、該非磁性導体層上に磁気抵抗効果層を成膜
する際の基板温度を５０〜１５０℃の範囲とすることを
特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法である。
発生用の非晶質軟磁性体層と、非磁性導体層と、磁気抵
抗効果を有する強磁性体からなる磁気抵抗効果層とを基
板上に順次積層してなる磁気抵抗効果素子の製造方法に
おいて、非磁性導体層としてＴｉを用い、該非磁性導体
層上に磁気抵抗効果層を成膜する際の基板温度を５０〜
２５０℃の範囲とするか、あるいは非磁性導体層として
Ｔａを用い、該非磁性導体層上に磁気抵抗効果層を成膜
する際の基板温度を５０〜１５０℃の範囲とすることを
特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法である。
【０００５】
【作用】非磁性導体層上にＭＲ効果層を成膜する際、基
板温度がある温度以上になると層間に拡散が起こり、軟
磁性を示さない磁性合金層が形成される。この層が持つ
大きく非均一な磁気異方性は、ＭＲ効果層の一軸磁気異
方性を分散させ、磁区構造を乱す。この乱れによって外
部磁界に対する素子の応答にヒステリシスや飛びが発生
し、出力が不安定になり、バルクハウゼンノイズが発生
する。従って、望ましくない磁性合金層が形成されにく
い非磁性導体層材料としてＴｉまたはＴａを選び、非磁
性導体層とＭＲ効果層（一般にはＮｉＦｅ層である。）
の拡散度に応じた成膜基板温度の上限を設定してやるこ
とによって、ＭＲ効果層の一軸磁気異方性を乱す拡散層
の形成を阻止し、ＭＲ効果層の磁区構造を安定化するこ
とができる。すなわち、安定した出力を持ち、バルクハ
ウゼンノイズの生じない高性能高感度のＭＲ素子が実現
される。なお、ＭＲ効果層の成膜基板温度が低すぎる
と、ＭＲ効果層の結晶状態が乱れ、比抵抗値が上がるこ
とによって磁気抵抗変化比（以後、ＭＲ比と呼ぶ。）が
小さくなってしまい、出力が大幅に低下してしまう。従
って、成膜基板温度に上限値だけでなく下限値も必要と
なる。
板温度がある温度以上になると層間に拡散が起こり、軟
磁性を示さない磁性合金層が形成される。この層が持つ
大きく非均一な磁気異方性は、ＭＲ効果層の一軸磁気異
方性を分散させ、磁区構造を乱す。この乱れによって外
部磁界に対する素子の応答にヒステリシスや飛びが発生
し、出力が不安定になり、バルクハウゼンノイズが発生
する。従って、望ましくない磁性合金層が形成されにく
い非磁性導体層材料としてＴｉまたはＴａを選び、非磁
性導体層とＭＲ効果層（一般にはＮｉＦｅ層である。）
の拡散度に応じた成膜基板温度の上限を設定してやるこ
とによって、ＭＲ効果層の一軸磁気異方性を乱す拡散層
の形成を阻止し、ＭＲ効果層の磁区構造を安定化するこ
とができる。すなわち、安定した出力を持ち、バルクハ
ウゼンノイズの生じない高性能高感度のＭＲ素子が実現
される。なお、ＭＲ効果層の成膜基板温度が低すぎる
と、ＭＲ効果層の結晶状態が乱れ、比抵抗値が上がるこ
とによって磁気抵抗変化比（以後、ＭＲ比と呼ぶ。）が
小さくなってしまい、出力が大幅に低下してしまう。従
って、成膜基板温度に上限値だけでなく下限値も必要と
なる。
【０００６】
【実施例】次に本発明の実施例について説明する。 実施例１ 図２は、本発明の一実施例を示す図である。図２におい
て、ガラス基板１上にＲＦスパッタ法を用いて、非晶質
軟磁性体層２となる膜厚５０ｎｍのＣｏＺｒＭｏを成膜
した。ＣｏＺｒＭｏ成膜中には永久磁石を用いて２００
エルステッドの磁界を印加し、同膜に一軸磁気異方性を
付与した。成膜後、付与された磁気異方性の容易軸方向
に２００エルステッドの磁界を印加しながら、３００℃
の熱処理を２時間行い、軟磁性および一軸磁気異方性の
向上を図った。次に同じくＲＦスパッタ法を用いて、非
磁性導体層３となる膜厚２０ｎｍのＴｉを、前記した非
晶質軟磁性体層２上に成膜した。さらに同じくＲＦスパ
ッタ法を用いて、ＭＲ効果層４となる膜厚４０ｎｍのＮ
ｉ82Ｆｅ18（ｗｔ％）を成膜した。この際の成膜基板温
度は、−５０、０、５０、１００、１５０、２００、２
５０、３００、３５０℃の９種類とした。これらの試料
における困難軸方向のＭ−Ｈ特性の測定結果を表１に示
す。表中、困難軸方向のＭ−Ｈ特性をＡとしたのは図１
（ａ）のタイプを示し、Ｂとしたのは図１（ｂ）のタイ
プを示す。成膜基板温度−５０℃から２５０℃の試料で
は一軸磁気異方性を示す膜特有の良好な困難軸ループが
得られているが、３００℃および３５０℃の試料におい
ては、困難軸ループが大きく開いてショルダーがみられ
ることから、ＭＲ効果層すなわちＮｉ82Ｆｅ18膜内の一
軸磁気異方性が分散していることがわかる。
て、ガラス基板１上にＲＦスパッタ法を用いて、非晶質
軟磁性体層２となる膜厚５０ｎｍのＣｏＺｒＭｏを成膜
した。ＣｏＺｒＭｏ成膜中には永久磁石を用いて２００
エルステッドの磁界を印加し、同膜に一軸磁気異方性を
付与した。成膜後、付与された磁気異方性の容易軸方向
に２００エルステッドの磁界を印加しながら、３００℃
の熱処理を２時間行い、軟磁性および一軸磁気異方性の
向上を図った。次に同じくＲＦスパッタ法を用いて、非
磁性導体層３となる膜厚２０ｎｍのＴｉを、前記した非
晶質軟磁性体層２上に成膜した。さらに同じくＲＦスパ
ッタ法を用いて、ＭＲ効果層４となる膜厚４０ｎｍのＮ
ｉ82Ｆｅ18（ｗｔ％）を成膜した。この際の成膜基板温
度は、−５０、０、５０、１００、１５０、２００、２
５０、３００、３５０℃の９種類とした。これらの試料
における困難軸方向のＭ−Ｈ特性の測定結果を表１に示
す。表中、困難軸方向のＭ−Ｈ特性をＡとしたのは図１
（ａ）のタイプを示し、Ｂとしたのは図１（ｂ）のタイ
プを示す。成膜基板温度−５０℃から２５０℃の試料で
は一軸磁気異方性を示す膜特有の良好な困難軸ループが
得られているが、３００℃および３５０℃の試料におい
ては、困難軸ループが大きく開いてショルダーがみられ
ることから、ＭＲ効果層すなわちＮｉ82Ｆｅ18膜内の一
軸磁気異方性が分散していることがわかる。
【０００７】
【表１】 ──────────────────────────────────── 成膜基板温度（℃） −50 0 50 100 150 200 250 300 350 ──────────────────────────────────── 困難軸方向のＭ−Ｈ特性 Ａ Ａ Ａ Ａ Ａ Ａ Ａ Ｂ Ｂ ────────────────────────────────────
【０００８】この積層体上に同じくＲＦスパッタ法を用
いて、電極層５となる膜厚２５０ｎｍのＡｕを成膜し
た。さらに、この積層体上に所定のフォトレジストパタ
ーンを形成し、Ａｒガス雰囲気中でイオンエッチングを
行い、長さ３０μｍ、幅５μｍの矩形状、および端子形
状のパターンに加工した。この際のエッチング条件は、
加速電圧５００Ｖ、Ａｒガス圧力１×１０-4Ｔｏｒｒで
あった。さらに、フォトレジスト処理および選択化学エ
ッチングによって感磁部分６である矩形状のパターンお
よび電極端子７を形成し、ＭＲ素子を作製した。このＭ
Ｒ素子の印加磁界と出力電圧の関係を測定したところ、
成膜基板温度が５０℃から２５０℃の素子においてはバ
ルクハウゼンノイズはほとんどみられなかった。ＭＲ比
は１．５％以上であり、出力電圧は十分大きく安定して
いた。一方、成膜基板温度−５０℃および０℃の試料に
おいてはＭＲ比は０．８％以下と小さく十分な出力が得
られなかった。また、３００℃および３５０℃の試料に
おいては、ＭＲ比は２％以上であり十分大きな出力電圧
が得られたが、バルクハウゼンノイズが観察され、さら
に出力電圧にふらつきがみられた。以上のことから、Ｔ
ｉからなる非磁性導体層上にＭＲ効果層を成膜する際の
基板温度を５０℃以上，２５０℃以下とすることによ
り、出力が安定した、バルクハウゼンノイズのみられな
い高性能高出力のＭＲ素子が得られた。
いて、電極層５となる膜厚２５０ｎｍのＡｕを成膜し
た。さらに、この積層体上に所定のフォトレジストパタ
ーンを形成し、Ａｒガス雰囲気中でイオンエッチングを
行い、長さ３０μｍ、幅５μｍの矩形状、および端子形
状のパターンに加工した。この際のエッチング条件は、
加速電圧５００Ｖ、Ａｒガス圧力１×１０-4Ｔｏｒｒで
あった。さらに、フォトレジスト処理および選択化学エ
ッチングによって感磁部分６である矩形状のパターンお
よび電極端子７を形成し、ＭＲ素子を作製した。このＭ
Ｒ素子の印加磁界と出力電圧の関係を測定したところ、
成膜基板温度が５０℃から２５０℃の素子においてはバ
ルクハウゼンノイズはほとんどみられなかった。ＭＲ比
は１．５％以上であり、出力電圧は十分大きく安定して
いた。一方、成膜基板温度−５０℃および０℃の試料に
おいてはＭＲ比は０．８％以下と小さく十分な出力が得
られなかった。また、３００℃および３５０℃の試料に
おいては、ＭＲ比は２％以上であり十分大きな出力電圧
が得られたが、バルクハウゼンノイズが観察され、さら
に出力電圧にふらつきがみられた。以上のことから、Ｔ
ｉからなる非磁性導体層上にＭＲ効果層を成膜する際の
基板温度を５０℃以上，２５０℃以下とすることによ
り、出力が安定した、バルクハウゼンノイズのみられな
い高性能高出力のＭＲ素子が得られた。
【０００９】実施例２ 非磁性導体層として膜厚２００オングストロームのＴａ
を用いたこと以外は全く実施例１と同様にしてＭＲ素子
を作製した。Ｔａからなる非磁性導体層上にＭＲ効果層
を成膜する際の基板温度も同様に、−５０、０、５０、
１００、１５０、２００、２５０、３００、３５０℃の
９種類とした。これらの試料における困難軸方向のＭ−
Ｈ特性を表２に示す。表中、困難軸方向のＭ−Ｈ特性に
おけるＡおよびＢは表１と同様である。成膜基板温度−
５０℃から１５０℃の試料では一軸磁気異方性を示す膜
特有の良好な困難軸ループが得られているが、２００℃
から３５０℃の試料においては、困難軸ループが大きく
開いてショルダーがみられることから、ＭＲ効果層すな
わちＮｉ82Ｆｅ18膜内の一軸磁気異方性が分散している
ことがわかる。
を用いたこと以外は全く実施例１と同様にしてＭＲ素子
を作製した。Ｔａからなる非磁性導体層上にＭＲ効果層
を成膜する際の基板温度も同様に、−５０、０、５０、
１００、１５０、２００、２５０、３００、３５０℃の
９種類とした。これらの試料における困難軸方向のＭ−
Ｈ特性を表２に示す。表中、困難軸方向のＭ−Ｈ特性に
おけるＡおよびＢは表１と同様である。成膜基板温度−
５０℃から１５０℃の試料では一軸磁気異方性を示す膜
特有の良好な困難軸ループが得られているが、２００℃
から３５０℃の試料においては、困難軸ループが大きく
開いてショルダーがみられることから、ＭＲ効果層すな
わちＮｉ82Ｆｅ18膜内の一軸磁気異方性が分散している
ことがわかる。
【００１０】
【表２】 ──────────────────────────────────── 成膜基板温度（℃） −50 0 50 100 150 200 250 300 350 ──────────────────────────────────── 困難軸方向のＭ−Ｈ特性 Ａ Ａ Ａ Ａ Ａ Ｂ Ｂ Ｂ Ｂ ────────────────────────────────────
【００１１】このＭＲ素子の印加磁界と出力電圧の関係
を測定したところ、成膜基板温度が５０℃から１５０℃
の素子においては、ＭＲ比は１．５％以上であり、出力
電圧は十分大きく安定していた。一方、成膜基板温度−
５０℃および０℃の試料においてはＭＲ比は０．８％以
下と小さく十分な出力が得られなかった。また、２００
℃から３５０℃の試料においては、ＭＲ比は１．８％以
上であり十分大きな出力電圧が得られたが、バルクハウ
ゼンノイズが観察され、さらに出力電圧にふらつきが見
られた。以上のことから、Ｔａからなる非磁性導体層上
にＭＲ効果層を成膜する際の基板温度を５０℃以上，１
５０℃以下とすることにより、出力が安定した、バルク
ハウゼンノイズのみられない高性能高出力のＭＲ素子が
得られた。
を測定したところ、成膜基板温度が５０℃から１５０℃
の素子においては、ＭＲ比は１．５％以上であり、出力
電圧は十分大きく安定していた。一方、成膜基板温度−
５０℃および０℃の試料においてはＭＲ比は０．８％以
下と小さく十分な出力が得られなかった。また、２００
℃から３５０℃の試料においては、ＭＲ比は１．８％以
上であり十分大きな出力電圧が得られたが、バルクハウ
ゼンノイズが観察され、さらに出力電圧にふらつきが見
られた。以上のことから、Ｔａからなる非磁性導体層上
にＭＲ効果層を成膜する際の基板温度を５０℃以上，１
５０℃以下とすることにより、出力が安定した、バルク
ハウゼンノイズのみられない高性能高出力のＭＲ素子が
得られた。
【００１２】比較例 非磁性導体層として膜厚２００オングストロームのＶ、
Ｓｃ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｙ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｗを用いた
こと以外は全く実施例１と同様にしてＭＲ素子を作製し
た。非磁性導体層上にＭＲ効果層を成膜する際の基板温
度は、−５０、５０、１５０、２５０、３５０℃の５種
類とした。これらの試料における困難軸方向のＭ−Ｈ特
性を測定したところ、いずれの試料においても図１
（ｂ）に相当する困難軸ループが得られた。すなわちＮ
ｉ82Ｆｅ18膜内の一軸磁気異方性が分散していることが
わかる。これらのＭＲ素子において印加磁界と出力電圧
の関係を測定したところ、バルクハウゼンノイズが観察
され、さらに出力電圧にふらつきが見られた。以上のよ
うに、三層構造のＭＲ素子において、非磁性導体層とし
ては、Ｖ、Ｓｃ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｙ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、
Ｗのいずれの元素も適していないことがわかる。
Ｓｃ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｙ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｗを用いた
こと以外は全く実施例１と同様にしてＭＲ素子を作製し
た。非磁性導体層上にＭＲ効果層を成膜する際の基板温
度は、−５０、５０、１５０、２５０、３５０℃の５種
類とした。これらの試料における困難軸方向のＭ−Ｈ特
性を測定したところ、いずれの試料においても図１
（ｂ）に相当する困難軸ループが得られた。すなわちＮ
ｉ82Ｆｅ18膜内の一軸磁気異方性が分散していることが
わかる。これらのＭＲ素子において印加磁界と出力電圧
の関係を測定したところ、バルクハウゼンノイズが観察
され、さらに出力電圧にふらつきが見られた。以上のよ
うに、三層構造のＭＲ素子において、非磁性導体層とし
ては、Ｖ、Ｓｃ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｙ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、
Ｗのいずれの元素も適していないことがわかる。
【００１３】
【発明の効果】以上述べてきたように、本発明によれ
ば、ＭＲ効果層の一軸磁気異方性を乱す拡散層の形成を
阻止し、ＭＲ層の磁区構造を安定化することにより、出
力が安定しており、かつバルクハウゼンノイズのみられ
ない高性能高出力のＭＲ素子が得られる。
ば、ＭＲ効果層の一軸磁気異方性を乱す拡散層の形成を
阻止し、ＭＲ層の磁区構造を安定化することにより、出
力が安定しており、かつバルクハウゼンノイズのみられ
ない高性能高出力のＭＲ素子が得られる。
【図１】ＭＲ効果層成膜時の各基板温度における困難軸
方向のＭ−Ｈ特性を示した図である。
方向のＭ−Ｈ特性を示した図である。
【図２】本発明によるＭＲ素子の一実施例を示す構成図
である。
である。
１ ガラス基板 ２ 非晶質軟磁性体層 ３ 非磁性導体層 ４ ＭＲ効果層 ５ 電極層 ６ 感磁部分 ７ 電極端子
Claims (2)
- 【請求項１】 バイアス磁界発生用の非晶質軟磁性体層
と、非磁性導体層と、磁気抵抗効果を有する強磁性体か
らなる磁気抵抗効果層とを基板上に順次積層してなる磁
気抵抗効果素子の製造方法において、非磁性導体層とし
てＴｉを用い、該非磁性導体層上に磁気抵抗効果層を成
膜する際の基板温度を５０〜２５０℃の範囲とすること
を特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。 - 【請求項２】 バイアス磁界発生用の非晶質軟磁性体層
と、非磁性導体層と、磁気抵抗効果を有する強磁性体か
らなる磁気抵抗効果層とを基板上に順次積層してなる磁
気抵抗効果素子の製造方法において、非磁性導体層とし
てＴａを用い、該非磁性導体層上に磁気抵抗効果層を成
膜する際の基板温度を５０〜１５０℃の範囲とすること
を特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3201120A JP2850584B2 (ja) | 1991-07-17 | 1991-07-17 | 磁気抵抗効果素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3201120A JP2850584B2 (ja) | 1991-07-17 | 1991-07-17 | 磁気抵抗効果素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0528439A JPH0528439A (ja) | 1993-02-05 |
| JP2850584B2 true JP2850584B2 (ja) | 1999-01-27 |
Family
ID=16435744
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3201120A Expired - Fee Related JP2850584B2 (ja) | 1991-07-17 | 1991-07-17 | 磁気抵抗効果素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2850584B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5557491A (en) * | 1994-08-18 | 1996-09-17 | International Business Machines Corporation | Two terminal single stripe orthogonal MR head having biasing conductor integral with the lead layers |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6323217A (ja) * | 1986-07-15 | 1988-01-30 | Sony Corp | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
-
1991
- 1991-07-17 JP JP3201120A patent/JP2850584B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0528439A (ja) | 1993-02-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |