JPH03257977A - 磁気抵抗素子の製造方法 - Google Patents
磁気抵抗素子の製造方法Info
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- JPH03257977A JPH03257977A JP2057154A JP5715490A JPH03257977A JP H03257977 A JPH03257977 A JP H03257977A JP 2057154 A JP2057154 A JP 2057154A JP 5715490 A JP5715490 A JP 5715490A JP H03257977 A JPH03257977 A JP H03257977A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ドラムに着磁された磁気式ロータリーエンコ
ーダの信号検出に使用される磁気抵抗素子の製造方法に
関するものである。
ーダの信号検出に使用される磁気抵抗素子の製造方法に
関するものである。
従来の技術
従来、磁気信号の検出には、２００〜１０００Ａの膜厚
を有するパーマロイ合金薄膜が用いられてきたが、その
磁気抵抗変化率、すなわち磁化方向が電流の方向に一致
した場合の抵抗値と、磁化が電流の方向に対して直角に
向いた場合の抵抗値との差ΔＲと磁化されないときの抵
抗値Ｒとの比ΔＲ／Ｒは２．５〜３％程度であり、また
ばらつきも５〜２０％であった。パーマロイ膜において
は結晶粒の乱れや、結晶内部の乱れ、内部歪が存在して
、磁気抵抗変化率ΔＲ／Ｒを小さくする原因となってい
ることは実験的に確認されている。
を有するパーマロイ合金薄膜が用いられてきたが、その
磁気抵抗変化率、すなわち磁化方向が電流の方向に一致
した場合の抵抗値と、磁化が電流の方向に対して直角に
向いた場合の抵抗値との差ΔＲと磁化されないときの抵
抗値Ｒとの比ΔＲ／Ｒは２．５〜３％程度であり、また
ばらつきも５〜２０％であった。パーマロイ膜において
は結晶粒の乱れや、結晶内部の乱れ、内部歪が存在して
、磁気抵抗変化率ΔＲ／Ｒを小さくする原因となってい
ることは実験的に確認されている。
このことは検出出力ｄＶ＝ΔＲ−１（検出素子に流す電
流値〉が低下する大きな原因となる。
流値〉が低下する大きな原因となる。
発明が解決しようとする課題
従来より磁気抵抗効果を向上させるために、パーマロイ
膜の磁場中蒸着や、斜め蒸着が行われてきた。磁場中蒸
着は、磁場中にて磁性薄膜を着膜することにより、金属
原子のバンド上のスピンを同一方向にすることによって
、磁気抵抗効果を向上させるものであるが、装置が大が
かりになる上、磁気抵抗効果のばらつきが最大値で３０
％であるため、実用上問題が多かった。また斜め蒸着は
、下地基板の種類によってばらつきが大きく、例えばば
らつきの小さいサファイア基板は、ガラス基板の２０倍
以上の価格であり、かつ硬度が高いため、ダイシング等
の加工に難があり、工程導人は不可能であった。
膜の磁場中蒸着や、斜め蒸着が行われてきた。磁場中蒸
着は、磁場中にて磁性薄膜を着膜することにより、金属
原子のバンド上のスピンを同一方向にすることによって
、磁気抵抗効果を向上させるものであるが、装置が大が
かりになる上、磁気抵抗効果のばらつきが最大値で３０
％であるため、実用上問題が多かった。また斜め蒸着は
、下地基板の種類によってばらつきが大きく、例えばば
らつきの小さいサファイア基板は、ガラス基板の２０倍
以上の価格であり、かつ硬度が高いため、ダイシング等
の加工に難があり、工程導人は不可能であった。
本発明は、これらの問題を鑑み、高磁気抵抗変化率を容
易に得るための磁気抵抗素子の製造方法を提供すること
を目的とするものである。
易に得るための磁気抵抗素子の製造方法を提供すること
を目的とするものである。
課題を解決するための手段
上記目的を達成するために、本発明は、前記絶縁基板上
に酸化硅素を主成分とする化合物を斜め方向から着膜し
、その化合物膜上に同一方向からＮｉを主成分とする強
磁性合金を着膜するものである。
に酸化硅素を主成分とする化合物を斜め方向から着膜し
、その化合物膜上に同一方向からＮｉを主成分とする強
磁性合金を着膜するものである。
作用
本発明は、まず表面が研磨された絶縁基板上に酸化硅素
を主成分とする化合物を斜め方向より着膜することによ
り、この上に同一方向からＮｉを主成分とする強磁性合
金を着膜する際に、前記酸化硅素化合物粒の配向する方
向に従って結晶成長し易い基板表面を形成する。この上
より前記強磁性合金を同一方向より着膜することにより
、−軸磁気異方性の結晶粒９粒界の形状効果により、よ
り高くばらつきの少ない磁気抵抗効果を持ち、低ヒステ
リシスの強磁性合金薄膜を形成する。
を主成分とする化合物を斜め方向より着膜することによ
り、この上に同一方向からＮｉを主成分とする強磁性合
金を着膜する際に、前記酸化硅素化合物粒の配向する方
向に従って結晶成長し易い基板表面を形成する。この上
より前記強磁性合金を同一方向より着膜することにより
、−軸磁気異方性の結晶粒９粒界の形状効果により、よ
り高くばらつきの少ない磁気抵抗効果を持ち、低ヒステ
リシスの強磁性合金薄膜を形成する。
実施例
以下、本発明の一実施例を第１図ａ−ｃの図面を用いて
説明する。
説明する。
第１図において、表面を研磨した第１図ａに示すガラス
基板１上に斜め方向よりスパッタリング法にて膜厚１μ
ｍの５ｉ０２膜２を形成する（第１図ｂ）。次に第１図
Ｃに示すように前記５ｉ０２膜２上に同一方向よりパー
マロイ膜３をスパッタリング法にて５０００Ａ着膜した
後、フォトエツチング法によりパターニングすることに
より、所定のパターンを有する磁気抵抗素子が得られる
。
基板１上に斜め方向よりスパッタリング法にて膜厚１μ
ｍの５ｉ０２膜２を形成する（第１図ｂ）。次に第１図
Ｃに示すように前記５ｉ０２膜２上に同一方向よりパー
マロイ膜３をスパッタリング法にて５０００Ａ着膜した
後、フォトエツチング法によりパターニングすることに
より、所定のパターンを有する磁気抵抗素子が得られる
。
発明の効果
以上のように本発明によれば、Ｐ！縁縁板板上酸化硅素
を主成分とする化合物を斜め方向から着膜し、その化合
物膜上に同一方向からＮｉを主成分とする強磁性合金を
着膜することにより、同一方法で前記絶縁基板に直接着
膜したものと比較して、磁気抵抗効果は２．５％→３．
３％に向上し、ばらつきは３０％→１５％に低下し、さ
らにヒステリシスも大きく改善される。これにより、磁
気抵抗素子としては、 （１） 容易に高出力が得られる、 （２）容易に高精度が得られる、 等の効果が得られる。
を主成分とする化合物を斜め方向から着膜し、その化合
物膜上に同一方向からＮｉを主成分とする強磁性合金を
着膜することにより、同一方法で前記絶縁基板に直接着
膜したものと比較して、磁気抵抗効果は２．５％→３．
３％に向上し、ばらつきは３０％→１５％に低下し、さ
らにヒステリシスも大きく改善される。これにより、磁
気抵抗素子としては、 （１） 容易に高出力が得られる、 （２）容易に高精度が得られる、 等の効果が得られる。
第１図ａ −ｃは本発明の一実施例による磁気抵抗素子
の製造方法を示す工程断面図である。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・５ｉ０２膜
、３・・・・・・パーマロイ膜。
の製造方法を示す工程断面図である。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・５ｉ０２膜
、３・・・・・・パーマロイ膜。
Claims (1)
- 絶縁基板上に酸化硅素を主成分とする化合物を斜め方向
から着膜し、前記化合物膜上に同一方向からＮｉを主成
分とする強磁性合金を着膜したことを特徴とする磁気抵
抗素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2057154A JPH03257977A (ja) | 1990-03-08 | 1990-03-08 | 磁気抵抗素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2057154A JPH03257977A (ja) | 1990-03-08 | 1990-03-08 | 磁気抵抗素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03257977A true JPH03257977A (ja) | 1991-11-18 |
Family
ID=13047648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2057154A Pending JPH03257977A (ja) | 1990-03-08 | 1990-03-08 | 磁気抵抗素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03257977A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5736921A (en) * | 1994-03-23 | 1998-04-07 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Magnetoresistive element |
| US5738929A (en) * | 1993-10-20 | 1998-04-14 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Magnetoresistance effect element |
-
1990
- 1990-03-08 JP JP2057154A patent/JPH03257977A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5738929A (en) * | 1993-10-20 | 1998-04-14 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Magnetoresistance effect element |
| US5736921A (en) * | 1994-03-23 | 1998-04-07 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Magnetoresistive element |
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