JPS61258320A - 磁気抵抗効果型ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘツドInfo
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- JPS61258320A JPS61258320A JP9772185A JP9772185A JPS61258320A JP S61258320 A JPS61258320 A JP S61258320A JP 9772185 A JP9772185 A JP 9772185A JP 9772185 A JP9772185 A JP 9772185A JP S61258320 A JPS61258320 A JP S61258320A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- wall
- head
- magneto
- magnetoresistive element
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
- G11B5/3922—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure
- G11B5/3925—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure the two parts being thin films
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕 ・
本発明は、磁気抵抗効果型ヘッドに係り、とくに磁気抵
抗効果素子が媒体摺動面に露出しない、いわゆるリア型
磁気抵抗効果型ヘッドの構造に関する。
抗効果素子が媒体摺動面に露出しない、いわゆるリア型
磁気抵抗効果型ヘッドの構造に関する。
従来のリア型磁気抵抗効果ヘッドの一例として、信学技
報Ｖｏ工８２ 、 ｐｐ ３３−４１ （１９８２）に
おける高橋他３名による「垂直磁気記録の一再生式」に
おいて論じられている構造のものが知られている。同構
造のヘッドは、前述した文献でも詳細に報告されている
ように、従来の磁気抵抗効果素子が媒体摺動面に露出し
た、いわゆるフロント型構造磁気抵抗効果ヘッドに比べ
、安定性及び電磁変換特性の点で優れているという特徴
がある。しかし、上記ヘッドを作成する場合、高精度の
基板加工を施す必要があり、量産性の向上を図る点で問
題となりでいた。
報Ｖｏ工８２ 、 ｐｐ ３３−４１ （１９８２）に
おける高橋他３名による「垂直磁気記録の一再生式」に
おいて論じられている構造のものが知られている。同構
造のヘッドは、前述した文献でも詳細に報告されている
ように、従来の磁気抵抗効果素子が媒体摺動面に露出し
た、いわゆるフロント型構造磁気抵抗効果ヘッドに比べ
、安定性及び電磁変換特性の点で優れているという特徴
がある。しかし、上記ヘッドを作成する場合、高精度の
基板加工を施す必要があり、量産性の向上を図る点で問
題となりでいた。
本発明の目的は、上記従来技術の欠点を除き、量産性に
富み、かつ電磁変換特性の優れた磁気抵抗効果型ヘッド
を提供するにある。
富み、かつ電磁変換特性の優れた磁気抵抗効果型ヘッド
を提供するにある。
この目的を達成するために、本発明は、第１および第２
の高透磁率磁性薄膜に挾まれた磁気抵抗効果素子を有し
、第１の高透磁率磁性膜の、磁気抵抗効果素子に対向す
る側面の反対側側面が摺動面を形成している磁気抵抗効
果型ヘッドにおいて、第１および第２の高透磁率磁性薄
膜が摺動面に平行な磁化容易軸を有するようにした点に
特徴がある。
の高透磁率磁性薄膜に挾まれた磁気抵抗効果素子を有し
、第１の高透磁率磁性膜の、磁気抵抗効果素子に対向す
る側面の反対側側面が摺動面を形成している磁気抵抗効
果型ヘッドにおいて、第１および第２の高透磁率磁性薄
膜が摺動面に平行な磁化容易軸を有するようにした点に
特徴がある。
以下、本発明の実施例を図面でもって説明する０
第１図および第２図は本発明によるフラックスガイド型
の磁気抵抗効果ヘッドの一実施例を示す側断面図および
概略正面図でありで、１は非磁性基板、２は磁気抵抗効
果素子、３は高透磁率磁性薄膜から成る７Ｏント７ラツ
クスガイド、４は高透磁率磁性′ｆＩＩ膜から成るリア
７ラツクスガイド、５はフロントフラックスガイド３と
磁気抵抗効果素子２との間に設けられた非磁性材より成
るフロントギャップ、６はリアフラックスガイド４と磁
気抵抗効果素子２との間に設けられたギャップ、７は磁
気抵抗効果素子２をバイアスするために必要な磁界を発
生するための１ターンコイル、８は保護材、９は引き出
し線、１０は媒体摺動面である。なお、第２図には保護
材８および１ターンフイル７は示してない。本発明によ
るフラックスガイド型磁気抵抗効果型ヘッドの動作原理
を以下に説明する。
の磁気抵抗効果ヘッドの一実施例を示す側断面図および
概略正面図でありで、１は非磁性基板、２は磁気抵抗効
果素子、３は高透磁率磁性薄膜から成る７Ｏント７ラツ
クスガイド、４は高透磁率磁性′ｆＩＩ膜から成るリア
７ラツクスガイド、５はフロントフラックスガイド３と
磁気抵抗効果素子２との間に設けられた非磁性材より成
るフロントギャップ、６はリアフラックスガイド４と磁
気抵抗効果素子２との間に設けられたギャップ、７は磁
気抵抗効果素子２をバイアスするために必要な磁界を発
生するための１ターンコイル、８は保護材、９は引き出
し線、１０は媒体摺動面である。なお、第２図には保護
材８および１ターンフイル７は示してない。本発明によ
るフラックスガイド型磁気抵抗効果型ヘッドの動作原理
を以下に説明する。
記録媒体（図示せず）からの信号磁束は、フロントフラ
ックスガイド５により磁気抵抗効果素子２に導かれ、７
ａントギヤツプ５を介して磁気抵抗効果素子２に流入す
る。信号磁束は、磁気抵抗効果素子２で電気信号に変換
される。
ックスガイド５により磁気抵抗効果素子２に導かれ、７
ａントギヤツプ５を介して磁気抵抗効果素子２に流入す
る。信号磁束は、磁気抵抗効果素子２で電気信号に変換
される。
その後、信号磁束はリアギャップ６を経て、リアフラッ
クスガイド４に流入し、最後にテープに帰環する。なお
、同構造の磁気抵抗効果ヘッドにおいて、リア７ラツク
スガイド４は、磁束利用率を向上させるという効果をも
つものである。また、リア７ラツクスガイド４の膜厚が
、フロントフラックスガイド３に比べて大きくしている
が、この理由は、バルクハウゼンノイズを抑圧するため
である。
クスガイド４に流入し、最後にテープに帰環する。なお
、同構造の磁気抵抗効果ヘッドにおいて、リア７ラツク
スガイド４は、磁束利用率を向上させるという効果をも
つものである。また、リア７ラツクスガイド４の膜厚が
、フロントフラックスガイド３に比べて大きくしている
が、この理由は、バルクハウゼンノイズを抑圧するため
である。
第１図及び第２図に示したように、本発明によるフラッ
クスガイド型ヘッドの場合、その作成プロセスにおいて
、高精度の基板加工を施す必要がなく量産性に富んでい
ることがわかる。
クスガイド型ヘッドの場合、その作成プロセスにおいて
、高精度の基板加工を施す必要がなく量産性に富んでい
ることがわかる。
しかし、本発明によるヘッドに関する系統的検討の結果
、同ヘッドは従来構造のヘッドに比べ、前述した対策を
施しているいるものの、バルクハウゼンノイズが発生し
易く、かつその発生頻度は、フラックスガイドの磁化容
易軸の方向に大きく依存することがわかった。
、同ヘッドは従来構造のヘッドに比べ、前述した対策を
施しているいるものの、バルクハウゼンノイズが発生し
易く、かつその発生頻度は、フラックスガイドの磁化容
易軸の方向に大きく依存することがわかった。
以下、バルクハウゼンノイズの発１［＆ と、フラック
スガイドの一軸異方性との関連について、第３．第４図
を用いて詳細に説明する。
スガイドの一軸異方性との関連について、第３．第４図
を用いて詳細に説明する。
第６図及び第４図共、灯２図に示したフラックスガイド
、及び磁気抵抗効果素子の磁区構造を、模式的に示した
ものである。第３図は、フラックスガイドが磁気的に等
方膜の場合の磁区構造、第４図は、フラックスガイドが
、摺動面に対して平行な一軸異方性をもつ場合の磁区構
造を示した。第３図及び第４図において、１１は１８０
°磁壁、１２け９０°磁壁である。
、及び磁気抵抗効果素子の磁区構造を、模式的に示した
ものである。第３図は、フラックスガイドが磁気的に等
方膜の場合の磁区構造、第４図は、フラックスガイドが
、摺動面に対して平行な一軸異方性をもつ場合の磁区構
造を示した。第３図及び第４図において、１１は１８０
°磁壁、１２け９０°磁壁である。
発明者等のバルクハウゼンノイズの発生頻度とフラック
スガイドの一軸異方性との関連性に関する系統的検討の
結果、以下のことがわかった。スナわち、バルクハウゼ
ンノイズのＲ１１度は、第３図に示した磁気的等方膜の
７ラツクスガイドあるいは摺動面に非平行な一軸異方性
をもつ７ラツクスガイドを用いたヘッドに比べ、第４図
に示した一軸異方性を有するフラックスガイドを用いた
ヘッドの方が非常に小さいことが明らかとなった。前述
した結果は、実験的かつ理論的に以下に説明するように
裏付られる。
スガイドの一軸異方性との関連性に関する系統的検討の
結果、以下のことがわかった。スナわち、バルクハウゼ
ンノイズのＲ１１度は、第３図に示した磁気的等方膜の
７ラツクスガイドあるいは摺動面に非平行な一軸異方性
をもつ７ラツクスガイドを用いたヘッドに比べ、第４図
に示した一軸異方性を有するフラックスガイドを用いた
ヘッドの方が非常に小さいことが明らかとなった。前述
した結果は、実験的かつ理論的に以下に説明するように
裏付られる。
衆知の如く、バルクハウゼンノイズは、磁壁の不可逆的
移動に起因するものである。第３図に示したように、磁
気的に等方向なフラックスガイド３．４の磁区構造は複
雑に入り組んだものであり、それぞれの磁区の持つ磁化
の方向はまちまちである。このため、該フラックスガイ
ドの磁壁は第３図に示した矢印方向の信号磁界に対して
移動し易く、かつその移動は不可逆的となる。
移動に起因するものである。第３図に示したように、磁
気的に等方向なフラックスガイド３．４の磁区構造は複
雑に入り組んだものであり、それぞれの磁区の持つ磁化
の方向はまちまちである。このため、該フラックスガイ
ドの磁壁は第３図に示した矢印方向の信号磁界に対して
移動し易く、かつその移動は不可逆的となる。
例えば、第３図において、円Ａ内に示した磁壁は、矢印
方向に大略平行な磁化を有する２つの磁区に挾まれてい
る。該２つの磁区に矢印の向きの磁場が印加された場合
、該２つの磁化の内、矢印と反対向きの磁化は通常の磁
化回転を行わず、該磁壁の移動による磁化過程を取る。
方向に大略平行な磁化を有する２つの磁区に挾まれてい
る。該２つの磁区に矢印の向きの磁場が印加された場合
、該２つの磁化の内、矢印と反対向きの磁化は通常の磁
化回転を行わず、該磁壁の移動による磁化過程を取る。
この時、磁壁の移動は不可逆となり、これがバルクハウ
ゼンノイズ発生の要因となる。つまり、磁気的に等方的
なフラックスガイドを用いたヘッドにおいては、媒体か
らの信号磁界により、フラックスガイドの磁壁の不可逆
的移動が発生し易く、それが磁気抵抗効果素子に直接影
響している。
ゼンノイズ発生の要因となる。つまり、磁気的に等方的
なフラックスガイドを用いたヘッドにおいては、媒体か
らの信号磁界により、フラックスガイドの磁壁の不可逆
的移動が発生し易く、それが磁気抵抗効果素子に直接影
響している。
一方、第４図に示したように、７ラツクスガイド３，４
が指動面１０に対して平行な一軸異方性を有する場合、
前述の理由により、矢印方向の磁場に対して°９０°磁
壁１２が移動し易く、かつその移動は不可逆的移動とな
る。しかし、７ラツクスガイドの磁壁の内、９０°磁壁
１２の占める比率は、１８０°磁壁１１のそれに比べて
非常に小さく、かつ９０°磁壁１２の位置は磁気抵抗効
果素子の中心部から十分離れている。したがって、第４
図に示したヘッドの場合、９０°磁壁１２の不可逆的移
動が磁気抵抗効果素子に与える影響は極めて小さい。
が指動面１０に対して平行な一軸異方性を有する場合、
前述の理由により、矢印方向の磁場に対して°９０°磁
壁１２が移動し易く、かつその移動は不可逆的移動とな
る。しかし、７ラツクスガイドの磁壁の内、９０°磁壁
１２の占める比率は、１８０°磁壁１１のそれに比べて
非常に小さく、かつ９０°磁壁１２の位置は磁気抵抗効
果素子の中心部から十分離れている。したがって、第４
図に示したヘッドの場合、９０°磁壁１２の不可逆的移
動が磁気抵抗効果素子に与える影響は極めて小さい。
以上、前述したように、本発明より成るフラックスガイ
ド型磁気抵抗効果ヘッドにおけるバルクハウゼンノイズ
の発生頻度は、フラックスガイド３，４の磁区構造、す
なわち同異方性に関係があり、７ラツクスガイド５，４
に摺動面１０に平行な一軸異方性を与えることにより、
バルクハウゼンノイズを抑圧できることが明らかとなり
た。
ド型磁気抵抗効果ヘッドにおけるバルクハウゼンノイズ
の発生頻度は、フラックスガイド３，４の磁区構造、す
なわち同異方性に関係があり、７ラツクスガイド５，４
に摺動面１０に平行な一軸異方性を与えることにより、
バルクハウゼンノイズを抑圧できることが明らかとなり
た。
なお、磁区構造とパターン形状との理論的考察は、既に
先人により成されており、例えば丸善出版の「磁性薄膜
工学」に詳細に記されている。発明者等の上述した結果
は、その理論的考察結果と一致するものであ墨。
先人により成されており、例えば丸善出版の「磁性薄膜
工学」に詳細に記されている。発明者等の上述した結果
は、その理論的考察結果と一致するものであ墨。
第５図および第６図は本発明による７ラツクスガイド型
磁気抵抗効果ヘツドの他の実施例を示す概略側断面図お
よび概略正面図であって、１は基板として用いたＺルフ
ェライト焼結体、２は膜厚０．０４μｍの８１１１１χ
％ＮＬパーマａイから成る磁気抵抗効果素子、３は、膜
厚０゜３μｍの８１ｗ、ｔ％ＮＬパーマロイから成る７
ａントフラツクスガイド、４は膜厚２μｍの８１Ｗｉ％
ＮＬパーマロイから成るリアフラックスガイド、５，６
は、ギャップ長０．１μ専の５ｊ−Ｃｈから成るフロン
ト及びリアギャップ、１３は膜厚１μｍのＳＬＯ□から
成る絶縁層、７は、膜厚２μｍのＡＪ−から成るバイア
スフィル、８は膜厚３０μｍのＡ’２０ｓから成る保護
層、９は膜厚０．２５μｍのＡ１から成る引き出しｍ極
、１０は媒体摺動面である。なお、第６図には、バイア
スコイル７および保護層８は示してない。
磁気抵抗効果ヘツドの他の実施例を示す概略側断面図お
よび概略正面図であって、１は基板として用いたＺルフ
ェライト焼結体、２は膜厚０．０４μｍの８１１１１χ
％ＮＬパーマａイから成る磁気抵抗効果素子、３は、膜
厚０゜３μｍの８１ｗ、ｔ％ＮＬパーマロイから成る７
ａントフラツクスガイド、４は膜厚２μｍの８１Ｗｉ％
ＮＬパーマロイから成るリアフラックスガイド、５，６
は、ギャップ長０．１μ専の５ｊ−Ｃｈから成るフロン
ト及びリアギャップ、１３は膜厚１μｍのＳＬＯ□から
成る絶縁層、７は、膜厚２μｍのＡＪ−から成るバイア
スフィル、８は膜厚３０μｍのＡ’２０ｓから成る保護
層、９は膜厚０．２５μｍのＡ１から成る引き出しｍ極
、１０は媒体摺動面である。なお、第６図には、バイア
スコイル７および保護層８は示してない。
次に、本発明による磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法に
ついて第７図を用いて説明する。第７図は、第５図およ
び第６図に示した７ラツクスガイド型磁気抵抗効果型ヘ
ツドの製造工程流れ図と各工程における同ヘッドの概略
側断面図を示したものである。
ついて第７図を用いて説明する。第７図は、第５図およ
び第６図に示した７ラツクスガイド型磁気抵抗効果型ヘ
ツドの製造工程流れ図と各工程における同ヘッドの概略
側断面図を示したものである。
鏡面ラップされたＺｒＬフェライト焼結体上に、磁場中
蒸着法（磁場強度；約５００ｅ）で８を都ＮＬパーマロ
イを、基板温度３００℃の条件下で０ｆｌ１４μｍ形成
する。その後、イオンエツチング法を用いて磁気抵抗効
果素子２のパターニング形成を行なう。このとき、磁気
抵抗効果素子２の長手方向と、前述した磁場方向とが一
致するように磁気抵抗効果素子を形成する。
蒸着法（磁場強度；約５００ｅ）で８を都ＮＬパーマロ
イを、基板温度３００℃の条件下で０ｆｌ１４μｍ形成
する。その後、イオンエツチング法を用いて磁気抵抗効
果素子２のパターニング形成を行なう。このとき、磁気
抵抗効果素子２の長手方向と、前述した磁場方向とが一
致するように磁気抵抗効果素子を形成する。
磁気抵抗効果素子形成後、ＲＦスパッタリング法により
、膜厚０．１μｍの５Ｌ０２膜を形成し、フロント及び
リアギャップ５，６を形成する。
、膜厚０．１μｍの５Ｌ０２膜を形成し、フロント及び
リアギャップ５，６を形成する。
フロント及びリアギャップ形成後、膜厚０．３μｍの８
１ｕ、ｔ％ＮＬパーマロイを磁気抵抗効果素子同様、磁
場中蒸着法により形成し、フロントフラックスガイド３
をパターニング形成する。このとき、７ラツクスガイド
の磁化容易軸と磁気抵抗効果素子の長手方向とを一致さ
せる。その後、更に２０μｍ厚の８１ ｗｉ％ＮＬパー
マロイを同様の方法で形成し、リアフラックスガイド４
をパターニング形成する。このときも、磁気抵抗効果素
子２のパターニング時と同様、イオンエッチジグ法によ
りバターニングする。
１ｕ、ｔ％ＮＬパーマロイを磁気抵抗効果素子同様、磁
場中蒸着法により形成し、フロントフラックスガイド３
をパターニング形成する。このとき、７ラツクスガイド
の磁化容易軸と磁気抵抗効果素子の長手方向とを一致さ
せる。その後、更に２０μｍ厚の８１ ｗｉ％ＮＬパー
マロイを同様の方法で形成し、リアフラックスガイド４
をパターニング形成する。このときも、磁気抵抗効果素
子２のパターニング時と同様、イオンエッチジグ法によ
りバターニングする。
フラックスガイド形成後、ＲＦスパッタリング法により
、膜厚１μｍの５ＬＯ２膜を形成し、真空蒸着法を用い
て膜厚２μｍのＡＪ−膜を形成する。
、膜厚１μｍの５ＬＯ２膜を形成し、真空蒸着法を用い
て膜厚２μｍのＡＪ−膜を形成する。
Ａ！膜を通常の湿式エツチングを用いた方法でバターニ
ングし、バイアスフィル７を形成する。
ングし、バイアスフィル７を形成する。
その後、保護層であるＡｊ’ ２０ｓ薄膜を５０μｍ形
成し、所定のヘッド構造に加工を施し、本発明により成
るヘッドは完成する。
成し、所定のヘッド構造に加工を施し、本発明により成
るヘッドは完成する。
なお、前述した場合の、リアフラックスガイド４の媒体
摺動面１０に対して平行方向の巾は、磁気抵抗効果素子
２の約１０倍である。
摺動面１０に対して平行方向の巾は、磁気抵抗効果素子
２の約１０倍である。
前述せる方法で形成した、磁気抵抗効果型ヘッドをメタ
ルパウダーテープ（Ｈａ ｅ、 １５０００ｓ。
ルパウダーテープ（Ｈａ ｅ、 １５０００ｓ。
Ｂｒ ； ２５００ Ｇ ）を用いて動作せしめた結果
、バルクハウゼンノイズは、実用上はぼ問題とならない
程度にまで抑圧できることがわかった。
、バルクハウゼンノイズは、実用上はぼ問題とならない
程度にまで抑圧できることがわかった。
以上説明したように、本発明によれば、第１および第２
高透磁率性薄膜、すなわちフロントおよびリアフラック
スガイドが媒体摺動面に平行な磁化容易軸を有すること
により、量産性に富みかつ電磁変換特性が良好で、また
、バルクハウゼンノイズを実用上無視し得る程度に抑圧
でき、上記従来技術の欠点を除いて優れた機能の磁気抵
抗効果型ヘッドを提供することができる。
高透磁率性薄膜、すなわちフロントおよびリアフラック
スガイドが媒体摺動面に平行な磁化容易軸を有すること
により、量産性に富みかつ電磁変換特性が良好で、また
、バルクハウゼンノイズを実用上無視し得る程度に抑圧
でき、上記従来技術の欠点を除いて優れた機能の磁気抵
抗効果型ヘッドを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図および第２図は本発明による磁気抵抗効果型ヘッ
ドの実施例を説明する概略側断面図および正面図、第５
図および第４図はフラックスガイドの磁区構造を示す模
式図、第５図および第６図は本発明による磁気抵抗効果
型ヘッドの他の実施例を示す概略側断面および正面図、
第７図は本発明による磁気抵抗効果型ヘッドの製造プロ
セス流れ図である。 ２・・・磁気抵抗効果素子、３・・・第１高透磁率磁性
薄膜（フロントフラックスガイド）、４・・・第２高透
磁率磁性薄膜（リアフラックスガイド）、１０・・・摺
動面。 第 １ 図 第 ２ 図 ｎ 第３図 第 ４− 図 第５図 第６図 第 ７ 図
ドの実施例を説明する概略側断面図および正面図、第５
図および第４図はフラックスガイドの磁区構造を示す模
式図、第５図および第６図は本発明による磁気抵抗効果
型ヘッドの他の実施例を示す概略側断面および正面図、
第７図は本発明による磁気抵抗効果型ヘッドの製造プロ
セス流れ図である。 ２・・・磁気抵抗効果素子、３・・・第１高透磁率磁性
薄膜（フロントフラックスガイド）、４・・・第２高透
磁率磁性薄膜（リアフラックスガイド）、１０・・・摺
動面。 第 １ 図 第 ２ 図 ｎ 第３図 第 ４− 図 第５図 第６図 第 ７ 図
Claims (1)
- 第１および第２の高透磁率磁性薄膜に挾まれた磁気抵抗
効果素子を有し、前記第１の高透磁率磁性薄膜の、前記
磁気抵抗効果素子に対向する側面の反対側側面が摺動面
を形成している磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記第
１および第２の高透磁率磁性薄膜が前記摺動面に平行な
磁化容易軸を有することを特徴とする磁気抵抗効果型ヘ
ッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9772185A JPS61258320A (ja) | 1985-05-10 | 1985-05-10 | 磁気抵抗効果型ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9772185A JPS61258320A (ja) | 1985-05-10 | 1985-05-10 | 磁気抵抗効果型ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61258320A true JPS61258320A (ja) | 1986-11-15 |
Family
ID=14199753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9772185A Pending JPS61258320A (ja) | 1985-05-10 | 1985-05-10 | 磁気抵抗効果型ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61258320A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0262925A2 (en) * | 1986-09-29 | 1988-04-06 | Hewlett-Packard Company | Transducer shield |
| EP0616318A2 (en) * | 1993-03-18 | 1994-09-21 | Fujitsu Limited | Magnetoresistive head |
| US5995339A (en) * | 1993-03-18 | 1999-11-30 | Fujitsu Limited | Magnetoresistive head with a front flux guide and an embedded MR element |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5539536B2 (ja) * | 1977-08-05 | 1980-10-13 | ||
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1985
- 1985-05-10 JP JP9772185A patent/JPS61258320A/ja active Pending
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