JPS59169187A - 磁気抵抗効果素子の製造方法 - Google Patents
磁気抵抗効果素子の製造方法Info
- Publication number
- JPS59169187A JPS59169187A JP58042181A JP4218183A JPS59169187A JP S59169187 A JPS59169187 A JP S59169187A JP 58042181 A JP58042181 A JP 58042181A JP 4218183 A JP4218183 A JP 4218183A JP S59169187 A JPS59169187 A JP S59169187A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- permanent magnet
- soft magnetic
- film
- permalloy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
磁気ディスク記録装置および各種磁気テープ記録装置に
おいて、益々高記録密度化が要求されているが、当該記
録装置に使用する磁気ヘッドもその高密度化に伴って種
々の改善が必要となっている。
おいて、益々高記録密度化が要求されているが、当該記
録装置に使用する磁気ヘッドもその高密度化に伴って種
々の改善が必要となっている。
本発明は磁気ヘッドの中で再生専用ヘッドとして使用さ
れる磁気抵抗効果型ヘッドに係り、特に永久磁石バイア
ス型磁気抵抗効果型ヘッドに好適な磁気抵抗効果素子を
製造する方法に関するものである。
れる磁気抵抗効果型ヘッドに係り、特に永久磁石バイア
ス型磁気抵抗効果型ヘッドに好適な磁気抵抗効果素子を
製造する方法に関するものである。
パーマロイ等の磁気抵抗効果素子の磁化困難軸方向にバ
イアス磁場を印加する方法としては上記永久磁石バイア
スの他に電流バイアスなどの方法があるが、永久磁石バ
イアス型素子は電流線への通電が不要なため、通電に必
要な装置が不要のほか、当該素子の工程も短縮される利
点がある。
イアス磁場を印加する方法としては上記永久磁石バイア
スの他に電流バイアスなどの方法があるが、永久磁石バ
イアス型素子は電流線への通電が不要なため、通電に必
要な装置が不要のほか、当該素子の工程も短縮される利
点がある。
ところで、磁気ディスク等で記録密度を増大するには、
記録波長を短くしなければならないが、記録波長の短縮
に伴い記録および再生用のヘッドのギャップ長も短縮し
なければならない。磁気シールド型磁気抵抗効果型素子
の場合、磁気抵抗効果を示す例えばパーマロイセンサ膜
と磁気シールド膜との距離がギャップとなるが、永久磁
石ノ（イアス型磁気抵抗効果素子の場合、第１図に示す
ように、ギャップ内に永久磁石膜４と絶縁層３，５が含
まれる。したがって、ギャップ長はこれら永久磁石膜４
および絶縁層３，５の膜厚で決まり、ギャップ長を短く
するには、特に絶縁層３，５の膜厚を薄くするのが効果
的である。
記録波長を短くしなければならないが、記録波長の短縮
に伴い記録および再生用のヘッドのギャップ長も短縮し
なければならない。磁気シールド型磁気抵抗効果型素子
の場合、磁気抵抗効果を示す例えばパーマロイセンサ膜
と磁気シールド膜との距離がギャップとなるが、永久磁
石ノ（イアス型磁気抵抗効果素子の場合、第１図に示す
ように、ギャップ内に永久磁石膜４と絶縁層３，５が含
まれる。したがって、ギャップ長はこれら永久磁石膜４
および絶縁層３，５の膜厚で決まり、ギャップ長を短く
するには、特に絶縁層３，５の膜厚を薄くするのが効果
的である。
従来の永久磁石バイアス型磁気抵抗効果素子の炸裂工程
では、永久磁石膜を形成した後に着磁せずにすぐ絶縁層
５、）く−マロイ等の軟磁性体薄膜６を積層しているが
、このような工程では、絶縁層５の膜厚を薄くするにつ
れてその上に形成された軟磁性体薄膜例えば・（−マロ
イ薄膜の保磁力が犬きくなυ、異方性の分散も大きくな
るという磁気特性の劣化が認められるようになる。この
ような現象は文献（Ｃ，Ｈ，Ｂａｊｏｒｅｋ、 Ｄ、
Ａ、 Ｔｈｏｍｐｓｏｎ？ ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ、
ｏｎ Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ、 ＶＯｌｏＭａｇ −１１
、Ａ５． （１９７５）、 １２０９ ）でも報告され
又いる。このような磁気抵抗効果素子は、第２図に示バ すように出力が分割し、ベルクツ・ウゼンノイズも増す
という欠点を有している。この現象は、ＳｉＯ２等の絶
縁層５が薄くなるにつれて永久磁石膜の消磁状態におけ
る微細な磁区構造が軟磁性体薄膜の作製時に影響を与え
るだめと考えられる。
では、永久磁石膜を形成した後に着磁せずにすぐ絶縁層
５、）く−マロイ等の軟磁性体薄膜６を積層しているが
、このような工程では、絶縁層５の膜厚を薄くするにつ
れてその上に形成された軟磁性体薄膜例えば・（−マロ
イ薄膜の保磁力が犬きくなυ、異方性の分散も大きくな
るという磁気特性の劣化が認められるようになる。この
ような現象は文献（Ｃ，Ｈ，Ｂａｊｏｒｅｋ、 Ｄ、
Ａ、 Ｔｈｏｍｐｓｏｎ？ ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ、
ｏｎ Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ、 ＶＯｌｏＭａｇ −１１
、Ａ５． （１９７５）、 １２０９ ）でも報告され
又いる。このような磁気抵抗効果素子は、第２図に示バ すように出力が分割し、ベルクツ・ウゼンノイズも増す
という欠点を有している。この現象は、ＳｉＯ２等の絶
縁層５が薄くなるにつれて永久磁石膜の消磁状態におけ
る微細な磁区構造が軟磁性体薄膜の作製時に影響を与え
るだめと考えられる。
本発明は、上記現象を押え良好な軟磁性薄膜を得る方法
を提供するものである。
を提供するものである。
本発明に於てはパーマロイ等の軟磁性体薄膜を形成する
前に、永久磁石膜を予め着磁しておき、しかる後に軟磁
性薄膜を形成することによりなる。
前に、永久磁石膜を予め着磁しておき、しかる後に軟磁
性薄膜を形成することによりなる。
これによシ絶縁層を薄くしても軟磁性薄膜の保磁力が増
大せず、異方性の分散も小さな永久磁石ノくイアス型磁
気抵抗効果ヘッドに好適な磁気抵抗効果素子を提供する
。
大せず、異方性の分散も小さな永久磁石ノくイアス型磁
気抵抗効果ヘッドに好適な磁気抵抗効果素子を提供する
。
本発明は特に絶縁層が薄い時に効果的であシ、その厚さ
は約０，５μｍ以下である。また、絶縁層上の軟磁性薄
膜の異方性の分散をｌ」・さくしておくには、さらに予
め着磁しておく永久磁石膜の着磁方向を、パーマロイ等
の軟磁性体の所望とする磁化容易軸方向と同一にするこ
とが効果的となシ、このような磁気抵抗効果素子はノイ
ズが少ない出力が得られる。以下に実施例によって本発
明を詳細に述べる。
は約０，５μｍ以下である。また、絶縁層上の軟磁性薄
膜の異方性の分散をｌ」・さくしておくには、さらに予
め着磁しておく永久磁石膜の着磁方向を、パーマロイ等
の軟磁性体の所望とする磁化容易軸方向と同一にするこ
とが効果的となシ、このような磁気抵抗効果素子はノイ
ズが少ない出力が得られる。以下に実施例によって本発
明を詳細に述べる。
実施例１
厚さ７ＱｎｍのＣｏ−２０％ｐｔ永久磁石膜上に８１０
２等の絶縁層を介して積層した厚さ４０ｎｍの軟磁性体
薄膜例えばこの場合パーマロイ薄膜の磁化容易軸方向の
保磁力および異方性の分散の程度を示す困難軸方向の保
磁力と絶縁層５Ｉ０２の膜厚との関係を第３図、第４図
に示す。図中８゜８′は永久磁石膜を涜磁してない場合
のもので、８１０２膜厚が薄くなるにつれてパーマロイ
薄膜の容易軸方向の保磁力、困難軸方向の保磁力とも増
大する。９．９′および１０．１０’は永久磁石膜を着
磁した場合であシ、特に１０．１０’は永久磁石膜の着
磁方向とパーマロイ薄膜の磁化容易軸方向とを同一方向
にした場合である。この実施例によれば、いずれの場合
も、絶縁層８１０２の膜厚が薄くなっても磁化容易軸方
向の保磁力の増大は着磁していない場合に比べて小さく
、また困難軸方向の保磁力の増大も著しく小さく、それ
は着磁方向が容易軸方向と同一の時の方がさらに小さく
なっている。この効果は図から明らかのように、絶縁層
５１０２の厚さが約０．５μｍ以下で著しい。
２等の絶縁層を介して積層した厚さ４０ｎｍの軟磁性体
薄膜例えばこの場合パーマロイ薄膜の磁化容易軸方向の
保磁力および異方性の分散の程度を示す困難軸方向の保
磁力と絶縁層５Ｉ０２の膜厚との関係を第３図、第４図
に示す。図中８゜８′は永久磁石膜を涜磁してない場合
のもので、８１０２膜厚が薄くなるにつれてパーマロイ
薄膜の容易軸方向の保磁力、困難軸方向の保磁力とも増
大する。９．９′および１０．１０’は永久磁石膜を着
磁した場合であシ、特に１０．１０’は永久磁石膜の着
磁方向とパーマロイ薄膜の磁化容易軸方向とを同一方向
にした場合である。この実施例によれば、いずれの場合
も、絶縁層８１０２の膜厚が薄くなっても磁化容易軸方
向の保磁力の増大は着磁していない場合に比べて小さく
、また困難軸方向の保磁力の増大も著しく小さく、それ
は着磁方向が容易軸方向と同一の時の方がさらに小さく
なっている。この効果は図から明らかのように、絶縁層
５１０２の厚さが約０．５μｍ以下で著しい。
以上の実施例から明らかなように、磁気抵抗効果を示す
パーマロイ等の軟磁性体薄膜を積層する前に、予め永久
磁石膜を着磁しておけば、特にその着磁方向を軟磁性体
の磁化容易軸方向と同一にしておけば、絶縁層が薄くな
っても軟磁性体の磁化容易軸の保磁力と困難軸の保磁力
の増大を抑えることができる。このため、磁気抵抗効果
素子の出力時のノイズも低減することが可能である。
パーマロイ等の軟磁性体薄膜を積層する前に、予め永久
磁石膜を着磁しておけば、特にその着磁方向を軟磁性体
の磁化容易軸方向と同一にしておけば、絶縁層が薄くな
っても軟磁性体の磁化容易軸の保磁力と困難軸の保磁力
の増大を抑えることができる。このため、磁気抵抗効果
素子の出力時のノイズも低減することが可能である。
実施例２
実施例１に於ける永久磁石膜としてＣｏ−１０％ｆｌｅ
合金薄膜を用いた場合も全く同様の結果が得られた。
合金薄膜を用いた場合も全く同様の結果が得られた。
実施例３
実施例１，２に於ける永久磁石膜として斜方蒸着したＣ
ｏを用いた場合も同様の結果が得られた。
ｏを用いた場合も同様の結果が得られた。
実施例４
実施例１，２．３に於ける永久磁石膜として酸化物磁性
薄膜、たとえばγ・ＦｅｚＯ３に用いた場合にも同様の
結果が得られた。
薄膜、たとえばγ・ＦｅｚＯ３に用いた場合にも同様の
結果が得られた。
実施例５
実施例１，２，３．４に於ける永久磁石膜として、電着
法で形成したＣ ｏ −Ｎ ｉ −Ｐ薄膜を用いた場合
にも同様の効果が得られた。
法で形成したＣ ｏ −Ｎ ｉ −Ｐ薄膜を用いた場合
にも同様の効果が得られた。
第１図は永久磁石バイアス型薄膜磁気抵抗効果素子の縦
断面図、第２図は磁気抵抗効果素子の特性が磁場に対し
て非対称な場合の出力を示す図、第３図は本発明の効果
を示す図、第４図は本発明の効果を示す図である。
断面図、第２図は磁気抵抗効果素子の特性が磁場に対し
て非対称な場合の出力を示す図、第３図は本発明の効果
を示す図、第４図は本発明の効果を示す図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、永久磁石薄膜でバイアス磁場を印加された永久磁石
バイアス型磁気抵抗素子において、永久磁石薄膜上に直
接あるいは８１０２等の絶縁薄膜層を介して磁気抵抗効
果を示すパーマロイ等の軟磁性体薄膜をスパッタ法、Ｅ
、Ｂ、蒸着法あるいは抵抗加熱法で形成する際、予め永
久磁石薄膜を着磁して、当該軟磁性体薄膜を形成するこ
とを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。 ２、該パーマロイ薄膜を形成する際、所望とするパーマ
ロイ薄膜の磁化容易軸方向と同一方向に、予め永久磁石
薄膜を着磁して、該パーマロイ薄膜を形成することを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気抵抗効果素子
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58042181A JPS59169187A (ja) | 1983-03-16 | 1983-03-16 | 磁気抵抗効果素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58042181A JPS59169187A (ja) | 1983-03-16 | 1983-03-16 | 磁気抵抗効果素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59169187A true JPS59169187A (ja) | 1984-09-25 |
Family
ID=12628815
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58042181A Pending JPS59169187A (ja) | 1983-03-16 | 1983-03-16 | 磁気抵抗効果素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59169187A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9207292B2 (en) | 2011-02-02 | 2015-12-08 | Infineon Technologies Ag | Magnetoresistive device and method for manufacturing the same |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5750483A (en) * | 1980-09-10 | 1982-03-24 | Sharp Corp | Thin film reluctance effective element |
| JPS5816580A (ja) * | 1981-07-22 | 1983-01-31 | Sharp Corp | 磁気抵抗効果素子のバイアス磁界印加方法 |
-
1983
- 1983-03-16 JP JP58042181A patent/JPS59169187A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5750483A (en) * | 1980-09-10 | 1982-03-24 | Sharp Corp | Thin film reluctance effective element |
| JPS5816580A (ja) * | 1981-07-22 | 1983-01-31 | Sharp Corp | 磁気抵抗効果素子のバイアス磁界印加方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9207292B2 (en) | 2011-02-02 | 2015-12-08 | Infineon Technologies Ag | Magnetoresistive device and method for manufacturing the same |
| US9523747B2 (en) | 2011-02-02 | 2016-12-20 | Infineon Technologies Ag | Magnetoresistive device and method for manufacturing the same |
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