JPH08255342A

JPH08255342A - 磁気記録媒体の製造方法

Info

Publication number: JPH08255342A
Application number: JP5901295A
Authority: JP
Inventors: Katsutake Kaizu; 功剛貝津; Iwao Okamoto; 巌岡本; Masaki Shinohara; 正喜篠原
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1995-03-17
Filing date: 1995-03-17
Publication date: 1996-10-01

Abstract

(57)【要約】【目的】低ノイズで高出力の磁気記録媒体の製造方法に
関し、記録層中の強磁性体の結晶粒を相互に孤立化させ
てこれらの間の磁気的な相互作用を抑制するとともに、
記録層の膜厚を薄くし、かつ保磁力や残留磁束密度等に
ついて必要な磁気特性を得る。【構成】非磁性基板１１上に非磁性膜１２と強磁性膜１
３と非磁性膜１４とを順に積層した後、加熱処理し、非
磁性膜１５中に強磁性体の結晶粒13ａが分散した記録層
１６を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録媒体の製造方
法に関し、より詳しくは、低ノイズで高出力の磁気記録
媒体の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】情報処理装置の外部記憶装置として用い
られる磁気記録装置では、情報量の増加に伴ってますま
す記録密度の向上が要求されている。従来より用いられ
ている磁気記録媒体では記録密度を高くすると、Ｓ／Ｎ
比が低下してしまう。即ち、再生出力が低下し、ノイズ
が増加してしまう。

【０００３】更に、磁気抵抗効果型ＭＲヘッドの実用化
により再生ヘッドのＳ／Ｎ比が飛躍的に向上したため、
これまであまり目立たなかった磁気記録媒体のノイズが
磁気ディスク装置の全ノイズの大半を占めるようになっ
た。そのため、高いＳ／Ｎ比の磁気ディスク装置を得る
ため、高再生出力で、低ノイズの磁気記録媒体が要求さ
れている。

【０００４】磁気記録媒体のノイズの発生原因のうち主
なものは、磁化遷移領域の磁化のばらつきによる磁化遷
移領域の境界の不明確さに起因するものであり、その不
明確さは強磁性層を構成する強磁性体の結晶粒間の磁気
的な相互作用に起因している。即ち、隣接する強磁性体
の結晶粒同士の離間距離がばらついているためであると
考えられる。

【０００５】磁気記録媒体のノイズの低減のためには、
全ての隣接する強磁性体の結晶粒同士の間で一定以上の
離間距離を保つようにしてこの強磁性体の結晶粒間の磁
気的な相互作用を弱くすることが必要である。従来の磁
気記録媒体の記録層は、クロム及びコバルトを基調とし
た３元或いは４元の合金層をスパッタリングにより作成
した薄膜を用いるのが一般的である。その組成、作成条
件によって強磁性部分と非磁性部分の偏析を促し、ノイ
ズの低減を図っていた。

【０００６】図７に従来例に係る磁気記録媒体の構成を
示す。図７に示すように、ＮｉＰ膜を被覆したＡｌ基板
からなる非磁性基板１上に、クロム膜２と、ＣｏＣｒ₁₂
Ｔａ ₂膜からなる記録層３と、炭素膜からなる保護層４
とが順に形成されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来記録層３
として用いられるコバルト系合金は基本的に固溶系であ
るため、組成、作成条件によって偏析を促進させても、
強磁性体の結晶粒を完全に孤立化させることは難しく、
これらの間の磁気的な相互作用を断ち切ることは困難で
あった。

【０００８】また、強磁性層の形成方法として、特開昭
５９−４２６４２号公報や特開昭５９−２２０９０７号
公報に記載されているように、銀や銅等の非磁性体とこ
の非磁性体に固溶しにくい強磁性体との２元又は３元の
合金層をスパッタリングにより一度に作成した後、その
薄膜を加熱処理して磁気記録媒体の記録層を形成する方
法がある。これにより、高い保磁力が得られる。

【０００９】しかし、上記強磁性層は膜厚が厚く形成さ
れ、ｔ・Ｂｒ積が2000以上と高くなると考えられる。こ
のため、再生部に磁気抵抗効果型ＭＲヘッドを用いた磁
気記録装置において、磁気記録媒体の記録層としてこの
強磁性層を用いる場合、感度の高い磁気抵抗効果型ＭＲ
ヘッドの性能とマッチせず、かえって再生出力の低下を
招く。ところで、磁気抵抗効果型ＭＲヘッドに適用され
る磁気記録媒体のｔ・Ｂｒ積は１５０Ｇａｕｓｓ・μｍ
以下、特に、１００Ｇａｕｓｓ・μｍ以下であることが
好ましい。

【００１０】従って、上記の記録層の膜厚を薄くする必
要があるが、上記のスパッタにより薄い膜厚の強磁性層
を形成した場合、保磁力や残留磁束密度等について必要
な磁気特性が得られないという問題があった。本発明
は、上記の従来例の問題点に鑑みて創作されたものであ
り、記録層中の強磁性体の結晶粒を相互に孤立化させて
これらの間の磁気的な相互作用を抑制するとともに、記
録層の膜厚を薄くし、かつ保磁力や残留磁束密度等につ
いて必要な磁気特性を得ることができる磁気記録媒体の
製造方法を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記課題は、第１に、非
磁性基板上に非磁性膜と強磁性膜と非磁性膜とを順に積
層した後、加熱処理し、非磁性膜中に強磁性体の結晶粒
が分散した記録層を形成することを特徴とする磁気記録
媒体の製造方法によって達成され、第２に、前記加熱処
理の温度を４００℃以上とすることを特徴とする第１の
発明に記載の磁気記録媒体の製造方法によって達成さ
れ、第３に、前記非磁性膜中における前記強磁性体の結
晶粒の固溶度は常温で５％以下であることを特徴とする
第１又は第２の発明に記載の磁気記録媒体の製造方法に
よって達成され、第４に、成膜された前記記録層の残留
磁化と膜厚の積は、１００Ｇａｕｓｓ・μｍ以下である
ことを特徴とする第１乃至第３の発明のいずれかに記載
の磁気記録媒体の製造方法によって達成され、第５に、
前記非磁性膜として金属，酸化物，窒化物，炭素又は炭
化物を用い、前記強磁性膜としてコバルト又はコバルト
を主成分とする合金を用いることを特徴とする第１乃至
第４の発明のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法
によって達成され、第６に、前記金属は、銀又は銅であ
ることを特徴とする第５の発明に記載の磁気記録媒体の
製造方法によって達成され、第７に、前記酸化物は、シ
リコン酸化物またはジルコニウム酸化物であることを特
徴とする第５の発明に記載の磁気記録媒体の製造方法に
よって達成され、第８に、前記窒化物は、窒化チタン又
はシリコン窒化物であることを特徴とする第５の発明に
記載の磁気記録媒体の製造方法によって達成され、第９
に、前記コバルトを主成分とする合金は、Ｃｏ_AＣｒ
_100-A（Ａは９０以上），Ｃｏ_AＰｔ_100-A（Ａは７０
以上又は４０〜５０）又はＣｏ_AＳｍ_100-A（Ａは８
３．３又は８９．５）のうちいずれか一つであることを
特徴とする第１乃至第８の発明のいずれかに記載の磁気
記録媒体の製造方法によって達成され、第１０に、前記
非磁性基板は、シリコン又は炭素であることを特徴とす
る第１乃至第９の発明のいずれかに記載の磁気記録媒体
の製造方法によって達成される。

【００１２】

【作用】本発明の磁気記録媒体の製造方法においては、
記録層を形成するため、非磁性膜と強磁性膜と非磁性膜
とをそれぞれ別々に成膜した後、加熱処理により非磁性
膜中に強磁性体の結晶粒を分散させている。これによ
り、記録層中で全ての隣接する強磁性体の結晶粒同士が
相互に磁気的な影響を及ぼしあわない程度に強磁性体の
結晶粒を離間させることが可能となる。この場合、特
に、強磁性体が殆ど固溶しない非磁性材料を用いると、
その効果が顕著になる。

【００１３】従って、磁気記録媒体の磁化分布を均一化
して、磁気記録媒体の磁化遷移領域及びその周辺部の不
均一な磁化分布に起因するノイズ特性を改善することが
できる。また、上記の製造方法により、薄い膜厚で、か
つ充分な保磁力を有し、残留磁束密度と膜厚の積が１０
０Ｇａｕｓｓ・μｍ以下となるような記録層を形成する
ことが可能となるので、高感度のＭＲヘッドの性能に適
合させて、高い再生出力を得ることができる。

【００１４】更に、高温、例えば４００℃以上で加熱処
理して、相互拡散を促進するとともに、分散した強磁性
体の結晶粒として充分な磁化を生じる結晶構造が得られ
るようにすることにより、さらに高い保磁力を得ること
が可能となる。上記において、強磁性膜の材料として、
コバルト又はコバルトを主成分とする合金、例えばＣｏ
_AＣｒ_100-A（Ａは９０以上），Ｃｏ_AＰｔ_100-A（Ａ
は７０以上又は４０〜５０）又はＣｏ_AＳｍ_100-A（Ａ
は８３．３又は８９．５）を用いることができ、非磁性
膜の材料として、金属，酸化物，窒化物，炭素又は炭化
物を用いることができる。

【００１５】更に、非磁性膜の材料としてコバルトの固
溶度が５％以下である、例えば銀や銅の金属、シリコン
酸化物またはジルコニウム酸化物、窒化チタン又はシリ
コン窒化物や、炭素や炭化物等を用いることが好まし
い。また、非磁性基板の材料として、耐熱性の高い材
料、例えばシリコンや炭素を用いることが適している。

【００１６】

【実施例】

（１）本発明の第１の実施例に係る磁気記録媒体の製造
方法の説明図１（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第１の実施例に係る磁
気記録媒体の製造方法について示す断面図である。ま
ず、図１（ａ）に示すように、例えば直径２．５インチ
のシリコン基板（非磁性基板）１１上に、スパッタによ
り、アルゴン圧力５ｍＴｏｒｒ，基板温度２０℃，直流
電力０．２ｋＷ，直流バイアス電圧０Ｖの条件で、膜厚
５ｎｍの銀（Ａｇ）膜（非磁性膜）１２を形成する。

【００１７】次いで、銀膜１２上に、スパッタにより、
アルゴン圧力５ｍＴｏｒｒ，基板温度２０℃，直流電力
０．２ｋＷ，直流バイアス電圧０Ｖの条件で、膜厚７ｎ
ｍのコバルト（Ｃｏ）膜（強磁性膜）１３を形成する。
次に、コバルト膜上に、スパッタにより、アルゴン圧力
５ｍＴｏｒｒ，基板温度２０℃，直流電力０．２ｋＷ，
直流バイアス電圧０Ｖの条件で、膜厚５ｎｍの銀（Ａ
ｇ）膜１４を形成する。なお、銀膜１２，１４とコバル
ト膜１３の膜厚は、残留磁束密度（Ｂｒ）と記録層の膜
厚（ｔ）の積ｔ・Ｂｒが約１００Ｇａｕｓｓ・μｍとな
るように決めている。

【００１８】次いで、圧力５×１０^-6Ｔｏｒｒ以下の減
圧雰囲気中、温度４５０℃の条件で、６０分間の加熱処
理を行う。これにより、銀膜１２，１４及びコバルト膜
１３の酸化が防止されるとともに、図１（ｂ）に示すよ
うに、銀とコバルトが相互に拡散して銀膜１５中に大き
さ数ｎｍ又は数十ｎｍのコバルトの結晶粒13ａが分散し
ている記録層１６が形成される。このとき、加熱処理の
前ではコバルト膜１３が連続しているので、保磁力が小
さいが、加熱処理により、コバルトの結晶粒13ａが記録
層１６中に分散するため高い保磁力が得られる。更に、
加熱処理により、コバルトの結晶構造が六方最密構造
（ｈｃｐ構造）となれば、さらに高い保磁力が得られ
る。

【００１９】なお、この加熱温度は非磁性膜及び強磁性
膜の材料によって適宜調整することが必要である。一般
に、非磁性膜や強磁性膜の材料の融点が高くなるほど、
適正な加熱処理温度も高くなる傾向にある。実験によれ
ば、加熱処理温度が４００℃以上であれば、実用的な加
熱処理時間の範囲で銀とコバルトの相互拡散が生じ、し
かもコバルト結晶粒13ａの結晶構造としてｈｃｐ構造が
得易いので、４００℃以上の加熱処理の温度範囲で加熱
処理時間を適宜調整することができる。

【００２０】次に、図１（ｃ）に示すように、記録層１
５上に、スパッタにより、アルゴン圧力１０ｍＴｏｒ
ｒ，基板温度２０℃，直流電力１ｋＷ，直流バイアス電
圧０Ｖの条件で、膜厚１０ｎｍの炭素（Ｃ）膜１６を形
成すると、磁気記録媒体が作成される。次に、上記の磁
気記録媒体を用いて、ノイズパワーを測定した結果につ
いて説明する。

【００２１】図２は、記録周波数に対するノイズパワー
依存性について示す特性図である。横軸は線形目盛りで
表した記録周波数（ＭＨｚ）を示し、縦軸は任意単位で
表したノイズパワーを示す。比較のため、比較例に係る
磁気記録媒体のノイズパワーについても同じ特性図中に
示す。比較例に係る磁気記録媒体は、図７に示す構成を
有し、ＮｉＰ膜を被覆したＡｌ基板からなる非磁性基板
１上に、膜厚１００ｎｍのクロム膜２と、膜厚２０ｎｍ
のＣｏＣｒ₁₂Ｔａ₂膜からなる記録層３と、膜厚２０ｎ
ｍの炭素膜からなる保護層４とが順に形成されている。
なお、図７の磁気記録媒体のｔ・Ｂｒ積は約１００Ｇａ
ｕｓｓ・μｍとなっている。

【００２２】再生用ヘッドとしてＭＲヘッドを用いた。
このときの周速（ヘッドと磁気記録媒体の相対速度）は
１０ｍｓであり、記録周波数２０ＭＨｚのときの記録密
度は約１００（ＫＦＣＩ）である。図２によれば、第１
の実施例に係る磁気記録媒体ではノイズパワーは記録周
波数に対して殆ど変化しないが、従来例に係る磁気記録
媒体ではノイズパワーは記録周波数とともに大きく変化
し、記録周波数が高くなるに従って単調に増加する。

【００２３】記録周波数１２〜１３ＭＨｚを境にして、
これより低い記録周波数では、比較例に係る磁気記録媒
体の方がノイズパワーが小さいが、これより高い記録周
波数では、第１の実施例に係る磁気記録媒体の方がノイ
ズパワーが小さい。例えば、記録周波数２０ＭＨｚでノ
イズパワーを比較すると、表１に示すように、比較例の
場合を１とすると、第１の実施例の場合、ほぼ０．８と
なる。従って、第１の実施例に係る磁気記録媒体は、高
い記録周波数で使用するときに有利になる。

【００２４】

【表１】

【００２５】以上のように、本発明の第１の実施例に係
る磁気記録媒体の製造方法においては、記録層１５を形
成するため、銀膜（非磁性膜）１２とコバルト膜（強磁
性膜）１３と銀膜（非磁性膜）１４とをこの順に、かつ
それぞれ別々に成膜した後、加熱処理により銀膜１５中
にコバルト（強磁性体）の結晶粒13ａを分散させてい
る。

【００２６】これにより、記録層１６中でコバルトの結
晶粒13ａ同士が相互に磁気的な影響を及ぼさない程度に
離間させることができる。従って、磁気記録媒体の磁化
分布を均一化して、磁気記録媒体の磁化遷移領域及びそ
の周辺部の不均一な磁化分布に起因するノイズ特性を改
善することができる。また、上記の製造方法によれば、
薄い膜厚で、かつ充分な保磁力を有し、ｔ・Ｂｒ積が１
００Ｇａｕｓｓ・μｍ以下となるような記録層１６を形
成することが可能となるので、高感度のＭＲヘッドの性
能に適合させ、高い再生出力を得ることができる。

【００２７】なお、上記第１の実施例では、非磁性膜１
２，１４として銀膜を用いているが、銅膜を用いてもよ
い。また、第１の実施例に係る磁気記録媒体の形成では
加熱処理が必要であり、非磁性膜１２，１４や強磁性膜
１３として用いる材料によりかなり高い温度での加熱処
理が必要となる場合もあるため、非磁性基板１１として
耐熱性に優れたシリコン基板を用いているが、同様に耐
熱性に優れた炭素基板を用いてもよい。（２）本発明の第２の実施例に係る磁気記録媒体の製造
方法の説明図３は、本発明の第２の実施例に係る製造方法により作
成された磁気記録媒体について示す断面図である。第１
の実施例と異なるところは、コバルト膜を挟む銀膜の代
わりに炭素膜を用いていることである。また、記録層の
最上部に炭素膜を用いているので、記録層の炭素膜と保
護層とは共用されている。

【００２８】図３を参照しながら第２の実施例について
以下に説明する。まず、シリコン基板（非磁性基板）１
１上に、スパッタにより、アルゴン圧力１０ｍＴｏｒ
ｒ，基板温度２０℃，周波数１３．５６ＭＨｚの交流電
力０．２ｋＷ，直流バイアス電圧０Ｖの条件で、膜厚５
ｎｍの炭素膜（非磁性膜）を形成する。

【００２９】次いで、炭素膜上に、スパッタにより、ア
ルゴン圧力５ｍＴｏｒｒ，基板温度２０℃，直流電力
０．２ｋＷ，直流バイアス電圧０Ｖの条件で、膜厚５ｎ
ｍのコバルト膜（強磁性膜）を形成する。次に、コバル
ト膜上に、スパッタにより、アルゴン圧力５ｍＴｏｒ
ｒ，基板温度２０℃，周波数１３．５６ＭＨｚの交流電
力０．２ｋＷ，直流バイアス電圧０Ｖの条件で、膜厚７
ｎｍの炭素膜を形成する。

【００３０】次いで、真空度５×１０^-6Ｔｏｒｒ以上の
減圧雰囲気中、温度４５０℃の条件で、６０分間の加熱
処理を行う。これにより、炭素膜及びコバルト膜の酸化
が防止されるとともに、炭素とコバルトが相互に拡散し
て炭素膜１８中に大きさ数ｎｍ又は数十ｎｍのコバルト
の結晶粒13ｂが分散した記録層１９が形成される。この
とき、加熱処理の前ではコバルト膜が連続しているの
で、保磁力が小さいが、加熱処理により、コバルトの結
晶粒13ｂが記録層１９中に分散するため高い保磁力が得
られる。更に、加熱処理により、記録層１９中のコバル
トの結晶構造がｈｃｐ構造になれば、更に高い保磁力が
得られる。

【００３１】以上により、磁気記録媒体が作成される。
この場合も、上記のようにして作成された磁気記録媒体
の記録周波数２０ＭＨｚでのノイズパワーは、表１に示
すように、従来例のノイズパワーを１とした場合、従来
例よりも低い０．８が得られた。なお、記録層１９上に
特に保護層を設けていないが、場合により、更に炭素膜
等からなる保護層を設けてもよい。（３）本発明の第３の実施例に係る磁気記録媒体の説明図４は、第３の実施例に係る製造方法により作成された
磁気記録媒体について示す断面図である。

【００３２】第１及び第２の実施例と異なるところは、
非磁性膜に挟まれる強磁性膜としてコバルト膜の代わり
にＣｏ₉₀Ｃｒ₁₀膜を用いていることである。Ｃｏ₉₀Ｃｒ
₁₀膜では、Ｃｒの存在により、Ｃｏ膜と比較して強磁性
体の結晶粒の結晶構造がｈｃｐ構造になり易い。これに
より、高い保磁力が得やすいという特徴がある。

【００３３】成膜方法は、上記第１及び第２の実施例で
説明したＣｏ膜の成膜の場合と同じである。これによ
り、銀膜２０中にＣｏ₉₀Ｃｒ₁₀の結晶粒13ｃが分散さ
れ、相互の結晶粒13ｃが完全に孤立している記録層２１
がシリコン基板（非磁性基板）１１上に形成される。こ
の場合、記録周波数２０ＭＨｚでのノイズパワーについ
て、表１に示すように、従来例を１とした場合、従来例
よりも低い０．７５が得られた。

【００３４】なお、上記の第１〜第３の実施例に係る磁
気記録媒体では、強磁性膜１３を挟む非磁性膜１２，１
４としてＣｏが殆ど固溶しない銀膜や炭素膜を用いてい
るが、他にＣｏが殆ど固溶しないＳｉＯ₂膜，ＺｒＯ₂
膜，ＴｉＮ膜又はＳｉＮ膜のいずれかを用いてもよい。
また、強磁性膜１３の材料として、ＣｏやＣｏ₉₀Ｃｒ₁₀
の他にＣｏ_AＰｔ_100- _A（Ａは７０以上又は４０〜５
０）又はＣｏ_AＳｍ_100-A（Ａは８３．３又は８９．
５）を用いることができる。

【００３５】上記の非磁性材料及び強磁性材料につい
て、種々の組み合わせを用いた磁気記録媒体のノイズパ
ワーの測定データについて、表１に示す。いずれも従来
例のノイズパワーを１とした場合、１よりも小さくな
る。（４）本発明の第４の実施例に係る磁気記録再生装置の
説明次に、上記の第１〜第３の実施例に係る磁気記録媒体を
用いた第４の実施例に係る磁気記録装置について図５
（ａ）〜（ｃ）を参照しながら説明する。図５（ａ）〜
（ｃ）は、磁気記録装置の磁気記録媒体及び磁気ヘッド
の部分を示す断面図である。

【００３６】図５（ａ）は、複合型ＭＲヘッドを示す。
Ａ部が再生用ヘッド、Ｂ部が記録用ヘッドを示し、再生
用ヘッドの磁気シールドと記録用ヘッドの磁極は軟磁性
層１０２が共用されている。図５（ａ）に示すように、
再生用ヘッドの部分では、磁気シールドとしての軟磁性
層１０１，１０２が間隔をおいて対向し、磁気記録媒体
１０６と対面する部分１０５のギャップ内に上記のＭＲ
素子が挟まれている。磁気記録媒体１０６からの漏洩磁
界は直接ＭＲ素子に検出される。

【００３７】また、記録用ヘッドの部分では、磁極とし
ての軟磁性層１０２，１０４が間隔をおいて対向し、軟
磁性層１０２，１０４間のギャップ内に軟磁性層１０
２，１０４を通流する磁束を発生するコイル１０３が形
成されている。この磁束により対面部分１０５のギャッ
プから漏洩磁界を発生させて磁気記録媒体１０６に記録
を行う。

【００３８】この磁気記録装置によれば、上記実施例に
係る磁気記録媒体を用いているので、高密度記録が可能
で、再生出力が高く、かつノイズが小さい。図５（ｂ）
はフラックスガイドを有するインギャップ型ＭＲヘッド
を示す。同図に示すように、磁極としての軟磁性層１１
１，１１４が間隔をおいて対向し、磁気記録媒体１１６
と対面する部分１１５のギャップ内に上記のＭＲ素子が
挟まれ、軟磁性層１１１，１１４間のギャップ内に軟磁
性層１１１，１１４を通流する磁束を発生するコイル１
１３が形成されている。

【００３９】ＭＲ素子は、腐食を避けるため、或いは磁
気記録媒体との直接接触を避けるため、磁気記録媒体１
１６との対面部分１１５に露出せずに、磁気ヘッドの内
側に引っ込んでいる。対面部分１１５には、ＭＲ素子と
電気的に絶縁され、磁気的に結合されているフラックス
ガイド112aが露出している。磁気記録媒体１１６からの
漏洩磁界はフラックスガイド112aに入り、ＭＲ素子に検
出される。なお、ＭＲ素子の他端には、ＭＲ素子と電気
的に絶縁され、かつ磁気的に結合された別のフラックス
ガイド112bが形成されており、ＭＲ素子を通った磁束を
軟磁性層１１１，１１４に導く。

【００４０】この磁気記録装置によれば、上記実施例に
係る磁気記録媒体を用いているので、高密度記録が可能
で、再生出力が高く、かつノイズが小さい。図５（ｃ）
はヨークタイプＭＲヘッドを示す。同図に示すように、
磁極としての軟磁性層１２１と123a及び123bが間隔をお
いて対向し、軟磁性層１２１と軟磁性層123a及び123bの
間のギャップ内に軟磁性層１２１と軟磁性層123a及び12
3bを通流する磁束を発生するコイル１２２が形成されて
いる。ＭＲ素子は、一方の軟磁性層123a及び123bが途切
れた箇所に軟磁性層123a及び123bと電気的に絶縁され、
かつ磁気的に結合されて配置されている。コイル１２２
で発生し、軟磁性層１２１と123a及び123bを通流する磁
束により対面部分１２４のギャップから漏洩磁界を発生
させて磁気記録媒体１２５に記録を行う。

【００４１】この磁気記録装置では、上記実施例に係る
磁気記録媒体を用いているので、高密度記録が可能で、
再生出力が高く、かつノイズが小さい。なお、図５
（ａ）〜（ｃ）に示す磁気記録装置では、ともに磁気ヘ
ッドが形成される基板や軟磁性層間の絶縁膜等は省略し
てある。また、本発明の実施例に係る磁気記録媒体は、
上記の磁気記録装置に限らず、書込部と読出部を有する
種々の磁気記録装置に用いることができる。

【００４２】更に、上記の磁気記録媒体を再生専用の磁
気記録装置に用いることも可能である。

【００４３】

【発明の効果】本発明の磁気記録媒体の製造方法におい
ては、記録層を形成するため、非磁性膜と強磁性膜とを
それぞれ別々に成膜した後、加熱処理により非磁性膜中
に強磁性体の結晶粒を分散させている。従って、記録層
中で強磁性体の結晶粒同士が相互に影響を及ぼさない程
度に強磁性体の結晶粒を離間させて磁気記録媒体の磁化
分布を均一化することが可能となり、磁化遷移領域及び
その周辺部の不均一な磁化分布に起因するノイズ特性を
改善することができる。

【００４４】また、薄い膜厚で、かつ充分な保磁力を有
し、残留磁束密度と膜厚の積が１００Ｇａｕｓｓ・μｍ
以下となる記録層を形成することが可能となるので、高
感度のＭＲヘッドの性能に適合させて、高い再生出力を
得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第１の実施例
に係る磁気記録媒体の製造方法について示す断面図であ
る。

【図２】図２は、本発明の第１の実施例に係る製造方法
により作成された磁気記録媒体のノイズパワーの測定結
果について示す特性図である。

【図３】図３は、本発明の第２の実施例に係る製造方法
により作成された磁気記録媒体について示す断面図であ
る。

【図４】図４は、本発明の第３の実施例に係る製造方法
により作成された磁気記録媒体について示す断面図であ
る。

【図５】図５（ａ）は共用タイプのＭＲヘッドを示す断
面図であり、図５（ｂ）は、インギャップタイプのＭＲ
ヘッドを示す断面図であり、図５（ｃ）はヨークタイプ
のＭＲヘッドを示す断面図である。

【図６】図６は、従来例に係る製造方法により作成され
た磁気記録媒体について示す断面図である。

【符号の説明】

１１非磁性基板、１２，１４非磁性膜、１３強磁性膜、 13ａ〜13ｃ結晶粒、１５，２０銀膜、１６，１９，２１記録層、１７保護層、１８炭素膜、１０１，１０２，１０４，１１１，１１４，１２１，１
２３ａ，１２３ｂ軟磁性層、１０３，１１３，１２２コイル、１０５，１１５，１２４磁気記録媒体と対面する部
分、１０６，１１６，１２５磁気記録媒体、１１２ａ，１１２ｂフラックスガイド。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非磁性基板上に非磁性膜と強磁性膜と非
磁性膜とを順に積層した後、加熱処理し、非磁性膜中に
強磁性体の結晶粒が分散した記録層を形成することを特
徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】前記加熱処理の温度を４００℃以上とす
ることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製
造方法。
【請求項３】前記非磁性膜中における前記強磁性体の
結晶粒の固溶度は常温で５％以下であることを特徴とす
る請求項１又は請求項２に記載の磁気記録媒体の製造方
法。
【請求項４】成膜された前記記録層の残留磁化と膜厚
の積は、１００Ｇａｕｓｓ・μｍ以下であることを特徴
とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の磁気記
録媒体の製造方法。
【請求項５】前記非磁性膜として金属，酸化物，窒化
物，炭素又は炭化物を用い、前記強磁性膜としてコバル
ト又はコバルトを主成分とする合金を用いることを特徴
とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の磁気記
録媒体の製造方法。
【請求項６】前記金属は、銀又は銅であることを特徴
とする請求項５記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項７】前記酸化物は、シリコン酸化物またはジ
ルコニウム酸化物であることを特徴とする請求項５記載
の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項８】前記窒化物は、窒化チタン又はシリコン
窒化物であることを特徴とする請求項５記載の磁気記録
媒体の製造方法。
【請求項９】前記コバルトを主成分とする合金は、Ｃ
ｏ_AＣｒ_100-A（Ａは９０以上），Ｃｏ_AＰｔ
_100-A（Ａは７０以上又は４０〜５０）又はＣｏ_AＳｍ
_100-A（Ａは８３．３又は８９．５）のうちいずれか一
つであることを特徴とする請求項１乃至請求項８のいず
れかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１０】前記非磁性基板は、シリコン又は炭素
であることを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれ
かに記載の磁気記録媒体の製造方法。