JPH03205576A - 磁気センサ - Google Patents
磁気センサInfo
- Publication number
- JPH03205576A JPH03205576A JP2001279A JP127990A JPH03205576A JP H03205576 A JPH03205576 A JP H03205576A JP 2001279 A JP2001279 A JP 2001279A JP 127990 A JP127990 A JP 127990A JP H03205576 A JPH03205576 A JP H03205576A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- magnetic sensor
- thin film
- wiring
- alloy film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 32
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 20
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims description 14
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910017709 Ni Co Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910003267 Ni-Co Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910003262 Ni‐Co Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract description 2
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 abstract 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 abstract 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 229910002555 FeNi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018106 Ni—C Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、産業機械、ＯＡ機器などに組込まれる磁気式
ロータリーエンコーダ等に使用される磁気センサに関し
、特に配線部を改良して磁気特性を向上させたものであ
る。
ロータリーエンコーダ等に使用される磁気センサに関し
、特に配線部を改良して磁気特性を向上させたものであ
る。
［従来の技術］
磁気センサは、ガラス基板にＦｅ−Ｎｉ等の強磁性体薄
膜から成る検出部が形成され、その検出部と接続用端子
との間が配線部で接続され、それら上面が保護膜で被わ
れている。磁気センサは、その検出部に磁界が作用する
と抵抗変化をし、その変化により速度や位置を検出させ
るようになっている。
膜から成る検出部が形成され、その検出部と接続用端子
との間が配線部で接続され、それら上面が保護膜で被わ
れている。磁気センサは、その検出部に磁界が作用する
と抵抗変化をし、その変化により速度や位置を検出させ
るようになっている。
一Ｍに磁気センサの検出部の膜厚は、所定の磁気特性が
得られるように約５００人以下にされている。このため
配線部を検出部と同一膜で同時に形成すると、配線部の
抵抗が高くなり磁気抵抗変化率ΔＲ／Ｒが低下してしま
う。そこでなるべく配線抵抗を小さくするため、比抵抗
の低いＡｌ合金膜を配線部に使用し、かつガラス基板と
Ａｌ合金膜との密着性を向上させるため、Ａｌ合金膜と
ガラス基板との間にＣｒ膜を介在させている。
得られるように約５００人以下にされている。このため
配線部を検出部と同一膜で同時に形成すると、配線部の
抵抗が高くなり磁気抵抗変化率ΔＲ／Ｒが低下してしま
う。そこでなるべく配線抵抗を小さくするため、比抵抗
の低いＡｌ合金膜を配線部に使用し、かつガラス基板と
Ａｌ合金膜との密着性を向上させるため、Ａｌ合金膜と
ガラス基板との間にＣｒ膜を介在させている。
［発明が解決しようとする課題］
従来技術の磁気センサのように配線部をＣｒ膜とＡβ膜
の積層で作成した場合、検出部からの電流は抵抗値の大
小の関係から、検出部側のＣｒ膜ｍＡｇ膜一接続用端子
側のＣｒ膜一接続用端子へと流れることになる。このよ
うに配線部を電流が流れる場合多くの接触部を通過する
ことになり、これら接触部で温度特性不良やオフセット
不良が生じやすいという問題があった。また、配線部と
してＣｒ膜と八４膜を２度付着させなければならず、製
造工程が長くなるという問題もあった。
の積層で作成した場合、検出部からの電流は抵抗値の大
小の関係から、検出部側のＣｒ膜ｍＡｇ膜一接続用端子
側のＣｒ膜一接続用端子へと流れることになる。このよ
うに配線部を電流が流れる場合多くの接触部を通過する
ことになり、これら接触部で温度特性不良やオフセット
不良が生じやすいという問題があった。また、配線部と
してＣｒ膜と八４膜を２度付着させなければならず、製
造工程が長くなるという問題もあった。
そこで本発明は、磁気センサの温度特性やオフセット不
良を生じにくくするとともに、その製造工程をも短縮さ
せることを目的とする。
良を生じにくくするとともに、その製造工程をも短縮さ
せることを目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明は上記目的を達成するものであり、ガラス基板上
に強磁性体薄膜からなる検出部を形成し、検出部と接着
用端子の間を配線部で接続し、それら上面を保護膜で被
った磁気センサにおいて、配線部を検出部の延長部分と
その上に積層したＡ４合金膜とで形成した磁気センサで
ある。
に強磁性体薄膜からなる検出部を形成し、検出部と接着
用端子の間を配線部で接続し、それら上面を保護膜で被
った磁気センサにおいて、配線部を検出部の延長部分と
その上に積層したＡ４合金膜とで形成した磁気センサで
ある。
［作用］
上記磁気センサでは、検出部から電流が、抵抗値の大小
関係のため、検出部側の強磁性体薄膜叫Ａｆｆ合金膜一
接続用端子側の強磁性体薄膜一接続用端子へと流れる。
関係のため、検出部側の強磁性体薄膜叫Ａｆｆ合金膜一
接続用端子側の強磁性体薄膜一接続用端子へと流れる。
配線部を構成する強磁性体薄膜とＡｎ合金膜とは密着性
がよく、両者の接合部で温度特性不良やオフセット不良
を生じるようなことはない。
がよく、両者の接合部で温度特性不良やオフセット不良
を生じるようなことはない。
［実施例］
磁気センサは、第１図に示すように、ガラス基板ｌ上に
強磁性体薄膜からなる検出部２を形威し、その検出部２
を配線部３により外部電気回路接続用端子４へ接続させ
、それら上面を保護膜（本実施例ではＳ ｉ Ｏ ２と
ＰＩＱの２層）５で被ってある。本実施例では強磁性体
薄膜としてＦｅＮｉ合金を使用したが、その他Ｎｉ−Ｃ
ｏ合金などでもよい。
強磁性体薄膜からなる検出部２を形威し、その検出部２
を配線部３により外部電気回路接続用端子４へ接続させ
、それら上面を保護膜（本実施例ではＳ ｉ Ｏ ２と
ＰＩＱの２層）５で被ってある。本実施例では強磁性体
薄膜としてＦｅＮｉ合金を使用したが、その他Ｎｉ−Ｃ
ｏ合金などでもよい。
配線部３は、検出部に使用した強磁性体薄膜を延長して
設けた部分３ａの上にＡ４合金膜３ｂを積層して作成さ
れ、接続用端子４はＡｊ２合金膜３ｂに接触される。な
お、強磁性体薄膜と／１合金膜３ｂとは密着性がよかっ
た。このように作成した磁気センサの検出部からの電流
は、強磁性体薄膜とＡｆｆ合金膜３ｂとが重なる部分で
は抵抗値の大小の関係からＡｎ合金膜３ｂのみを流れる
ようになっている。
設けた部分３ａの上にＡ４合金膜３ｂを積層して作成さ
れ、接続用端子４はＡｊ２合金膜３ｂに接触される。な
お、強磁性体薄膜と／１合金膜３ｂとは密着性がよかっ
た。このように作成した磁気センサの検出部からの電流
は、強磁性体薄膜とＡｆｆ合金膜３ｂとが重なる部分で
は抵抗値の大小の関係からＡｎ合金膜３ｂのみを流れる
ようになっている。
上記実施例の磁気センサと、従来例のように配線部を検
出部と同様にＦｅ−Ｎｉ薄膜のみで作成したものと、Ｃ
ｒ薄膜上にＡｊ２合金膜を積層して配線部とした磁気セ
ンサについて磁気抵抗変化率を測定して第２図に示した
。また同様に３種類の磁気センサについて、オフセット
電圧の温度ドリフト（−１０〜８０℃）を測定して第３
図に示した。
出部と同様にＦｅ−Ｎｉ薄膜のみで作成したものと、Ｃ
ｒ薄膜上にＡｊ２合金膜を積層して配線部とした磁気セ
ンサについて磁気抵抗変化率を測定して第２図に示した
。また同様に３種類の磁気センサについて、オフセット
電圧の温度ドリフト（−１０〜８０℃）を測定して第３
図に示した。
第２図から、本実施例の磁気センサの磁気抵抗変化率は
、Ｃｒ薄膜とＡｌ合金膜の２層配線部に作成した従来例
とほぼ同程度によいことがわかる。
、Ｃｒ薄膜とＡｌ合金膜の２層配線部に作成した従来例
とほぼ同程度によいことがわかる。
また第３図から、本実施例の磁気センサは、Ｆｅ−Ｎｉ
薄膜の配線部とした従来例とほぼ同程度に温度ドリフト
が低く、温度特性不良を生じにくくなっている。すなわ
ち本実施例の磁気センサは、従来の２種の配線部の磁気
センサの良い方の特性のみを有している。
薄膜の配線部とした従来例とほぼ同程度に温度ドリフト
が低く、温度特性不良を生じにくくなっている。すなわ
ち本実施例の磁気センサは、従来の２種の配線部の磁気
センサの良い方の特性のみを有している。
［発明の効果］
本発明の磁気センサは、その配線部を強磁性体薄膜上に
Ａｊ２合金膜を積層したものであるので、磁気抵抗変化
率を低減させずに、温度特性が向上し、さらにオフセッ
ト不良率を低減できた。また配線部としての強磁性体薄
膜は、検出部を作成する際にそれを延長して作成すれば
４よいので、接続個所での不良率を低減でき、製造工程
が短縮されてコスト低減にもなる。
Ａｊ２合金膜を積層したものであるので、磁気抵抗変化
率を低減させずに、温度特性が向上し、さらにオフセッ
ト不良率を低減できた。また配線部としての強磁性体薄
膜は、検出部を作成する際にそれを延長して作成すれば
４よいので、接続個所での不良率を低減でき、製造工程
が短縮されてコスト低減にもなる。
第１図は本発明の磁気センサの断面図、第２図は磁気セ
ンサの磁気抵抗率を示すグラフ、第３図は磁気センサの
温度ドリフトを示すグラフである。 ｌ；ガラス基板 ２；検出部 ３；配線部 ３ｂ；Ａｌ合金膜４；接続用端
子 ５：保護膜
ンサの磁気抵抗率を示すグラフ、第３図は磁気センサの
温度ドリフトを示すグラフである。 ｌ；ガラス基板 ２；検出部 ３；配線部 ３ｂ；Ａｌ合金膜４；接続用端
子 ５：保護膜
Claims (2)
- （１）ガラス基板上に強磁性体薄膜からなる検出部を形
成し、検出部と接続用端子との間を配線部で接続し、そ
れら上面を保護膜で被った磁気センサにおいて、配線部
は検出部の延長部分とその上に積層したＡｌ合金膜とで
形成したことを特徴とする磁気センサ。 - （２）強磁性体薄膜は、Ｆｅ−Ｎｉ合金又はＮｉ−Ｃｏ
合金で作成されていることを特徴とする請求項１に記載
の磁気センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001279A JPH03205576A (ja) | 1990-01-08 | 1990-01-08 | 磁気センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001279A JPH03205576A (ja) | 1990-01-08 | 1990-01-08 | 磁気センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03205576A true JPH03205576A (ja) | 1991-09-09 |
Family
ID=11497014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001279A Pending JPH03205576A (ja) | 1990-01-08 | 1990-01-08 | 磁気センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03205576A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007134061A3 (en) * | 2006-05-09 | 2008-09-12 | Thermal Solutions Inc | Magnetic element temperature sensors |
| US7794142B2 (en) | 2006-05-09 | 2010-09-14 | Tsi Technologies Llc | Magnetic element temperature sensors |
| US8192080B2 (en) | 2007-01-23 | 2012-06-05 | Tsi Technologies Llc | Microwire-controlled autoclave and method |
| US8258441B2 (en) | 2006-05-09 | 2012-09-04 | Tsi Technologies Llc | Magnetic element temperature sensors |
-
1990
- 1990-01-08 JP JP2001279A patent/JPH03205576A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007134061A3 (en) * | 2006-05-09 | 2008-09-12 | Thermal Solutions Inc | Magnetic element temperature sensors |
| JP2009543025A (ja) * | 2006-05-09 | 2009-12-03 | サーマル ソリューションズ アイエヌシー． | 磁気素子温度センサ |
| US7794142B2 (en) | 2006-05-09 | 2010-09-14 | Tsi Technologies Llc | Magnetic element temperature sensors |
| US8258441B2 (en) | 2006-05-09 | 2012-09-04 | Tsi Technologies Llc | Magnetic element temperature sensors |
| US8192080B2 (en) | 2007-01-23 | 2012-06-05 | Tsi Technologies Llc | Microwire-controlled autoclave and method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4347040B2 (ja) | 磁場を測定するためのセンサ及びそのセンサの調整方法 | |
| JP5021764B2 (ja) | 磁気センサ | |
| JP7553388B2 (ja) | 磁気センサ | |
| JPH03205576A (ja) | 磁気センサ | |
| JPS63170981A (ja) | 強磁性体磁気抵抗素子 | |
| KR20050051655A (ko) | 자기 저항 효과 소자, 이 제조 방법 및 사용 방법 | |
| JPH03276411A (ja) | 磁気抵抗効果形ヘッド装置 | |
| JP4055005B2 (ja) | 磁気センサの製造方法 | |
| JP7375419B2 (ja) | 磁気センサ | |
| JP3588952B2 (ja) | 半導体薄膜磁気抵抗素子 | |
| JPH08180327A (ja) | 磁気抵抗効果素子 | |
| JP7354836B2 (ja) | 磁気センサ | |
| WO2022190854A1 (ja) | 磁気センサ及びその製造方法 | |
| JPH0346333Y2 (ja) | ||
| JPH0610709Y2 (ja) | 磁気センサ | |
| JPH03144387A (ja) | 磁気抵抗効果素子 | |
| JP2001274478A (ja) | 磁気抵抗センサ | |
| JPH03205574A (ja) | 磁気センサ | |
| JPS61248485A (ja) | 強磁性磁気抵抗素子 | |
| JPH0963843A (ja) | 集積化磁気センサの積層膜構造 | |
| JPS60247114A (ja) | 位置検出装置 | |
| JPH03240203A (ja) | 磁気抵抗素子 | |
| JPH03263886A (ja) | 磁気抵抗素子とその製造方法 | |
| JPS61248484A (ja) | 強磁性磁気抵抗素子 | |
| JPH0945975A (ja) | 半導体磁気センサ |