JPH0610709Y2 - 磁気センサ - Google Patents
磁気センサInfo
- Publication number
- JPH0610709Y2 JPH0610709Y2 JP13348288U JP13348288U JPH0610709Y2 JP H0610709 Y2 JPH0610709 Y2 JP H0610709Y2 JP 13348288 U JP13348288 U JP 13348288U JP 13348288 U JP13348288 U JP 13348288U JP H0610709 Y2 JPH0610709 Y2 JP H0610709Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic sensor
- chromium
- copper
- thin film
- terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 （１）考案の目的 ［産業上の利用分野］ 本考案は磁界により其の抵抗が変化することにより磁界
を検出する磁気センサの端子部分の構造に関するもので
ある。
を検出する磁気センサの端子部分の構造に関するもので
ある。
［従来の技術］ 第２図は従来より実施されている磁気センサの構造を示
す断面図で、１はガラス等の絶縁基板、２は強磁性体の
薄膜で形成した磁気抵抗効果素子、３はクロムで形成し
た端子のベース、４はクロムの上に形成した銅の端子、
５は保護膜である。
す断面図で、１はガラス等の絶縁基板、２は強磁性体の
薄膜で形成した磁気抵抗効果素子、３はクロムで形成し
た端子のベース、４はクロムの上に形成した銅の端子、
５は保護膜である。
第２に示した磁気センサは、ガラス等の絶縁基板上に強
磁性体の薄膜で磁気抵抗効果素子２を形成し、該磁気抵
抗効果素子と外部回路を接続するリード部分２−１を、
上記絶縁基板１の上にクロムで形成した端子のベース３
の上に重ねて形成し、更に前記リード部分２−１の上に
重ねて銅４の端子部分を形成してある。
磁性体の薄膜で磁気抵抗効果素子２を形成し、該磁気抵
抗効果素子と外部回路を接続するリード部分２−１を、
上記絶縁基板１の上にクロムで形成した端子のベース３
の上に重ねて形成し、更に前記リード部分２−１の上に
重ねて銅４の端子部分を形成してある。
保護膜５は薄膜の部分を保護するために形成した酸化珪
素等の膜で形成されている。
素等の膜で形成されている。
図示の構成で端子部分のベースとしてクロムを使用する
ことはクロムはガラスと密着性が良く、又銅とも親和性
が強いので端子部分のベースとして多く使用されてい
る。
ことはクロムはガラスと密着性が良く、又銅とも親和性
が強いので端子部分のベースとして多く使用されてい
る。
［考案が解決しようとする課題］ 第２図に示した従来技術による磁気センサの構造におい
ては、端子部分の構造がガラス基板→クロム→強磁性体
の薄膜→銅の順に積層されておりガラス基板→クロム→
強磁性体の薄膜との夫々の密着強度は充分であるが、強
磁性体の薄膜と銅との密着強度が弱く、この部分から剥
離しやすいという問題が有った。
ては、端子部分の構造がガラス基板→クロム→強磁性体
の薄膜→銅の順に積層されておりガラス基板→クロム→
強磁性体の薄膜との夫々の密着強度は充分であるが、強
磁性体の薄膜と銅との密着強度が弱く、この部分から剥
離しやすいという問題が有った。
（２）考案の構成 ［課題を解決するための手段］ 本考案は上記のような従来技術における問題を解決する
ため、強磁性体の薄膜をクロムのベースに重ねて形成す
る時にクロムの一部分のみに強磁性体の薄膜を重ねて形
成する構成とし、其の上に銅を形成すると銅は大部分が
クロムのベース上に直接形成される構造とする。
ため、強磁性体の薄膜をクロムのベースに重ねて形成す
る時にクロムの一部分のみに強磁性体の薄膜を重ねて形
成する構成とし、其の上に銅を形成すると銅は大部分が
クロムのベース上に直接形成される構造とする。
［作用］ 本考案の磁気センサは上記のような構造で端子部分はガ
ラス基板の上に大部分がクロム→銅と形成され密着強度
が強い端子部分を構成できる。
ラス基板の上に大部分がクロム→銅と形成され密着強度
が強い端子部分を構成できる。
［実施例］ 第１図は本考案になる磁気センサの構造を示す断面図
で、１はガラス等の絶縁基板２は強磁性体の薄膜で形成
された磁気抵抗効果素子、３−１はクロムで形成された
端子部の中で磁気抵抗効果素子と重なって接続されてい
る部分、３−２はクロムで形成されベースの中で磁気抵
抗効果素子とは重なっていない部分、４は銅の端子部
分、５は保護膜である。
で、１はガラス等の絶縁基板２は強磁性体の薄膜で形成
された磁気抵抗効果素子、３−１はクロムで形成された
端子部の中で磁気抵抗効果素子と重なって接続されてい
る部分、３−２はクロムで形成されベースの中で磁気抵
抗効果素子とは重なっていない部分、４は銅の端子部
分、５は保護膜である。
第１図に示した構造においては端子のベースを形成して
いるクロムの３−１の部分には磁気抵抗効果素子のリー
ド部分２−１が重ねられて形成され、クロムの他の部分
３−２には直接銅４の層が形成されている。その為に端
子の大部分はガラス基板→クロム→銅が積層されてお
り、各部分は互いに密着強度の強い部材のみで構成され
ている。
いるクロムの３−１の部分には磁気抵抗効果素子のリー
ド部分２−１が重ねられて形成され、クロムの他の部分
３−２には直接銅４の層が形成されている。その為に端
子の大部分はガラス基板→クロム→銅が積層されてお
り、各部分は互いに密着強度の強い部材のみで構成され
ている。
［考案の効果］ 本考案になる磁気センサは上記のような構成であるの
で、端子の大部分を構成する各層が互いに密着強度の強
い部材で形成されているので、強固な端子部分を構成で
きる効果がある。
で、端子の大部分を構成する各層が互いに密着強度の強
い部材で形成されているので、強固な端子部分を構成で
きる効果がある。
第１図は本考案になる磁気センサの構造を示す断面図
で、第２図は従来より実施されている磁気センサの構造
を示す断面図である。 符号の説明 １……ガラス等の絶縁基板，２……磁気抵抗効果素子，
２−１……リード部分，３，３−１，３−２……クロム
で形成した端子のベース，４……銅の層，５……保護
膜。
で、第２図は従来より実施されている磁気センサの構造
を示す断面図である。 符号の説明 １……ガラス等の絶縁基板，２……磁気抵抗効果素子，
２−１……リード部分，３，３−１，３−２……クロム
で形成した端子のベース，４……銅の層，５……保護
膜。
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁基板上に強磁性体の薄膜で形成した磁
気抵抗効果素子を有する磁気センサにおいて、 上記絶縁基板上にクロムによる端子のベースを形成し、
該クロムによる端子ベースの一部分に、上記磁気抵抗効
果素子のリード部分を重ねて形成し、上記クロムによる
端子ベースの、上記素子のリード部分を形成していない
部分に銅の層を重ねて形成した構造を特徴とする磁気セ
ンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13348288U JPH0610709Y2 (ja) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | 磁気センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13348288U JPH0610709Y2 (ja) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | 磁気センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0254255U JPH0254255U (ja) | 1990-04-19 |
| JPH0610709Y2 true JPH0610709Y2 (ja) | 1994-03-16 |
Family
ID=31391381
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13348288U Expired - Lifetime JPH0610709Y2 (ja) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | 磁気センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0610709Y2 (ja) |
-
1988
- 1988-10-14 JP JP13348288U patent/JPH0610709Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0254255U (ja) | 1990-04-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3260921B2 (ja) | 可動体変位検出装置 | |
| JPH0610709Y2 (ja) | 磁気センサ | |
| JPH0510979A (ja) | 微小電流センサ | |
| WO2008026328A1 (fr) | Détecteur de magnétisme et son procédé de fabrication | |
| JPH03205576A (ja) | 磁気センサ | |
| JP3588952B2 (ja) | 半導体薄膜磁気抵抗素子 | |
| JP2610083B2 (ja) | 強磁性体磁気抵抗素子 | |
| US6201464B1 (en) | Thermistor device having uninsulated peripheral edge | |
| JPH0346333Y2 (ja) | ||
| JPH0429581Y2 (ja) | ||
| JPH0140510B2 (ja) | ||
| JPS6112593Y2 (ja) | ||
| JPS6037257U (ja) | 光起電力素子 | |
| JPH0945975A (ja) | 半導体磁気センサ | |
| JPS61117264U (ja) | ||
| JPH0566133A (ja) | 磁気式回転センサ | |
| JPH0535294Y2 (ja) | ||
| JPS62194690A (ja) | 磁気抵抗素子 | |
| JPH0730053A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| JPS6027180A (ja) | 磁電変換素子 | |
| JPS6413693U (ja) | ||
| JPS60163765U (ja) | 磁電変換素子 | |
| JPS5937753U (ja) | 太陽電池 | |
| JPS6145483A (ja) | 磁気バブルメモリ素子 | |
| JPS636761U (ja) |