JPS6112593Y2 - - Google Patents
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- JPS6112593Y2 JPS6112593Y2 JP1975125136U JP12513675U JPS6112593Y2 JP S6112593 Y2 JPS6112593 Y2 JP S6112593Y2 JP 1975125136 U JP1975125136 U JP 1975125136U JP 12513675 U JP12513675 U JP 12513675U JP S6112593 Y2 JPS6112593 Y2 JP S6112593Y2
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 39
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 5
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910017709 Ni Co Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910003267 Ni-Co Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910003262 Ni‐Co Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
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- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツドに関す
るものである。
るものである。
従来のこの種の磁気ヘツドの一例を第１図と第
２図に示す。
２図に示す。
この磁気ヘツドにおいては、基板１上に（第１
図ではｚ方向に）Al，Cu，Ag，Auなどからなる
導電性薄膜２が形成され、続いて少なくとも外部
との第１接続端子部２ａ，２a′を残してSiO，
SiO2，MgFなどの絶縁性薄膜３が導電性薄膜２
上に形成されている（第１図では省略してい
る）。さらに、絶縁性膜３の上部（第１図ではｚ
方向）に、Fe−Ni系、Ni−Co系、Fe−Si−Al系
などの、磁気抵抗効果を有する磁性薄膜からなら
るMR素子４、ならびにMR素子４と電気的に接
合され、MR素子４に電流を流すために配された
Al，Cu，Ag，Fe−Ni系，Ni−Co系，Fe−Si−
Al系などの導電性材料からなる電流導入部膜４
ｄ，４d′の基板面上への投影領域と導電性薄膜２
の基板面上への投影領域が少くとも一箇所で交差
する（第１図ではＣ部分）ように形成されてい
る。なお、第１図ではMR素子４と電流導入部膜
４ｄ，４d′が同一材料で構成されている。続いて
電流導入部膜４ｄ，４d′とMR素子４との接合部
から離れ、電流導入部膜４ｄ，４d′の端部に位置
する第二外部接続部４ａ，４a′において、リード
線４ｂ，４b′がワイヤボンド技術を用いて接続さ
れている。
図ではｚ方向に）Al，Cu，Ag，Auなどからなる
導電性薄膜２が形成され、続いて少なくとも外部
との第１接続端子部２ａ，２a′を残してSiO，
SiO2，MgFなどの絶縁性薄膜３が導電性薄膜２
上に形成されている（第１図では省略してい
る）。さらに、絶縁性膜３の上部（第１図ではｚ
方向）に、Fe−Ni系、Ni−Co系、Fe−Si−Al系
などの、磁気抵抗効果を有する磁性薄膜からなら
るMR素子４、ならびにMR素子４と電気的に接
合され、MR素子４に電流を流すために配された
Al，Cu，Ag，Fe−Ni系，Ni−Co系，Fe−Si−
Al系などの導電性材料からなる電流導入部膜４
ｄ，４d′の基板面上への投影領域と導電性薄膜２
の基板面上への投影領域が少くとも一箇所で交差
する（第１図ではＣ部分）ように形成されてい
る。なお、第１図ではMR素子４と電流導入部膜
４ｄ，４d′が同一材料で構成されている。続いて
電流導入部膜４ｄ，４d′とMR素子４との接合部
から離れ、電流導入部膜４ｄ，４d′の端部に位置
する第二外部接続部４ａ，４a′において、リード
線４ｂ，４b′がワイヤボンド技術を用いて接続さ
れている。
このような構造の磁気ヘツドにおいて、MR素
子４に直流定電流を流し、記録媒体（第１図では
省略している）から発する記録信号ａに伴なう磁
束φがMR素子４中に流れると、たとえば第３図
に示したような出力電圧Ｅがリード線４ｂ，４
b′間に生じる。一般に出力電圧Ｅと磁界の強さＨ
の関係は非直線の関係にある。そのダイナミツク
レンジをできるだけ広くするために、第１外部接
続部２ａ，２a′に接続されているリード線２ｂ，
２b′を通して直流電流を流し、所要の直流バイア
ス磁界Hbを発生させて、動作点をＰ点に移動さ
せることにより、記録信号ａを出力信号ｂのよう
に取り出している。なお、第３図中のμとはMR
素子の透磁率を示す。
子４に直流定電流を流し、記録媒体（第１図では
省略している）から発する記録信号ａに伴なう磁
束φがMR素子４中に流れると、たとえば第３図
に示したような出力電圧Ｅがリード線４ｂ，４
b′間に生じる。一般に出力電圧Ｅと磁界の強さＨ
の関係は非直線の関係にある。そのダイナミツク
レンジをできるだけ広くするために、第１外部接
続部２ａ，２a′に接続されているリード線２ｂ，
２b′を通して直流電流を流し、所要の直流バイア
ス磁界Hbを発生させて、動作点をＰ点に移動さ
せることにより、記録信号ａを出力信号ｂのよう
に取り出している。なお、第３図中のμとはMR
素子の透磁率を示す。
ここで、導電性薄膜２の基板面上への投影領域
と、MR素子４ならびにそれへの電流導入部膜４
ｄ，４d′の投影領域とが少なくとも一箇所で交差
すると、第２図に示されるように段差が生じてい
るＣ部分上にMR素子４がその電流導入部膜４
ｄ，４d′が形成されているために、この段差部に
おいてMR素子４あるいはその電流導入部膜４
ｄ，４d′が断線する可能性がある。さらに、MR
素子４の電流導入部膜４ｄ，４d′の部分において
は、導電性薄膜２と重なつていないため、それを
流れる電流による直流バイアス磁界が印加され
ず、そのため次のような不都合が生じる。すなわ
ち、電流導入部膜４ｄ，４d′にも記録信号による
磁束の一部が流れる。上述のようにこの部分４
ｄ，４d′には直流バイアス磁界が印加されていな
いため、電流導入部膜４ｄ，４d′における出力電
圧は記録信号の逓倍波成分であり、これが出力電
圧Ｅに対して雑音成分となる。
と、MR素子４ならびにそれへの電流導入部膜４
ｄ，４d′の投影領域とが少なくとも一箇所で交差
すると、第２図に示されるように段差が生じてい
るＣ部分上にMR素子４がその電流導入部膜４
ｄ，４d′が形成されているために、この段差部に
おいてMR素子４あるいはその電流導入部膜４
ｄ，４d′が断線する可能性がある。さらに、MR
素子４の電流導入部膜４ｄ，４d′の部分において
は、導電性薄膜２と重なつていないため、それを
流れる電流による直流バイアス磁界が印加され
ず、そのため次のような不都合が生じる。すなわ
ち、電流導入部膜４ｄ，４d′にも記録信号による
磁束の一部が流れる。上述のようにこの部分４
ｄ，４d′には直流バイアス磁界が印加されていな
いため、電流導入部膜４ｄ，４d′における出力電
圧は記録信号の逓倍波成分であり、これが出力電
圧Ｅに対して雑音成分となる。
本考案はこのような構造上、特性上の問題点を
解決した磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツドを提供す
ることを目的とするものである。すなわち、基板
上に、その面への磁気抵抗効果素子薄膜の投影領
域がバイアス印加用導電性薄膜の投影領域に含ま
れ、かつ前者の面積が後者のよれよれよりも小さ
くなるように、上記二つの薄膜を積層形成するこ
とによつて、薄膜の段差部分をなくして、この部
分での断線事故をなくすとともに、磁気抵抗効果
素子薄膜全体に直流バイアス磁界を印加して雑音
成分の発生を効果的に抑制したものである。
解決した磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツドを提供す
ることを目的とするものである。すなわち、基板
上に、その面への磁気抵抗効果素子薄膜の投影領
域がバイアス印加用導電性薄膜の投影領域に含ま
れ、かつ前者の面積が後者のよれよれよりも小さ
くなるように、上記二つの薄膜を積層形成するこ
とによつて、薄膜の段差部分をなくして、この部
分での断線事故をなくすとともに、磁気抵抗効果
素子薄膜全体に直流バイアス磁界を印加して雑音
成分の発生を効果的に抑制したものである。
以下、本考案の実施例の磁気ヘツドにつき、図
面を用いて説明する。なお、第１図および第２図
に示した従来の磁気ヘツドと対応する部分には、
同じ符号を付している。
面を用いて説明する。なお、第１図および第２図
に示した従来の磁気ヘツドと対応する部分には、
同じ符号を付している。
第４図は本考案の一実施例の要部斜視図であ
り、第５図はその平面図、第６図と第７図はそれ
ぞれ第４図のＢ−B′断面図、Ｄ−D′断面図であ
る。
り、第５図はその平面図、第６図と第７図はそれ
ぞれ第４図のＢ−B′断面図、Ｄ−D′断面図であ
る。
この磁気ヘツドにおいては、基板１上にAl，
Cu，AgあるいはAuなどからなる導電性薄膜２が
形成され、続いて少なくとも外部との第１接続端
子２ａ，２a′を残してSiO，SiO2あるいはMgFな
どの絶縁性薄膜３（第４図では省略している）を
導電性薄膜２上に形成した後、絶縁性薄膜３の上
部に、Fe−Ni系、Ni−Co系あるいはFe−Si−Al
系などの磁気抵抗効果を有する、磁性薄膜からな
るMR素子４、ならびにMR素子４と電気的に接
合され、MR素子４に電流を流すための、Al，
Cu，Ag，Au，Fe−Ni系、Ni−Co系、あるいは
Fe−Si−Al系などの導電性材料からなる電流導
入部膜４ｄ，４d′が形成されている。ここでもつ
とも特徴的なことは、MR素子４とその電流導入
部膜４ｄ，４d′の基板面（第４図ではｘ−ｙ面）
上への投影領域が、導電性薄膜２の基板面（第４
図ではｘ−ｙ面）上への投影領域内に全て含まれ
るよう、導電性薄膜２、MR素子４ならびにその
電流導入部膜４ｄ，４d′が形成されていることで
ある。電流導入部膜４ｄ，４d′と、MR素子４と
の接合部から離れた、電流導入部膜４ｄ，４d′の
端部に位置する第２接続端子部４ａ，４a′に、リ
ード線４ｂ，４b′がワイヤボンド技術により接続
されている。このリード線４ｂ，４b′からMR素
子４に直流定電流を流し、記録媒体（第４図では
略されている）から発する記録信号による磁束Φ
をMR素子４中に流すと、記録信号による出力電
圧Ｅが生じる。なお、MR素子４に印加されるバ
イアス直流磁界Hbは、第１接続端子部２ａ，２
a′に接続されたリード線２ｂ，２b′を通して、導
電性薄膜２に直流電流を流すことによつて印加さ
れるものである。
Cu，AgあるいはAuなどからなる導電性薄膜２が
形成され、続いて少なくとも外部との第１接続端
子２ａ，２a′を残してSiO，SiO2あるいはMgFな
どの絶縁性薄膜３（第４図では省略している）を
導電性薄膜２上に形成した後、絶縁性薄膜３の上
部に、Fe−Ni系、Ni−Co系あるいはFe−Si−Al
系などの磁気抵抗効果を有する、磁性薄膜からな
るMR素子４、ならびにMR素子４と電気的に接
合され、MR素子４に電流を流すための、Al，
Cu，Ag，Au，Fe−Ni系、Ni−Co系、あるいは
Fe−Si−Al系などの導電性材料からなる電流導
入部膜４ｄ，４d′が形成されている。ここでもつ
とも特徴的なことは、MR素子４とその電流導入
部膜４ｄ，４d′の基板面（第４図ではｘ−ｙ面）
上への投影領域が、導電性薄膜２の基板面（第４
図ではｘ−ｙ面）上への投影領域内に全て含まれ
るよう、導電性薄膜２、MR素子４ならびにその
電流導入部膜４ｄ，４d′が形成されていることで
ある。電流導入部膜４ｄ，４d′と、MR素子４と
の接合部から離れた、電流導入部膜４ｄ，４d′の
端部に位置する第２接続端子部４ａ，４a′に、リ
ード線４ｂ，４b′がワイヤボンド技術により接続
されている。このリード線４ｂ，４b′からMR素
子４に直流定電流を流し、記録媒体（第４図では
略されている）から発する記録信号による磁束Φ
をMR素子４中に流すと、記録信号による出力電
圧Ｅが生じる。なお、MR素子４に印加されるバ
イアス直流磁界Hbは、第１接続端子部２ａ，２
a′に接続されたリード線２ｂ，２b′を通して、導
電性薄膜２に直流電流を流すことによつて印加さ
れるものである。
この実施例の磁気ヘツドでは、前述したよう
に、導電性薄膜２の基板面上への投影領域内に
MR素子４とその電流導入部膜４ｄ，４d′の投影
領域が全て含まれるように形成されているため
に、第４図のＢ−B′断面、Ｄ−D′断面を示した
第６図および第７図に示されるように、段差が生
じているところにはMR素子４とその電流導入部
膜４ｄ，４d′が形成されていない。したがつて、
MR素子４および電流導入部膜４ｄ，４d′の断線
が実質的になくなり、磁気ヘツドの製造にあたつ
ての歩留りの向上、磁気ヘツドとしての動作の安
定化を十分はかることができる。
に、導電性薄膜２の基板面上への投影領域内に
MR素子４とその電流導入部膜４ｄ，４d′の投影
領域が全て含まれるように形成されているため
に、第４図のＢ−B′断面、Ｄ−D′断面を示した
第６図および第７図に示されるように、段差が生
じているところにはMR素子４とその電流導入部
膜４ｄ，４d′が形成されていない。したがつて、
MR素子４および電流導入部膜４ｄ，４d′の断線
が実質的になくなり、磁気ヘツドの製造にあたつ
ての歩留りの向上、磁気ヘツドとしての動作の安
定化を十分はかることができる。
さらに、たとえば導電性薄膜２にその接続端子
部２ａより同２a′の方向へ一定の直流電流を流し
たとすると、MR素子４の電流導入部膜４ｄ，４
d′に対して、その間の部分から上方へ、そして外
側へ分かれ、さらにそれぞれの背面側へと回りこ
むよう磁束が流れる。したがつて、これら電流導
入部膜４ｄ，４d′の部分に記録信号による磁界が
作用すると、それによつて電流導入部膜４ｄ，４
d′の部分において生じる出力電圧は互いに逆極性
でかつ第３図の波形ｂと同様の波形をしており、
これらはMR素子４の端子間すなわち接続端子部
４ａ，４a′間においては相殺され、出力信号中に
雑音信号として混入することが防止される。
部２ａより同２a′の方向へ一定の直流電流を流し
たとすると、MR素子４の電流導入部膜４ｄ，４
d′に対して、その間の部分から上方へ、そして外
側へ分かれ、さらにそれぞれの背面側へと回りこ
むよう磁束が流れる。したがつて、これら電流導
入部膜４ｄ，４d′の部分に記録信号による磁界が
作用すると、それによつて電流導入部膜４ｄ，４
d′の部分において生じる出力電圧は互いに逆極性
でかつ第３図の波形ｂと同様の波形をしており、
これらはMR素子４の端子間すなわち接続端子部
４ａ，４a′間においては相殺され、出力信号中に
雑音信号として混入することが防止される。
次に、本考案の他の実施例の磁気ヘツドについ
て説明する。
て説明する。
磁気ヘツドを製造した段階で、第８図に示すよ
うにMR素子４ならびに電流導入部膜４ｄ，４
d′の基板面への投影領域が導電性薄膜２の投影領
域と交差し、そのＥ−E′断面図である第１０図
に示すように、段差部Ｃ上にMR素子もしくは電
流導入部膜４ｄ，４d′が形成されていても、磁気
ヘツドが記録媒体と当接あるいは近傍する面まで
ラツピングして（第８図のＧ−G′線までラツピ
ングとする）、第９図に示すように仕上げる。
うにMR素子４ならびに電流導入部膜４ｄ，４
d′の基板面への投影領域が導電性薄膜２の投影領
域と交差し、そのＥ−E′断面図である第１０図
に示すように、段差部Ｃ上にMR素子もしくは電
流導入部膜４ｄ，４d′が形成されていても、磁気
ヘツドが記録媒体と当接あるいは近傍する面まで
ラツピングして（第８図のＧ−G′線までラツピ
ングとする）、第９図に示すように仕上げる。
このようにMR素子４ならびに電流導入部膜４
ｄ，４d′の基板面への投影領域が導電性薄膜２の
投影領域内に全て含まれるようにした磁気ヘツド
も、本考案の趣旨を十分はたすことができる。
ｄ，４d′の基板面への投影領域が導電性薄膜２の
投影領域内に全て含まれるようにした磁気ヘツド
も、本考案の趣旨を十分はたすことができる。
以上説明したように、本考案の磁気ヘツドにお
いては、バイアス印加用導電性薄膜と磁気抵抗効
果素子薄膜とを、前者の基板面への投影領域に後
者のそれが含まれ、かつ前者の面積よりも後者の
それが狭いという関係になるよう、前記基板上に
順次積層しているので、次のとおりの効果が得ら
れる。すなわち、磁気抵抗効果素子膜が段差部上
に形成されることがないので、断線を生じるおそ
れがない。そのため、この磁気抵抗効果素子膜を
薄くすることができ、それによつて電流密度を高
めることができるので、より出力を増大させるこ
とができるだけでなく、磁気抵抗効果素子膜の反
磁界を減ずることができる。さらにまた、磁気抵
抗効果素子膜全体に直流バイアス磁界が印加され
るため、外部磁束が流れてもそれに応じた出力を
発生し、従来品のように周波数の逓倍成分からな
る雑音を生じるというおそれは実質的になくな
る。
いては、バイアス印加用導電性薄膜と磁気抵抗効
果素子薄膜とを、前者の基板面への投影領域に後
者のそれが含まれ、かつ前者の面積よりも後者の
それが狭いという関係になるよう、前記基板上に
順次積層しているので、次のとおりの効果が得ら
れる。すなわち、磁気抵抗効果素子膜が段差部上
に形成されることがないので、断線を生じるおそ
れがない。そのため、この磁気抵抗効果素子膜を
薄くすることができ、それによつて電流密度を高
めることができるので、より出力を増大させるこ
とができるだけでなく、磁気抵抗効果素子膜の反
磁界を減ずることができる。さらにまた、磁気抵
抗効果素子膜全体に直流バイアス磁界が印加され
るため、外部磁束が流れてもそれに応じた出力を
発生し、従来品のように周波数の逓倍成分からな
る雑音を生じるというおそれは実質的になくな
る。
第１図は従来の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツド
の一例の要部を示す斜視図、第２図は第１図のＡ
−A′断面図、第３図は磁気抵抗効果型磁気ヘツ
ドの出力電圧Ｅと磁界の強さＨとの関係を示す
図、第４図は本考案の一実施例の磁気抵抗効果型
膜磁気ヘツドの要部を示す斜視図、第５図は第４
図の平面図、第６図は第４図のＢ−B′断面図、第
７図は第４図のＤ−D′断面図、第８図は本考案
の他の実施例の要部を示す図、第９図は第８図に
示した磁気ヘツドの加工後の状態を示す平面図、
第１０図は第８図のＥ−E′断面図である。 １……基板、２……導電性薄膜、２ａ，２a′…
…第１外部接続部、３……絶縁性薄膜、４……
MR素子、４ｄ，４b′……電流導入部膜。
の一例の要部を示す斜視図、第２図は第１図のＡ
−A′断面図、第３図は磁気抵抗効果型磁気ヘツ
ドの出力電圧Ｅと磁界の強さＨとの関係を示す
図、第４図は本考案の一実施例の磁気抵抗効果型
膜磁気ヘツドの要部を示す斜視図、第５図は第４
図の平面図、第６図は第４図のＢ−B′断面図、第
７図は第４図のＤ−D′断面図、第８図は本考案
の他の実施例の要部を示す図、第９図は第８図に
示した磁気ヘツドの加工後の状態を示す平面図、
第１０図は第８図のＥ−E′断面図である。 １……基板、２……導電性薄膜、２ａ，２a′…
…第１外部接続部、３……絶縁性薄膜、４……
MR素子、４ｄ，４b′……電流導入部膜。
Claims (1)
- 基板上にバイアス印加用導電性薄膜と磁気抵抗
効果素子薄膜及びその磁気抵抗効果素子薄膜の電
流を流すためめの電流導入部膜とが積層されてお
り、前記磁気抵抗効果素子薄膜及び電流導入部膜
の前記基板面への投影領域が前記バイアス印加用
導電性薄膜の前記基板面への投影領域に含まれ、
かつ前記磁気抵抗効果素子薄膜の面積が前記バイ
アス印加用導電性薄膜の面積よりも狭いことを特
徴とする磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1975125136U JPS6112593Y2 (ja) | 1975-09-10 | 1975-09-10 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1975125136U JPS6112593Y2 (ja) | 1975-09-10 | 1975-09-10 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5239117U JPS5239117U (ja) | 1977-03-19 |
| JPS6112593Y2 true JPS6112593Y2 (ja) | 1986-04-19 |
Family
ID=28605627
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1975125136U Expired JPS6112593Y2 (ja) | 1975-09-10 | 1975-09-10 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6112593Y2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5093127A (ja) * | 1973-12-12 | 1975-07-25 |
-
1975
- 1975-09-10 JP JP1975125136U patent/JPS6112593Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5093127A (ja) * | 1973-12-12 | 1975-07-25 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5239117U (ja) | 1977-03-19 |
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