JPH0798819A

JPH0798819A - 磁気抵抗効果型磁気ヘッド

Info

Publication number: JPH0798819A
Application number: JP24575693A
Authority: JP
Inventors: Takuji Shibata; 拓二柴田; Yukio Kondo; 由喜雄今藤; Kosuke Narisawa; 浩亮成沢; Tetsuo Endo; 哲雄遠藤
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1993-09-30
Filing date: 1993-09-30
Publication date: 1995-04-11

Abstract

(57)【要約】【目的】シールド磁性体の部分的な磁場集中を回避
し、シールド磁性体の安定性を高め、バイアス効率を向
上させる。【構成】少なくともＭＲ素子４の磁化困難軸方向Ｙと
直交するように配された第２の導体３に電流を流すこと
で当該ＭＲ素子４にバイアス磁場を印加するようにした
電流バイアス型のＭＲヘッドにおいて、上記第２の導体
３のうち、ＭＲ素子４にバイアス磁場を印加する第１の
導体部３ａ（バイアス磁場印加部）がシールド磁性体
５，６の磁化困難軸方向Ｙのみに磁場が加わるように配
置されると共に、この第１の導体部３ａからＭＲ素子４
の後端部に接続される第３の導体部３ｃ（電流供給部）
までの配線パターンのうち、バイアス磁場と逆向きの磁
場を発生させる第３の導体部３ｃを、シールド磁性体
５，６の外に設ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えばハードディスク
に記録された情報信号を読み出すのに好適な磁気抵抗効
果型磁気ヘッドに関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、ハードディスク・ドライブ装置
等に搭載される再生専用の磁気ヘッドとしては、短波長
感度に優れることから、電流を流して信号磁束による抵
抗変化を電圧変化として読み取る構成とされた磁気抵抗
効果型磁気ヘッド（以下、ＭＲヘッドと称する。）が一
般的に使用されている。

【０００３】かかるＭＲヘッドを小型大容量のハードデ
ィスク・ドライブ装置に搭載するためには、ＭＲヘッド
自体も小型化することが要求されている。小型化を規制
する最大要因は、外部回路と接続する端子サイズであ
る。これは金線のボンディングで行われるのが一般的
で、サイズ縮小には限界がある。

【０００４】そこで、端子数を削減することが考えら
れ、記録用に２端子、再生用に２端子とすることが行わ
れている。再生用のＭＲヘッドを２端子にするには、Ｍ
Ｒヘッドへの電流導入用配線（いわゆるＭＲ電極）の端
子と、バイアス磁場発生用配線（いわゆるバイアス導
体）の端子を共通化する必要がある。

【０００５】端子を共通化するに当たっては、バイアス
発生部とＭＲ電流供給部を、直列又は並列に配置する方
法がある。直列配置の例としては、例えば図６に示すよ
うに、下層シールド磁性体１０１上に、ハードディスク
との対向面であるＡＢＳ面（エア・ベアリング・サーフ
エス面）１０２にその一端縁を露出させるようにして磁
気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子という。）１０３を配
置する。そして、上記ＭＲ素子１０３の長手方向におけ
る中央部分を上記ＡＢＳ面１０２と略平行に横切るよう
に且つ、バイアス磁場発生部のごく近傍で配線を折り返
してＭＲ素子１０３の後端縁に接続するように導体１０
４を形成する。その一方、ＭＲ素子１０３の先端縁に
は、上記ＡＢＳ面１０２と平行にＭＲ電極配線１０５を
接続する。

【０００６】これに対して並列配置の例としては、例え
ば図８に示すように、直列配置による導体１０４の折り
曲げ部からさらにバック側へ配線を引き出すようにして
形成される。なお、このヘッドでは、ＧＮＤ電極のみを
共通化してＭＲ素子１０３とバイアス印加部１０４ａに
別々に電流を流したものである。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、これら直列
配置又は並列配置をするに際して注意することは、バイ
アス電流はＭＲ素子１０３に最適磁場を加える電流値で
決まり、必然的にＭＲ素子１０３に加わるセンス電流値
も決まってしまうことである。ＭＲヘッドの出力は、バ
イアス電流値が大きくなり過ぎると、ＭＲ素子１０３に
過大電流が流れてしまい、当該ＭＲ素子１０３の破壊を
招くため、最適バイアス電流値の上限値も規制されてし
まう。

【０００８】図６のような直列配線では、センス電流Ｉ
ｓと最適バイアス電流Ｉｂとの間に、Ｉｓ＝Ｉｂなる関
係が必要なことがわかる。ところが、図６のようにバイ
アス磁場をＭＲ素子１０３に印加するバイアス印加部１
０４ａの近傍に、図７に示すように、このバイアス印加
部１０４ａに流れるバイアス電流とは逆向きの電流が流
れるＭＲ電流供給部１０４ｂが存在すると、この部分で
発生した磁場がバイアス磁場を打ち消すように働き、バ
イアス効率を大きく悪化させることがわかった。例え、
電流を増やしても打ち消し成分も増えるため、バイアス
効率は向上しない。

【０００９】また、出力安定性（記録再生を１００回繰
り返した時の出力変動として表す）も、この構造で悪化
することがわかった。これを調べるために、図７及び図
８のような配線引き回しを形成して出力安定性をみた。
その結果を表１に示す。表１中、従来構造ヘッド１は直
列配置ヘッドに対応し、従来構造ヘッド２は並列配置ヘ
ッドに対応する。また、３σ／ＴＡＡ（％）が小さい
程、安定ということになる。なお、σは分散、ＴＡＡ
（Track Average Amplitudeの略で、トラック１周を同
じパターンの繰り返しで再生したときの出力平均値）は
出力を表す。

【００１０】

【表１】

【００１１】この結果、同一ヘッドでも直列配置した場
合は、並列配置したものに比べて安定性が悪かった。こ
のことから、図７の折り返し部の１ターンコイルで発生
する磁場がシールド磁性体１０１（図示は省略するが上
層シールド磁性体も含む。）に集中し、これらシールド
磁性体１０１，１０６の特性劣化を引き起こすことがわ
かった。その模式図を図９及び図１０に示す。なお、図
９は図７、図１０は図８にそれぞれ対応し、また、これ
らの図には上層シールド磁性体１０６も現してある。

【００１２】図７の直列配置の場合には、図９中○で囲
まれるＡ部に逆向きの磁場が集中してシールド磁性体１
０１，１０６が不安定になる。一方、図８の並列配置の
場合には、図１０中○で囲まれるＢ部には同一方向の磁
場しか発生しないため、不安定性は生じない。しかしこ
の構造だと、ＭＲヘッドの引き出し端子が３端子とな
り、端子削減とはならない。

【００１３】そこで本発明は、かかる従来の実情に鑑み
て提案されたものであり、シールド磁性体の部分的な磁
場集中が防止でき、出力安定性の図れる磁気抵抗効果型
磁気ヘッドを提供することを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明は、少なくとも磁
気抵抗効果素子の磁化困難軸方向と直交するように配さ
れた導体に電流を流すことで当該磁気抵抗効果素子にバ
イアス磁場を印加するようにした電流バイアス型の磁気
抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、上記導体のうち、磁気
抵抗効果素子にバイアス磁場を印加するバイアス磁場印
加部がシールド磁性体の磁化困難軸方向のみに磁場が加
わるように配置されると共に、このバイアス磁場印加部
から磁気抵抗効果素子の後端部に接続される電流供給部
までの配線パターンのうち、バイアス磁場と逆向きの磁
場を発生させる導体部分を磁気記録媒体との対接面から
３０μｍ以上離すことによって、上述の課題を解決す
る。

【００１５】また、本発明は、少なくとも磁気抵抗効果
素子の磁化困難軸方向と直交するように配された導体に
電流を流すことで当該磁気抵抗効果素子にバイアス磁場
を印加するようにした電流バイアス型の磁気抵抗効果型
磁気ヘッドにおいて、上記導体のうち、磁気抵抗効果素
子にバイアス磁場を印加するバイアス磁場印加部がシー
ルド磁性体の磁化困難軸方向のみに磁場が加わるように
配置されると共に、このバイアス磁場印加部から磁気抵
抗効果素子の後端部に接続される電流供給部までの配線
パターンのうち、バイアス磁場と逆向きの磁場を発生さ
せる導体部分をシールド磁性体の外に設けることによ
り、上述の課題を解決する。

【００１６】請求項１又は２記載の磁気抵抗効果型磁気
ヘッドにおいて、導体のうち、磁気抵抗効果素子の後端
部に接続される電流供給部を、シールド磁性体の磁化容
易軸方向の磁場を印加するように、当該シールド磁性体
の略中心に設けることにより、上述の課題を解決する。

【００１７】請求項１記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド
において、磁気抵抗効果素子の後端部と接続される電流
供給部を、該磁気抵抗効果素子にバイアス磁場を印加す
るバイアス磁場印加部と略平行とすると共に、これら電
流供給部とバイアス磁場印加部に流れる電流を同一方向
とすることにより、上述の課題を解決する。

【００１８】

【作用】本発明においては、バイアス磁場印加部から磁
気抵抗効果素子の後端部に接続される電流供給部までの
配線パターンのうち、バイアス磁場と逆向きの磁場を発
生させる導体部分を、磁気記録媒体との対接面から３０
μｍ以上又はシールド磁性体の外に設けるようにしてい
るので、このバイアス磁場と逆向きに発生する磁場がシ
ールド磁性体に僅かに加わる程度又は全く加わらなくな
る。従って、逆磁場の集中によるシールド磁性体の不安
定性が発生しなくなる。

【００１９】また、本発明においては、磁気抵抗効果素
子の後端部に接続される電流供給部が、シールド磁性体
の磁化容易軸方向の磁場を印加するように、当該シール
ド磁性体の略中心に設けられているので、このシールド
磁性体に均一に磁化容易軸方向の磁場が印加され、当該
シールド磁性体の磁区が安定なものとなる。

【００２０】さらに本発明は、磁気抵抗効果素子の後端
部と接続される電流供給部が、該磁気抵抗効果素子にバ
イアス磁場を印加するバイアス磁場印加部と略平行とさ
れると共に、これら電流供給部とバイアス磁場印加部に
流れる電流が同一方向とされるので、当該電流供給部と
バイアス磁場印加部で発生する磁場は同一方向となっ
て、シールド磁性体の不安定性を回避せしめる。

【００２１】

【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて図面を参照しながら詳細に説明する。本実施例のＭ
Ｒヘッドは、図１及び図２に示すように、例えばＡｌ₂
Ｏ₃−ＴｉＣ等の非磁性基板からなるスライダ１上に、
先端部と後端部に第１の導体２と第２の導体３がそれぞ
れ接続されたＭＲ素子４が形成されると共に、このＭＲ
素子４をその上下方向から挟み込むようにして下層シー
ルド磁性体５と上層シールド磁性体６が形成されてな
る。

【００２２】ＭＲ素子４は、平面形状が長方形状をなす
パターンとして形成され、その長手方向がハードディス
クとの摺動面となるＡＢＳ面７に対して直交する方向と
なるように設けられるとともに、その一端縁が上記ＡＢ
Ｓ面７に臨むようになっている。かかるＭＲ素子４は、
例えばパーマロイ等の強磁性体薄膜からなり、蒸着やス
パッタリング等によって形成される。

【００２３】なお、上記ＭＲ素子４は、磁壁の移動に基
づくノイズ（バルクハウゼンノイズ）の発生を有効に回
避するために、例えばＳｉＯ₂等の如き非磁性材料より
なる中間層を介して膜厚の薄い磁性体膜（ＭＲ膜）を積
層した積層膜構造とするようにしてもよい。

【００２４】上記ＭＲ素子４をその上下方向から挟み込
むシールド磁性体５，６のうち、下層シールド磁性体５
は、例えばパーマロイ等の軟磁性金属膜からなり、上記
ＡＢＳ面７にその一端を臨ませるようにして平面略正方
形状をなす幅広パターンとして形成されている。

【００２５】一方、上層シールド磁性体６は、下層シー
ルド磁性体５と同様にパーマロイ等の軟磁性金属膜から
なり、上記ＡＢＳ面７にその一端を臨ませるようにして
略同一形状の平面略正方形パターンとして形成されてい
る。また、この上層シールド磁性体６は、ＡＢＳ面７側
でＭＲ素子４に近接するようにして屈曲されている。

【００２６】そして、上記ＭＲ素子４の先端部と後端部
にそれぞれ接続される第１の導体２と第２の導体３は、
上層シールド磁性体５と対向する側に形成されている。
ＭＲ素子４の先端部（ＡＢＳ面７側）に設けられる第１
の導体２は、その一端縁がＡＢＳ面７に臨むようにし
て、平面略矩形状をなす小さな導体パターンとして形成
されている。そして、この第１の導体２は、上層シール
ド磁性体６に対して電気的に接続されるようになされて
いる。

【００２７】従って、ＭＲ素子４から見て上層シールド
磁性体６と先端側の第１の導体２とは略同電位となり、
電気的にＭＲ素子４の先端部が安定する。また、上記第
１の導体２は、再生用磁気ギャップｇの上層ギャップ膜
としても機能することから、上層シールド磁性体６と電
気的に接続されるが、ＭＲ素子４とシールド磁性体６と
を磁気的に絶縁するようになっている。なお、下層シー
ルド磁性体５とＭＲ素子４間には、下層の磁気ギャップ
を構成する下層ギャップ膜８が設けられている。

【００２８】一方、第２の導体３は、帯状をなす導体パ
ターンを折り返して形成することにより、平面形状が略
スパイラル状となされた導体パターンとして形成され、
上記ＭＲ素子４の接地部（ＧＮＤ部）に接続されるよう
になされている。

【００２９】すなわち、かかる第２の導体３は、ＭＲ素
子４の長手方向における中央部分上に設けられ且つＡＢ
Ｓ面７と略平行とされる第１の導体部３ａと、この第１
の導体部３ａと接地部（図示は省略する。）を連結する
第２の導体部３ｂと、ＭＲ素子４の後端部に一部積層
し、このＭＲ素子４の延在方向に引き出されるようにし
て設けられる第３の導体部３ｃと、上記第１の導体部３
ａと第３の導体部３ｃとの間に設けられ当該第１の導体
部３ａと平行な第４の導体部３ｄと、この第４の導体部
３ｄと第１の導体部３ａを連結する第５の導体部３ｅと
によってスパイラル状とされている。

【００３０】第１の導体部３ａは、ＭＲ素子４にバイア
ス磁場を印加するバイアス磁場印加部として機能する。
この第１の導体部３ａは、図１中矢印Ｙで示すシールド
磁性体５，６の磁化困難軸方向のみに磁場が加わるよう
に配置されている。すなわち、上記第１の導体部３ａ
は、ＭＲ素子４の略中央部分に層間絶縁膜９を介してこ
のＭＲ素子４を横切るような形で、上記ＡＢＳ面７と略
平行に設けられている。

【００３１】かかる第１の導体部３ａは、バイアス導体
として機能することから、ＭＲ素子４にバイアス磁場を
印加する専用のバイアス導体を必要としない。従って、
端子数の削減でき、ヘッドの小型化を図ることが可能と
なる。

【００３２】第２の導体部３ｂは、上記第１の導体部３
ａと接地部とを連結するためのもので、この第１の導体
部３ａの一端縁に接続する形で上記ＡＢＳ面７に対し垂
直方向にバック側へ引き出され、その他端が接地部と接
続されるようになされている。

【００３３】第３の導体部３ｃは、ＭＲ素子４にセンス
電流を通電するＭＲ電流供給部として機能する。かかる
第３の導体部３ｃは、図１中矢印Ｘで示すシールド磁性
体５，６の磁化容易軸方向に磁場を印加するように、当
該シールド磁性体５，６の略中心に設けられている。す
なわち、この第３の導体部３ｃは、シールド磁性体５，
６のセンター（図中Ｘ₁＝Ｘ₂なる関係）であって、上
記ＭＲ素子４の後端部に電気的に接続するようにして一
部積層して設けられると共に、このＭＲ素子４の延在方
向であるバック側へ引き出されるようにして設けられて
いる。

【００３４】また、この第３の導体部３ｃは、上記ＭＲ
素子４よりも幅広のパターンとして形成されると共に、
該ＭＲ素子４と接続される一端縁と反対側の他端縁がシ
ールド磁性体５，６の外に飛び出る位置まで引き出され
るようになされている。

【００３５】第４の導体部３ｄは、幅狭の導体パターン
として形成され、上記第３の導体部３ｃの後端縁と第５
の導体部３ｅの後端縁を結ぶようにして、上記第１の導
体部３ａと平行に設けられている。従って、この第４の
導体部３ｄは、シールド磁性体５，６の外側に設けられ
るようになされている。

【００３６】第５の導体部３ｅは、やはりシールド磁性
体５，６の外側であって、ＭＲ素子４の長手方向（ＡＢ
Ｓ面７に対して垂直方向）と略平行に設けられ、これら
第１の導体部３ａと第４の導体部３ｄの先端同士を連結
するようになっている。

【００３７】上述のように折り返し形成された第２の導
体３は、上記ＭＲ素子４と上層シールド磁性体６間に設
けられた層間絶縁膜１０によって埋め込まれるようにな
されている。この層間絶縁膜１０は、上層シールド磁性
体６とＭＲ素子４との磁気的結合を防止すると共に、導
体３とＭＲ素子４との電気的絶縁を図る機能をする。そ
して、上層シールド磁性体６の上には、ＭＲヘッドを保
護するための保護膜層１１が積層されている。

【００３８】このように構成されたＭＲヘッドにおいて
は、図１に示すような向きに電流ｉが流れた場合、ＭＲ
素子４にバイアス磁場を印加する第１の導体部３ａとこ
れと平行な第４の導体部３ｄには互いに逆向きの電流が
流れることになる。従って、第１の導体部３ａで発生す
る磁場の向きと第４の導体部３ｄで発生する磁場の向き
は互いに打ち消し合うように作用する。

【００３９】しかしながら、第４の導体部３ｄはシール
ド磁性体５，６の外側に設けられているため、ここで発
生する磁場はシールド磁性体５，６に加わらない。ま
た、図２に示す第１の導体部３ａで発生した磁場Ｈに対
しも干渉するようなことがない。従って、逆向きの磁場
が集中することにより磁性体が不安定となるようなこと
が無くなる。

【００４０】なお、バイアス磁場の向きと逆向きの磁場
を発生する第４の導体部３ｄは、シールド磁性体５，６
の外側に設けられていなくとも、図３に示すように、Ａ
ＢＳ面７から少なくとも距離Ｌ＝３０μｍ以上離れてい
れば、充分に効果がある。

【００４１】また、ＭＲ電流供給部として機能する第３
の導体部３ｃに流れる電流によって発生する磁場は、シ
ールド磁性体５，６の磁化容易軸方向に発生する。この
ため、これらシールド磁性体５，６の磁区が安定なもの
となり、磁壁の移動により生ずるバルクハウゼンノイズ
が回避される。さらに、この第３の導体部３ｃは、シー
ルド磁性体５，６の中心位置に設けられているので、こ
れらシールド磁性体５，６に均一に磁化容易軸方向の磁
場を印加することができる。

【００４２】このように構成されたＭＲヘッドの出力安
定性とバイアス効率は、表１及び表２の通りである。表
２中、Ｉｂは最適バイアス電流、Ｉｓはセンス電流をそ
れぞれ示す。また、本発明ヘッド１は図１に示すＭＲヘ
ッドを、本発明ヘッド２は図３に示すＭＲヘッドを表
す。

【００４３】

【表２】

【００４４】これらの結果、端子数を削減するためにＭ
Ｒ電極（ＭＲ電流供給部に相当する。）とバイアス導体
（バイアス磁場印加部に相当する。）を共通化した場合
であっても、最適バイアス点が得られることがわかる。
また、出力安定性も非常に良い結果が得られた。

【００４５】また、図３に示すＭＲヘッドにおいては、
図１に示すＭＲヘッドと同様の特性が得られた。これ
は、磁場集中効果も逆磁場効果も起きなかったためと考
えられる。なお、第４の導体部３ｄをＡＢＳ面７より３
０μｍ未満に配置した場合には、磁場集中、逆磁場効果
が生じシールド磁性体５，６の安定性が劣化する。従来
構造ヘッド１では、その距離を２０μｍとしたものであ
る。

【００４６】以上、本発明を適用した具体的な実施例に
ついて説明したが、本発明は上述の実施例に限定される
ことなく種々の変更が可能である。例えば、図４に示す
ように、ＭＲ電流供給部となる第８の導体部３ｈを、バ
イアス磁場印加部として機能する第１の導体部３ａと同
じ向きに電流が流れるように配線したものが挙げられ
る。このＭＲヘッドでは、シールド磁性体５，６の外側
に配される第４の導体部３ｄと第８の導体部３ｈとを連
結する第７の導体部３ｇも、シールド磁性体５，６の外
側に配置されるように第５の導体部３ｅと略平行とされ
る。

【００４７】この他、図５に示すように、ＭＲ電流供給
部となる第６の導体部３ｆを第２の導体部３ｂから引き
出し、バイアス磁場を印加する第１の導体部３ａと並列
となるように配線したものが挙げられる。

【００４８】上記した２つのＭＲヘッドでは、いずれも
第１の導体部３ａと第６の導体部３及び第８の導体部３
ｈに流れる電流が同一方向となる。従って、これら導体
部で発生する磁場は同一方向となることから、シールド
磁性体５，６の部分的な磁場集中が防止でき、当該シー
ルド磁性体５，６の安定化を図ることができる。

【００４９】なお、上述の実施例では、再生専用のＭＲ
ヘッドのみをスライダ上に形成した例であるが、かかる
ＭＲヘッドの上に記録専用のインダクティブヘッドを積
層してなる複合型の薄膜磁気ヘッド構成としても同様の
作用効果が得られる。

【００５０】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明においては、バイアス磁場印加部から磁気抵抗効果素
子の後端部に接続される電流供給部までの配線パターン
のうち、バイアス磁場と逆向きの磁場を発生させる導体
部分を、磁気記録媒体との対接面から３０μｍ以上又は
シールド磁性体の外に設けるようにしているので、この
バイアス磁場と逆向きに発生する磁場がシールド磁性体
に僅かに加わる程度又は全く加わらなくなり、逆磁場の
集中によるシールド磁性体の不安定性を回避することが
できる。従って、本発明によれば、バイアス効率が向上
し、ＭＲ電極とバイアス導体を共通化したことによる端
子削減が図れると同時に、最適バイアス点を得ることが
できる。

【００５１】また、本発明においては、磁気抵抗効果素
子の後端部に接続される電流供給部を、シールド磁性体
の磁化容易軸方向の磁場を印加するように、当該シール
ド磁性体の略中心に設けているので、このシールド磁性
体に均一に磁化容易軸方向の磁場を印加することがで
き、当該シールド磁性体の磁区を安定なものすることが
できる。

【００５２】さらに本発明は、磁気抵抗効果素子の後端
部と接続される電流供給部を、該磁気抵抗効果素子にバ
イアス磁場を印加するバイアス磁場印加部と略平行とす
ると共に、これら電流供給部とバイアス磁場印加部に流
れる電流を同一方向としているので、当該電流供給部と
バイアス磁場印加部で発生する磁場が共に同一方向とな
り、シールド磁性体の不安定性を回避させることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用したＭＲヘッドの要部拡大平面図
である。

【図２】図１に示すＭＲヘッドの要部拡大断面図であ
る。

【図３】バイアス磁場印加部と逆向きの磁場を発生する
導体部をＡＢＳ面より３０μｍ以上離した例を示すＭＲ
ヘッドの要部拡大平面図である。

【図４】ＭＲ電流供給部とバイアス磁場印加部で発生す
る磁場の向きを同一とした例を示すＭＲヘッドの要部拡
大平面図である。

【図５】ＭＲ電流供給部とバイアス磁場印加部を並列に
した例を示すＭＲヘッドの要部拡大平面図である。

【図６】ＭＲ電極とバイアス導体を直列配置した従来型
のＭＲヘッドの要部拡大平面図である。

【図７】図６のＭＲヘッドにおける電流の流れの様子を
示す要部拡大平面図である。

【図８】ＭＲ電流供給部とバイアス磁場印加部を並列に
した従来型ＭＲヘッドにおける電流の流れの様子を示す
要部拡大平面図である。

【図９】図７に示す従来型ＭＲヘッドにおける磁場の流
れる様子を示す要部拡大断面図である。

【図１０】図８に示す従来型ＭＲヘッドにおける磁場の
流れる様子を示す要部拡大断面図である。

【符号の説明】

１・・・スライダ２・・・第１の導体３・・・第２の導体３ａ・・・第１の導体部３ｂ・・・第２の導体部３ｃ・・・第３の導体部３ｄ・・・第４の導体部３ｅ・・・第５の導体部３ｆ・・・第６の導体部３ｇ・・・第７の導体部３ｈ・・・第８の導体部４・・・ＭＲ素子５・・・下層シールド磁性体６・・・上層シールド磁性体７・・・ＡＢＳ面８・・・下層ギャップ膜１１・・・保護膜層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者遠藤哲雄東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも磁気抵抗効果素子の磁化困難
軸方向と直交するように配された導体に電流を流すこと
で当該磁気抵抗効果素子にバイアス磁場を印加するよう
にした電流バイアス型の磁気抵抗効果型磁気ヘッドにお
いて、上記導体のうち、磁気抵抗効果素子にバイアス磁場を印
加するバイアス磁場印加部がシールド磁性体の磁化困難
軸方向のみに磁場が加わるように配置されると共に、こ
のバイアス磁場印加部から磁気抵抗効果素子の後端部に
接続される電流供給部までの配線パターンのうち、バイ
アス磁場と逆向きの磁場を発生させる導体部分が磁気記
録媒体との対接面から３０μｍ以上離れていることを特
徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
【請求項２】少なくとも磁気抵抗効果素子の磁化困難
軸方向と直交するように配された導体に電流を流すこと
で当該磁気抵抗効果素子にバイアス磁場を印加するよう
にした電流バイアス型の磁気抵抗効果型磁気ヘッドにお
いて、上記導体のうち、磁気抵抗効果素子にバイアス磁場を印
加するバイアス磁場印加部がシールド磁性体の磁化困難
軸方向のみに磁場が加わるように配置されると共に、こ
のバイアス磁場印加部から磁気抵抗効果素子の後端部に
接続される電流供給部までの配線パターンのうち、バイ
アス磁場と逆向きの磁場を発生させる導体部分がシール
ド磁性体の外に設けられていることを特徴とする磁気抵
抗効果型磁気ヘッド。
【請求項３】導体のうち、磁気抵抗効果素子の後端部
に接続される電流供給部が、シールド磁性体の磁化容易
軸方向の磁場を印加するように、当該シールド磁性体の
略中心に設けられていることを特徴とする請求項１又は
２記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
【請求項４】磁気抵抗効果素子の後端部と接続される
電流供給部が、該磁気抵抗効果素子にバイアス磁場を印
加するバイアス磁場印加部と略平行とされると共に、こ
れら電流供給部とバイアス磁場印加部に流れる電流が同
一方向とされることを特徴とする請求項１記載の磁気抵
抗効果型磁気ヘッド。