JP2982841B2 - 複合型薄膜磁気ヘッド - Google Patents
複合型薄膜磁気ヘッドInfo
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- JP2982841B2 JP2982841B2 JP4353745A JP35374592A JP2982841B2 JP 2982841 B2 JP2982841 B2 JP 2982841B2 JP 4353745 A JP4353745 A JP 4353745A JP 35374592 A JP35374592 A JP 35374592A JP 2982841 B2 JP2982841 B2 JP 2982841B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク等の磁気
媒体への記録を行うインダクティブヘッドとその磁気媒
体から再生を行う磁気抵抗効果ヘッド（Ｍａｇｎｅｔｏ
Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ｈｅａｄ、以下ＭＲヘッドと称
する）とを組み合わせてなる複合型薄膜磁気ヘッドに関
する。
媒体への記録を行うインダクティブヘッドとその磁気媒
体から再生を行う磁気抵抗効果ヘッド（Ｍａｇｎｅｔｏ
Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ｈｅａｄ、以下ＭＲヘッドと称
する）とを組み合わせてなる複合型薄膜磁気ヘッドに関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気ディスク等の磁気媒体用の薄
膜磁気ヘッドとして、磁気抵抗効果を利用したＭＲヘッ
ドが実用化され始めている。
膜磁気ヘッドとして、磁気抵抗効果を利用したＭＲヘッ
ドが実用化され始めている。
【０００３】ＭＲヘッドは、磁気媒体との相対速度に依
存せず大きい再生出力を得ることができるという利点が
あるが、再生専用であるため記録／再生ヘッドとして用
いるためには記録ヘッドと組み合わせた構成とする必要
がある。
存せず大きい再生出力を得ることができるという利点が
あるが、再生専用であるため記録／再生ヘッドとして用
いるためには記録ヘッドと組み合わせた構成とする必要
がある。
【０００４】図７は、従来の複合型薄膜磁気ヘッドにお
けるリード及び外部接続用端子の部分を、後端面側（磁
気媒体に対する磁気ヘッドの相対的な走行方向に関して
の後端側）から概略的に表したものである。
けるリード及び外部接続用端子の部分を、後端面側（磁
気媒体に対する磁気ヘッドの相対的な走行方向に関して
の後端側）から概略的に表したものである。
【０００５】同図において、７０はＭＲヘッド部のＭＲ
膜（磁気抵抗効果膜）、７１はこのＭＲヘッド部の上に
積層されたインダクティブヘッド部のインダクティブコ
イルをそれぞれ示している。
膜（磁気抵抗効果膜）、７１はこのＭＲヘッド部の上に
積層されたインダクティブヘッド部のインダクティブコ
イルをそれぞれ示している。
【０００６】ＭＲ膜７０には第１のＭＲ用リード７２ａ
及び７２ｂの一端が接続されており、これら第１のＭＲ
用リード７２ａ及び７２ｂの他端はスルーホール導体７
３ａ及び７３ｂをそれぞれ介して第２のＭＲ用リード７
４ａ及び７４ｂの一端にそれぞれ接続されている。第２
のＭＲ用リード７４ａ及び７４ｂの他端は外部接続用端
子（バンプ）７５ａ及び７５ｂにそれぞれ接続されてい
る。インダクティブコイル７１にはインダクティブ用リ
ード７６ａ及び７６ｂの一端が接続されており、これら
インダクティブ用リード７６ａ及び７６ｂの他端は外部
接続用端子（バンプ）７７ａ及び７７ｂにそれぞれ接続
されている。
及び７２ｂの一端が接続されており、これら第１のＭＲ
用リード７２ａ及び７２ｂの他端はスルーホール導体７
３ａ及び７３ｂをそれぞれ介して第２のＭＲ用リード７
４ａ及び７４ｂの一端にそれぞれ接続されている。第２
のＭＲ用リード７４ａ及び７４ｂの他端は外部接続用端
子（バンプ）７５ａ及び７５ｂにそれぞれ接続されてい
る。インダクティブコイル７１にはインダクティブ用リ
ード７６ａ及び７６ｂの一端が接続されており、これら
インダクティブ用リード７６ａ及び７６ｂの他端は外部
接続用端子（バンプ）７７ａ及び７７ｂにそれぞれ接続
されている。
【０００７】図からも明らかのように、第１のＭＲ用リ
ード７２ａ及び７２ｂはインダクティブ用リード７６ａ
及び７６ｂを越えてＭＲ膜から遠ざかる方向に伸長して
スルーホール導体７３ａ及び７３ｂにそれぞれ接続され
るように構成されている。
ード７２ａ及び７２ｂはインダクティブ用リード７６ａ
及び７６ｂを越えてＭＲ膜から遠ざかる方向に伸長して
スルーホール導体７３ａ及び７３ｂにそれぞれ接続され
るように構成されている。
【０００８】また、図示されていないが、ＭＲヘッド部
には、ＭＲ膜７０及び第１のＭＲ用リード７２ａ及び７
２ｂの一部を絶縁体を介して上下方向から挟む下部磁気
シールド膜及び上部磁気シールド膜が設けられている。
には、ＭＲ膜７０及び第１のＭＲ用リード７２ａ及び７
２ｂの一部を絶縁体を介して上下方向から挟む下部磁気
シールド膜及び上部磁気シールド膜が設けられている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従来の複合型薄膜磁気
ヘッドにおいては、第１のＭＲ用リード７２ａ及び７２
ｂの全長がかなり長くなる構成であるため、以下の問題
が生じる。
ヘッドにおいては、第１のＭＲ用リード７２ａ及び７２
ｂの全長がかなり長くなる構成であるため、以下の問題
が生じる。
【００１０】即ち、ＭＲ膜７０に接続される第１のＭＲ
用リード７２ａ及び７２ｂは、ＡＢＳ面に露出してお
り、従ってその材質として、腐食し易い銅（Ｃｕ）や延
びて短絡を起し易い金（Ａｕ）を用いることができず、
タングステン（Ｗ）等の耐摩耗性の高い導電材を用いる
必要がある。しかしながら、Ｗは比抵抗が非常に大きい
ため、ＭＲ用リード７２ａ及び７２ｂの全長が長くなる
と、ＭＲ素子以外の抵抗が非常に大きくなり、定電流で
動作するＭＲヘッドではその消費電力がかなり大きくな
ってしまう。また、抵抗が大きくなることから、熱雑音
も大きくなる。
用リード７２ａ及び７２ｂは、ＡＢＳ面に露出してお
り、従ってその材質として、腐食し易い銅（Ｃｕ）や延
びて短絡を起し易い金（Ａｕ）を用いることができず、
タングステン（Ｗ）等の耐摩耗性の高い導電材を用いる
必要がある。しかしながら、Ｗは比抵抗が非常に大きい
ため、ＭＲ用リード７２ａ及び７２ｂの全長が長くなる
と、ＭＲ素子以外の抵抗が非常に大きくなり、定電流で
動作するＭＲヘッドではその消費電力がかなり大きくな
ってしまう。また、抵抗が大きくなることから、熱雑音
も大きくなる。
【００１１】一般に、この種の複合型薄膜磁気ヘッド
は、ＭＲ膜及びその両端部に接続された２つの第１のＭ
Ｒ用リードを含む電流回路と、これらを上下方向から挟
む下部磁気シールド膜及び上部磁気シールド膜とを有し
ている。従来の複合型薄膜磁気ヘッドでは、２つの第１
のＭＲ用リード間の間隙がかなり広いため、次のごとき
問題をも生じる。
は、ＭＲ膜及びその両端部に接続された２つの第１のＭ
Ｒ用リードを含む電流回路と、これらを上下方向から挟
む下部磁気シールド膜及び上部磁気シールド膜とを有し
ている。従来の複合型薄膜磁気ヘッドでは、２つの第１
のＭＲ用リード間の間隙がかなり広いため、次のごとき
問題をも生じる。
【００１２】即ち、磁気媒体の記録磁界によって生じた
磁束は、下部磁気シールド膜及び上部磁気シールド膜間
に挟まれて位置する２つの第１のＭＲ用リード間の間隙
を通過する。この場合、これら２つの第１のＭＲ用リー
ドとＭＲ膜とはあたかも１ターンのコイルのごとく動作
し、間隙を通過する磁束が鎖交することによってこの等
価的なコイルに起電力が生じる。これら２つの第１のＭ
Ｒ用リード間の間隙がかなり広いと、磁束の通過する鎖
交面積が大きくなり鎖交磁束数が増えるので起電力も大
きくなる。この起電力が、ＭＲヘッドから得られる本来
の読み出し信号電圧に重畳されるので、読み出し信号が
変動してしまう。
磁束は、下部磁気シールド膜及び上部磁気シールド膜間
に挟まれて位置する２つの第１のＭＲ用リード間の間隙
を通過する。この場合、これら２つの第１のＭＲ用リー
ドとＭＲ膜とはあたかも１ターンのコイルのごとく動作
し、間隙を通過する磁束が鎖交することによってこの等
価的なコイルに起電力が生じる。これら２つの第１のＭ
Ｒ用リード間の間隙がかなり広いと、磁束の通過する鎖
交面積が大きくなり鎖交磁束数が増えるので起電力も大
きくなる。この起電力が、ＭＲヘッドから得られる本来
の読み出し信号電圧に重畳されるので、読み出し信号が
変動してしまう。
【００１３】従って本発明は、従来技術の上述した問題
点を解消するものであり、ＭＲヘッド部における消費電
力を低減すると共に熱雑音も低減できしかも第１のＭＲ
用リード及びＭＲ膜における誘導磁気変換作用を抑制可
能な複合型薄膜磁気ヘッドを提供するものである。
点を解消するものであり、ＭＲヘッド部における消費電
力を低減すると共に熱雑音も低減できしかも第１のＭＲ
用リード及びＭＲ膜における誘導磁気変換作用を抑制可
能な複合型薄膜磁気ヘッドを提供するものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の複合型薄膜磁気
ヘッドは、再生用のＭＲヘッド部と、このＭＲヘッド部
に積層して形成された記録用のインダクティブヘッド部
とを有している。ＭＲヘッド部は、ＭＲ膜と、一端がＭ
Ｒ膜上に直接形成された２つの第１のリード導体と、一
端が２つの第１のリード導体の他端にスルーホール導体
を介してそれぞれ接続されておりかつ第１のリード導体
より小さな比抵抗を有する異なる材料で形成された２つ
の第２のリード導体と、２つの第２のリード導体の他端
にそれぞれ接続された２つの外部接続用端子と、ＭＲ膜
及び２つの第１のリード導体を上下方向から挟んで配置
された下部磁気シールド膜及び上部磁気シールド膜とを
有している。インダクティブヘッド部は、インダクティ
ブコイルと、一端がインダクティブコイルにそれぞれ接
続された２つのリード導体と、２つのリード導体の他端
にそれぞれ接続された２つの外部接続用端子とを有して
いる。本複合型薄膜磁気ヘッドにおいては、下部磁気シ
ールド膜及び上部磁気シールド膜に挟まれた部分の２つ
の第１のリード導体の間隔が１０μｍ以下に設定されて
いると共に、第１のリード導体のＭＲ膜に近い側の部分
の幅が第２のリード導体の幅より大きく設定されてお
り、かつスルーホール導体がインダクティブヘッド部の
リード導体よりＭＲ膜側に配置されている。一方の第１
のリード導体、スルーホール導体及び第２のリード導体
の全長が、インダクティブコイル側の一方のリード導体
の長さより短く設定されていることが好ましい。
ヘッドは、再生用のＭＲヘッド部と、このＭＲヘッド部
に積層して形成された記録用のインダクティブヘッド部
とを有している。ＭＲヘッド部は、ＭＲ膜と、一端がＭ
Ｒ膜上に直接形成された２つの第１のリード導体と、一
端が２つの第１のリード導体の他端にスルーホール導体
を介してそれぞれ接続されておりかつ第１のリード導体
より小さな比抵抗を有する異なる材料で形成された２つ
の第２のリード導体と、２つの第２のリード導体の他端
にそれぞれ接続された２つの外部接続用端子と、ＭＲ膜
及び２つの第１のリード導体を上下方向から挟んで配置
された下部磁気シールド膜及び上部磁気シールド膜とを
有している。インダクティブヘッド部は、インダクティ
ブコイルと、一端がインダクティブコイルにそれぞれ接
続された２つのリード導体と、２つのリード導体の他端
にそれぞれ接続された２つの外部接続用端子とを有して
いる。本複合型薄膜磁気ヘッドにおいては、下部磁気シ
ールド膜及び上部磁気シールド膜に挟まれた部分の２つ
の第１のリード導体の間隔が１０μｍ以下に設定されて
いると共に、第１のリード導体のＭＲ膜に近い側の部分
の幅が第２のリード導体の幅より大きく設定されてお
り、かつスルーホール導体がインダクティブヘッド部の
リード導体よりＭＲ膜側に配置されている。一方の第１
のリード導体、スルーホール導体及び第２のリード導体
の全長が、インダクティブコイル側の一方のリード導体
の長さより短く設定されていることが好ましい。
【００１５】
【作用】スルーホール導体がインダクティブヘッド部の
リード導体よりＭＲ膜側に配置されていると共に、ＭＲ
膜上に直接形成されておりかつ第２のリード導体（第２
のＭＲ用リード）より大きな比抵抗を有する異なる材料
で形成された第１のリード導体（第１のＭＲ用リード）
のＭＲ膜に近い側の部分の幅が第２のＭＲ用リードの幅
より大きく設定されているので、その構造上から第２の
ＭＲ用リードより膜厚を薄くせざるを得ないと共に比抵
抗がより大きく耐摩耗性の高い導電材で形成される第１
のＭＲ用リードの電気抵抗が大幅に小さくなり、その結
果、消費電力の大幅な低減化が図れかつ熱雑音も大幅に
低減できる。また、下部磁気シールド膜及び上部磁気シ
ールド膜に挟まれた部分の２つの第１のＭＲ用リードの
間隔を１０μｍ以下に設定することによりこれら第１の
ＭＲ用リード間の間隙による面積が小さくなり、あたか
も１ターンのコイルのように動作する２つの第１のＭＲ
用リード及びＭＲ膜の鎖交磁束数が最小となり、その等
価的なコイルの起電力が無視できるほど小さくなる。一
般に、２つの第１のＭＲ用リード及びＭＲ膜で等価的な
コイルが構成され下部磁気シールド膜及び上部磁気シー
ルド膜でヨークを構成する構造の場合、これら下部磁気
シールド膜及び上部磁気シールド膜に侵入する磁束によ
って誘導起電力がこの等価的なコイルに発生する。ＭＲ
ヘッドにおいては、この起電力が雑音となってしまうの
である。つまり、２つの第１のＭＲ用リードの間隔を１
０μｍ以下とすると共に第１のＭＲ用リードの幅を大き
くとることによって、これら２つの第１のＭＲ用リード
及びＭＲ膜によるコイルの鎖交磁束数を最小とし、ＭＲ
ヘッドからの雑音を抑えて、そのＭＲヘッドから得られ
る本来の読み出し信号電圧の変動を最小としているので
ある。
リード導体よりＭＲ膜側に配置されていると共に、ＭＲ
膜上に直接形成されておりかつ第２のリード導体（第２
のＭＲ用リード）より大きな比抵抗を有する異なる材料
で形成された第１のリード導体（第１のＭＲ用リード）
のＭＲ膜に近い側の部分の幅が第２のＭＲ用リードの幅
より大きく設定されているので、その構造上から第２の
ＭＲ用リードより膜厚を薄くせざるを得ないと共に比抵
抗がより大きく耐摩耗性の高い導電材で形成される第１
のＭＲ用リードの電気抵抗が大幅に小さくなり、その結
果、消費電力の大幅な低減化が図れかつ熱雑音も大幅に
低減できる。また、下部磁気シールド膜及び上部磁気シ
ールド膜に挟まれた部分の２つの第１のＭＲ用リードの
間隔を１０μｍ以下に設定することによりこれら第１の
ＭＲ用リード間の間隙による面積が小さくなり、あたか
も１ターンのコイルのように動作する２つの第１のＭＲ
用リード及びＭＲ膜の鎖交磁束数が最小となり、その等
価的なコイルの起電力が無視できるほど小さくなる。一
般に、２つの第１のＭＲ用リード及びＭＲ膜で等価的な
コイルが構成され下部磁気シールド膜及び上部磁気シー
ルド膜でヨークを構成する構造の場合、これら下部磁気
シールド膜及び上部磁気シールド膜に侵入する磁束によ
って誘導起電力がこの等価的なコイルに発生する。ＭＲ
ヘッドにおいては、この起電力が雑音となってしまうの
である。つまり、２つの第１のＭＲ用リードの間隔を１
０μｍ以下とすると共に第１のＭＲ用リードの幅を大き
くとることによって、これら２つの第１のＭＲ用リード
及びＭＲ膜によるコイルの鎖交磁束数を最小とし、ＭＲ
ヘッドからの雑音を抑えて、そのＭＲヘッドから得られ
る本来の読み出し信号電圧の変動を最小としているので
ある。
【００１６】
【実施例】以下実施例により本発明を詳細に説明する。
【００１７】図２は、本発明の一実施例として、複合型
薄膜磁気ヘッドを備えた浮上型磁気ヘッドユニットの概
略構成を示す斜視図である。
薄膜磁気ヘッドを備えた浮上型磁気ヘッドユニットの概
略構成を示す斜視図である。
【００１８】同図に示すように、本実施例の浮上型磁気
ヘッドユニットにおいては、スライダ２０の浮上面（Ａ
ＢＳ面）側の中央部に磁気媒体に対する磁気ヘッドの相
対的な走行方向に沿って伸長する単一のレール部２１が
突設されており、このレール部２１の後端面（磁気媒体
に対する磁気ヘッドの相対的な走行方向に関しての後
端）２２にはＭＲヘッド部及びインダクティブヘッド部
が設けられている。
ヘッドユニットにおいては、スライダ２０の浮上面（Ａ
ＢＳ面）側の中央部に磁気媒体に対する磁気ヘッドの相
対的な走行方向に沿って伸長する単一のレール部２１が
突設されており、このレール部２１の後端面（磁気媒体
に対する磁気ヘッドの相対的な走行方向に関しての後
端）２２にはＭＲヘッド部及びインダクティブヘッド部
が設けられている。
【００１９】図１は、図２の複合型薄膜磁気ヘッドにお
けるリード及び外部接続用端子の部分を、同じく後端面
側から概略的に表したものである。
けるリード及び外部接続用端子の部分を、同じく後端面
側から概略的に表したものである。
【００２０】これらの図において、１０はＭＲヘッド部
のＭＲ膜、１１はこのＭＲヘッド部の上に積層されたイ
ンダクティブヘッド部のインダクティブコイルをそれぞ
れ示している。
のＭＲ膜、１１はこのＭＲヘッド部の上に積層されたイ
ンダクティブヘッド部のインダクティブコイルをそれぞ
れ示している。
【００２１】パーマロイ等によって形成されたＭＲ膜１
０の両端部には、Ｗ等の耐摩耗性を有する導電材からな
る第１のＭＲ用リード１２ａ及び１２ｂの一端がそれぞ
れ接続されている。これら第１のＭＲ用リード１２ａ及
び１２ｂの他端は、例えばパーマロイ又はＣｕなどによ
るスルーホール導体１３ａ及び１３ｂをそれぞれ介して
Ｃｕ等の良導体による第２のＭＲ用リード１４ａ及び１
４ｂの一端にそれぞれ接続されている。第２のＭＲ用リ
ード１４ａ及び１４ｂの他端は外部接続用端子（バン
プ）１５ａ及び１５ｂにそれぞれ接続されている。Ｃｕ
等の良導体によるインダクティブコイル１１には同じく
Ｃｕ等の良導体によるインダクティブ用リード１６ａ及
び１６ｂの一端がそれぞれ接続されており、これらイン
ダクティブ用リード１６ａ及び１６ｂの他端は外部接続
用端子（バンプ）１７ａ及び１７ｂにそれぞれ接続され
ている。バンプ１５ａ及び１５ｂとバンプ１７ａ及び１
７ｂとは、本実施例においては、Ｃｕ層の上にＡｕが被
覆されて形成されている。
０の両端部には、Ｗ等の耐摩耗性を有する導電材からな
る第１のＭＲ用リード１２ａ及び１２ｂの一端がそれぞ
れ接続されている。これら第１のＭＲ用リード１２ａ及
び１２ｂの他端は、例えばパーマロイ又はＣｕなどによ
るスルーホール導体１３ａ及び１３ｂをそれぞれ介して
Ｃｕ等の良導体による第２のＭＲ用リード１４ａ及び１
４ｂの一端にそれぞれ接続されている。第２のＭＲ用リ
ード１４ａ及び１４ｂの他端は外部接続用端子（バン
プ）１５ａ及び１５ｂにそれぞれ接続されている。Ｃｕ
等の良導体によるインダクティブコイル１１には同じく
Ｃｕ等の良導体によるインダクティブ用リード１６ａ及
び１６ｂの一端がそれぞれ接続されており、これらイン
ダクティブ用リード１６ａ及び１６ｂの他端は外部接続
用端子（バンプ）１７ａ及び１７ｂにそれぞれ接続され
ている。バンプ１５ａ及び１５ｂとバンプ１７ａ及び１
７ｂとは、本実施例においては、Ｃｕ層の上にＡｕが被
覆されて形成されている。
【００２２】図１からも明らかのように、ＭＲヘッド部
用のバンプ１５ａ及び１５ｂはインダクティブヘッド部
用のバンプ１７ａ及び１７ｂよりそれぞれ内側に設けら
れている。また、第１のＭＲ用リード１２ａ及び１２ｂ
はインダクティブ用リード１６ａ及び１６ｂよりＭＲ膜
側にその全長がそれぞれ位置している。換言すれば、こ
の第１のＭＲ用リード１２ａ及び１２ｂの他端に接続さ
れるスルーホール導体１３ａ及び１３ｂが、インダクテ
ィブ用リード１６ａ及び１６ｂよりＭＲ膜側に存在して
おり、ＭＲ膜１０により近い位置に配置されている。ま
た、同図から明らかのように、第１のＭＲ用リード１２
ａ及び１２ｂのＭＲ膜側の一部における幅は、第２のＭ
Ｒ用リード１４ａ及び１４ｂの幅より大きく設定されて
いる。
用のバンプ１５ａ及び１５ｂはインダクティブヘッド部
用のバンプ１７ａ及び１７ｂよりそれぞれ内側に設けら
れている。また、第１のＭＲ用リード１２ａ及び１２ｂ
はインダクティブ用リード１６ａ及び１６ｂよりＭＲ膜
側にその全長がそれぞれ位置している。換言すれば、こ
の第１のＭＲ用リード１２ａ及び１２ｂの他端に接続さ
れるスルーホール導体１３ａ及び１３ｂが、インダクテ
ィブ用リード１６ａ及び１６ｂよりＭＲ膜側に存在して
おり、ＭＲ膜１０により近い位置に配置されている。ま
た、同図から明らかのように、第１のＭＲ用リード１２
ａ及び１２ｂのＭＲ膜側の一部における幅は、第２のＭ
Ｒ用リード１４ａ及び１４ｂの幅より大きく設定されて
いる。
【００２３】このように構成することにより、第１のＭ
Ｒ用リード１２ａ及び１２ｂの全長が従来技術のものに
比して大幅に短くなると共にその幅が一部で広く取られ
ているので、そのリードに沿った全抵抗が大幅に小さく
なる。その結果、ＭＲヘッドの消費電力の低減化が図れ
ると共に熱雑音の発生を少なくすることができる。
Ｒ用リード１２ａ及び１２ｂの全長が従来技術のものに
比して大幅に短くなると共にその幅が一部で広く取られ
ているので、そのリードに沿った全抵抗が大幅に小さく
なる。その結果、ＭＲヘッドの消費電力の低減化が図れ
ると共に熱雑音の発生を少なくすることができる。
【００２４】図３は、本実施例におけるＭＲヘッド部の
ＡＢＳ面に近い部分の構成をモデル化して表した平面図
であり、図４は、図３のIV−IV線断面図である。
ＡＢＳ面に近い部分の構成をモデル化して表した平面図
であり、図４は、図３のIV−IV線断面図である。
【００２５】これらの図に示すように、ＭＲ膜１０に近
い部分の第１のＭＲ用リード１２ａ及び１２ｂは、レー
ル部２１の後端面２２とほぼ平行に互いに横並びに配置
されており、ＭＲ膜１０とこのＭＲ膜１０に近い部分の
第１のＭＲ用リード１２ａ及び１２ｂとは、電気絶縁膜
３０及び３１をそれぞれ介して上部磁気シールド膜３２
及び下部磁気シールド膜３３によって上下方向に挟まれ
ている。
い部分の第１のＭＲ用リード１２ａ及び１２ｂは、レー
ル部２１の後端面２２とほぼ平行に互いに横並びに配置
されており、ＭＲ膜１０とこのＭＲ膜１０に近い部分の
第１のＭＲ用リード１２ａ及び１２ｂとは、電気絶縁膜
３０及び３１をそれぞれ介して上部磁気シールド膜３２
及び下部磁気シールド膜３３によって上下方向に挟まれ
ている。
【００２６】第１のＭＲ用リード１２ａ及び１２ｂのＭ
Ｒ膜１０との接続部における間隔ＴＷは、ＡＢＳ面側に
位置してトラック幅を規定している。これら第１のＭＲ
用リード１２ａ及び１２ｂの間隔ＴＷより後方側（ＡＢ
Ｓ面から離れる方向）における間隔Ｄは１０μｍ以下に
設定されている。間隔Ｄの下限値は、ＭＲ用リード１２
ａ及び１２ｂの間の電気的絶縁性の確保や、フォトリソ
グラフィのパターン形成の容易性等によって定まり、実
際的には３μｍ以上となる。なお、図示の例では、間隔
Ｄが間隔ＴＷより大きくなっており、これが一般的であ
るが、間隔Ｄが間隔ＴＷに等しくなることもあり得る。
Ｒ膜１０との接続部における間隔ＴＷは、ＡＢＳ面側に
位置してトラック幅を規定している。これら第１のＭＲ
用リード１２ａ及び１２ｂの間隔ＴＷより後方側（ＡＢ
Ｓ面から離れる方向）における間隔Ｄは１０μｍ以下に
設定されている。間隔Ｄの下限値は、ＭＲ用リード１２
ａ及び１２ｂの間の電気的絶縁性の確保や、フォトリソ
グラフィのパターン形成の容易性等によって定まり、実
際的には３μｍ以上となる。なお、図示の例では、間隔
Ｄが間隔ＴＷより大きくなっており、これが一般的であ
るが、間隔Ｄが間隔ＴＷに等しくなることもあり得る。
【００２７】このように、第１のＭＲ用リード１２ａ及
び１２ｂの間隔Ｄを１０μｍ以下に設定することによ
り、下部磁気シールド膜３３及び上部磁気シールド膜３
２間に挟まれて位置する２つの第１のＭＲ用リード１２
ａ及び１２ｂ間の間隙による面積が小さくなり、磁気媒
体の記録磁界に基づいて発生した磁束φの通過する鎖交
面積が小さくなる。その結果、あたかも１ターンのコイ
ルのように動作する２つの第１のＭＲ用リード１２ａ及
び１２ｂ及びＭＲ膜１０の鎖交磁束数が最小となり、そ
の等価的なコイルの起電力が無視できるほど小さくな
る。従って、ＭＲヘッドから得られる本来の読み出し信
号電圧の変動が最小となる。
び１２ｂの間隔Ｄを１０μｍ以下に設定することによ
り、下部磁気シールド膜３３及び上部磁気シールド膜３
２間に挟まれて位置する２つの第１のＭＲ用リード１２
ａ及び１２ｂ間の間隙による面積が小さくなり、磁気媒
体の記録磁界に基づいて発生した磁束φの通過する鎖交
面積が小さくなる。その結果、あたかも１ターンのコイ
ルのように動作する２つの第１のＭＲ用リード１２ａ及
び１２ｂ及びＭＲ膜１０の鎖交磁束数が最小となり、そ
の等価的なコイルの起電力が無視できるほど小さくな
る。従って、ＭＲヘッドから得られる本来の読み出し信
号電圧の変動が最小となる。
【００２８】図５は、本発明の他の実施例における複合
型薄膜磁気ヘッドを備えた浮上型磁気ヘッドユニットの
概略構成を示す斜視図である。
型薄膜磁気ヘッドを備えた浮上型磁気ヘッドユニットの
概略構成を示す斜視図である。
【００２９】同図に示すように、本実施例の浮上型磁気
ヘッドユニットにおいては、スライダ５０のＡＢＳ面側
に磁気媒体に対する磁気ヘッドの相対的な走行方向に沿
って互いに平行に伸長する２つのレール部５１及び５２
が突設されており、その一方のレール部５１の後端面５
３にはＭＲヘッド部及びインダクティブヘッド部が設け
られている。
ヘッドユニットにおいては、スライダ５０のＡＢＳ面側
に磁気媒体に対する磁気ヘッドの相対的な走行方向に沿
って互いに平行に伸長する２つのレール部５１及び５２
が突設されており、その一方のレール部５１の後端面５
３にはＭＲヘッド部及びインダクティブヘッド部が設け
られている。
【００３０】図６は、図５の複合型薄膜磁気ヘッドにお
けるリード及び外部接続用端子の部分を、同じく後端面
側から概略的に表したものである。
けるリード及び外部接続用端子の部分を、同じく後端面
側から概略的に表したものである。
【００３１】これらの図において、６０はＭＲヘッド部
のＭＲ膜、６１はこのＭＲヘッド部の上に積層されたイ
ンダクティブヘッド部のインダクティブコイルをそれぞ
れ示している。
のＭＲ膜、６１はこのＭＲヘッド部の上に積層されたイ
ンダクティブヘッド部のインダクティブコイルをそれぞ
れ示している。
【００３２】パーマロイ等によって形成されたＭＲ膜６
０の両端部には、Ｗ等の耐摩耗性を有する導電材からな
る第１のＭＲ用リード６２ａ及び６２ｂの一端がそれぞ
れ接続されている。この第１のＭＲ用リード６２ａ及び
６２ｂの他端は、例えばパーマロイ又はＣｕなどによる
スルーホール導体６３ａ及び６３ｂをそれぞれ介してＣ
ｕ等の良導体による第２のＭＲ用リード６４ａ及び６４
ｂの一端にそれぞれ接続されている。第２のＭＲ用リー
ド６４ａ及び６４ｂの他端はバンプ６５ａ及び６５ｂに
それぞれ接続されている。Ｃｕ等の良導体によるインダ
クティブコイル６１には同じくＣｕ等の良導体によるイ
ンダクティブ用リード６６ａ及び６６ｂの一端がそれぞ
れ接続されており、このインダクティブ用リード６６ａ
及び６６ｂの他端はバンプ６７ａ及び６７ｂにそれぞれ
接続されている。バンプ６５ａ及び６５ｂとバンプ６７
ａ及び６７ｂとは、本実施例においては、Ｃｕ層の上に
Ａｕが被覆されて形成されている。
０の両端部には、Ｗ等の耐摩耗性を有する導電材からな
る第１のＭＲ用リード６２ａ及び６２ｂの一端がそれぞ
れ接続されている。この第１のＭＲ用リード６２ａ及び
６２ｂの他端は、例えばパーマロイ又はＣｕなどによる
スルーホール導体６３ａ及び６３ｂをそれぞれ介してＣ
ｕ等の良導体による第２のＭＲ用リード６４ａ及び６４
ｂの一端にそれぞれ接続されている。第２のＭＲ用リー
ド６４ａ及び６４ｂの他端はバンプ６５ａ及び６５ｂに
それぞれ接続されている。Ｃｕ等の良導体によるインダ
クティブコイル６１には同じくＣｕ等の良導体によるイ
ンダクティブ用リード６６ａ及び６６ｂの一端がそれぞ
れ接続されており、このインダクティブ用リード６６ａ
及び６６ｂの他端はバンプ６７ａ及び６７ｂにそれぞれ
接続されている。バンプ６５ａ及び６５ｂとバンプ６７
ａ及び６７ｂとは、本実施例においては、Ｃｕ層の上に
Ａｕが被覆されて形成されている。
【００３３】図６からも明らかのように、第１のＭＲ用
リード６２ａ及び６２ｂはインダクティブ用リード６６
ａ及び６６ｂよりＭＲ膜側にその全長がそれぞれ位置し
ている。換言すれば、この第１のＭＲ用リード６２ａ及
び６２ｂの他端に接続されるスルーホール導体６３ａ及
び６３ｂが、インダクティブ用リード６６ａ及び６６ｂ
よりＭＲ膜側にそれぞれ存在しており、ＭＲ膜６０によ
り近い位置に配置されている。また、同図から明らかの
ように、第１のＭＲ用リード６２ａ及び６２ｂのＭＲ膜
側の一部における幅は、第２のＭＲ用リード６４ａ及び
６４ｂの幅より大きく設定されている。
リード６２ａ及び６２ｂはインダクティブ用リード６６
ａ及び６６ｂよりＭＲ膜側にその全長がそれぞれ位置し
ている。換言すれば、この第１のＭＲ用リード６２ａ及
び６２ｂの他端に接続されるスルーホール導体６３ａ及
び６３ｂが、インダクティブ用リード６６ａ及び６６ｂ
よりＭＲ膜側にそれぞれ存在しており、ＭＲ膜６０によ
り近い位置に配置されている。また、同図から明らかの
ように、第１のＭＲ用リード６２ａ及び６２ｂのＭＲ膜
側の一部における幅は、第２のＭＲ用リード６４ａ及び
６４ｂの幅より大きく設定されている。
【００３４】従って、図１の実施例の場合と同様に、第
１のＭＲ用リード６２ａ及び６２ｂの全長が従来技術の
ものに比して大幅に短くなると共にその幅が一部で広く
取られているので、そのリードに沿った全抵抗が大幅に
小さくなる。その結果、ＭＲヘッドの消費電力の低減化
が図れると共に熱雑音の発生を少なくすることができ
る。
１のＭＲ用リード６２ａ及び６２ｂの全長が従来技術の
ものに比して大幅に短くなると共にその幅が一部で広く
取られているので、そのリードに沿った全抵抗が大幅に
小さくなる。その結果、ＭＲヘッドの消費電力の低減化
が図れると共に熱雑音の発生を少なくすることができ
る。
【００３５】また、本実施例におけるＭＲヘッド部のＡ
ＢＳ面に近い部分の構成も、図１の実施例の場合と全く
同様であり、第１のＭＲ用リード６２ａ及び６２ｂのＭ
Ｒ膜６０との接続部のトラック幅を規定する間隔ＴＷよ
り後方側（ＡＢＳ面から離れる方向）における間隔Ｄは
１０μｍ以下に設定されている。間隔Ｄの下限値は、Ｍ
Ｒ用リード６２ａ及び６２ｂの間の電気的絶縁性の確保
や、フォトリソグラフィのパターン形成の容易性等によ
って定まり、実際的には３μｍ以上となる。なお、図示
の例では、間隔Ｄが間隔ＴＷより大きくなっており、こ
れが一般的であるが、間隔Ｄが間隔ＴＷに等しくなるこ
ともあり得る。
ＢＳ面に近い部分の構成も、図１の実施例の場合と全く
同様であり、第１のＭＲ用リード６２ａ及び６２ｂのＭ
Ｒ膜６０との接続部のトラック幅を規定する間隔ＴＷよ
り後方側（ＡＢＳ面から離れる方向）における間隔Ｄは
１０μｍ以下に設定されている。間隔Ｄの下限値は、Ｍ
Ｒ用リード６２ａ及び６２ｂの間の電気的絶縁性の確保
や、フォトリソグラフィのパターン形成の容易性等によ
って定まり、実際的には３μｍ以上となる。なお、図示
の例では、間隔Ｄが間隔ＴＷより大きくなっており、こ
れが一般的であるが、間隔Ｄが間隔ＴＷに等しくなるこ
ともあり得る。
【００３６】このように、第１のＭＲ用リード６２ａ及
び６２ｂの間隔Ｄを１０μｍ以下に設定することによ
り、図１の実施例の場合と同様に、あたかも１ターンの
コイルのように動作する２つの第１のＭＲ用リード６２
ａ及び６２ｂ及びＭＲ膜６０の鎖交磁束数が最小とな
り、その等価的なコイルの起電力が無視できるほど小さ
くなる。従って、ＭＲヘッドから得られる本来の読み出
し信号電圧の変動が最小となる。
び６２ｂの間隔Ｄを１０μｍ以下に設定することによ
り、図１の実施例の場合と同様に、あたかも１ターンの
コイルのように動作する２つの第１のＭＲ用リード６２
ａ及び６２ｂ及びＭＲ膜６０の鎖交磁束数が最小とな
り、その等価的なコイルの起電力が無視できるほど小さ
くなる。従って、ＭＲヘッドから得られる本来の読み出
し信号電圧の変動が最小となる。
【００３７】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、ＭＲ膜上に直接形成されておりかつ第２のリード導
体より大きな比抵抗を有する異なる材料で形成された第
１のリード導体のＭＲ膜に近い側の部分の幅が、この第
２のリード導体の幅より大きく設定されていると共にス
ルーホール導体がインダクティブヘッド部のリード導体
よりＭＲ膜側に配置されている。このため、その構造上
から膜厚を薄くせざるを得ないと共に比抵抗が大きく耐
摩耗性の高い導電材で形成される第１のＭＲ用リードの
電気抵抗が大幅に小さくなり、その結果、消費電力の大
幅な低減化が図れかつ熱雑音も大幅に低減できる。ま
た、下部磁気シールド膜及び上部磁気シールド膜に挟ま
れた部分の２つの第１のＭＲ用リードの間隔が１０μｍ
以下に設定されているので、下部磁気シールド膜及び上
部磁気シールド膜間に挟まれて位置する第１のＭＲ用リ
ード間の間隙が小さくなり、あたかも１ターンのコイル
のように動作する第１のＭＲ用リード及びＭＲ膜の鎖交
磁束数が最小となり、その等価的なコイルの起電力が無
視できるほど小さくなる。従って、ＭＲヘッドの雑音が
抑制されてこのＭＲヘッドから得られる本来の読み出し
信号電圧の変動が最小となる。
ば、ＭＲ膜上に直接形成されておりかつ第２のリード導
体より大きな比抵抗を有する異なる材料で形成された第
１のリード導体のＭＲ膜に近い側の部分の幅が、この第
２のリード導体の幅より大きく設定されていると共にス
ルーホール導体がインダクティブヘッド部のリード導体
よりＭＲ膜側に配置されている。このため、その構造上
から膜厚を薄くせざるを得ないと共に比抵抗が大きく耐
摩耗性の高い導電材で形成される第１のＭＲ用リードの
電気抵抗が大幅に小さくなり、その結果、消費電力の大
幅な低減化が図れかつ熱雑音も大幅に低減できる。ま
た、下部磁気シールド膜及び上部磁気シールド膜に挟ま
れた部分の２つの第１のＭＲ用リードの間隔が１０μｍ
以下に設定されているので、下部磁気シールド膜及び上
部磁気シールド膜間に挟まれて位置する第１のＭＲ用リ
ード間の間隙が小さくなり、あたかも１ターンのコイル
のように動作する第１のＭＲ用リード及びＭＲ膜の鎖交
磁束数が最小となり、その等価的なコイルの起電力が無
視できるほど小さくなる。従って、ＭＲヘッドの雑音が
抑制されてこのＭＲヘッドから得られる本来の読み出し
信号電圧の変動が最小となる。
【図１】図２の実施例の複合型薄膜磁気ヘッドにおける
リード及び外部接続用端子の部分を後端面側から概略的
に表した図である。
リード及び外部接続用端子の部分を後端面側から概略的
に表した図である。
【図２】本発明の一実施例として複合型薄膜磁気ヘッド
を備えた浮上型磁気ヘッドユニットを示す斜視図であ
る。
を備えた浮上型磁気ヘッドユニットを示す斜視図であ
る。
【図３】図２の実施例におけるＭＲヘッド部のＡＢＳ面
に近い部分の構成をモデル化して表した平面図である。
に近い部分の構成をモデル化して表した平面図である。
【図４】図３のIV−IV線断面図である。
【図５】本発明の他の実施例として複合型薄膜磁気ヘッ
ドを備えた浮上型磁気ヘッドユニットを示す斜視図であ
る。
ドを備えた浮上型磁気ヘッドユニットを示す斜視図であ
る。
【図６】図５の実施例の複合型薄膜磁気ヘッドにおける
リード及び外部接続用端子の部分を後端面側から概略的
に表した図である。
リード及び外部接続用端子の部分を後端面側から概略的
に表した図である。
【図７】従来の複合型薄膜磁気ヘッドにおけるリード及
び外部接続用端子の部分を後端面側から概略的に表した
図である。
び外部接続用端子の部分を後端面側から概略的に表した
図である。
１０、６０ ＭＲヘッド部 １１、６１ インダクティブヘッド部 １２ａ、１２ｂ、６２ａ、６２ｂ 第１のＭＲ用リード １３ａ、１３ｂ、６３ａ、６３ｂ スルーホール導体 １４ａ、１４ｂ、６４ａ、６４ｂ 第２のＭＲ用リード １５ａ、１５ｂ、１７ａ、１７ｂ、６５ａ、６５ｂ、６
７ａ、６７ｂ 外部接続用端子（バンプ） １６ａ、１６ｂ、６６ａ、６６ｂ インダクティブ用リ
ード ３０、３１ 電気的絶縁層 ３２ 上部磁気シールド膜 ３３ 下部磁気シールド膜
７ａ、６７ｂ 外部接続用端子（バンプ） １６ａ、１６ｂ、６６ａ、６６ｂ インダクティブ用リ
ード ３０、３１ 電気的絶縁層 ３２ 上部磁気シールド膜 ３３ 下部磁気シールド膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−107718（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−109510（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−276110（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−27419（ＪＰ，Ａ) 特公 平１−1846（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 5/31
Claims (1)
- 【請求項１】 再生用の磁気抵抗効果ヘッド部と、該磁
気抵抗効果ヘッド部に積層して形成された記録用のイン
ダクティブヘッド部とを有しており、前記磁気抵抗効果
ヘッド部が、磁気抵抗効果膜と、一端が該磁気抵抗効果
膜上に直接形成された２つの第１のリード導体と、一端
が該２つの第１のリード導体の他端にスルーホール導体
を介してそれぞれ接続されておりかつ該第１のリード導
体より小さな比抵抗を有する異なる材料で形成された２
つの第２のリード導体と、該２つの第２のリード導体の
他端にそれぞれ接続された２つの外部接続用端子と、前
記磁気抵抗効果膜及び前記２つの第１のリード導体を上
下方向から挟んで配置された下部磁気シールド膜及び上
部磁気シールド膜とを有し、かつ前記インダクティブヘ
ッド部が、インダクティブコイルと、一端が該インダク
ティブコイルにそれぞれ接続された２つのリード導体
と、該２つのリード導体の他端にそれぞれ接続された２
つの外部接続用端子とを有する複合型薄膜磁気ヘッドで
あって、前記下部磁気シールド膜及び前記上部磁気シー
ルド膜間に挟まれた部分の前記２つの第１のリード導体
の間隔が１０μｍ以下に設定されていると共に、該第１
のリード導体の前記磁気抵抗効果膜に近い側の部分の幅
が前記第２のリード導体の幅より大きく設定されてお
り、かつ前記スルーホール導体が前記インダクティブヘ
ッド部の前記リード導体より磁気抵抗効果膜側に配置さ
れていることを特徴とする複合型薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4353745A JP2982841B2 (ja) | 1992-12-15 | 1992-12-15 | 複合型薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4353745A JP2982841B2 (ja) | 1992-12-15 | 1992-12-15 | 複合型薄膜磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06180823A JPH06180823A (ja) | 1994-06-28 |
| JP2982841B2 true JP2982841B2 (ja) | 1999-11-29 |
Family
ID=18432937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4353745A Expired - Fee Related JP2982841B2 (ja) | 1992-12-15 | 1992-12-15 | 複合型薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2982841B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005293663A (ja) | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Tdk Corp | 複合型薄膜磁気ヘッド |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60107718A (ja) * | 1983-11-17 | 1985-06-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 薄膜再生ヘツド |
| JPS641846A (en) * | 1987-06-24 | 1989-01-06 | National House Ind Co Ltd | Fitting structure of bearing wall |
-
1992
- 1992-12-15 JP JP4353745A patent/JP2982841B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06180823A (ja) | 1994-06-28 |
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Legal Events
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970513 |
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| S533 | Written request for registration of change of name |
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