JPH087229A - 磁気抵抗効果型磁気ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘッドInfo
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＭＲ素子を構成する２層のＭＲ薄膜のＭＲ効
果のバランスを保ち、バルクハウゼンノイズの発生を抑
え、出力を安定化させる。 【構成】 下層磁気シールドコア７，上層磁気シールド
コア８間に、２層のＭＲ薄膜９ａ，９ｂにより構成され
るＭＲ素子４を、下層磁気シールドコア７，ＭＲ薄膜９
ａ間の距離ｄ1 が上層磁気シールドコア８，ＭＲ薄膜９
ｂ間の距離ｄ2 よりも近くなるように配し、下層磁気シ
ールドコア７側のＭＲ薄膜９ａの膜厚を上層磁気シール
ドコア９ｂ側のＭＲ薄膜９ｂの膜厚よりも薄くする。な
お、ＭＲ薄膜９ａの膜厚をｔ1 、ＭＲ薄膜９ｂの膜厚を
ｔ2 としたときに、０．５＜ｔ1 ／ｔ2 ＜０．７とする
ことが好ましい。さらに、ＭＲ薄膜９ａの比抵抗をＭＲ
薄膜９ｂの比抵抗よりも大としても良い。そして、ＭＲ
薄膜９ａの比抵抗をρ1 、ＭＲ薄膜９ｂの比抵抗をρ2
としたときに、ρ1 ／ρ2 ＞４とすることが好ましい。
果のバランスを保ち、バルクハウゼンノイズの発生を抑
え、出力を安定化させる。 【構成】 下層磁気シールドコア７，上層磁気シールド
コア８間に、２層のＭＲ薄膜９ａ，９ｂにより構成され
るＭＲ素子４を、下層磁気シールドコア７，ＭＲ薄膜９
ａ間の距離ｄ1 が上層磁気シールドコア８，ＭＲ薄膜９
ｂ間の距離ｄ2 よりも近くなるように配し、下層磁気シ
ールドコア７側のＭＲ薄膜９ａの膜厚を上層磁気シール
ドコア９ｂ側のＭＲ薄膜９ｂの膜厚よりも薄くする。な
お、ＭＲ薄膜９ａの膜厚をｔ1 、ＭＲ薄膜９ｂの膜厚を
ｔ2 としたときに、０．５＜ｔ1 ／ｔ2 ＜０．７とする
ことが好ましい。さらに、ＭＲ薄膜９ａの比抵抗をＭＲ
薄膜９ｂの比抵抗よりも大としても良い。そして、ＭＲ
薄膜９ａの比抵抗をρ1 、ＭＲ薄膜９ｂの比抵抗をρ2
としたときに、ρ1 ／ρ2 ＞４とすることが好ましい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドに関し、詳細には磁気抵抗効果素子を構成する磁気
抵抗効果薄膜の改良に関する。
ッドに関し、詳細には磁気抵抗効果素子を構成する磁気
抵抗効果薄膜の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】ハードディスクドライブ装置等において
再生用磁気ヘッドとして用いられている磁気抵抗効果型
磁気ヘッド（以下、ＭＲヘッドと称する。）は、媒体対
向面に臨む間隙を有して配される一対の磁気シールドコ
ア間に非磁性層を介して磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ
素子と称する。）が挟み込まれるようにして配されたも
のである。
再生用磁気ヘッドとして用いられている磁気抵抗効果型
磁気ヘッド（以下、ＭＲヘッドと称する。）は、媒体対
向面に臨む間隙を有して配される一対の磁気シールドコ
ア間に非磁性層を介して磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ
素子と称する。）が挟み込まれるようにして配されたも
のである。
【０００３】すなわち、上記ＭＲヘッドにおいては、一
対の磁気シールドコアにより余分な外部磁界をシールド
して、目的とする外部磁界のみがＭＲ素子に入るように
しており、上記外部磁界によりＭＲ素子の抵抗が変化す
ることを利用して情報の再生を行う。また、上記一対の
磁気シールドコアとＭＲ素子間に非磁性層により形成さ
れる２箇所の間隙を再生用ギャップと称している。
対の磁気シールドコアにより余分な外部磁界をシールド
して、目的とする外部磁界のみがＭＲ素子に入るように
しており、上記外部磁界によりＭＲ素子の抵抗が変化す
ることを利用して情報の再生を行う。また、上記一対の
磁気シールドコアとＭＲ素子間に非磁性層により形成さ
れる２箇所の間隙を再生用ギャップと称している。
【０００４】上記ＭＲ素子は２層の磁気抵抗効果薄膜
（以下、ＭＲ薄膜と称する。）を絶縁層を介して積層し
たものとされ、該ＭＲ素子の媒体対向面側には先端電
極、他端側には後端電極がそれぞれ接続されており、こ
れら先端電極，後端電極を通じてセンス電流が流れるよ
うになされている。なお、このように、ＭＲ素子を２層
のＭＲ薄膜を絶縁層を介して積層したものとすると、バ
ルクハウゼンノイズが抑制され、外部からの静電気に対
しても強いＭＲヘッドが得られる。
（以下、ＭＲ薄膜と称する。）を絶縁層を介して積層し
たものとされ、該ＭＲ素子の媒体対向面側には先端電
極、他端側には後端電極がそれぞれ接続されており、こ
れら先端電極，後端電極を通じてセンス電流が流れるよ
うになされている。なお、このように、ＭＲ素子を２層
のＭＲ薄膜を絶縁層を介して積層したものとすると、バ
ルクハウゼンノイズが抑制され、外部からの静電気に対
しても強いＭＲヘッドが得られる。
【０００５】次に、上記のようなＭＲヘッドにおける再
生の原理について説明する。図５に示すように２層のＭ
Ｒ薄膜１０１，１０２に対して図中ｘ方向にセンス電流
を流すと、図６に示すようにＭＲ薄膜１０１，１０２に
は図中矢印Ｈｓ1 ，Ｈｓ2 で示す磁界がそれぞれかか
り、各ＭＲ薄膜１０１，１０２の磁化の向きは図中矢印
Ｍｏ1 ，Ｍｏ2 で示す図中ｘ方向に対して図中θ1 ，θ
2 で示す角度を有するものとなり、単磁区化される。
生の原理について説明する。図５に示すように２層のＭ
Ｒ薄膜１０１，１０２に対して図中ｘ方向にセンス電流
を流すと、図６に示すようにＭＲ薄膜１０１，１０２に
は図中矢印Ｈｓ1 ，Ｈｓ2 で示す磁界がそれぞれかか
り、各ＭＲ薄膜１０１，１０２の磁化の向きは図中矢印
Ｍｏ1 ，Ｍｏ2 で示す図中ｘ方向に対して図中θ1 ，θ
2 で示す角度を有するものとなり、単磁区化される。
【０００６】この状態で、上記ＭＲ薄膜１０１，１０２
に図中矢印Ｈｅｘで示す外部磁界が入ってくると、各Ｍ
Ｒ薄膜１０１，１０２の磁化の向きＭｏ1 ，Ｍｏ2 が回
転し、すなわち磁化の向きＭｏ1 ，Ｍｏ2 の図中ｘ方向
に対する角度θ1 ，θ2 が変化して、各ＭＲ薄膜１０
１，１０２内部に流れるセンス電流の向きに対して磁束
量に応じた角度となる。そのため、各ＭＲ薄膜１０１，
１０２の電気抵抗値が変化し、この変化量に応じた電圧
変化が各ＭＲ薄膜１０１，１０２の両端間に生じる。そ
して、この電圧の変化を検出することによって情報の再
生を行う。
に図中矢印Ｈｅｘで示す外部磁界が入ってくると、各Ｍ
Ｒ薄膜１０１，１０２の磁化の向きＭｏ1 ，Ｍｏ2 が回
転し、すなわち磁化の向きＭｏ1 ，Ｍｏ2 の図中ｘ方向
に対する角度θ1 ，θ2 が変化して、各ＭＲ薄膜１０
１，１０２内部に流れるセンス電流の向きに対して磁束
量に応じた角度となる。そのため、各ＭＲ薄膜１０１，
１０２の電気抵抗値が変化し、この変化量に応じた電圧
変化が各ＭＲ薄膜１０１，１０２の両端間に生じる。そ
して、この電圧の変化を検出することによって情報の再
生を行う。
【０００７】このようなＭＲ薄膜１０１，１０２の図６
中に示す（図６中にはＭＲ薄膜１０２のみについて示
す。）図中ｘ方向の長さＬが２０μｍ、図中ｙ方向の長
さＷが６μｍとした場合のＭＲカーブを図７に示す。な
お、図７（Ａ）においてはセンス電流が１０ｍＡのと
き、図７（Ｂ）においてはセンス電流が１ｍＡのときの
ＭＲカーブを示す。
中に示す（図６中にはＭＲ薄膜１０２のみについて示
す。）図中ｘ方向の長さＬが２０μｍ、図中ｙ方向の長
さＷが６μｍとした場合のＭＲカーブを図７に示す。な
お、図７（Ａ）においてはセンス電流が１０ｍＡのと
き、図７（Ｂ）においてはセンス電流が１ｍＡのときの
ＭＲカーブを示す。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
なＭＲヘッドにおいては、一対の磁気シールドコアとＭ
Ｒ素子間の非磁性層により形成される２箇所の間隙、す
なわち再生用ギャップの狭ギャップ化が進められてい
る。
なＭＲヘッドにおいては、一対の磁気シールドコアとＭ
Ｒ素子間の非磁性層により形成される２箇所の間隙、す
なわち再生用ギャップの狭ギャップ化が進められてい
る。
【０００９】そして、上記ＭＲヘッドにおいては、２箇
所の再生用ギャップの大きさが必ずしも同等ではなく、
むしろ異なることが多い。
所の再生用ギャップの大きさが必ずしも同等ではなく、
むしろ異なることが多い。
【００１０】このようなＭＲヘッドで狭ギャップ化が進
められると、ＭＲ素子を形成する２層のＭＲ薄膜のう
ち、磁気シールドコアに近い方のＭＲ薄膜においては、
上記ＭＲ薄膜と磁気シールドコアが磁気的に結合して磁
気的に厚い膜となってしまい、２層のＭＲ薄膜間のＭＲ
効果のバランスを崩す可能性が高い。
められると、ＭＲ素子を形成する２層のＭＲ薄膜のう
ち、磁気シールドコアに近い方のＭＲ薄膜においては、
上記ＭＲ薄膜と磁気シールドコアが磁気的に結合して磁
気的に厚い膜となってしまい、２層のＭＲ薄膜間のＭＲ
効果のバランスを崩す可能性が高い。
【００１１】このことは、ＭＲヘッドのＭＲ素子を１層
のＭＲ薄膜により構成した場合に、該ＭＲ素子が一対の
磁気シールドコアのうちの近い方と磁気的に結合し、Ｍ
Ｒ素子が単磁区となり、ＭＲ素子の挙動が安定化される
ことからも確認されている。
のＭＲ薄膜により構成した場合に、該ＭＲ素子が一対の
磁気シールドコアのうちの近い方と磁気的に結合し、Ｍ
Ｒ素子が単磁区となり、ＭＲ素子の挙動が安定化される
ことからも確認されている。
【００１２】そこで、図８にＭＲヘッドの一方のギャッ
プ長を変化させた場合のＭＲ素子を構成する２層のＭＲ
薄膜の磁化の比の変化を計算した結果を示す。なお、磁
化の比はギャップ長を変化させた側のＭＲ薄膜の磁化
（φ3 ）の他方のＭＲ薄膜の磁化（φ4 ）に対する割合
で示す。図中横軸はギャップ長を示し、縦軸はφ3 ／φ
4 で表される磁化の比を示す。
プ長を変化させた場合のＭＲ素子を構成する２層のＭＲ
薄膜の磁化の比の変化を計算した結果を示す。なお、磁
化の比はギャップ長を変化させた側のＭＲ薄膜の磁化
（φ3 ）の他方のＭＲ薄膜の磁化（φ4 ）に対する割合
で示す。図中横軸はギャップ長を示し、縦軸はφ3 ／φ
4 で表される磁化の比を示す。
【００１３】図８の結果から、一方のギャップ長が０．
３５μｍ以下となると、２層のＭＲ薄膜の磁化の比が６
０％に達しなくなり、ギャップ長を変化させた側のＭＲ
薄膜の磁化が十分でないことがわかる。すなわち、上記
ＭＲ薄膜が磁気シールドコアと磁気的に結合して磁気的
に厚い膜となり、２層のＭＲ薄膜間の磁化のバランス、
言い換えれば、ＭＲ効果のバランスが崩れていることが
わかる。
３５μｍ以下となると、２層のＭＲ薄膜の磁化の比が６
０％に達しなくなり、ギャップ長を変化させた側のＭＲ
薄膜の磁化が十分でないことがわかる。すなわち、上記
ＭＲ薄膜が磁気シールドコアと磁気的に結合して磁気的
に厚い膜となり、２層のＭＲ薄膜間の磁化のバランス、
言い換えれば、ＭＲ効果のバランスが崩れていることが
わかる。
【００１４】そして、このように、ＭＲ素子を構成する
２層のＭＲ薄膜間のバランスが崩れると、バルクハウゼ
ンノイズが発生し、出力が不安定となりやすい。
２層のＭＲ薄膜間のバランスが崩れると、バルクハウゼ
ンノイズが発生し、出力が不安定となりやすい。
【００１５】ＭＲ素子を構成する２層のＭＲ薄膜のＭＲ
効果のバランスをわざと崩した場合のＭＲカーブを図９
に示す。図９（Ａ）はＭＲカーブの全体を示し、図９
（Ｂ）は外部磁界の小さい領域でのＭＲカーブを示す。
そして、図９の結果から、磁界の小さいところでとびが
生じることがわかる。すなわち、ＭＲ薄膜間のＭＲ効果
のバランスが崩れると、バルクハウゼンノイズが発生
し、出力が不安定となることが確認された。
効果のバランスをわざと崩した場合のＭＲカーブを図９
に示す。図９（Ａ）はＭＲカーブの全体を示し、図９
（Ｂ）は外部磁界の小さい領域でのＭＲカーブを示す。
そして、図９の結果から、磁界の小さいところでとびが
生じることがわかる。すなわち、ＭＲ薄膜間のＭＲ効果
のバランスが崩れると、バルクハウゼンノイズが発生
し、出力が不安定となることが確認された。
【００１６】そこで、本発明は従来の実情に鑑みて提案
されるものであり、ＭＲ素子が２層のＭＲ薄膜により構
成される場合に、これらＭＲ薄膜のＭＲ効果のバランス
が保たれ、バルクハウゼンノイズの発生が抑えられ、出
力が安定している磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提供する
ことを目的とする。
されるものであり、ＭＲ素子が２層のＭＲ薄膜により構
成される場合に、これらＭＲ薄膜のＭＲ効果のバランス
が保たれ、バルクハウゼンノイズの発生が抑えられ、出
力が安定している磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提供する
ことを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】ＭＲ素子を構成する２層
のＭＲ薄膜のうち、磁気シールドコアに近い方のＭＲ薄
膜は磁気シールドコアと磁気的に結合して磁気的に厚い
膜となっており、このＭＲ薄膜にある大きさの外部磁界
が入ってきた場合に、その一部は磁気シールドコア側に
漏れてしまい、該ＭＲ薄膜のＭＲ効果は他方のＭＲ薄膜
に同じ大きさの外部磁界が入ってきた場合と比較して低
い。このことを考慮し、本発明者等が鋭意検討した結
果、磁気シールドコアに近い方のＭＲ薄膜の抵抗を他方
のＭＲ薄膜と比べて高くし、同じ大きさの外部磁界が入
ってきたときに、２層のＭＲ薄膜間のＭＲ効果に差が生
じないようにすれば良いことを見い出した。
のＭＲ薄膜のうち、磁気シールドコアに近い方のＭＲ薄
膜は磁気シールドコアと磁気的に結合して磁気的に厚い
膜となっており、このＭＲ薄膜にある大きさの外部磁界
が入ってきた場合に、その一部は磁気シールドコア側に
漏れてしまい、該ＭＲ薄膜のＭＲ効果は他方のＭＲ薄膜
に同じ大きさの外部磁界が入ってきた場合と比較して低
い。このことを考慮し、本発明者等が鋭意検討した結
果、磁気シールドコアに近い方のＭＲ薄膜の抵抗を他方
のＭＲ薄膜と比べて高くし、同じ大きさの外部磁界が入
ってきたときに、２層のＭＲ薄膜間のＭＲ効果に差が生
じないようにすれば良いことを見い出した。
【００１８】すなわち本発明は、２層の磁気抵抗効果薄
膜が絶縁層を介して積層されてなる磁気抵抗効果素子が
一対の磁気シールドコア間に配されてなる磁気抵抗効果
型磁気ヘッドにおいて、上記磁気抵抗効果素子を構成す
る２層の磁気抵抗効果薄膜のうち、磁気シールドコアに
近い方の磁気抵抗効果薄膜の膜厚を、磁気シールドコア
から遠い方の磁気抵抗効果薄膜の膜厚よりも薄くしたこ
とを特徴とするものである。
膜が絶縁層を介して積層されてなる磁気抵抗効果素子が
一対の磁気シールドコア間に配されてなる磁気抵抗効果
型磁気ヘッドにおいて、上記磁気抵抗効果素子を構成す
る２層の磁気抵抗効果薄膜のうち、磁気シールドコアに
近い方の磁気抵抗効果薄膜の膜厚を、磁気シールドコア
から遠い方の磁気抵抗効果薄膜の膜厚よりも薄くしたこ
とを特徴とするものである。
【００１９】なお、上記の本発明の磁気抵抗効果型磁気
ヘッドにおいては、磁気シールドコアに近い方の磁気抵
抗効果薄膜の膜厚をｔ1 、磁気シールドコアから遠い方
の磁気抵抗効果薄膜の膜厚をｔ2 としたときに、０．５
＜ｔ1 ／ｔ2 ＜０．７とすることが好ましい。
ヘッドにおいては、磁気シールドコアに近い方の磁気抵
抗効果薄膜の膜厚をｔ1 、磁気シールドコアから遠い方
の磁気抵抗効果薄膜の膜厚をｔ2 としたときに、０．５
＜ｔ1 ／ｔ2 ＜０．７とすることが好ましい。
【００２０】また、本発明は、２層の磁気抵抗効果薄膜
が絶縁層を介して積層されてなる磁気抵抗効果素子が一
対の磁気シールドコア間に配されてなる磁気抵抗効果型
磁気ヘッドにおいて、上記磁気抵抗効果素子を構成する
２層の磁気抵抗効果薄膜のうち、磁気シールドコアに近
い方の磁気抵抗効果薄膜の比抵抗を、磁気シールドコア
から遠い方の磁気抵抗効果薄膜の比抵抗よりも大とした
ことを特徴とするものである。
が絶縁層を介して積層されてなる磁気抵抗効果素子が一
対の磁気シールドコア間に配されてなる磁気抵抗効果型
磁気ヘッドにおいて、上記磁気抵抗効果素子を構成する
２層の磁気抵抗効果薄膜のうち、磁気シールドコアに近
い方の磁気抵抗効果薄膜の比抵抗を、磁気シールドコア
から遠い方の磁気抵抗効果薄膜の比抵抗よりも大とした
ことを特徴とするものである。
【００２１】なお、上記の本発明の磁気抵抗効果型磁気
ヘッドにおいては、磁気シールドコアに近い方の磁気抵
抗効果薄膜の比抵抗をρ1 、磁気シールドコアから遠い
方の磁気抵抗効果薄膜の比抵抗をρ2 としたときに、ρ
1 ／ρ2 ＞４とすることが好ましい。
ヘッドにおいては、磁気シールドコアに近い方の磁気抵
抗効果薄膜の比抵抗をρ1 、磁気シールドコアから遠い
方の磁気抵抗効果薄膜の比抵抗をρ2 としたときに、ρ
1 ／ρ2 ＞４とすることが好ましい。
【００２２】さらに、上記の本発明の磁気抵抗効果型磁
気ヘッドにおいては、磁気抵抗効果素子を構成する２層
の磁気抵抗効果薄膜のうち、磁気シールドコアに近い方
の磁気抵抗効果薄膜の膜厚を、磁気シールドコアから遠
い方の磁気抵抗効果薄膜の膜厚よりも薄くしても良い。
気ヘッドにおいては、磁気抵抗効果素子を構成する２層
の磁気抵抗効果薄膜のうち、磁気シールドコアに近い方
の磁気抵抗効果薄膜の膜厚を、磁気シールドコアから遠
い方の磁気抵抗効果薄膜の膜厚よりも薄くしても良い。
【００２３】
【作用】本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて
は、一対の磁気シールドコア間に配される磁気抵抗効果
素子を構成する２層の磁気抵抗効果薄膜のうち、磁気シ
ールドコアに近い方の磁気抵抗効果薄膜の膜厚を、磁気
シールドコアから遠い方の磁気抵抗効果薄膜の膜厚より
も薄くしている。従って、磁気シールドコアと近い方の
磁気抵抗薄膜の抵抗が高くなり、ギャップ長が小さくな
って該磁気抵抗効果薄膜が磁気シールドコアと磁気的に
結合しても、２層の磁気抵抗効果薄膜の磁化が同程度と
なり、これら磁気抵抗効果薄膜のＭＲ効果のバランスが
保たれる。
は、一対の磁気シールドコア間に配される磁気抵抗効果
素子を構成する２層の磁気抵抗効果薄膜のうち、磁気シ
ールドコアに近い方の磁気抵抗効果薄膜の膜厚を、磁気
シールドコアから遠い方の磁気抵抗効果薄膜の膜厚より
も薄くしている。従って、磁気シールドコアと近い方の
磁気抵抗薄膜の抵抗が高くなり、ギャップ長が小さくな
って該磁気抵抗効果薄膜が磁気シールドコアと磁気的に
結合しても、２層の磁気抵抗効果薄膜の磁化が同程度と
なり、これら磁気抵抗効果薄膜のＭＲ効果のバランスが
保たれる。
【００２４】また本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッドに
おいては、一対の磁気シールドコア間に配される磁気抵
抗効果素子を構成する２層の磁気抵抗効果薄膜のうち、
磁気シールドコアに近い方の磁気抵抗効果薄膜の比抵抗
を、磁気シールドコアから遠い方の磁気抵抗効果薄膜の
比抵抗よりも大としている。従って、磁気シールドコア
と近い方の磁気抵抗薄膜の抵抗が高くなり、ギャップ長
が小さくなって該磁気抵抗効果薄膜が磁気シールドコア
と磁気的に結合しても、２層の磁気抵抗効果薄膜の磁化
が同程度となり、これら磁気抵抗効果薄膜のＭＲ効果の
バランスが保たれる。
おいては、一対の磁気シールドコア間に配される磁気抵
抗効果素子を構成する２層の磁気抵抗効果薄膜のうち、
磁気シールドコアに近い方の磁気抵抗効果薄膜の比抵抗
を、磁気シールドコアから遠い方の磁気抵抗効果薄膜の
比抵抗よりも大としている。従って、磁気シールドコア
と近い方の磁気抵抗薄膜の抵抗が高くなり、ギャップ長
が小さくなって該磁気抵抗効果薄膜が磁気シールドコア
と磁気的に結合しても、２層の磁気抵抗効果薄膜の磁化
が同程度となり、これら磁気抵抗効果薄膜のＭＲ効果の
バランスが保たれる。
【００２５】
【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて図面を参照しながら詳細に説明する。なお、本実施
例においては、一対の磁気シールドコアにより磁気抵抗
効果感磁部を挟み込んだＭＲヘッドと、上記一対の磁気
シールドコアのうちの一方の磁気シールドコア上にさら
に薄膜磁気コアを形成し、これらの間に記録用コイルを
形成したインダクティブヘッドよりなる複合型磁気ヘッ
ドの実施例について説明する。
いて図面を参照しながら詳細に説明する。なお、本実施
例においては、一対の磁気シールドコアにより磁気抵抗
効果感磁部を挟み込んだＭＲヘッドと、上記一対の磁気
シールドコアのうちの一方の磁気シールドコア上にさら
に薄膜磁気コアを形成し、これらの間に記録用コイルを
形成したインダクティブヘッドよりなる複合型磁気ヘッ
ドの実施例について説明する。
【００２６】本実施例の複合型磁気ヘッドは、図１に示
すように、媒体対向面１に臨む間隙である再生用ギャッ
プｇ1 を有するＭＲヘッドと、この媒体対向面１に記録
用磁気ギャップｇ2 を臨ませるインダクティブヘッドを
Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ基板等からなるスライダー２の一主
面上に積層形成した、いわゆる２ギャップタイプの記録
再生ヘッドとされている。
すように、媒体対向面１に臨む間隙である再生用ギャッ
プｇ1 を有するＭＲヘッドと、この媒体対向面１に記録
用磁気ギャップｇ2 を臨ませるインダクティブヘッドを
Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ基板等からなるスライダー２の一主
面上に積層形成した、いわゆる２ギャップタイプの記録
再生ヘッドとされている。
【００２７】ＭＲヘッドは、先端部と後端部にそれぞれ
図示しない定電流源からのセンス電流を通ずるための一
対の電極３ａ，３ｂ（以下、媒体対向面１側に設けられ
る電極３ａを先端電極３ａ，後端側に設けられる電極３
ｂを後端電極３ｂと称する。）が積層された磁気抵抗効
果素子４（以下、ＭＲ素子４と称する。）と該ＭＲ素子
４に所定の向きの磁化状態を与えるバイアス導体５とか
らなる磁気抵抗効果感磁部が非磁性層６ａ，６ｃを介し
て軟磁性材料よりなる下層，上層磁気シールドコア７，
８によって挟み込まれて形成されている。なお、上記軟
磁性材料としては、パーマロイ等が挙げられ、結晶，非
結晶材料のいずれでも良い。
図示しない定電流源からのセンス電流を通ずるための一
対の電極３ａ，３ｂ（以下、媒体対向面１側に設けられ
る電極３ａを先端電極３ａ，後端側に設けられる電極３
ｂを後端電極３ｂと称する。）が積層された磁気抵抗効
果素子４（以下、ＭＲ素子４と称する。）と該ＭＲ素子
４に所定の向きの磁化状態を与えるバイアス導体５とか
らなる磁気抵抗効果感磁部が非磁性層６ａ，６ｃを介し
て軟磁性材料よりなる下層，上層磁気シールドコア７，
８によって挟み込まれて形成されている。なお、上記軟
磁性材料としては、パーマロイ等が挙げられ、結晶，非
結晶材料のいずれでも良い。
【００２８】ＭＲ素子４の下側に設けられる下層磁気シ
ールドコア７は、上記スライダー２上に図示しない絶縁
層を介して上記媒体対向面１にその一端を臨ませるよう
にしてこの媒体対向面１に対して略直交する方向に延在
して設けられている。
ールドコア７は、上記スライダー２上に図示しない絶縁
層を介して上記媒体対向面１にその一端を臨ませるよう
にしてこの媒体対向面１に対して略直交する方向に延在
して設けられている。
【００２９】一方、これに対向して設けられる上層磁気
シールドコア８は、先の下層磁気シールドコア７と同様
に上記媒体対向面１にその一端を臨ませるようにしてこ
の媒体対向面１に対して略直交する方向に延在して設け
られる。
シールドコア８は、先の下層磁気シールドコア７と同様
に上記媒体対向面１にその一端を臨ませるようにしてこ
の媒体対向面１に対して略直交する方向に延在して設け
られる。
【００３０】そして、上記ＭＲ素子４は、インダクティ
ブヘッドの記録用磁気ギャップｇ2のトラック幅よりも
若干幅狭の長方形パターンとして形成され、その長手方
向が上記媒体対向面１に対して直交方向となるように設
けられるとともに、その一端縁が上記媒体対向面１に臨
むようになっている。
ブヘッドの記録用磁気ギャップｇ2のトラック幅よりも
若干幅狭の長方形パターンとして形成され、その長手方
向が上記媒体対向面１に対して直交方向となるように設
けられるとともに、その一端縁が上記媒体対向面１に臨
むようになっている。
【００３１】さらに、本実施例においては、上記ＭＲ素
子４を、図２に示すように、静磁的に結合する２層の磁
気抵抗薄膜９ａ，９ｂ（以下、ＭＲ薄膜９ａ，９ｂと称
する。）が非磁性の絶縁層１０を介して積層されたもの
とし、バルクハウゼンノイズの発生を回避するようにな
されている。なお、下層磁気シールドコア７側に配され
るものをＭＲ薄膜９ａとし、上層磁気シールドコア８側
に配されるものをＭＲ薄膜９ｂとし、これらＭＲ薄膜９
ａ，９ｂは強磁性薄膜により形成される。
子４を、図２に示すように、静磁的に結合する２層の磁
気抵抗薄膜９ａ，９ｂ（以下、ＭＲ薄膜９ａ，９ｂと称
する。）が非磁性の絶縁層１０を介して積層されたもの
とし、バルクハウゼンノイズの発生を回避するようにな
されている。なお、下層磁気シールドコア７側に配され
るものをＭＲ薄膜９ａとし、上層磁気シールドコア８側
に配されるものをＭＲ薄膜９ｂとし、これらＭＲ薄膜９
ａ，９ｂは強磁性薄膜により形成される。
【００３２】また、本実施例においては、ＭＲ薄膜９ａ
と下層磁気シールドコア７間の媒体対向面１側における
距離、すなわち非磁性層６ａの厚さであるギャップ長
が、ＭＲ薄膜９ｂと上層磁気シールドコア８間の媒体対
向面１側における距離、すなわち先端電極３ａの厚さで
あるギャップ長よりも小さいものとなされている。従っ
て、下層磁気シールドコア７とＭＲ薄膜９ａ間の距離ｄ
1 は、上層磁気シールドコア８とＭＲ薄膜９ｂ間の距離
ｄ2 よりも小さいものとなされ、下層磁気シールドコア
７とＭＲ薄膜９ａ間の方が、上層磁気シールドコア８と
ＭＲ薄膜９ｂ間よりも近いものとなされている。
と下層磁気シールドコア７間の媒体対向面１側における
距離、すなわち非磁性層６ａの厚さであるギャップ長
が、ＭＲ薄膜９ｂと上層磁気シールドコア８間の媒体対
向面１側における距離、すなわち先端電極３ａの厚さで
あるギャップ長よりも小さいものとなされている。従っ
て、下層磁気シールドコア７とＭＲ薄膜９ａ間の距離ｄ
1 は、上層磁気シールドコア８とＭＲ薄膜９ｂ間の距離
ｄ2 よりも小さいものとなされ、下層磁気シールドコア
７とＭＲ薄膜９ａ間の方が、上層磁気シールドコア８と
ＭＲ薄膜９ｂ間よりも近いものとなされている。
【００３３】そして、本実施例においては特に、下層磁
気シールドコア７側に配されるＭＲ薄膜９ａの膜厚を上
層磁気シールドコア８側に配されるＭＲ薄膜９ｂの膜厚
よりも薄くする、すなわち下層磁気シールドコア７側に
配されるＭＲ薄膜９ａの膜厚をｔ1 とし、上層磁気シー
ルドコア８側に配されるＭＲ薄膜の膜厚をｔ2 とした場
合に、０．５＜ｔ1 ／ｔ2 ＜０．７となるようにしてい
る。
気シールドコア７側に配されるＭＲ薄膜９ａの膜厚を上
層磁気シールドコア８側に配されるＭＲ薄膜９ｂの膜厚
よりも薄くする、すなわち下層磁気シールドコア７側に
配されるＭＲ薄膜９ａの膜厚をｔ1 とし、上層磁気シー
ルドコア８側に配されるＭＲ薄膜の膜厚をｔ2 とした場
合に、０．５＜ｔ1 ／ｔ2 ＜０．７となるようにしてい
る。
【００３４】一方、上記バイアス導体５は、平面長方形
状の細長い配線パターンとして形成され、上記ＭＲ素子
４上に絶縁層６ｂを介して所定の距離を隔てて積層され
ている。また、このバイアス導体５は、上記ＭＲ素子４
に対して略直交する方向、つまりＭＲ素子４を横切る形
で設けられている。そして、このバイアス導体５には長
手方向に直流電流であるバイアス電流が供給され、媒体
対向面１と直交する方向にバイアス磁界がＭＲ素子４に
印加される。
状の細長い配線パターンとして形成され、上記ＭＲ素子
４上に絶縁層６ｂを介して所定の距離を隔てて積層され
ている。また、このバイアス導体５は、上記ＭＲ素子４
に対して略直交する方向、つまりＭＲ素子４を横切る形
で設けられている。そして、このバイアス導体５には長
手方向に直流電流であるバイアス電流が供給され、媒体
対向面１と直交する方向にバイアス磁界がＭＲ素子４に
印加される。
【００３５】一方、インダクティブヘッドにおいては、
上層磁気シールドコア８を閉磁路を構成する他方の薄膜
磁気コアとし、この上層磁気シールドコア８に対向して
積層される薄膜磁気コア１１とによって上記媒体対向面
１に臨んでその前方端部間に記録用磁気ギャップｇ2 を
構成するようになっている。なお、薄膜磁気コア１１
は、後方端部で上記上層磁気シールドコア８に磁気的に
接触してバックギャップを構成するようになっている。
上層磁気シールドコア８を閉磁路を構成する他方の薄膜
磁気コアとし、この上層磁気シールドコア８に対向して
積層される薄膜磁気コア１１とによって上記媒体対向面
１に臨んでその前方端部間に記録用磁気ギャップｇ2 を
構成するようになっている。なお、薄膜磁気コア１１
は、後方端部で上記上層磁気シールドコア８に磁気的に
接触してバックギャップを構成するようになっている。
【００３６】そして、上記薄膜磁気コア１１と上層磁気
シールドコア８の接続部である磁気的結合部１２には、
この磁気的結合部１２を取り囲むようにしてスパイラル
状の記録用コイル１３が設けられている。記録用コイル
１３は、薄膜磁気コア１１と上層磁気シールドコア８と
の間の絶縁性を確保するために、絶縁層１４によって埋
め込まれている。なお、薄膜磁気コア１１上にもスライ
ダー２上に積層されるＭＲヘッドとインダクティブヘッ
ドを保護するための保護膜として機能する絶縁層１５が
設けられている。
シールドコア８の接続部である磁気的結合部１２には、
この磁気的結合部１２を取り囲むようにしてスパイラル
状の記録用コイル１３が設けられている。記録用コイル
１３は、薄膜磁気コア１１と上層磁気シールドコア８と
の間の絶縁性を確保するために、絶縁層１４によって埋
め込まれている。なお、薄膜磁気コア１１上にもスライ
ダー２上に積層されるＭＲヘッドとインダクティブヘッ
ドを保護するための保護膜として機能する絶縁層１５が
設けられている。
【００３７】本実施例の複合型磁気ヘッド中のＭＲヘッ
ドにおいては、前述のように、ＭＲ薄膜９ａと下層磁気
シールドコア７間の距離ｄ1 が、ＭＲ薄膜９ｂと上層磁
気シールドコア８間の距離ｄ2 よりも小さいものとなさ
れ、ＭＲ薄膜９ａの膜厚をｔ 1 とし、ＭＲ薄膜９ｂの膜
厚をｔ2 とした場合に、０．５＜ｔ1 ／ｔ2 ＜０．７と
なるようになされている。
ドにおいては、前述のように、ＭＲ薄膜９ａと下層磁気
シールドコア７間の距離ｄ1 が、ＭＲ薄膜９ｂと上層磁
気シールドコア８間の距離ｄ2 よりも小さいものとなさ
れ、ＭＲ薄膜９ａの膜厚をｔ 1 とし、ＭＲ薄膜９ｂの膜
厚をｔ2 とした場合に、０．５＜ｔ1 ／ｔ2 ＜０．７と
なるようになされている。
【００３８】従って、本実施例中のＭＲヘッドにおいて
は、ＭＲ薄膜９ａの抵抗が高くなっており、狭ギャップ
化を行って距離ｄ1 が小さくなり、上記ＭＲ薄膜９ａが
下層磁気シールドコア７と磁気的に結合しても、２層の
ＭＲ薄膜９ａ，９ｂの磁化は同程度となり、これらＭＲ
薄膜９ａ，９ｂのＭＲ効果のバランスが保たれる。すな
わち、本実施例中のＭＲヘッドは、バルクハウゼンノイ
ズの発生が抑えられ、出力が安定したものとなり、本実
施例の複合型磁気ヘッドは特性の良好なものとなる。
は、ＭＲ薄膜９ａの抵抗が高くなっており、狭ギャップ
化を行って距離ｄ1 が小さくなり、上記ＭＲ薄膜９ａが
下層磁気シールドコア７と磁気的に結合しても、２層の
ＭＲ薄膜９ａ，９ｂの磁化は同程度となり、これらＭＲ
薄膜９ａ，９ｂのＭＲ効果のバランスが保たれる。すな
わち、本実施例中のＭＲヘッドは、バルクハウゼンノイ
ズの発生が抑えられ、出力が安定したものとなり、本実
施例の複合型磁気ヘッドは特性の良好なものとなる。
【００３９】次に、本実施例中のＭＲヘッドの特性を確
認するために、以下のようなシミュレーションを行っ
た。すなわち、上記ＭＲヘッドの上層磁気シールドコア
８側のＭＲ薄膜９ｂの膜厚を３００オングストロームと
し、下層磁気シールドコア７側のＭＲ薄膜９ａの膜厚を
変化させて、ＭＲ薄膜９ａと下層磁気シールドコア７間
の距離ｄ1 が０．２５μｍとなるようにＭＲヘッドを作
製し、それぞれのＭＲヘッドにおけるＭＲ薄膜９ａ，９
ｂの磁化の比を計算した。なお、磁化の比はＭＲ薄膜９
ａの磁化（φ1 ）のＭＲ薄膜９ｂの磁化（φ2 ）に対す
る割合で示す。結果を図３に示す。図中横軸はＭＲ薄膜
９ａの膜厚を示し、縦軸はφ1 ／φ2 で表される磁化の
比を示す。
認するために、以下のようなシミュレーションを行っ
た。すなわち、上記ＭＲヘッドの上層磁気シールドコア
８側のＭＲ薄膜９ｂの膜厚を３００オングストロームと
し、下層磁気シールドコア７側のＭＲ薄膜９ａの膜厚を
変化させて、ＭＲ薄膜９ａと下層磁気シールドコア７間
の距離ｄ1 が０．２５μｍとなるようにＭＲヘッドを作
製し、それぞれのＭＲヘッドにおけるＭＲ薄膜９ａ，９
ｂの磁化の比を計算した。なお、磁化の比はＭＲ薄膜９
ａの磁化（φ1 ）のＭＲ薄膜９ｂの磁化（φ2 ）に対す
る割合で示す。結果を図３に示す。図中横軸はＭＲ薄膜
９ａの膜厚を示し、縦軸はφ1 ／φ2 で表される磁化の
比を示す。
【００４０】図３の結果から、ＭＲ薄膜９ａの膜厚が２
１０μｍとなるまでは膜厚の増加に伴って磁化の比は除
々に増加するものの、膜厚が２１０μｍに達すると磁化
の比は急激に減少することがわかる。すなわち、このよ
うなＭＲヘッドにおいて、２層のＭＲ薄膜９ａ，９ｂの
磁化のバランス、言い換えればＭＲ効果のバランスを維
持するためには、ＭＲ薄膜９ａの膜厚を２１０μｍより
も薄くする必要があることがわかる。
１０μｍとなるまでは膜厚の増加に伴って磁化の比は除
々に増加するものの、膜厚が２１０μｍに達すると磁化
の比は急激に減少することがわかる。すなわち、このよ
うなＭＲヘッドにおいて、２層のＭＲ薄膜９ａ，９ｂの
磁化のバランス、言い換えればＭＲ効果のバランスを維
持するためには、ＭＲ薄膜９ａの膜厚を２１０μｍより
も薄くする必要があることがわかる。
【００４１】ところで、上記のようなＭＲヘッドにおい
ては、特性を安定化させるために、ＭＲ素子４を構成す
る上記のような２層のＭＲ薄膜９ａ，９ｂの磁化のバラ
ンス、すなわち磁化の比φ1 ／φ2 を６０％以上とする
必要がある。すなわち、図３の結果から、ＭＲ薄膜９ａ
の膜厚は１５０μｍよりも厚くする必要があることがわ
かる。
ては、特性を安定化させるために、ＭＲ素子４を構成す
る上記のような２層のＭＲ薄膜９ａ，９ｂの磁化のバラ
ンス、すなわち磁化の比φ1 ／φ2 を６０％以上とする
必要がある。すなわち、図３の結果から、ＭＲ薄膜９ａ
の膜厚は１５０μｍよりも厚くする必要があることがわ
かる。
【００４２】これらの結果から、上記のようなＭＲヘッ
ドにおいては、ＭＲ薄膜９ａの膜厚をｔ1 とし、ＭＲ薄
膜９ｂの膜厚をｔ2 とした場合に、０．５＜ｔ1 ／ｔ2
＜０．７とする必要があることがわかる。
ドにおいては、ＭＲ薄膜９ａの膜厚をｔ1 とし、ＭＲ薄
膜９ｂの膜厚をｔ2 とした場合に、０．５＜ｔ1 ／ｔ2
＜０．７とする必要があることがわかる。
【００４３】上述の本実施例中のＭＲヘッドにおいて
は、上記条件を満たしているので、２層のＭＲ薄膜９
ａ，９ｂのＭＲ効果のバランスが保たれ、バルクハウゼ
ンノイズの発生が抑えられ、出力が安定していることが
確認された。
は、上記条件を満たしているので、２層のＭＲ薄膜９
ａ，９ｂのＭＲ効果のバランスが保たれ、バルクハウゼ
ンノイズの発生が抑えられ、出力が安定していることが
確認された。
【００４４】さらに、本実施例のＭＲヘッドにおいて
は、ＭＲ素子４の感度も向上している。例えば、ＭＲ素
子４を構成するＭＲ薄膜９ａ，９ｂのそれぞれの膜厚ｔ
1 ，ｔ2を２０ｎｍ，３０ｎｍとし、ＭＲ素子４の幅Ｗ
を３μｍ、ＭＲ素子４の長さＬを１０μｍとし、ＭＲ素
子４の比抵抗ρを３×１０-5Ωｃｍ、抵抗変化率を２％
とすると、最大抵抗変化Ｃ1 は数１に示すように表さ
れ、該最大抵抗変化Ｃ1 は０．４Ωとなる。
は、ＭＲ素子４の感度も向上している。例えば、ＭＲ素
子４を構成するＭＲ薄膜９ａ，９ｂのそれぞれの膜厚ｔ
1 ，ｔ2を２０ｎｍ，３０ｎｍとし、ＭＲ素子４の幅Ｗ
を３μｍ、ＭＲ素子４の長さＬを１０μｍとし、ＭＲ素
子４の比抵抗ρを３×１０-5Ωｃｍ、抵抗変化率を２％
とすると、最大抵抗変化Ｃ1 は数１に示すように表さ
れ、該最大抵抗変化Ｃ1 は０．４Ωとなる。
【００４５】
【数１】
【００４６】次に、比較のために、従来のＭＲヘッドの
ように、ＭＲ薄膜９ａ，９ｂの膜厚ｔ1 ，ｔ2 を同じ厚
さ、例えば３０ｎｍとした場合の最大抵抗変化Ｃ1 を求
めると、数１から０．３３Ωと算出される。すなわち、
本実施例のＭＲヘッドにおいては、従来のＭＲヘッドに
比較して最大抵抗変化Ｃ1 が２割向上し、感度が向上し
ていることがわかる。
ように、ＭＲ薄膜９ａ，９ｂの膜厚ｔ1 ，ｔ2 を同じ厚
さ、例えば３０ｎｍとした場合の最大抵抗変化Ｃ1 を求
めると、数１から０．３３Ωと算出される。すなわち、
本実施例のＭＲヘッドにおいては、従来のＭＲヘッドに
比較して最大抵抗変化Ｃ1 が２割向上し、感度が向上し
ていることがわかる。
【００４７】このように最大抵抗変化Ｃ1 が向上する
と、同一の強さのセンス電流を流した場合の出力が向上
することとなり、本実施例においては、出力が２割向上
することとなる。
と、同一の強さのセンス電流を流した場合の出力が向上
することとなり、本実施例においては、出力が２割向上
することとなる。
【００４８】上述の実施例中のＭＲヘッドにおいては、
ＭＲ素子４を構成する２層のＭＲ薄膜９ａの膜厚ｔ1 を
ＭＲ薄膜９ｂの膜厚ｔ2 よりも薄くすることによって、
ＭＲ薄膜９ａの抵抗を高め、上記ＭＲ薄膜９ａが下層磁
気シールドコア７と磁気的に結合しても、２層のＭＲ薄
膜９ａ，９ｂの磁化が同程度となるようにし、これらＭ
Ｒ薄膜９ａ，９ｂのＭＲ効果のバランスが保たれるよう
にした。
ＭＲ素子４を構成する２層のＭＲ薄膜９ａの膜厚ｔ1 を
ＭＲ薄膜９ｂの膜厚ｔ2 よりも薄くすることによって、
ＭＲ薄膜９ａの抵抗を高め、上記ＭＲ薄膜９ａが下層磁
気シールドコア７と磁気的に結合しても、２層のＭＲ薄
膜９ａ，９ｂの磁化が同程度となるようにし、これらＭ
Ｒ薄膜９ａ，９ｂのＭＲ効果のバランスが保たれるよう
にした。
【００４９】すなわち、このようなＭＲヘッドにおいて
は、ＭＲ素子４のＭＲ薄膜９ａの抵抗を高めることで、
２層のＭＲ薄膜９ａ，９ｂのＭＲ効果のバランスが保た
れる。従って、上記のようなＭＲヘッドにおいてＭＲ素
子４のＭＲ薄膜９ａの比抵抗ρ1 をＭＲ薄膜９ｂの比抵
抗ρ2 よりも大きなものとすれば、同様の効果が得られ
るものと思われる。
は、ＭＲ素子４のＭＲ薄膜９ａの抵抗を高めることで、
２層のＭＲ薄膜９ａ，９ｂのＭＲ効果のバランスが保た
れる。従って、上記のようなＭＲヘッドにおいてＭＲ素
子４のＭＲ薄膜９ａの比抵抗ρ1 をＭＲ薄膜９ｂの比抵
抗ρ2 よりも大きなものとすれば、同様の効果が得られ
るものと思われる。
【００５０】そこで、上記のことを確認すべく、以下の
ようにシミュレーションを行った。すなわち、ＭＲ素子
４を膜厚３００オングストロームのＭＲ薄膜９ａ，９ｂ
を膜厚２０オングストロームの非磁性層１０を介して積
層したものとし、ＭＲ薄膜９ａと下層磁気シールドコア
７の間の距離ｄ1 を０．１５μｍとし、ＭＲ薄膜９ａ，
９ｂの（材料を変更することにより）比抵抗の比を変化
させた場合のこれらＭＲ薄膜９ａ，９ｂの磁化の比を計
算した。なお、ＭＲ薄膜９ａ，９ｂの比抵抗の比はそれ
ぞれの比抵抗をρ1 ，ρ2 とし、ρ1 ／ρ2 で表し、Ｍ
Ｒ薄膜９ａ，９ｂの磁化の比はそれぞれの磁化をφ1 ，
φ2 とし、φ1 ／φ2 で表した。結果を図４に示す。な
お、図４中横軸はρ1 ／ρ2 で表される比抵抗の比を示
し、縦軸はφ1 ／φ2 で表される磁化の比を示す。
ようにシミュレーションを行った。すなわち、ＭＲ素子
４を膜厚３００オングストロームのＭＲ薄膜９ａ，９ｂ
を膜厚２０オングストロームの非磁性層１０を介して積
層したものとし、ＭＲ薄膜９ａと下層磁気シールドコア
７の間の距離ｄ1 を０．１５μｍとし、ＭＲ薄膜９ａ，
９ｂの（材料を変更することにより）比抵抗の比を変化
させた場合のこれらＭＲ薄膜９ａ，９ｂの磁化の比を計
算した。なお、ＭＲ薄膜９ａ，９ｂの比抵抗の比はそれ
ぞれの比抵抗をρ1 ，ρ2 とし、ρ1 ／ρ2 で表し、Ｍ
Ｒ薄膜９ａ，９ｂの磁化の比はそれぞれの磁化をφ1 ，
φ2 とし、φ1 ／φ2 で表した。結果を図４に示す。な
お、図４中横軸はρ1 ／ρ2 で表される比抵抗の比を示
し、縦軸はφ1 ／φ2 で表される磁化の比を示す。
【００５１】図４の結果から比抵抗の比ρ1 ／ρ2 を３
よりも大とすれば、磁化の比φ1 ／φ2 が６０％以上と
なり、ＭＲ薄膜９ａ，９ｂのＭＲ効果のバランスが保た
れ、上述の実施例中のＭＲヘッドと同様の効果が得られ
ることが確認された。また、比抵抗の比ρ1 ／ρ2 を４
よりも大とすれば、ＭＲヘッドの特性がさらに安定化す
ることもわかった。
よりも大とすれば、磁化の比φ1 ／φ2 が６０％以上と
なり、ＭＲ薄膜９ａ，９ｂのＭＲ効果のバランスが保た
れ、上述の実施例中のＭＲヘッドと同様の効果が得られ
ることが確認された。また、比抵抗の比ρ1 ／ρ2 を４
よりも大とすれば、ＭＲヘッドの特性がさらに安定化す
ることもわかった。
【００５２】また、上記のようにＭＲ素子４を構成する
ＭＲ薄膜９ａ，９ｂの比抵抗を変えたＭＲヘッドにおい
てもＭＲ素子４の感度が向上する。すなわち、ＭＲ薄膜
９ａ，９ｂそれぞれの比抵抗をρ1 ，ρ2 とし、これら
の磁気抵抗をそれぞれΔρ1，Δρ2 すると、ＭＲ素子
４の最大抵抗変化Ｃ2 は並列抵抗で考えれば良いので、
数２のように表される。
ＭＲ薄膜９ａ，９ｂの比抵抗を変えたＭＲヘッドにおい
てもＭＲ素子４の感度が向上する。すなわち、ＭＲ薄膜
９ａ，９ｂそれぞれの比抵抗をρ1 ，ρ2 とし、これら
の磁気抵抗をそれぞれΔρ1，Δρ2 すると、ＭＲ素子
４の最大抵抗変化Ｃ2 は並列抵抗で考えれば良いので、
数２のように表される。
【００５３】
【数２】
【００５４】そして、数２中に、例えばρ1 ＝１．５×
１０-4Ωｃｍ，ρ2 ＝３×１０-5Ωｃｍ，Δρ1 ＝０Ω
ｃｍ，Δρ2 ＝６×１０-7Ωｃｍを代入すると、ＭＲ素
子幅３μｍ，ＭＲ素子の長さ１０μｍのとき、最大抵抗
変化Ｃ2 は０．４６Ωとなる。
１０-4Ωｃｍ，ρ2 ＝３×１０-5Ωｃｍ，Δρ1 ＝０Ω
ｃｍ，Δρ2 ＝６×１０-7Ωｃｍを代入すると、ＭＲ素
子幅３μｍ，ＭＲ素子の長さ１０μｍのとき、最大抵抗
変化Ｃ2 は０．４６Ωとなる。
【００５５】次に、比較のために、従来のＭＲヘッドの
ように、ＭＲ薄膜９ａ，９ｂの比抵抗ρ1 ，ρ2 を同じ
大きさ、例えば３×１０-5Ωｃｍとした場合の最大抵抗
変化Ｃ2 を求めると、数２から０．３３Ωと算出され
る。すなわち、本実施例のＭＲヘッドにおいては、従来
のＭＲヘッドに比較して最大抵抗変化Ｃ2 が１．４倍と
なり、感度が向上していることがわかる。
ように、ＭＲ薄膜９ａ，９ｂの比抵抗ρ1 ，ρ2 を同じ
大きさ、例えば３×１０-5Ωｃｍとした場合の最大抵抗
変化Ｃ2 を求めると、数２から０．３３Ωと算出され
る。すなわち、本実施例のＭＲヘッドにおいては、従来
のＭＲヘッドに比較して最大抵抗変化Ｃ2 が１．４倍と
なり、感度が向上していることがわかる。
【００５６】このように最大抵抗変化Ｃ2 が向上する
と、同一の強さのセンス電流を流した場合の出力が向上
することとなり、本実施例においては、出力が１．４倍
に向上することとなる。
と、同一の強さのセンス電流を流した場合の出力が向上
することとなり、本実施例においては、出力が１．４倍
に向上することとなる。
【００５７】さらに、上記のようなＭＲヘッドにおいて
は、上記のようにＭＲ素子４を構成するＭＲ薄膜９ａ，
９ｂの膜厚ｔ1 ，ｔ2 を異なるものとした上で、これら
の比抵抗ρ1 ，ρ2 も異なるものとしても良く、前述の
実施例と同様の効果が得られる。
は、上記のようにＭＲ素子４を構成するＭＲ薄膜９ａ，
９ｂの膜厚ｔ1 ，ｔ2 を異なるものとした上で、これら
の比抵抗ρ1 ，ρ2 も異なるものとしても良く、前述の
実施例と同様の効果が得られる。
【００５８】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明は、２層の磁気抵抗効果薄膜が絶縁層を介して積層さ
れてなる磁気抵抗効果素子が一対の磁気シールドコア間
に配されてなる磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、上
記磁気抵抗効果素子を構成する２層の磁気抵抗効果薄膜
のうち、磁気シールドコアに近い方の磁気抵抗効果薄膜
の膜厚を、磁気シールドコアから遠い方の磁気抵抗効果
薄膜の膜厚よりも薄くしている。従って、磁気シールド
コアと近い方の磁気抵抗薄膜の抵抗が高くなり、ギャッ
プ長が小さくなって該磁気抵抗効果薄膜が磁気シールド
コアと磁気的に結合しても、２層の磁気抵抗効果薄膜の
磁化が同程度となり、これら磁気抵抗効果薄膜のＭＲ効
果のバランスが保たれ、バルクハウゼンノイズの発生が
抑えられ、出力が安定し、特性が良好なものとなる。
明は、２層の磁気抵抗効果薄膜が絶縁層を介して積層さ
れてなる磁気抵抗効果素子が一対の磁気シールドコア間
に配されてなる磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、上
記磁気抵抗効果素子を構成する２層の磁気抵抗効果薄膜
のうち、磁気シールドコアに近い方の磁気抵抗効果薄膜
の膜厚を、磁気シールドコアから遠い方の磁気抵抗効果
薄膜の膜厚よりも薄くしている。従って、磁気シールド
コアと近い方の磁気抵抗薄膜の抵抗が高くなり、ギャッ
プ長が小さくなって該磁気抵抗効果薄膜が磁気シールド
コアと磁気的に結合しても、２層の磁気抵抗効果薄膜の
磁化が同程度となり、これら磁気抵抗効果薄膜のＭＲ効
果のバランスが保たれ、バルクハウゼンノイズの発生が
抑えられ、出力が安定し、特性が良好なものとなる。
【００５９】なお、上記の本発明の磁気抵抗効果型磁気
ヘッドにおいて、磁気シールドコアに近い方の磁気抵抗
効果薄膜の膜厚をｔ1 、磁気シールドコアから遠い方の
磁気抵抗効果薄膜の膜厚をｔ2 としたときに、０．５＜
ｔ1 ／ｔ2 ＜０．７とすれば、ＭＲ効果のバランスがさ
らに良好に保たれ、バルクハウゼンノイズの発生がさら
に抑えられ、出力がさらに安定し、特性がさらに良好な
ものとなる。
ヘッドにおいて、磁気シールドコアに近い方の磁気抵抗
効果薄膜の膜厚をｔ1 、磁気シールドコアから遠い方の
磁気抵抗効果薄膜の膜厚をｔ2 としたときに、０．５＜
ｔ1 ／ｔ2 ＜０．７とすれば、ＭＲ効果のバランスがさ
らに良好に保たれ、バルクハウゼンノイズの発生がさら
に抑えられ、出力がさらに安定し、特性がさらに良好な
ものとなる。
【００６０】また本発明は、２層の磁気抵抗効果薄膜が
絶縁層を介して積層されてなる磁気抵抗効果素子が一対
の磁気シールドコア間に配されてなる磁気抵抗効果型磁
気ヘッドにおいて、上記磁気抵抗効果素子を構成する２
層の磁気抵抗効果薄膜のうち、磁気シールドコアに近い
方の磁気抵抗効果薄膜の比抵抗を、磁気シールドコアか
ら遠い方の磁気抵抗効果薄膜の比抵抗よりも大としてい
る。従って、磁気シールドコアと近い方の磁気抵抗薄膜
の抵抗が高くなり、ギャップ長が小さくなって該磁気抵
抗効果薄膜が磁気シールドコアと磁気的に結合しても、
２層の磁気抵抗効果薄膜の磁化が同程度となり、これら
磁気抵抗効果薄膜のＭＲ効果のバランスが保たれ、バル
クハウゼンノイズの発生が抑えられ、出力が安定し、特
性が良好なものとなる。
絶縁層を介して積層されてなる磁気抵抗効果素子が一対
の磁気シールドコア間に配されてなる磁気抵抗効果型磁
気ヘッドにおいて、上記磁気抵抗効果素子を構成する２
層の磁気抵抗効果薄膜のうち、磁気シールドコアに近い
方の磁気抵抗効果薄膜の比抵抗を、磁気シールドコアか
ら遠い方の磁気抵抗効果薄膜の比抵抗よりも大としてい
る。従って、磁気シールドコアと近い方の磁気抵抗薄膜
の抵抗が高くなり、ギャップ長が小さくなって該磁気抵
抗効果薄膜が磁気シールドコアと磁気的に結合しても、
２層の磁気抵抗効果薄膜の磁化が同程度となり、これら
磁気抵抗効果薄膜のＭＲ効果のバランスが保たれ、バル
クハウゼンノイズの発生が抑えられ、出力が安定し、特
性が良好なものとなる。
【００６１】なお、上記の本発明の磁気抵抗効果型磁気
ヘッドにおいて、磁気シールドコアに近い方の磁気抵抗
効果薄膜の比抵抗をρ1 、磁気シールドコアから遠い方
の磁気抵抗効果薄膜の比抵抗をρ2 としたときに、ρ1
／ρ2 ＞４とすれば、ＭＲ効果のバランスがさらに良好
に保たれ、バルクハウゼンノイズの発生がさらに抑えら
れ、出力がさらに安定し、特性がさらに良好なものとな
る。
ヘッドにおいて、磁気シールドコアに近い方の磁気抵抗
効果薄膜の比抵抗をρ1 、磁気シールドコアから遠い方
の磁気抵抗効果薄膜の比抵抗をρ2 としたときに、ρ1
／ρ2 ＞４とすれば、ＭＲ効果のバランスがさらに良好
に保たれ、バルクハウゼンノイズの発生がさらに抑えら
れ、出力がさらに安定し、特性がさらに良好なものとな
る。
【図１】本発明を適用した複合型磁気ヘッドを示す断面
図である。
図である。
【図２】本発明を適用した複合型磁気ヘッドのＭＲ素子
近傍の要部拡大断面図である。
近傍の要部拡大断面図である。
【図３】ＭＲ薄膜の膜厚と磁化の比の関係を示す特性図
である。
である。
【図４】比抵抗の比と磁化の比の関係を示す特性図であ
る。
る。
【図５】２層のＭＲ薄膜にセンス電流を流す様子を模式
的に示す斜視図である。
的に示す斜視図である。
【図６】２層のＭＲ薄膜内の磁界及び磁化の向きの関係
を示す模式図である。
を示す模式図である。
【図７】ＭＲ素子のＭＲカーブを示す特性図である。
【図８】ギャップ長と磁化の比の関係を示す特性図であ
る。
る。
【図９】ＭＲ素子を構成する２層のＭＲ薄膜のＭＲ効果
のバランスを崩した場合のＭＲカーブを示す特性図であ
る。
のバランスを崩した場合のＭＲカーブを示す特性図であ
る。
４ ＭＲ素子 ７ 下層磁気シールドコア ８ 上層磁気シールドコア ９ａ，９ｂ ＭＲ薄膜 １０ 絶縁層 ｄ1 ，ｄ2 距離 ｔ1 ，ｔ2 膜厚
Claims (5)
- 【請求項１】 ２層の磁気抵抗効果薄膜が絶縁層を介し
て積層されてなる磁気抵抗効果素子が一対の磁気シール
ドコア間に配されてなる磁気抵抗効果型磁気ヘッドにお
いて、 上記磁気抵抗効果素子を構成する２層の磁気抵抗効果薄
膜のうち、磁気シールドコアに近い方の磁気抵抗効果薄
膜の膜厚を、磁気シールドコアから遠い方の磁気抵抗効
果薄膜の膜厚よりも薄くしたことを特徴とする磁気抵抗
効果型磁気ヘッド。 - 【請求項２】 磁気シールドコアに近い方の磁気抵抗効
果薄膜の膜厚をｔ1 、磁気シールドコアから遠い方の磁
気抵抗効果薄膜の膜厚をｔ2 としたときに、０．５＜ｔ
1 ／ｔ2 ＜０．７であることを特徴とする請求項１記載
の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。 - 【請求項３】 ２層の磁気抵抗効果薄膜が絶縁層を介し
て積層されてなる磁気抵抗効果素子が一対の磁気シール
ドコア間に配されてなる磁気抵抗効果型磁気ヘッドにお
いて、 上記磁気抵抗効果素子を構成する２層の磁気抵抗効果薄
膜のうち、磁気シールドコアに近い方の磁気抵抗効果薄
膜の比抵抗を、磁気シールドコアから遠い方の磁気抵抗
効果薄膜の比抵抗よりも大としたことを特徴とする磁気
抵抗効果型磁気ヘッド。 - 【請求項４】 磁気シールドコアに近い方の磁気抵抗効
果薄膜の比抵抗をρ1、磁気シールドコアから遠い方の
磁気抵抗効果薄膜の比抵抗をρ2 としたときに、ρ1 ／
ρ2 ＞４であることを特徴とする請求項３記載の磁気抵
抗効果型磁気ヘッド。 - 【請求項５】 磁気抵抗効果素子を構成する２層の磁気
抵抗効果薄膜のうち、磁気シールドコアに近い方の磁気
抵抗効果薄膜の膜厚を、磁気シールドコアから遠い方の
磁気抵抗効果薄膜の膜厚よりも薄くしたことを特徴とす
る請求項３記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6130649A JPH087229A (ja) | 1994-06-13 | 1994-06-13 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
| US08/480,792 US5661620A (en) | 1994-06-13 | 1995-06-07 | Magneto-resistance effect magnetic head |
| EP95109041A EP0691642B1 (en) | 1994-06-13 | 1995-06-12 | Magneto-resistance effect magnetic head |
| DE69506629T DE69506629T2 (de) | 1994-06-13 | 1995-06-12 | Magneto-resistiver Magnetkopf |
| KR1019950015351A KR960002153A (ko) | 1994-06-13 | 1995-06-12 | 자기저항효과형 자기헤드 |
| US08/829,731 US5786965A (en) | 1994-06-13 | 1997-03-31 | Magneto-resistance effect magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6130649A JPH087229A (ja) | 1994-06-13 | 1994-06-13 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH087229A true JPH087229A (ja) | 1996-01-12 |
Family
ID=15039306
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6130649A Withdrawn JPH087229A (ja) | 1994-06-13 | 1994-06-13 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5661620A (ja) |
| EP (1) | EP0691642B1 (ja) |
| JP (1) | JPH087229A (ja) |
| KR (1) | KR960002153A (ja) |
| DE (1) | DE69506629T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100420953C (zh) * | 2001-12-20 | 2008-09-24 | Nxp股份有限公司 | 磁阻传感器 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH087229A (ja) * | 1994-06-13 | 1996-01-12 | Sony Corp | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
| JPH10340430A (ja) * | 1997-06-10 | 1998-12-22 | Fujitsu Ltd | スピンバルブ磁気抵抗効果型ヘッドおよび磁気記憶装置 |
| SG68063A1 (en) * | 1997-07-18 | 1999-10-19 | Hitachi Ltd | Magnetoresistive effect type reproducing head and magnetic disk apparatus equipped with the reproducing head |
| US5956215A (en) * | 1997-08-12 | 1999-09-21 | Storage Technology Corporation | High density thin film coupled element read head with support element to prevent damage to magnetoresistive element |
| JP3366256B2 (ja) | 1998-07-02 | 2003-01-14 | アルプス電気株式会社 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
| EP1422526A1 (en) * | 2002-10-28 | 2004-05-26 | MTM Laboratories AG | Method for improved diagnosis of dysplasias |
| DE602004016483D1 (de) * | 2004-07-16 | 2008-10-23 | St Microelectronics Sa | Elektronische Schaltungsanordnung, Vorrichtung mit solcher Anordnung und Herstellungsverfahren |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4639808A (en) * | 1984-09-26 | 1987-01-27 | Storage Technology Corporation | Asymmetrical shields for controlling feedthrough in read/write heads |
| JPS63181108A (ja) * | 1987-01-21 | 1988-07-26 | Sony Corp | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
| US5073836A (en) * | 1989-10-05 | 1991-12-17 | Hewlett-Packard Company | Single pole write and a differential magneto-resistive read for perpendicular recording |
| JPH064831A (ja) * | 1992-06-22 | 1994-01-14 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 薄膜磁気ヘッド |
| US5323285A (en) * | 1992-06-23 | 1994-06-21 | Eastman Kodak Company | Shielded dual element magnetoresistive reproduce head exhibiting high density signal amplification |
| US5309305A (en) * | 1992-11-16 | 1994-05-03 | Read-Rite Corporation | Dual element magnetoresistive sensing head |
| JPH087229A (ja) * | 1994-06-13 | 1996-01-12 | Sony Corp | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
-
1994
- 1994-06-13 JP JP6130649A patent/JPH087229A/ja not_active Withdrawn
-
1995
- 1995-06-07 US US08/480,792 patent/US5661620A/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-06-12 DE DE69506629T patent/DE69506629T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-06-12 EP EP95109041A patent/EP0691642B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-06-12 KR KR1019950015351A patent/KR960002153A/ko not_active Application Discontinuation
-
1997
- 1997-03-31 US US08/829,731 patent/US5786965A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100420953C (zh) * | 2001-12-20 | 2008-09-24 | Nxp股份有限公司 | 磁阻传感器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69506629T2 (de) | 1999-07-01 |
| KR960002153A (ko) | 1996-01-26 |
| EP0691642B1 (en) | 1998-12-16 |
| EP0691642A3 (en) | 1997-01-02 |
| DE69506629D1 (de) | 1999-01-28 |
| EP0691642A2 (en) | 1996-01-10 |
| US5786965A (en) | 1998-07-28 |
| US5661620A (en) | 1997-08-26 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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