JP3868747B2 - ヨーク型磁気へッド - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気記録再生装置等に搭載されるヨーク型磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ＨＤＤ（ハードディスクドライブ）の磁気記録密度は飛躍的に向上し、更なる高記録密度化が望まれている。高記録密度化に伴う記録ビットサイズの微小化により、従来の薄膜ヘッドでは再生感度が不充分となり、現在では磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗効果型ヘッド（以下、ＭＲヘッドともいう）が主流となっている。その中でも特に大きな磁気抵抗効果を示すものとして、スピンバルブ型巨大磁気抵抗効果型ヘッド（以下、ＳＶ−ＧＭＲヘッドともいう）が注目されている。
【０００３】
一方、高記録密度化により薄膜磁気ヘッド走行時の浮上量は低下する傾向にある。これは、小さな媒体ビット磁界をセンスするためである。この傾向では記録媒体と間欠的な接触あるいは定常的な接触をしながら磁気ヘッドを走行させることは避けられないであろうと予想される。また、高記録密度化以外の観点からみても、今後の世の中のマルチメディア化が進むにつれて音響映像機器へのＨＤＤの搭載が予想される。音響映像機器への搭載にはＨＤＤの信頼性、特に外部からの衝撃による耐性が重要となる。その際、磁気ヘッドは媒体表面と接触することが考えられるために、接触に強い磁気ヘッド開発が望まれている。
しかしながら、上述した従来のＳＶ−ＧＭＲヘッドは再生時の記録媒体との接触により発生する熱により異常な抵抗変化を示すこと（サーマルアスペリティ）がよく知られている。従って、媒体対向面に感磁部が露出する従来のＭＲヘッドおよびＳＶヘッドは今後の高記録密度化には適応できなくなる。
【０００４】
そこで様々な形のヨーク型磁気ヘッドが考案されている。ヨーク型磁気ヘッドは媒体対向面にＳＶ部の感磁部が露出していないために、上述したサーマルアスペリティに強い。その中でも短磁路化が可能であり、ヘッドスライダの軽量化が容易な水平ヨーク型磁気ヘッドが注目されている。
【０００５】
ヨーク型磁気ヘッドにおいて、磁気ヨーク内の磁壁移動によるバルクハイウゼンノイズを低減することが課題である。バルクハウゼンノイズ低減には、磁区形成あるいは磁壁移動を抑制するためのヨーク磁気異方性の制御が重要である。また、磁気回路的に効率を低下させない、すなわち、短磁路かつ高効率であってしかも透磁率を低下させない異方性制御方法が必要となる。
【０００６】
この異方性制御方法を用いた水平ヨーク型磁気ヘッドが、既に特開平４−１６７２１１号公報で提案されている。この公報で開示されたヨーク型磁気ヘッドの構成を図９に示す。このヨーク型磁気ヘッドは、磁気抵抗効果膜３０と、この磁気抵抗効果膜３０に磁気的に接続された磁気ヨーク３００と、磁気ヨーク３００の少なくとも磁気ギャップの形成部のギャップ深さ方向の中間部に磁気ギャップを横切ってギャップ長方向に延び、この方向に通電がなされる通電層３２０と、を備えた構成となっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上記異方性制御方法は、素子サイズがおよそ１μｍ以上の比較的大きな再生磁気ヘッドでは相対的に通電層３２０の磁気ヨーク３００に対する割合が小さいために有効であった。しかしながら、高記録密度化による微細化が進行している現状では再生ヘッドの短磁路化が必須であるが、上記方法を用いたヨーク型磁気ヘッドでは磁気ヨーク３００間に通電層３２０が配置されているために短磁路化が困難である。仮に、通電層３２０を薄膜化したとしても通電層３２０が磁気ギャップとして作用し磁気ヨーク３００内のリラクタンスが大きくなってしまう。また、磁気ヘッドの微細化により磁気ヨーク３００内での磁化回転の連続性が通電層３２０により阻害されピンニングサイトとして作用し、ノイズ発生源となってしまう。
【０００８】
その他のヨーク型磁気ヘッドは、磁気ヨークの磁化方向と磁気抵抗効果素子のフリー層の磁化方向とが磁気回路構成上必ずしも平行ではないものが多く、上記のような電流磁界によるバイアス効果は使用することが難しかった。また、磁気ヘッド構成上、磁気抵抗効果素子部と磁気ヨーク部とに同時に電流磁界バイアスを印可することは困難であった。
【０００９】
さらに、従来のヨーク型磁気ヘッドにおいては、ＭＲ素子のフリー層の磁化・膜厚積が磁気ヨークのそれに比べて小さいために、ＭＲ素子部のリラクタンスが大きくなり、磁束効率の低下により磁気ヘッド出力が基本的に小さくなるという課題があった。
【００１０】
さらには、高密度化により磁気ヨーク部およびＭＲ素子部が小さくなるために反磁界が大きくなり、軟磁性体からなる磁気ヨークおよびＭＲ素子部の透磁率が低下するという問題があった。
【００１１】
本発明は、上記事情を考慮してなされたものであって、高効率かつ高Ｓ／Ｎ比な高密度記録信号の再生を可能としたヨーク型磁気ヘッドを提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明のヨーク型磁気ヘッドは、媒体対向面から磁気ヘッドの後方に伸びる磁気ヨークと、媒体対向面より後方にて磁気ヨークの媒体対向面と平行な面に形成された磁気抵抗効果膜と、磁気抵抗効果膜を膜面上下から挟む第一及び第二の電極と、を備え、前記第一または第二の電極が導電性強磁性体部と導電性非磁性体部から構成されていることを特徴とするヨーク型磁気ヘッドを提供する。
【００１３】
この発明において、次の形態を採用することができる。
【００１４】
１） 電極は、前記導電性強磁性体層と前記導電性非磁性体層の２層以上の積層体からなっている。
【００１５】
２） 各電極の磁気抵抗効果膜に最も近接する部分を導電性非磁性体部とし、この導電性非磁性体よりも外側（磁気抵抗効果膜から離れた側）に形成された部分を導電性強磁性体部とする。例えば、磁気抵抗効果膜の上表面に形成された上電極では、その最下層を導電性非磁性体部とし、その上層を導電性強磁性体部とすることができる。また、磁気抵抗効果膜の下表面に形成された下電極では、その最上層を導電性非磁性体部とし、その下層を導電性強磁性体部とすることができる。
【００１６】
３） 各電極の磁気抵抗効果膜に最も近接する部分を導電性強磁性体部とし、この導電性強磁性体部よりも外側（磁気抵抗効果膜から離れた側）に形成された部分を導電性非磁性体部とする。
【００１７】
４） 磁気抵抗効果膜は、外部磁界がゼロの状態において所定の磁化を備え、外部磁界が加わる状態でこの所定の方向から磁化が変化する磁化フリー層、外部磁界がゼロの状態及び外部磁界が加わった状態でも略一定の磁化方向を維持する磁化ピン層、及び磁化フリー層及び磁化ピン層の間に形成された非磁性層を備える。磁気抵抗効果膜には、これらの３層の他にもキャップ層、ピン層を磁化固着するための反強磁性体層、下地層なども含まれる。
【００１８】
上記磁気抵抗効果素子には、電子のトンネル効果を利用したトンネル型ＭＲ膜（ＴＭＲ）も用いてもよい。また、界面における電子の反射を利用した強面反射層をフリー層あるいはピン層に挿入したスピンバルブ型ＭＲ膜を用いることも可能である。尚、本発明における磁気抵抗効果膜は、特許第２６３７３６０号に詳細に記述されており、その対応の記載を参照する。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。
【００２０】
（第１の実施形態）
本発明によるヨーク型磁気ヘッドの第１の実施の形態を図１および図２を用いて説明する。図１は第１実施形態の水平ヨーク型磁気ヘッドのビット長方向の断面図であり、図２は第１実施形態の水平ヨーク型磁気ヘッドのトラック幅方向の断面図である。
【００２１】
本実施形態のヨーク型磁気ヘッド１は、一対の磁気ヨーク１０と、下部電極２０と、磁気抵抗効果膜３０（以下、ＭＲ膜ともいう）と、導電性強磁性体部４０ａおよび導電性非磁性体部４０ｂからなる上部電極４０と、ハードバイアス膜５０と、を備えている。磁気ヨーク１０は、ＭＲ膜３０と磁気的および電気的に結合されている。また、下部電極２０は後述の磁気ヨークウイング部１０ｂに電気的に接続された構成となっている。すなわち磁気ヨーク１０は下部電極２０の一部として機能している構成となっている。なお、ハードバイアス膜５０は磁気ヨークウイング部１０ｂのトラック幅方向の側部に設けられている。
【００２２】
また、図１には、垂直記録媒体１００の記録層１０１と記録ビット１０２が模式的に描かれている。本実施形態のヨーク型磁気ヘッドは垂直磁気記録のみならず、面内磁気記録にも適用ができる。
【００２３】
本実施形態においては、後述の図５に示されるような上部電極ピラー部は形成されていない。いわゆる、ピラーレスであるが、上部電極４０が突き出たピラー部が存在しても構わない。
【００２４】
図１において磁気ヨーク１０は磁気ヨーク先端部１０ａと、磁気ヨークウイング部１０ｂとから構成される。磁気ヨークウイング部１０ｂは、磁気ヨーク１０全体の磁気異方性制御がより容易になるように形成されているもので、無くても問題はない。磁気ヨークウイング部１０ｂがある場合は、たとえば、反強磁性体と強磁性体との交換結合を利用して磁気ヨークウイング部１０ｂの磁気異方性を制御したり、硬磁性体により磁気ヨークウイング部１０ｂの端部から磁気異方性を制御することも可能である。
【００２５】
また、一対の磁気ヨーク１０は同一平面上に、再生磁気ギャップ１２，１３を挟む形で設置される。磁気ヨーク１０の形成面は、媒体対向面８０と略平行である。再生磁気ギャップ１２，１３は、図１に示されるように媒体対向面側の磁気ギャップ１２が狭く、媒体対向面から離れるに従って広くなる形状を有する。再生磁気ギャップ１２，１３はできるだけ滑らかな曲線を描く方が望ましい。再生磁気ギャップにおいては、最も広い部分１３は最も狭い部分１２の３０倍以下であることが望ましく、さらには、１０倍以下であることが好ましい。
【００２６】
また、ＭＲ膜３０は、外部磁界がゼロの状態において所定の磁化を備え、外部磁界が加わる状態でこの所定の方向から磁化が変化する磁化フリー層（図示せず）、外部磁界がゼロの状態及び外部磁界が加わった状態でも略一定の磁化方向を維持する磁化ピン層（図示せず）、及び磁化フリー層及び磁化ピン層の間に形成された非磁性層（図示せず）を備える。ＭＲ膜３０には、これらの３層の他にもキャップ層（図示せず）、ピン層を磁化固着するための反強磁性体層（図示せず）、下地層（図示せず）なども含まれる。
【００２７】
なお、上記ＭＲ膜３０として、電子のトンネル効果を利用したトンネル型ＭＲ膜（ＴＭＲ）も用いてもよい。また、界面における電子の反射を利用した強面反射層をフリー層あるいはピン層に挿入したスピンバルブ型ＭＲ膜を用いることも可能である。
【００２８】
本実施形態のヨーク型磁気ヘッド１では、上部電極４０の一部４０ａが軟磁気特性を有する強磁性体で構成される。磁気ヨーク１０の形状から考えると媒体対向面８０からＭＲ膜３０までの距離は、磁気ヨーク幅に比べて非常に短い。従って、そのままでは媒体対向面８０から吸いあがる媒体信号磁束が反磁界の影響によりＭＲ膜３０へ吸いあがりにくくなる。しかしながら、上部電極４０の一部４０ａを軟磁性強磁性体にすることにより、磁気回路上、非常に大きかった磁気ヨーク１０のリラクタンス、および非常に薄いために大きくなるＭＲ膜３０のフリー層のリラクタンスを大幅に低減することが可能となる。従って、フリー層への流入磁束は増大する。また、強磁性体部４０ａはできるだけ大きな面積で磁気ヨーク１０とオーバーラップした方が望ましい。これにより磁気ヨーク１０全体の反磁界を低減することができる。
【００２９】
強磁性体部４０ａは上部磁気ギャップ部１３の幅および長さＧ１（図１参照）より大きいことが好ましい。すなわち、強磁性体部４０ａは、上部磁気ギャップ部１３を覆う形となる。さらには強磁性体部４０ａは、ＭＲ膜３０の幅（図２参照）よりも大きいことが好ましい。すなわち、ＭＲ膜３０のＳＶ膜部を覆うことになる。さらには、強磁性体部４０ａは、磁気ヨーク１０の幅よりも大きいことが好ましい。従って、上部電極４０が全面にわたって完全に強磁性体部４０ａと非磁性体部４０ｂの積層型であってもよい。しかしながら、この中で最も好ましい形態としては、強磁性体部４０ａが上部磁気ギャップ１３の長さ以上でＭＲ膜３０の長さ以下の大きさである時である。この時最もフリー層への侵入磁束量は増加する。
【００３０】
上部電極強磁性部４０ａに用いる材料は、我々の研究の結果、比透磁率が５０以上あることが望まれ、さらには５００以上であれば好ましい。従って、図１に示される本実施形態では、上部電極４０の最下層４０ａすなわちＭＲ膜３０との接触層がＮｉＦｅ（パーマロイ）やＣｏＦｅ、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂなどのアモルファス系合金などの軟磁気特性を有する強磁性体で構成されている。
【００３１】
上部電極の強磁性体部４０ａは、ＭＲ膜３０との距離が５０ｎｍ以下でなければならない。さらには、ＭＲ膜３０のフリー層（図示せず）との距離が５０ｎｍ以下であるとなお好ましい。距離が５０ｎｍより離れるとフリー層への磁束効率は向上しなくなる。さらに上部電極強磁性体部４０ａの膜厚は、フリー層の膜厚以上であることが好ましく、さらには、２倍以上であることが好ましい。フリー層の膜厚より小さい場合は、フリー層への侵入磁束量の増大効果はほとんど得られない。
【００３２】
図１において、電流の通電方向は、トラック幅方向とは略垂直となる方向である。これにより、トラック幅方向に電流磁界を印加できるため、磁気ヨーク１０およびフリー層の磁気異方性制御が容易となる。本実施形態の場合、５ｍＡ程度のセンス電流の通電においても、フリー層および磁気ヨーク１０には磁気異方性制御に十分な電流磁界が得られた。
【００３３】
なお、上部電極４０と下部電極２０の電流の流れが一方向になることが好ましい。図１においては、上部電極４０の図の左方向から下部電極の図の右側方向に通電される。これにより磁気ヨーク１０およびフリー層に同方向の電流磁界が印加されることになる。
【００３４】
以上説明したように、上部電極４０の一部４０ａを軟磁性強磁性体にすることにより、磁気回路上、磁気ヨーク１０のリラクタンスおよびＭＲ膜３０のフリー層のリラクタンスを大幅に低減することが可能となり、これによりフリー層への流入磁束を増大させ、磁気回路の磁束効率を増大させることができ、短磁路化および高効率が可能となるとともに磁気ヘッドの出力を増大することができる。また、強磁性体部４０ａはできるだけ大きな面積で磁気ヨーク１０とオーバーラップすることにより、磁気ヨーク１０全体の反磁界を低減することが可能となり、磁気ヨーク１０およびＭＲ膜の透磁率が低減するのを防止することができる。また、磁気ヨーク１０およびフリー層の磁気異方性制御が容易となることにより、バルクハウゼンノイズを低減することができ、高Ｓ／Ｎ比の高密度記録信号の再生が可能となる。
【００３５】
（第２の実施形態）
次に、本発明によるヨーク型磁気ヘッドの第２の実施形態を図３を参照して説明する。図３は第２の実施形態のヨーク型磁気ヘッドのトラック幅方向の断面図である。この第２の実施形態のヨーク型磁気ヘッドは、磁気ヨーク１０と、ＭＲ膜３０と、上部電極４２と、下部電極（図示せず）を有しており、上部電極４２がバイアス導体として機能する構成となっている。ここでいうバイアス導体とは、電流磁界により磁気ヨーク１０およびＭＲ膜３０のフリー層の磁気異方性をトラック幅方向に制御するために設けられた導電体である。なお、この実施形態においても第１の実施形態と同様に、上部電極４２は、強磁性体部４２ａおよび非磁性体部４２ｂを積層した構成となっている。しかし、第１の実施形態と異なり、この第２の実施形態においては、ＭＲ膜３０に接しているのは非磁性体部４２ｂであり、この非磁性体部４２ｂ上に強磁性体部４２ａが形成された構成となっている。なお、下部電極は、第１の実施形態と同様にビット長方向において、磁気ヨークのウイング部と電気的に接続されている。
【００３６】
図３に示すように、バイアス導体を上部電極４２または下部電極（図示せず）と併用することにより、磁気ヨーク１０およびＭＲ膜３０のフリー層にバイアス導体が近づくことが可能となり、より大きな電流磁界を印加することができる。
【００３７】
バイアス導体には、できるだけ大きな電流密度の電流を通電するのが電流磁界の増大という観点から望ましい。しかし、通電時の電気抵抗によるジュール熱の影響を考慮する必要がある。ジュール熱はできるだけ小さい方がよい。従って、バイアス導体４２の非磁性体部４２ｂとしては、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｗ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｔｉのような材料を用いることが好ましい。さらには単層膜で、さらには単一組成材料であることが好ましい。さらに、その結晶粒径は、低抵抗化のためには１０ｎｍ以上であることが望ましい。
【００３８】
バイアス導体４２は、図３に示すように非磁性体部４２ｂと強磁性体部４２ａの積層構造をとること、あるいは、バイアス導体が導電性強磁性体層からなることが好ましい。これにより、磁気ヨーク１０およびＭＲ膜３０のフリー層が磁気的に還流し、エッジ部の磁化が安定する効果がある。
【００３９】
図３に示すように、強磁性体部４２ａと非磁性体部４２ｂの積層構造を有するバイアス導体４２の場合、強磁性体部４２ａにより電流磁界を効率的に磁気ヨーク１０あるいはフリー層に収束させることが可能となり、磁気ヨーク１０およびフリー層における電流磁界強度を上げることが可能となる。
【００４０】
なお、この第２の実施形態も、上部電極４２が強磁性体部４２ａと非磁性体部４２ｂから構成されているため、第１の実施形態と同様に、高効率かつ高Ｓ／Ｎ比な高密度記録信号の再生が可能となる。
【００４１】
（第３の実施形態）
次に、本発明によるヨーク型磁気ヘッドの第３の実施形態を図４を参照して説明する。図４は、第３の実施形態のヨーク型磁気ヘッドのトラック幅方向の断面図である。この第３の実施形態のヨーク型磁気ヘッドは、図３に示す第２の実施形態において、上部電極４２を上部電極４４に置き換えた構成となっている。この上部電極４４は、導電性強磁性体部４４ａと導電性非磁性体部４４ｂから構成されて、第２の実施形態の場合と同様に、バイアス導体を兼ねている。そして、非磁性体部４４ｂがＭＲ膜３０の上面に接するように形成され、強磁性体部４４ａが非磁性体部４４ｂの上面および側面を覆うように形成されている。なお、強磁性体部４４ａが導電性であるため、非磁性体部４４ｂと強磁性体部４４ａとの間には、絶縁性非磁性体部４３が設けられている。
【００４２】
このように本実施形態においては、強磁性体部４４ａが非磁性体部４４ｂの上面および側面を覆うように形成されているため、そのままでは空間に発散していた電流磁界をより効率的に収束させることができる。さらには図４にも示すように強磁性体部４４ａの先端が磁気ヨーク１０側に突き出ているように構成すれば更に、空間に発散していた電流磁界をより効率的に収束させることができる。
【００４３】
なお、この第３の実施形態も、上部電極４４が強磁性体部４４ａと非磁性体部４４ｂとから構成されているため、第２の実施形態と同様に、高効率かつ高Ｓ／Ｎ比な高密度記録信号の再生が可能となる。
【００４４】
図４においては、強磁性体部４４ａが電導性であるために、強磁性体部４４ａは絶縁性非磁性体部４３により電気的に分離されているが、強磁性体部４４ａの比抵抗が電導性非磁性体部４４ｂの比抵抗より大きければ、絶縁性非磁性体部４３を挿入する必要性はない。この時、強磁性体部４４ａは電導性非磁性体部４４ｂの５倍以上の比抵抗を有することが好ましく、さらには１０倍以上であることが好ましい。
【００４５】
（第４の実施形態）
次に、本発明によるヨーク型磁気ヘッドの第４の実施形態を図５を参照して説明する。図５は、第４の実施形態のヨーク型磁気ヘッドのビット長方向の断面図である。
【００４６】
この第４の実施形態のヨーク型磁気ヘッドは、第１の実施形態において、上部電極４０を上部電極４５に置き換えた構成となっている。そして、上部電極４５は、ＭＲ膜３０に接するように形成された強磁性体部４５ａと、非磁性体部４５ｂと、強磁性体部４５ａと非磁性体部４５ｂとの間に形成されたピラー部４５ｃとを有している。強磁性体部４５ａは、ＭＲ膜３０へのフラックス流入をアシストする磁気ヨークと考える。
【００４７】
図５に示すように、上部電極４５にピラー部４５ｃを有する場合には、上部電極４５の強磁性体部４５ａは上部電極４５の非磁性体部４５ｂから突き出た部分（ピラー部４５ｃ）からの電流磁界をシールドする効果がある。従って、強磁性体部４５ａが無い場合に懸念されるピラー部４５ｃからの電流磁界の磁気ヨーク１０およびＭＲ膜３０のフリー層への影響はほとんど無視できる程度になる。 強磁性体部４５ａは導電性であるので、上部電極４５の一部として用いられる。 この場合、上記のアシスト磁気ヨークの大きさは、ＭＲ膜３０の大きさと同等かあるいは大きいことが好ましい。ＭＲ膜３０より小さいとアシスト磁気ヨークの効果が充分に得られない。
【００４８】
この第４の実施形態も、上部電極４５が強磁性体部４５ａと非磁性体部４５ｂとから構成されているため、第１の実施形態と同様に、高効率かつ高Ｓ／Ｎ比な高密度記録信号の再生が可能となる。
【００４９】
（第５の実施形態）
次に、本発明によるヨーク型磁気ヘッドの第５の実施形態を図６を参照して説明する。図６は、第５の実施形態のヨーク型磁気ヘッドのビット長方向の断面図である。
【００５０】
この第５の実施形態のヨーク型磁気ヘッドは、第２の実施形態において、上部電極４０を上部電極４６に置き換えるとともに、バイアス導体６０を新たに設けた構成となっている。すなわち、バイアス導体６０は第２の実施形態と異なり上部電極４６と別に設けられた構成となっている。そして、上部電極４６は、ＭＲ膜３０に接するように形成された強磁性体部４５ａと、この強磁性体部４６ａの側面に接するように形成された非磁性体部４５ｂとを備えている。
【００５１】
この第５の実施形態も、上部電極４６が強磁性体部４６ａと非磁性体部４６ｂとから構成されているため、第２の実施形態と同様に、高効率かつ高Ｓ／Ｎ比な高密度記録信号の再生が可能となる。
【００５２】
（第６の実施形態）
次に、本発明によるヨーク型磁気ヘッドの第６の実施形態を図７を参照して説明する。図７は、第６の実施形態のヨーク型磁気ヘッドのビット長方向の断面図である。
【００５３】
本実施形態のヨーク型磁気ヘッドは、図５に示す第４の実施形態において、上部電極４５を上部電極４７に置き換えた構成となっている。上部電極４７は、強磁性体部４７ａと、非磁性体部４７ｂ、４７ｃと、を備えている。強磁性体部４７ａの方が非磁性体部４７ｂ、４７ｃより電気抵抗が大きい。上部電極４７の非磁性体部４７ｂ、４７ｃはＭＲ膜３０に向かってピラー部４７ｃが形成されている。ＭＲ膜３０にはピラー部４７ｃと、強磁性体部４７ａが接続される。ピラー部４７ｃの周囲に強磁性体部４７ａが形成されている。こうすることにより、ピラー部４７ｃからの電流磁界を強磁性体部４７ａによってシールドする効果がある。また、強磁性体部４７ａの電気抵抗を非磁性体部４７ｂ、４７ｃのそれより大きくすることにより、センス電流をＭＲ膜３０の高感度領域に集中させることができ、さらに大きな出力を有するヨーク型磁気ヘッドを得ることが可能となる。この場合、我々の実験結果では、強磁性体部４７ａに用いられる材料は、Ｃｏ−Ｆｅ−ＡｌＯ_ｘやＮｉ−Ｆｅ−ＡｌＯ_ｘ、Ｆｅ−Ａｌ−Ｎ、Ｆｅ−Ｔａ−Ｎなどの比抵抗で５０μΩｃｍ以上ある高抵抗なグラニュラー軟磁性膜が好ましい。非磁性体部４７ａは、Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇなどの低抵抗材料を用いるのが好ましい。
【００５４】
この実施形態も、上部電極４７が強磁性体部４７ａと、非磁性体部４７ｂ、４７ｃとから構成されているため、第４の実施形態と同様に、高効率かつ高Ｓ／Ｎ比な高密度記録信号の再生が可能となる。
【００５５】
なお、第１乃至第６の実施形態においては、上部電極を、強磁性体部と、非磁性体部とから構成したが、下部電極がＭＲ膜に接するように形成されている場合には、下部電極を強磁性体部と、非磁性体部とから構成するようにしても、同様の効果を得ることが可能となる。
【００５６】
（第７の実施形態）
次に、本発明によるヨーク型磁気ヘッドの第７の実施形態の構成を図８に示す。この第７の実施形態のヨーク型磁気ヘッドは、記録部・再生部分離形成型磁気ヘッドであって、その構成断面図を図８に示す。この実施形態のヨーク型磁気ヘッドは、再生部１５０と、記録部２００とを有している。再生部１５０は、上記第１乃至第６の実施形態のいずれかの磁気ヘッドに用いられた再生部であり、記録部２００は、磁極２１０と、記録コイル２２０とを有している。磁極２１０は、磁極先端部２１０ａと、磁気ヨーク２１０ｂとからなっている。再生部１５０と、記録部２００とは、媒体対向面８０が同一平面上にあるように構成されている。
【００５７】
この実施形態のヨーク型磁気ヘッドも、高効率かつ高Ｓ／Ｎ比な高密度記録信号の再生が可能となることはいうまでもない。
【００５８】
【発明の効果】
以上で述べたように、本発明によれば、高効率かつ高Ｓ／Ｎ比な高密度記録信号の再生が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるヨーク型磁気ヘッドの第１の実施形態の構成を示すビット長方向の断面図。
【図２】本発明によるヨーク型磁気ヘッドの第１の実施形態の構成を示すトラック幅方向の断面図。
【図３】本発明によるヨーク型磁気ヘッドの第２の実施形態の構成を示すトラック幅方向の断面図。
【図４】本発明によるヨーク型磁気ヘッドの第３の実施形態の構成を示すトラック幅方向の断面図。
【図５】本発明によるヨーク型磁気ヘッドの第４の実施形態の構成を示すビット長方向の断面図。
【図６】本発明によるヨーク型磁気ヘッドの第５の実施形態の構成を示すビット長方向の断面図。
【図７】本発明によるヨーク型磁気ヘッドの第６の実施形態の構成を示すビット長方向の断面図。
【図８】本発明によるヨーク型磁気ヘッドの第７の実施形態の構成を示すビット長方向の断面図。
【図９】従来のヨーク型磁気ヘッドの構成を示すビット長方向の断面図。
【符号の説明】
１ ヨーク型磁気ヘッド
１０ 磁気ヨーク
１０ａ 磁気ヨーク先端部
１０ｂ 磁気ヨークウイング部
１２ 磁気ギャップ（媒体対向側）
１３ 磁気ギャップ（ＭＲ膜側）
２０ 下部電極
３０ ＭＲ膜
４０ 上部電極
４０ａ 強磁性体部
４０ｂ 非磁性体部
４２ 上部電極
４２ａ 強磁性体部
４２ｂ 非磁性体部
４３ 絶縁性非磁性体部
４４ 上部電極
４４ａ 強磁性体部
４４ｂ 非磁性体部
４５ 上部電極
４５ａ 強磁性体部
４５ｂ 非磁性体部
４５ｃ ピラー部
４６ 上部電極
４６ａ 強磁性体部
４６ｂ 非磁性体部
４７ 上部電極
４７ａ 強磁性体部
４７ｂ 非磁性体部
５０ ハードバイアス膜
６０ バイアス導体
８０ 媒体対向面
１００ 垂直記録媒体
１０１ 記録層
１０２ 記録ビット
１５０ 再生部
２００ 記録部
２１０ 磁極
２１０ａ 磁極先端部
２１０ｂ 磁気ヨーク
２２０ 記録コイル
３００ 磁気ヨーク
３２０ 通電層

Claims (3)

1. 媒体対向面から磁気ヘッドの後方に伸びる磁気ヨークと、
   前記媒体対向面より後方にて前記磁気ヨークの前記媒体対向面と平行な面に形成された磁気抵抗効果膜と、
   前記磁気ヨークとは反対側の前記磁気抵抗効果膜の面に設けられ前記磁気抵抗効果膜と電気的に接続される第一の電極と、
   前記磁気ヨークに電気的に接続される第二の電極と、
   を備え、前記第一の電極は導電性強磁性体部と導電性非磁性体部とを積層した構成となっており、前記導電性強磁性体部は前記磁気ヨークとオーバーラップするように配置されていることを特徴とするヨーク型磁気ヘッド。
2. 前記導電性非磁性体部は前記磁気抵抗効果膜に接し、前記導電性強磁性体部は前記導電性非磁性体部が前記磁気抵抗効果膜に接する面と反対の面において、前記導電性非磁性体部と接することを特徴とする請求項１記載のヨーク型磁気ヘッド。
3. 前記導電性強磁性体部は前記磁気抵抗効果膜に接し、前記導電性非磁性体部は前記導電性強磁性体部が前記磁気抵抗効果膜に接する面と反対の面において、前記導電性強磁性体部と接することを特徴とする請求項１記載のヨーク型磁気ヘッド。

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