JP2002237011A - ヨーク型磁気へッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 高効率かつ高Ｓ／Ｎ比な高密度記録信号の再
生を可能とする。 【解決手段】 媒体対抗面８０から磁気ヘッド１の後方
に伸びる磁気ヨーク１０と、媒体対抗面８０より後方に
て磁気ヨークの媒体対抗面と平行な面に形成された磁気
抵抗効果膜３０と、磁気抵抗効果膜を膜面上下から挟む
第一及び第二の電極２０、４０と、を備え、第二の電極
が導電性強磁性体部４０ａと導電性非磁性体部４０ｂか
ら構成されている。上部電極４０の一部４０ａを軟磁性
強磁性体にすることにより、磁気回路上、磁気ヨーク１
０のリラクタンス、およびＭＲ膜３０のフリー層のリラ
クタンスを大幅に低減することが可能となる。従って、
フリー層への流入磁束は増大し、高効率かつ高Ｓ／Ｎ比
な高密度記録信号の再生が可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録再生装置
等に搭載されるヨーク型磁気ヘッドに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ＨＤＤ（ハードディスクドライ
ブ）の磁気記録密度は飛躍的に向上し、更なる高記録密
度化が望まれている。高記録密度化に伴う記録ビットサ
イズの微小化により、従来の薄膜ヘッドでは再生感度が
不充分となり、現在では磁気抵抗効果を利用した磁気抵
抗効果型ヘッド（以下、ＭＲヘッドともいう）が主流と
なっている。その中でも特に大きな磁気抵抗効果を示す
ものとして、スピンバルブ型巨大磁気抵抗効果型ヘッド
（以下、ＳＶ−ＧＭＲヘッドともいう）が注目されてい
る。

【０００３】一方、高記録密度化により薄膜磁気ヘッド
走行時の浮上量は低下する傾向にある。これは、小さな
媒体ビット磁界をセンスするためである。この傾向では
記録媒体と間欠的な接触あるいは定常的な接触をしなが
ら磁気ヘッドを走行させることは避けられないであろう
と予想される。また、高記録密度化以外の観点からみて
も、今後の世の中のマルチメディア化が進むにつれて音
響映像機器へのＨＤＤの搭載が予想される。音響映像機
器への搭載にはＨＤＤの信頼性、特に外部からの衝撃に
よる耐性が重要となる。その際、磁気ヘッドは媒体表面
と接触することが考えられるために、接触に強い磁気ヘ
ッド開発が望まれている。しかしながら、上述した従来
のＳＶ−ＧＭＲヘッドは再生時の記録媒体との接触によ
り発生する熱により異常な抵抗変化を示すこと（サーマ
ルアスペリティ）がよく知られている。従って、媒体対
向面に感磁部が露出する従来のＭＲヘッドおよびＳＶヘ
ッドは今後の高記録密度化には適応できなくなる。

【０００４】そこで様々な形のヨーク型磁気ヘッドが考
案されている。ヨーク型磁気ヘッドは媒体対向面にＳＶ
部の感磁部が露出していないために、上述したサーマル
アスペリティに強い。その中でも短磁路化が可能であ
り、ヘッドスライダの軽量化が容易な水平ヨーク型磁気
ヘッドが注目されている。

【０００５】ヨーク型磁気ヘッドにおいて、磁気ヨーク
内の磁壁移動によるバルクハイウゼンノイズを低減する
ことが課題である。バルクハウゼンノイズ低減には、磁
区形成あるいは磁壁移動を抑制するためのヨーク磁気異
方性の制御が重要である。また、磁気回路的に効率を低
下させない、すなわち、短磁路かつ高効率であってしか
も透磁率を低下させない異方性制御方法が必要となる。

【０００６】この異方性制御方法を用いた水平ヨーク型
磁気ヘッドが、既に特開平４−１６７２１１号公報で提
案されている。この公報で開示されたヨーク型磁気ヘッ
ドの構成を図９に示す。このヨーク型磁気ヘッドは、磁
気抵抗効果膜３０と、この磁気抵抗効果膜３０に磁気的
に接続された磁気ヨーク３００と、磁気ヨーク３００の
少なくとも磁気ギャップの形成部のギャップ深さ方向の
中間部に磁気ギャップを横切ってギャップ長方向に延
び、この方向に通電がなされる通電層３２０と、を備え
た構成となっている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上記異方性制御方法
は、素子サイズがおよそ１μｍ以上の比較的大きな再生
磁気ヘッドでは相対的に通電層３２０の磁気ヨーク３０
０に対する割合が小さいために有効であった。しかしな
がら、高記録密度化による微細化が進行している現状で
は再生ヘッドの短磁路化が必須であるが、上記方法を用
いたヨーク型磁気ヘッドでは磁気ヨーク３００間に通電
層３２０が配置されているために短磁路化が困難であ
る。仮に、通電層３２０を薄膜化したとしても通電層３
２０が磁気ギャップとして作用し磁気ヨーク３００内の
リラクタンスが大きくなってしまう。また、磁気ヘッド
の微細化により磁気ヨーク３００内での磁化回転の連続
性が通電層３２０により阻害されピンニングサイトとし
て作用し、ノイズ発生源となってしまう。

【０００８】その他のヨーク型磁気ヘッドは、磁気ヨー
クの磁化方向と磁気抵抗効果素子のフリー層の磁化方向
とが磁気回路構成上必ずしも平行ではないものが多く、
上記のような電流磁界によるバイアス効果は使用するこ
とが難しかった。また、磁気ヘッド構成上、磁気抵抗効
果素子部と磁気ヨーク部とに同時に電流磁界バイアスを
印可することは困難であった。

【０００９】さらに、従来のヨーク型磁気ヘッドにおい
ては、ＭＲ素子のフリー層の磁化・膜厚積が磁気ヨーク
のそれに比べて小さいために、ＭＲ素子部のリラクタン
スが大きくなり、磁束効率の低下により磁気ヘッド出力
が基本的に小さくなるという課題があった。

【００１０】さらには、高密度化により磁気ヨーク部お
よびＭＲ素子部が小さくなるために反磁界が大きくな
り、軟磁性体からなる磁気ヨークおよびＭＲ素子部の透
磁率が低下するという問題があった。

【００１１】本発明は、上記事情を考慮してなされたも
のであって、高効率かつ高Ｓ／Ｎ比な高密度記録信号の
再生を可能としたヨーク型磁気ヘッドを提供することを
目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明のヨーク型磁気ヘ
ッドは、媒体対抗面から磁気ヘッドの後方に伸びる磁気
ヨークと、媒体対抗面より後方にて磁気ヨークの媒体対
抗面と平行な面に形成された磁気抵抗効果膜と、磁気抵
抗効果膜を膜面上下から挟む第一及び第二の電極と、を
備え、前記第一または第二の電極が導電性強磁性体部と
導電性非磁性体部から構成されていることを特徴とする
ヨーク型磁気ヘッドを提供する。

【００１３】この発明において、次の形態を採用するこ
とができる。

【００１４】１） 電極は、前記導電性強磁性体層
と前記導電性非磁性体層の２層以上の積層体からなって
いる。

【００１５】２） 各電極の磁気抵抗効果膜に最も
近接する部分を導電性非磁性体部とし、この導電性非磁
性体よりも外側（磁気抵抗効果膜から離れた側）に形成
された部分を導電性強磁性体部とする。例えば、磁気抵
抗効果膜の上表面に形成された上電極では、その最下層
を導電性非磁性体部とし、その上層を導電性強磁性体部
とすることができる。また、磁気抵抗効果膜の下表面に
形成された下電極では、その最上層を導電性非磁性体部
とし、その下層を導電性強磁性体部とすることができ
る。

【００１６】３） 各電極の磁気抵抗効果膜に最も
近接する部分を導電性強磁性体部とし、この導電性強磁
性体部よりも外側（磁気抵抗効果膜から離れた側）に形
成された部分を導電性非磁性体部とする。

【００１７】４） 磁気抵抗効果膜は、外部磁界が
ゼロの状態において所定の磁化を備え、外部磁界が加わ
る状態でこの所定の方向から磁化が変化する磁化フリー
層、外部磁界がゼロの状態及び外部磁界が加わった状態
でも略一定の磁化方向を維持する磁化ピン層、及び磁化
フリー層及び磁化ピン層の間に形成された非磁性層を備
える。磁気抵抗効果膜には、これらの３層の他にもキャ
ップ層、ピン層を磁化固着するための反強磁性体層、下
地層なども含まれる。

【００１８】上記磁気抵抗効果素子には、電子のトンネ
ル効果を利用したトンネル型ＭＲ膜（ＴＭＲ）も用いて
もよい。また、界面における電子の反射を利用した強面
反射層をフリー層あるいはピン層に挿入したスピンバル
ブ型ＭＲ膜を用いることも可能である。尚、本発明にお
ける磁気抵抗効果膜は、特許第２６３７３６０号に詳細
に記述されており、その対応の記載を参照する。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態を説明する。

【００２０】（第１の実施形態）本発明によるヨーク型
磁気ヘッドの第１の実施の形態を図１および図２を用い
て説明する。図１は第１実施形態の水平ヨーク型磁気ヘ
ッドのビット長方向の断面図であり、図２は第１実施形
態の水平ヨーク型磁気ヘッドのトラック幅方向の断面図
である。

【００２１】本実施形態のヨーク型磁気ヘッド１は、一
対の磁気ヨーク１０と、下部電極２０と、磁気抵抗効果
膜３０（以下、ＭＲ膜ともいう）と、導電性強磁性体部
４０ａおよび導電性非磁性体部４０ｂからなる上部電極
４０と、ハードバイアス膜５０と、を備えている。磁気
ヨーク１０は、ＭＲ膜３０と磁気的および電気的に結合
されている。また、下部電極２０は後述の磁気ヨークウ
イング部１０ｂに電気的に接続された構成となってい
る。すなわち磁気ヨーク１０は下部電極２０の一部とし
て機能している構成となっている。なお、ハードバイア
ス膜５０は磁気ヨークウイング部１０ｂのトラック幅方
向の側部に設けられている。

【００２２】また、図１には、垂直記録媒体１００の記
録層１０１と記録ビット１０２が模式的に描かれてい
る。本実施形態のヨーク型磁気ヘッドは垂直磁気記録の
みならず、面内磁気記録にも適用ができる。

【００２３】本実施形態においては、後述の図５に示さ
れるような上部電極ピラー部は形成されていない。いわ
ゆる、ピラーレスであるが、上部電極４０が突き出たピ
ラー部が存在しても構わない。

【００２４】図１において磁気ヨーク１０は磁気ヨーク
先端部１０ａと、磁気ヨークウイング部１０ｂとから構
成される。磁気ヨークウイング部１０ｂは、磁気ヨーク
１０全体の磁気異方性制御がより容易になるように形成
されているもので、無くても問題はない。磁気ヨークウ
イング部１０ｂがある場合は、たとえば、反強磁性体と
強磁性体との交換結合を利用して磁気ヨークウイング部
１０ｂの磁気異方性を制御したり、硬磁性体により磁気
ヨークウイング部１０ｂの端部から磁気異方性を制御す
ることも可能である。

【００２５】また、一対の磁気ヨーク１０は同一平面上
に、再生磁気ギャップ１２，１３を挟む形で設置され
る。磁気ヨーク１０の形成面は、媒体対向面８０と略平
行である。再生磁気ギャップ１２，１３は、図１に示さ
れるように媒体対向面側の磁気ギャップ１２が狭く、媒
体対向面から離れるに従って広くなる形状を有する。再
生磁気ギャップ１２，１３はできるだけ滑らかな曲線を
描く方が望ましい。再生磁気ギャップにおいては、最も
広い部分１３は最も狭い部分１２の３０倍以下であるこ
とが望ましく、さらには、１０倍以下であることが好ま
しい。

【００２６】また、ＭＲ膜３０は、外部磁界がゼロの状
態において所定の磁化を備え、外部磁界が加わる状態で
この所定の方向から磁化が変化する磁化フリー層（図示
せず）、外部磁界がゼロの状態及び外部磁界が加わった
状態でも略一定の磁化方向を維持する磁化ピン層（図示
せず）、及び磁化フリー層及び磁化ピン層の間に形成さ
れた非磁性層（図示せず）を備える。ＭＲ膜３０には、
これらの３層の他にもキャップ層（図示せず）、ピン層
を磁化固着するための反強磁性体層（図示せず）、下地
層（図示せず）なども含まれる。

【００２７】なお、上記ＭＲ膜３０として、電子のトン
ネル効果を利用したトンネル型ＭＲ膜（ＴＭＲ）も用い
てもよい。また、界面における電子の反射を利用した強
面反射層をフリー層あるいはピン層に挿入したスピンバ
ルブ型ＭＲ膜を用いることも可能である。

【００２８】本実施形態のヨーク型磁気ヘッド１では、
上部電極４０の一部４０ａが軟磁気特性を有する強磁性
体で構成される。磁気ヨーク１０の形状から考えると媒
体対向面８０からＭＲ膜３０までの距離は、磁気ヨーク
幅に比べて非常に短い。従って、そのままでは媒体対向
面８０から吸いあがる媒体信号磁束が反磁界の影響によ
りＭＲ膜３０へ吸いあがりにくくなる。しかしながら、
上部電極４０の一部４０ａを軟磁性強磁性体にすること
により、磁気回路上、非常に大きかった磁気ヨーク１０
のリラクタンス、および非常に薄いために大きくなるＭ
Ｒ膜３０のフリー層のリラクタンスを大幅に低減するこ
とが可能となる。従って、フリー層への流入磁束は増大
する。また、強磁性体部４０ａはできるだけ大きな面積
で磁気ヨーク１０とオーバーラップした方が望ましい。
これにより磁気ヨーク１０全体の反磁界を低減すること
ができる。

【００２９】強磁性体部４０ａは上部磁気ギャップ部１
３の幅および長さＧ１（図１参照）より大きいことが好
ましい。すなわち、強磁性体部４０ａは、上部磁気ギャ
ップ部１３を覆う形となる。さらには強磁性体部４０ａ
は、ＭＲ膜３０の幅（図２参照）よりも大きいことが好
ましい。すなわち、ＭＲ膜３０のＳＶ膜部を覆うことに
なる。さらには、強磁性体部４０ａは、磁気ヨーク１０
の幅よりも大きいことが好ましい。従って、上部電極４
０が全面にわたって完全に強磁性体部４０ａと非磁性体
部４０ｂの積層型であってもよい。しかしながら、この
中で最も好ましい形態としては、強磁性体部４０ａが上
部磁気ギャップ１３の長さ以上でＭＲ膜３０の長さ以下
の大きさである時である。この時最もフリー層への侵入
磁束量は増加する。

【００３０】上部電極強磁性部４０ａに用いる材料は、
我々の研究の結果、比透磁率が５０以上あることが望ま
れ、さらには５００以上であれば好ましい。従って、図
１に示される本実施形態では、上部電極４０の最下層４
０ａすなわちＭＲ膜３０との接触層がＮｉＦｅ（パーマ
ロイ）やＣｏＦｅ、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂなどのアモルファ
ス系合金などの軟磁気特性を有する強磁性体で構成され
ている。

【００３１】上部電極の強磁性体部４０ａは、ＭＲ膜３
０との距離が５０ｎｍ以下でなければならない。さらに
は、ＭＲ膜３０のフリー層（図示せず）との距離が５０
ｎｍ以下であるとなお好ましい。距離が５０ｎｍより離
れるとフリー層への磁束効率は向上しなくなる。さらに
上部電極強磁性体部４０ａの膜厚は、フリー層の膜厚以
上であることが好ましく、さらには、２倍以上であるこ
とが好ましい。フリー層の膜厚より小さい場合は、フリ
ー層への侵入磁束量の増大効果はほとんど得られない。

【００３２】図１において、電流の通電方向は、トラッ
ク幅方向とは略垂直となる方向である。これにより、ト
ラック幅方向に電流磁界を印加できるため、磁気ヨーク
１０およびフリー層の磁気異方性制御が容易となる。本
実施形態の場合、５ｍＡ程度のセンス電流の通電におい
ても、フリー層および磁気ヨーク１０には磁気異方性制
御に十分な電流磁界が得られた。

【００３３】なお、上部電極４０と下部電極２０の電流
の流れが一方向になることが好ましい。図１において
は、上部電極４０の図の左方向から下部電極の図の右側
方向に通電される。これにより磁気ヨーク１０およびフ
リー層に同方向の電流磁界が印加されることになる。

【００３４】以上説明したように、上部電極４０の一部
４０ａを軟磁性強磁性体にすることにより、磁気回路
上、磁気ヨーク１０のリラクタンスおよびＭＲ膜３０の
フリー層のリラクタンスを大幅に低減することが可能と
なり、これによりフリー層への流入磁束を増大させ、磁
気回路の磁束効率を増大させることができ、短磁路化お
よび高効率が可能となるとともに磁気ヘッドの出力を増
大することができる。また、強磁性体部４０ａはできる
だけ大きな面積で磁気ヨーク１０とオーバーラップする
ことにより、磁気ヨーク１０全体の反磁界を低減するこ
とが可能となり、磁気ヨーク１０およびＭＲ膜の透磁率
が低減するのを防止することができる。また、磁気ヨー
ク１０およびフリー層の磁気異方性制御が容易となるこ
とにより、バルクハウゼンノイズを低減することがで
き、高Ｓ／Ｎ比の高密度記録信号の再生が可能となる。

【００３５】（第２の実施形態）次に、本発明によるヨ
ーク型磁気ヘッドの第２の実施形態を図３を参照して説
明する。図３は第２の実施形態のヨーク型磁気ヘッドの
トラック幅方向の断面図である。この第２の実施形態の
ヨーク型磁気ヘッドは、磁気ヨーク１０と、ＭＲ膜３０
と、上部電極４２と、下部電極（図示せず）を有してお
り、上部電極４２がバイアス導体として機能する構成と
なっている。ここでいうバイアス導体とは、電流磁界に
より磁気ヨーク１０およびＭＲ膜３０のフリー層の磁気
異方性をトラック幅方向に制御するために設けられた導
電体である。なお、この実施形態においても第１の実施
形態と同様に、上部電極４２は、強磁性体部４２ａおよ
び非磁性体部４２ｂを積層した構成となっている。しか
し、第１の実施形態と異なり、この第２の実施形態にお
いては、ＭＲ膜３０に接しているのは非磁性体部４２ｂ
であり、この非磁性体部４２ｂ上に強磁性体部４２ａが
形成された構成となっている。なお、下部電極は、第１
の実施形態と同様にビット長方向において、磁気ヨーク
のウイング部と電気的に接続されている。

【００３６】図３に示すように、バイアス導体を上部電
極４２または下部電極（図示せず）と併用することによ
り、磁気ヨーク１０およびＭＲ膜３０のフリー層にバイ
アス導体が近づくことが可能となり、より大きな電流磁
界を印加することができる。

【００３７】バイアス導体には、できるだけ大きな電流
密度の電流を通電するのが電流磁界の増大という観点か
ら望ましい。しかし、通電時の電気抵抗によるジュール
熱の影響を考慮する必要がある。ジュール熱はできるだ
け小さい方がよい。従って、バイアス導体４２の非磁性
体部４２ｂとしては、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｗ、Ｐｔ、Ｔ
ａ、Ｔｉのような材料を用いることが好ましい。さらに
は単層膜で、さらには単一組成材料であることが好まし
い。さらに、その結晶粒径は、低抵抗化のためには１０
ｎｍ以上であることが望ましい。

【００３８】バイアス導体４２は、図３に示すように非
磁性体部４２ｂと強磁性体部４２ａの積層構造をとるこ
と、あるいは、バイアス導体が導電性強磁性体層からな
ることが好ましい。これにより、磁気ヨーク１０および
ＭＲ膜３０のフリー層が磁気的に還流し、エッジ部の磁
化が安定する効果がある。

【００３９】図３に示すように、強磁性体部４２ａと非
磁性体部４２ｂの積層構造を有するバイアス導体４２の
場合、強磁性体部４２ａにより電流磁界を効率的に磁気
ヨーク１０あるいはフリー層に収束させることが可能と
なり、磁気ヨーク１０およびフリー層における電流磁界
強度を上げることが可能となる。

【００４０】なお、この第２の実施形態も、上部電極４
２が強磁性体部４２ａと非磁性体部４２ｂから構成され
ているため、第１の実施形態と同様に、高効率かつ高Ｓ
／Ｎ比な高密度記録信号の再生が可能となる。

【００４１】（第３の実施形態）次に、本発明によるヨ
ーク型磁気ヘッドの第３の実施形態を図４を参照して説
明する。図４は、第３の実施形態のヨーク型磁気ヘッド
のトラック幅方向の断面図である。この第３の実施形態
のヨーク型磁気ヘッドは、図３に示す第２の実施形態に
おいて、上部電極４２を上部電極４４に置き換えた構成
となっている。この上部電極４４は、導電性強磁性体部
４４ａと導電性非磁性体部４４ｂから構成されて、第２
の実施形態の場合と同様に、バイアス導体を兼ねてい
る。そして、非磁性体部４４ｂがＭＲ膜３０の上面に接
するように形成され、強磁性体部４４ａが非磁性体部４
４ｂの上面および側面を覆うように形成されている。な
お、強磁性体部４４ａが導電性であるため、非磁性体部
４４ｂと強磁性体部４４ａとの間には、絶縁性非磁性体
部４３が設けられている。

【００４２】このように本実施形態においては、強磁性
体部４４ａが非磁性体部４４ｂの上面および側面を覆う
ように形成されているため、そのままでは空間に発散し
ていた電流磁界をより効率的に収束させることができ
る。さらには図４にも示すように強磁性体部４４ａの先
端が磁気ヨーク１０側に突き出ているように構成すれば
更に、空間に発散していた電流磁界をより効率的に収束
させることができる。

【００４３】なお、この第３の実施形態も、上部電極４
４が強磁性体部４４ａと非磁性体部４４ｂとから構成さ
れているため、第２の実施形態と同様に、高効率かつ高
Ｓ／Ｎ比な高密度記録信号の再生が可能となる。

【００４４】図４においては、強磁性体部４４ａが電導
性であるために、強磁性体部４４ａは絶縁性非磁性体部
４３により電気的に分離されているが、強磁性体部４４
ａの比抵抗が電導性非磁性体部４４ｂの比抵抗より大き
ければ、絶縁性非磁性体部４３を挿入する必要性はな
い。この時、強磁性体部４４ａは電導性非磁性体部４４
ｂの５倍以上の比抵抗を有することが好ましく、さらに
は１０倍以上であることが好ましい。

【００４５】（第４の実施形態）次に、本発明によるヨ
ーク型磁気ヘッドの第４の実施形態を図５を参照して説
明する。図５は、第４の実施形態のヨーク型磁気ヘッド
のビット長方向の断面図である。

【００４６】この第４の実施形態のヨーク型磁気ヘッド
は、第１の実施形態において、上部電極４０を上部電極
４５に置き換えた構成となっている。そして、上部電極
４５は、ＭＲ膜３０に接するように形成された強磁性体
部４５ａと、非磁性体部４５ｂと、強磁性体部４５ａと
非磁性体部４５ｂとの間に形成されたピラー部４５ｃと
を有している。強磁性体部４５ａは、ＭＲ膜３０へのフ
ラックス流入をアシストする磁気ヨークと考える。

【００４７】図５に示すように、上部電極４５にピラー
部４５ｃを有する場合には、上部電極４５の強磁性体部
４５ａは上部電極４５の非磁性体部４５ｂから突き出た
部分（ピラー部４５ｃ）からの電流磁界をシールドする
効果がある。従って、強磁性体部４５ａが無い場合に懸
念されるピラー部４５ｃからの電流磁界の磁気ヨーク１
０およびＭＲ膜３０のフリー層への影響はほとんど無視
できる程度になる。強磁性体部４５ａは導電性であるの
で、上部電極４５の一部として用いられる。 この場
合、上記のアシスト磁気ヨークの大きさは、ＭＲ膜３０
の大きさと同等かあるいは大きいことが好ましい。ＭＲ
膜３０より小さいとアシスト磁気ヨークの効果が充分に
得られない。

【００４８】この第４の実施形態も、上部電極４５が強
磁性体部４５ａと非磁性体部４５ｂとから構成されてい
るため、第１の実施形態と同様に、高効率かつ高Ｓ／Ｎ
比な高密度記録信号の再生が可能となる。

【００４９】（第５の実施形態）次に、本発明によるヨ
ーク型磁気ヘッドの第５の実施形態を図６を参照して説
明する。図６は、第５の実施形態のヨーク型磁気ヘッド
のビット長方向の断面図である。

【００５０】この第５の実施形態のヨーク型磁気ヘッド
は、第２の実施形態において、上部電極４０を上部電極
４６に置き換えるとともに、バイアス導体６０を新たに
設けた構成となっている。すなわち、バイアス導体６０
は第２の実施形態と異なり上部電極４６と別に設けられ
た構成となっている。そして、上部電極４６は、ＭＲ膜
３０に接するように形成された強磁性体部４５ａと、こ
の強磁性体部４６ａの側面に接するように形成された非
磁性体部４５ｂとを備えている。

【００５１】この第５の実施形態も、上部電極４６が強
磁性体部４６ａと非磁性体部４６ｂとから構成されてい
るため、第２の実施形態と同様に、高効率かつ高Ｓ／Ｎ
比な高密度記録信号の再生が可能となる。

【００５２】（第６の実施形態）次に、本発明によるヨ
ーク型磁気ヘッドの第６の実施形態を図７を参照して説
明する。図７は、第６の実施形態のヨーク型磁気ヘッド
のビット長方向の断面図である。

【００５３】本実施形態のヨーク型磁気ヘッドは、図５
に示す第４の実施形態において、上部電極４５を上部電
極４７に置き換えた構成となっている。上部電極４７
は、強磁性体部４７ａと、非磁性体部４７ｂ、４７ｃ
と、を備えている。強磁性体部４７ａの方が非磁性体部
４７ｂ、４７ｃより電気抵抗が大きい。上部電極４７の
非磁性体部４７ｂ、４７ｃはＭＲ膜３０に向かってピラ
ー部４７ｃが形成されている。ＭＲ膜３０にはピラー部
４７ｃと、強磁性体部４７ａが接続される。ピラー部４
７ｃの周囲に強磁性体部４７ａが形成されている。こう
することにより、ピラー部４７ｃからの電流磁界を強磁
性体部４７ａによってシールドする効果がある。また、
強磁性体部４７ａの電気抵抗を非磁性体部４７ｂ、４７
ｃのそれより大きくすることにより、センス電流をＭＲ
膜３０の高感度領域に集中させることができ、さらに大
きな出力を有するヨーク型磁気ヘッドを得ることが可能
となる。この場合、我々の実験結果では、強磁性体部４
７ａに用いられる材料は、Ｃｏ−Ｆｅ−ＡｌＯ_ｘやＮｉ
−Ｆｅ−ＡｌＯ_ｘ、Ｆｅ−Ａｌ−Ｎ、Ｆｅ−Ｔａ−Ｎな
どの比抵抗で５０μΩｃｍ以上ある高抵抗なグラニュラ
ー軟磁性膜が好ましい。非磁性体部４７ａは、Ｃｕ，Ａ
ｕ，Ａｇなどの低抵抗材料を用いるのが好ましい。

【００５４】この実施形態も、上部電極４７が強磁性体
部４７ａと、非磁性体部４７ｂ、４７ｃとから構成され
ているため、第４の実施形態と同様に、高効率かつ高Ｓ
／Ｎ比な高密度記録信号の再生が可能となる。

【００５５】なお、第１乃至第６の実施形態において
は、上部電極を、強磁性体部と、非磁性体部とから構成
したが、下部電極がＭＲ膜に接するように形成されてい
る場合には、下部電極を強磁性体部と、非磁性体部とか
ら構成するようにしても、同様の効果を得ることが可能
となる。

【００５６】（第７の実施形態）次に、本発明によるヨ
ーク型磁気ヘッドの第７の実施形態の構成を図８に示
す。この第７の実施形態のヨーク型磁気ヘッドは、記録
部・再生部分離形成型磁気ヘッドであって、その構成断
面図を図８に示す。この実施形態のヨーク型磁気ヘッド
は、再生部１５０と、記録部２００とを有している。再
生部１５０は、上記第１乃至第６の実施形態のいずれか
の磁気ヘッドに用いられた再生部であり、記録部２００
は、磁極２１０と、記録コイル２２０とを有している。
磁極２１０は、磁極先端部２１０ａと、磁気ヨーク２１
０ｂとからなっている。再生部１５０と、記録部２００
とは、媒体対向面８０が同一平面上にあるように構成さ
れている。

【００５７】この実施形態のヨーク型磁気ヘッドも、高
効率かつ高Ｓ／Ｎ比な高密度記録信号の再生が可能とな
ることはいうまでもない。

【００５８】

【発明の効果】以上で述べたように、本発明によれば、
高効率かつ高Ｓ／Ｎ比な高密度記録信号の再生が可能と
なる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるヨーク型磁気ヘッドの第１の実施
形態の構成を示すビット長方向の断面図。

【図２】本発明によるヨーク型磁気ヘッドの第１の実施
形態の構成を示すトラック幅方向の断面図。

【図３】本発明によるヨーク型磁気ヘッドの第２の実施
形態の構成を示すトラック幅方向の断面図。

【図４】本発明によるヨーク型磁気ヘッドの第３の実施
形態の構成を示すトラック幅方向の断面図。

【図５】本発明によるヨーク型磁気ヘッドの第４の実施
形態の構成を示すビット長方向の断面図。

【図６】本発明によるヨーク型磁気ヘッドの第５の実施
形態の構成を示すビット長方向の断面図。

【図７】本発明によるヨーク型磁気ヘッドの第６の実施
形態の構成を示すビット長方向の断面図。

【図８】本発明によるヨーク型磁気ヘッドの第７の実施
形態の構成を示すビット長方向の断面図。

【図９】従来のヨーク型磁気ヘッドの構成を示すビット
長方向の断面図。

【符号の説明】 １ ヨーク型磁気ヘッド １０ 磁気ヨーク １０ａ 磁気ヨーク先端部 １０ｂ 磁気ヨークウイング部 １２ 磁気ギャップ（媒体対向側） １３ 磁気ギャップ（ＭＲ膜側） ２０ 下部電極 ３０ ＭＲ膜 ４０ 上部電極 ４０ａ 強磁性体部 ４０ｂ 非磁性体部 ４２ 上部電極 ４２ａ 強磁性体部 ４２ｂ 非磁性体部 ４３ 絶縁性非磁性体部 ４４ 上部電極 ４４ａ 強磁性体部 ４４ｂ 非磁性体部 ４５ 上部電極 ４５ａ 強磁性体部 ４５ｂ 非磁性体部 ４５ｃ ピラー部 ４６ 上部電極 ４６ａ 強磁性体部 ４６ｂ 非磁性体部 ４７ 上部電極 ４７ａ 強磁性体部 ４７ｂ 非磁性体部 ５０ ハードバイアス膜 ６０ バイアス導体 ８０ 媒体対向面 １００ 垂直記録媒体 １０１ 記録層 １０２ 記録ビット １５０ 再生部 ２００ 記録部 ２１０ 磁極 ２１０ａ 磁極先端部 ２１０ｂ 磁気ヨーク ２２０ 記録コイル ３００ 磁気ヨーク ３２０ 通電層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 館 山 公 一 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１ 株式会 社東芝研究開発センター内 (72)発明者 原 通 子 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１ 株式会 社東芝研究開発センター内 (72)発明者 與 田 博 明 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１ 株式会 社東芝研究開発センター内 Ｆターム(参考） 2G017 AA02 AA10 AD05 AD55 AD65 5D034 AA02 BA02 BA03 BA08 BA12 BA18 CA04

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】媒体対抗面から磁気ヘッドの後方に伸びる
   磁気ヨークと、 前記媒体対抗面より後方にて前記磁気ヨークの前記媒体
   対抗面と平行な面に形成された磁気抵抗効果膜と、 前記磁気抵抗効果膜を膜面上下から挟む第一及び第二の
   電極と、 を備え、前記第一または第二の電極が導電性強磁性体部
   と導電性非磁性体部から構成されていることを特徴とす
   るヨーク型磁気ヘッド。
2. 【請求項２】前記導電性非磁性体部は前記磁気抵抗効果
   膜に接し、前記導電性強磁性体部は前記導電性非磁性体
   部が前記磁気抵抗効果膜に接する面と反対の面におい
   て、前記導電性非磁性体部と接することを特徴とする請
   求項１記載のヨーク型磁気ヘッド。
3. 【請求項３】前記導電性強磁性体部は前記磁気抵抗効果
   膜に接し、前記導電性非磁性体部は前記導電性強磁性体
   部が前記磁気抵抗効果膜に接する面と反対の面におい
   て、前記導電性強磁性体部と接することを特徴とする請
   求項１記載のヨーク型磁気ヘッド。