JPS63181108A - 磁気抵抗効果型磁気ヘツド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下ＭＲ型磁気ヘ
ッドという）、特にシールド型ＭＲ型磁気ヘッドに関わ
る。

〔発明の概要〕

本発明は少くとも一方が磁気抵抗効果を有する対の磁性
薄膜が非磁性中間層を介して積層された複数の感磁部が
、その各前方端面が磁気記録媒体との対接面に臨むよう
に、またこれら感磁部が前記対接面とほぼ直交する方向
に延在するように並置配置され、これら感磁部を横切る
ように延在するバイアス導体が設けられ、隣り合う２つ
の感磁部がそれぞれの前方端において各感磁部の延在方
向とほぼ直交する方向に延在する前方導体によって連結
されるとともに互いに他の隣り合う２つの感磁部がそれ
ぞれの後方端において各感磁部の延在方向とほぼ直交す
る方向に延在する前方導体によって連結されて各感磁部
におけるセンス電流の主たる通電方向が磁気記録媒体か
らの信号磁界とほぼ同方向とされ、これら感磁部とバイ
アス導体の配置部上に磁性体が設けられてシールド型構
成とされ、バルクハウゼンノイズの回避と感磁部におけ
るヒステリシスによる出力特性のリニアリティの低下及
び変動の回避を図る。

〔従来の技術〕

従来一般のＭＲ型磁気ヘッドは、その感磁部が単層の磁
気抵抗効果を有する磁性薄膜（以下ＭＲ磁性薄膜という
）によって構成され、このＭＲ磁性薄膜に与えられる磁
気記録媒体上の磁気記録に基づく信号磁界による抵抗変
化を例えば電圧変化として検出するためのセンス電流を
、ＭＲ磁性層の面方向に沿いかつ磁気記録媒体との対接
面のトラック幅方向に沿う方向に通ずるようにしている
。つまり？ＩＲ磁性層に対しセンス電流が、磁気記録媒
体から与えられる信号磁界と直交する方向に流される。

〔発明が解決しようとする問題点〕 ところが、上述した単層の淋磁性層による感磁部によっ
て構成されたＭＲ型磁気ヘッドは、バルクハウゼンノイ
ズ、すなわち磁壁の移動に基づくノイズの発生が問題と
なる。

このようなバルクハウゼンノイズの低減化を図るように
した旧型磁気ヘッドとして本出願人は先に特願昭６０−
１７９１３５号出願によってその感磁部として対の磁性
層が非磁性層を介して積層された構造ヲとってバルクハ
ウゼンノイズの低減化を図るとか、さらに特願昭６０−
２４７７５２号出願によって感磁部に通ずるセンス電流
を信号磁界と同方向とすることによってよりバルクハウ
ゼンノイズの低減化を図るようにしたＭＲ型磁気ヘッド
の提案をなした。

本発明はさらにバルクハウゼンノイズの低減化と、さら
に感磁部におけるヒステリシスの発生に基づく再生特性
のりニアリティの問題点や出力変動の問題点の解決を図
ろうとするものである。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は第１図にその一例の拡大平面図を示し第２図に
第１図のＡ−Ａ線上の拡大断面図を示すように、基板す
なわち、例えば下部磁性体（８）上に少くとも一方が磁
気抵抗効果を有する対の磁性薄膜（１ａ）及び（１ｂ）
が非磁性中間層（１ｃ）を介して積層された複数の感磁
部（１）が、磁気記録媒体との対接面（９）とほぼ直交
するように延在して並置配列され、これら感磁部（１１
を共通に横切るように絶縁層（２）を介してバイアス用
導体（３）が延在される。

各感磁部（１）は、隣り合う２つの感磁部（１）がそれ
ぞれの前方端において各感磁部（１）の延在方向とほぼ
直交する方向に延在する前方導体（４）によって連結さ
れるとともに、互いに他の隣り合う２つの感磁部（１）
がそれぞれの後方端において各感磁部（１）の延在方向
とほぼ直交する方向に延在する後方導体（５）によって
連結される。そして、これら感磁部（１）とバイアス用
導体（３）の配置部を、基板例えば下部磁性体（８）と
の間に挟み込むように、上部磁性体（７）を配置する。

各感磁部（１１の前方端面とこれら前方端に配置された
前方導体（４）の各前方端面ば、対接面（９）に臨んで
配置される。

これら感磁部（１）は、磁気記録媒体上の磁気トラック
幅ＴＷ内に配置される。

複数の感磁部（１）の両外側に配置された２つの感磁部
（１１の例えば後方端上の後方導体（５）からそれぞれ
端子導出部（６）が導出され、これら対の端子導出部（
６）による端子１．及びｔ２間にセンス電流ｉが通電さ
れることによって交互に前方導体（４）と後方導体（５
）によって連結された各感磁部（１）にそれぞれセンス
電流ｉが対接面（９）とほぼ直交し、感磁部（１１の面
方向に沿うように通電する。すなわち磁気記録媒体から
の信号磁界Ｈｓとセンス電流ｉとがほぼ同方向となるよ
うにする。

（１０）はバイアス用導体（３）の例えば両端から導出
されたバイアス用端子導出部を示し、端子１゜及びｔ２
を導出する。

また、各感磁部（１１に対する前方導体（４）及び後方
導体（５）の延長方向はそれぞれ感磁部（１）の延在方
向と直交する方向すなわちセンス電流ｉの通電方向とほ
ぼ直交する方向に延在するように配置する。

感磁部（１１は、上述したように少くとも一方力（ＭＲ
効果を有するＭＲ磁性薄膜による磁性薄膜（１ａ）及び
（ｌｂ）が非磁性中間層（ｌａンを介して積層された構
造とするものであるが、この場合非磁性中間Ｎ　（ｌｃ
）の厚さは、両磁性薄ＩＱ　（ｌａ）及び（１ｂ）間に
交換相互作用に比し静磁的相互作用が支配的に作用する
ような厚さ５人〜１００００人の例えば５〜５００人に
選定する。

また、陶磁性薄膜（１ａ）及び（１ｂ）は、その飽和磁
束密度、厚さ等の選定によって陶磁性薄膜（１ａ）及び
（１ｂ）の磁束量が一致するようにして磁束が陶磁性薄
膜（１ａ）及び（１ｂ）に関して全体的に閉じるように
選定される。

感磁部（１１の陶磁性薄膜（１ａ）及び（ｌｂ）をＭＲ
磁性薄膜によって構成するときは、陶磁性薄膜（１ａ）
及び（１ｂ）は同一の材料、寸法形状とすることが望ま
しいが、一方をＭＲ効果がないかほとんどない材料によ
って構成するときは、この磁性薄膜は肝効果のある磁性
薄膜に比し充分大なる電気抵抗を有するように、その材
料及び厚さ等の選定を行う。

しかしながらこの場合においても上述した陶磁性薄膜の
磁束量が一致するような条件を満足する必要がある。そ
して、上述したように、磁気記録媒体から感磁部（１）
に与えられる信号磁界Ｈｓと感磁部（１）に通ずるセン
ス電流ｉを同方向に選定するものであるが、感磁部（１
）を構成する磁性薄膜は信号磁界Ｈｓ及び電流ｉとほぼ
直交する方向にすなわち感磁部の幅方向に磁化容易軸を
有するかあるいは磁性薄膜の主面内に異方性のない等方
的な磁性薄膜によって構成する。

そして、バイアス用導体（３）の端子導出部（１０）か
ら導出された端子ｔ１及びｔ２間にバイアス磁界発生用
の電流を通電し、感磁部（１）の磁性薄膜（１ａ）及び
（１ｂ）の磁化の向きがセンス電流ｉの方向に対し所要
の角度例えばほぼ４５°となるようなバイアス磁界を与
える。

上述したように本発明においては上下部側磁性体（７）
及び（８）間に感磁部（１）が配置され、感磁部（１）
の各前方端が磁気記録媒体との対接面（９）に臨むよう
に構成されたシールド型構成をとる。

〔作用〕

上述の本発明構成によれば、バルクハウゼンノイズが効
果的に除去される。これについて説明する。

まず、バルクハウゼンノイズの発生原因について説明す
ると、従来一般のＭＲ型磁気ヘッドのように、その感磁
部が単層のＭＲ磁性薄膜によって構成されている場合、
このＭＲ磁性薄膜は磁気異方性エネルギー、形状異方性
等に起因する静磁エネルギー等の和が薄膜全体として最
小となるような状態を保持すべく第１２図に示すような
磁区構造をとる。

すなわち、この単層ＭＲ磁性薄膜（１２１）が長方形と
され、その短辺方向に磁気異方性を有する場合、その面
内において短辺方向に沿って磁化方向が互いに逆向きの
磁区（１２２）が生じるとともに、これら隣り合う磁区
（１２２）に関して閉ループを形成するようにその両端
間に磁性薄膜（１２１）の長辺方向に沿って順次逆向き
の磁区（１２３）が生じている。

したがって、このような磁性薄膜（１２１）に外部磁界
が与えられると磁壁が移動し、これによりバルクハウゼ
ンノイズが発生する。

これに比し本発明構成においては、その感磁部（１１が
非磁性中間層（１ｃ）を介して磁性薄膜（１ａ）及び（
１ｂ）が積層された構造とされていることによって外部
磁界が与えられていない状態では、第３図に示すように
磁性薄膜（１ａ）及び（１ｂ）は、矢印Ｍ１及びＭ２で
示すようにそれぞれ磁化容易軸方向に互いに反平行の磁
化状態にあり、磁壁が生じていない。尚、このように磁
壁が存在しないことについては、磁性流体を用いたビッ
ク−（Ｂｉｔｔｅｒ）法による磁区観察によって確認し
たところである。

そして、このような感磁部（１）に対してその磁化困難
軸方向に外部磁界Ｈを強めていくと、第４図Ａ〜Ｃにそ
の磁化状態を、磁性薄膜（１ａ）に関しては実線矢印で
、磁性薄膜（１ｂ）に関しては破線矢印で模式的に示す
ように、第４図Ａに示す第３図で説明した反平行の磁化
状態から外部磁界Ｈにより第４図Ｂに示すように回転磁
化過程により磁化が回転し、さらに強い外部磁界により
、第４図Ｃに示すように陶磁性薄膜（ｌａ）及び（１ｂ
）が同方向に磁化される。この場合陶磁性薄膜（１ａ）
及び（１ｂ）においてその面内で磁化回転が生じるので
、磁壁は生じることがなく、バルクハウゼンノイズの発
生が回避される。つまり、陶磁性薄膜（１ａ）及び（１
ｂ）の磁化困難軸方向を磁束の伝播方向とすることによ
って磁壁移動に起因するバルクハウゼンノイズが回避さ
れる。

さらに、本発明による磁気ヘッドの動作を第５図〜第７
図を参照して説明する。第５図・〜第７図は感磁部（１
）の陶磁性薄膜（１ａ）及び（１ｂ）のみを模式的に示
したもので、これら磁性薄膜（１ａ）及び（１ｂ）は第
５図中にｅ、ａ、で示す方向に初期状態で磁化容易軸を
有する。そして、これら磁性薄膜（１ａ）及び（１ｂ）
にセンス電流ｉを通ずる。

この通電によって非磁性中間層（図示せず）を挟んで対
向する陶磁性薄膜（１ａ）及び（１ｂ）には電流ｉと直
交する互いに逆向きの磁界が発生し、これによって磁性
薄膜（１ａ）及び（１ｂ）は同図に実線及び破線矢印Ｍ
ｌ及びＭ２で示すように磁化される。一方、この感磁部
（１）には電流ｉに沿う方向に外部からバイアス磁界Ｈ
ａが与えられるとこのバイアス磁界Ｈ日によって磁性薄
膜（ｌａ）及び（１ｂ）の磁化の向きは、第６図に矢印
Ｍ　Ｂ　！及びＭＢ２で示すように所要の角度だけ回転
される。このバイアス磁界Ｈｅの大きさは、これによっ
て与えられる磁化の方向が、電流ｉの方向に対してほぼ
４５゜となるように選ばれる。尚、このようにバイアス
磁界Ｈａによってセンス電流ｉに対してほぼ４５゜の磁
化を与えることは、磁界−抵抗特性曲線が高い感度と直
線性を得ることのできる点を動作中心点とするものであ
り、これについては通常のＭＲ磁気ヘッドにおいて行わ
れていると同様である。そして、この状態で第７図に示
すように信号磁界Ｈｓがセンス電流ｉに沿う方向、すな
わち磁化困難軸方向に与えられると、磁化回転が生じ、
それぞれその磁化の方向が矢印Ｍ　ｓ　１及びＭｇ２に
示すように反時計及び時計方向に角度θ１及び０２回転
する。

これによって各磁性薄膜（１ａ）及び（１ｂ）がＭＲ磁
性薄膜である場合は、それぞれ抵抗変化が生じることに
なるが、このＭＲ磁性薄膜の抵抗の変化は角度の変化を
θとするときｃｏｓ２θに比例するので今第６図におけ
る陶磁性薄膜（１ａ）及び（１ｂ）の磁化Ｍ　Ｂｌ及び
ＭＢ２が互いに９０°ずれているとすると、θ！及びθ
２の変化で陶磁性薄膜（１ａ）及び（１ｂ）に関して抵
抗の変化の増減が一致する。つまり、一方の磁性薄膜（
１ａ）の抵抗が増加すれば、他方の磁性薄膜（１ｂ）も
その抵抗は増加する方向に変化する。そしてこれら磁性
薄膜（１ａ）及び（１ｂ）の抵抗変化すなわち全感磁部
（１）の両外側後端から導出した端子導出部（６）から
の端子ｔ１及びｔ２間に抵抗変化を生じ、この抵抗変化
を端子ｔ１及びｔ２間の電圧変化として検出することが
できることになる。

また、本発明においては所定の磁気異方性ををする磁性
薄膜に対してセンス電流ｉの方向を信号磁界Ｈｓの与え
られる方向と同方向に選定するものであるが、このよう
な構成とすることによる作用上の特徴は、上述したよう
な本発明におけると同様に感磁部（１１を、非磁性中間
層（１ｃ）を介して磁性薄膜（１ａ）及び（１ｂ）を積
層した構造とするものの、センス電流ｉの方向を信号磁
界Ｈｓの方向と直交する方向に選定する場合と比較する
ことによってより明確となる。すなわち、令弟１３図に
示すように、第５図で説明したと同様に陶磁性薄膜（ｌ
ａ）及び（１ｂ）に磁性層の異方性磁界Ｈｋを考慮した
上での大電流ｉを通じた状態では、これによって発生す
る磁界によって陶磁性薄膜（１ａ）及び（１ｂ）は電流
ｉと直交する方向にそれぞれ実線及び破線矢印で示すよ
うに磁化される。この状態で電流ｉと直交する方向に信
号磁界Ｈｓが与えられるとこれは磁性薄膜（１ａ）及び
（ｌｂ）の電流ｉによる磁化に沿う方向となり、この磁
界Ｈｓが磁化容易軸方向に与えられたと同様の挙動を示
す。

つまり、磁壁の発生と移動が生じ、バルクハウゼンノイ
ズが発生する。ここで、磁性層の磁化容易軸方向にセン
ス電流ｉが流されセンス電流ｉと同方向に信号磁界Ｈｓ
が与えられる構成を考えた場合、センス電流ｉが比較的
小さい場合には磁性薄膜の磁化容易軸方向に磁化は向く
ことになり、信号磁界Ｈｓは第１３図に示すと同様に磁
化容易軸方向に与えられる結果となり、バルクハウゼン
ノイズが発生し好ましくない。第５図〜第７図の例では
信号磁界Ｈｓに対してほぼ直交する方向に磁化容易軸を
有する磁性薄膜について述べたが、磁性薄膜の主面内に
磁気異方性を有しない等方的磁性薄膜を用いても同様で
ある。この場合には、比較的小さなセンス電流を流せば
磁化方向がセンス電流と直交しつまり信号磁界の方向と
直交するためバルクハウゼンノイズは発生しない。

上述したように本発明構成においては、ＭＲ感磁部（１
）を、磁性薄膜（１ａ）及び（１ｂ）が非磁性中間層（
１ｃ）の介在によって、静磁的結合状態にあるように、
つまり交換相互作用は無視することができ、クーロンの
法則に従う相互作用による結合が充分強い状態にある積
層構造とされ、しかも信号磁界Ｈｓとセンス電流ｉの方
向を同方向としたことによってバルクハウゼンノイズが
確実に排除される。

また、本発明構成においては所要のトランク幅ＷＴ内に
複数の感磁部（１１が並置配列される構成としたことに
よってＳ／Ｎ比の向上を図ることができる。すなわち、
今例えば所定のトラック幅ＷＴに渡ってこの幅ＷＴに相
当する幅の１つの感磁部（１）を配置した場合を考える
と、この感磁部（１）に対する磁気記録媒体からの磁界
の及ぶ対接面（９）からの深さをＤＨとするとき、ＷＴ
＞ＤＥでは、トラック幅Ｗ丁に相当する幅を有する感磁
部にセンス電流を通ずるとすると、その奥行が深さＤＨ
に相当する長さの場合、その抵抗値をＭＲ怒磁部（１）
からその抵抗変化として取り出す信号処理上取り扱いや
すい値に到らなくなるという不都合が生じ、またこのよ
うな不都合を回避すべくＭＲ感磁部の奥行を磁気記録媒
体からの信号磁界の及ぶ深さＤＨより大にすると、この
場合には深さＤＥより後方の感磁部が無効部分となり、
Ｓ／Ｎが低下する。このように抵抗値の問題とＳ／Ｎの
問題とが相客れない。一方、バルクハウゼンの抑制効果
は、電流密度が大きいほど高いものであり、これがため
センス電流ｉの通電方向は、帯状ＭＲ感磁部の長手方向
とすることが望ましいが、上述した本発明においては、
所定のトラック幅Ｗ丁内において複数の感磁部（１）を
並置配列するようにしたので、各感磁部（１１はトラッ
ク幅ＷＴより充分小になされていることによってその長
さは磁界の到達深さＤｉよりさほど大にすることなくそ
れぞれ所要の抵抗値を得ることができ、またＳ／Ｎの問
題、電流密度の問題を同時に解決できるものである。

そして、さらにこれら複数の感磁部（１１に関して相互
Ｇと連結する前方導体（４）及び後方導体（５）を各感
磁部（１）の延長方向すなわちセンス電流ｉの通電方向
とほぼ直交する方向に延在させるときは、この前方導体
（４）及び後方導体（５）に通ずるセンス電流ｉによっ
て誘導発生する磁界をバイアス用導体（３）へのバイア
ス電流によって発生するバイアス磁界と同方向に選定す
ることができ、各感磁部（１）において安定した動作を
行わしめることができる。

さらに、また本発明においては、シールド型構成をどっ
たことによって、さらに確実に上述したバルクハウゼン
ノイズの発生の抑制を効果的に奏することができる。す
なわち、令弟１１図に示すように前述したと同様に対の
磁性薄膜（ｌａ）及び（１ｂ）間が非磁性中間層（ＩＣ
）を介して積層したＭＲ感磁部（１）を用いてなるも、
ヨーク型のＭＲ磁気ヘッドとした場合についてみる。こ
の例においては、下部磁性体（８）上に絶縁層（２）を
介してバイアス用導体（３）を形成し、これの上にＭＲ
感磁部（１）が絶縁層（２）を介して形成した構成をと
るものであるが、感磁部（１１の前方端と後方端にそれ
ぞれ絶縁Ｐｉ　（２）を介するも磁気的に結合して前方
磁性Ｆｉ　（ＩＩＦ）と後方磁性！　（ＩＩＢ）が設け
られ、前方磁性Ｅ　（ＩＩＦ）の前方端が磁気記録媒体
との対接面（９）に臨んで、これが所要の幅の磁気ギャ
ップｇを介して下部磁性体（８）と対向するようになさ
れる。また、後方磁性層（ＩＩＢ）の後方端部は例えば
絶縁層（２）に穿設した窓を通じて下部磁性体（８）と
磁気的に密に結合するようになされる。このようにして
対接面（９）に臨む前方磁性Ｊ’ｉ　（ＩＩＦ）−感磁
部（１１−後方磁性層（ＩＩＢ）　−下部磁性体（８）
−磁気ギャップｇの閉磁路が形成されるようになされて
いる。

このようなヨーク型のＭＲ磁気ヘッドにおいて、その感
磁部（１）を前述した多層構造とすることによって、感
磁部（１）における磁壁の発生を回避できてバルクハウ
ゼンノイズの発生を効果的に回避することができるもの
の、このような構成による場合間感磁部（１）の前方端
及び後方端と前方磁性層（ＩＩＦ）、及び後方磁性層（
ＩＩＢ）の重なり部においてはその磁気的結合が密であ
ることによって、感磁部（１）の前方端及び後方端上に
形成した前方導体（４）及び後方導体（５）から電流ｉ
によって発生ずる磁束が前方磁性層（ＩＩＦ）及び後方
磁性層（１１Ｂ）の後方端及び前方端との各型なり部分
においてループφを形成し、これがこの感磁部（１）の
前方端及び後方端近傍において飽和磁化に近い磁化、す
なわち固定磁化を生じさせてしまい、これによってこの
感磁部（１）に磁気記録媒体からの信号磁界が与えられ
た場合において、感磁部（１）の前方端及び後方端にお
いて信号磁界による第５図ないし第７図で説明した磁化
の回転が阻害され、ノイズの発生を招来したり、その出
力特性にヒステリシスが生じる。すなわち、この構成に
お　いて今バイアス用導体に数１０　Ｋ　Ｈｚの信号電
流を重ねて信号磁界を感磁部（１）に印加することによ
る感磁部（１）の出力をローパスフィルタを通してその
出力を観察すると、第１４図にその出力特性を示すよう
にヒステリシスが発生する。この場合ヒステリシスが、
小さい磁界領域でも生じ、これがリニアリティの低下や
変動のない出力を望む磁気ヘッドの特性として悪影響を
与える。

ところがこれに比し、上述したシールド型構成をとる本
発明によるＭＲ型磁気ヘッドにおいては、各感磁部（１
）における前方端及び後方端の前方導体（４）及び後方
導体（５）において上述した磁性層による高い効率の磁
気回路が形成されないようにしたので、上述の磁束のル
ープが発生せずヒステリシスの発生を効果的に回避でき
て、これに基づくリニアリティの低下及び出力変動を回
避できる。

〔実施例〕

第１図及び第２図を参照して本発明によるＭＲ型磁気ヘ
ッドの一例を説明する。下部磁性体となる基板（８）は
、例えば磁性フェライト基板よりなり、これの上に絶縁
層例えば５ｉ０２あるいはＡ　Ｉ！　２０３等の絶縁層
（２）を介して前述した磁性薄膜（ｌａ）及び（１ｂ）
が非磁性中間層（１ｃ）を介して積層された感磁部（１
）を順次スパッタリング、蒸着等によって被着形成し、
これをフォトリソグラフィ技術によってパターン化して
第１図に示すように所定の幅をもって一方向に延長する
帯状の複数の感磁部（１）を並置配列する。そして、こ
れら感磁部（１）の前方端に隣り合う２つの感磁部（１
１を組として前方導体（４）を各対応する前方端部上に
跨って被着し、他の隣り合う感磁部（１）の後方端部上
に跨って後方導体（５）を被着し、さらに感磁部（１）
の両外側に配置された各感磁部（１１の後方端から端子
導出部（６）を延在形成する。これら前方導体（４）及
び後方導体（５）、さらにこれより延在する端子導出部
（６）は、それぞれ同一工程で例えば金属導体層の蒸着
あるいはスパッタリングとフォトリソグラフィによるパ
ターン化によって同時に形成し得る。

そしてこれら前方導体（４）及び後方導体（５）、さら
にこれら前方導体（４）及び後方導体（５）の被着され
ていない中間部における感磁部（１１上に絶縁Ｎ（２）
を介して各感磁部（１）を横切る方向に延在してバイア
ス用導体（３）を同様に例えば金属導体の全面スパッタ
リングあるいは蒸着後のフォトリソグラフィ技術によっ
てパターン化して形成し、同時にその両端からバイアス
用端子導出部（１０）を延在形成する。

さらに、これら感磁部（１）と前方導体（４）及び後方
導体（５）とさらにバイアス用導体（３）上を含んで前
面的に絶縁層（２）を介して例えば金属磁性材ないしは
基板よりなる上部磁性体（７）を被着する。そして、上
部磁性体（７）から下部磁性体（８）に跨ってその前方
面を研磨して磁気記録媒体との対接面（９）を形成し、
この対接面（９）に臨んで感磁部（１）の各前方端面と
これらを所定に電気的に結合する前方導体（４）の前方
端面を臨ましめる。

感磁部（１）を構成する磁性薄膜（１ａ）及びまた（１
ｂ）のＭＲ磁性膜は、例えばＮＬＦｅ、Ｃｏの単体もし
くはこれらの２つ以上の合金、例えばＮｉＦｅ、ＮｉＣ
ｏ。

ＮｉＦｅＣｏ磁性膜によって形成し得る。また、両性性
薄膜（１ａ）及び（１ｂ）間に介在させる非磁性中間層
（１ｃ）は、例えば５ｉ０２膜あるいはへ１２０３膜等
の絶縁膜あるいはＭｏ、Ｔｉなどの非磁性導体の金属導
体薄膜によって構成する。

このようにして多層禎層措造による感磁部（１）が磁気
記録媒体との対接面（９）とほぼ直交する方向にすなわ
ち磁気記録媒体から与えられる信号Ｗｋ　”Ｊにほぼ沿
う方向に延在して並置配列されたシー・ルド型のＭＲ型
磁気ヘッド構成とする。

尚、第１図の例においては、複数の感磁部（りの両外側
の各後方端からそれぞれ端子導出部＜６１を導出して端
子１ｍ及びｔ２を導出し、またバイアス用導体（３）の
両端からバイアス用端子導出部（１０）をそれぞれ導出
して端子ＴＩ及びＴ２の導出を行った場合であるが、第
８図にそのパターンを示すように複数の感磁部（１）の
配置部の両端と中央からそれぞれ端子導出部（６）を取
り出しそれぞれ端子ｔｌａ及びｔｔｂとｔ２を導出して
、またバイアス用導体（３）の両端と中間部からそれぞ
れバイアス用端子導出部（１０）を導出して端子Ｔ１ａ
及びＴｕｂと中間端子Ｔ２とを導出してバイアス用導体
（３）の両端子部Ｔｘａ及びＴｘｂとＴ２間にバイアス
電流ｉＢ＋及びｉｔｈを互いに逆向きに通電する。また
、感磁部（１）の両端子ｔｔａ及びｔ＋ｂにそれぞれセ
ンス電流ｉＩ及び１２を通電し、両端の出力を差動増幅
器（１２）に接続して差動的に出力の取り出しを行うこ
とができる。

このような構成による場合、より磁気ヘッド出力の歪率
の低減化を図ることができる。これについて説明するに
今例えばヨーク型のＭＲ型磁気ヘッド構成にナタいてそ
の感磁部（１）を従来におけるように単層のＭＲ磁性腰
によって構成した場合において、バイアス用導体（３）
に５０　Ｋ　Ｉｔ　ｚの信号を載せ、バイアス電流を変
えて出力特性をとるとその電圧出力特性は、第１５図に
示すように、そのピーク部において比較的急峻な特性を
示す。これに比し感磁部（１）が多層構造を有する本発
明構成による第１図及び第２図に説明したシールド型Ｍ
Ｒ磁気ヘッドを構成した場合の同様の出力特性は第９図
に示すようにそのビ〜・〜り邪において比較的大なる幅
Ｗにねたってなだらかな特性、すなわち比較的広い範囲
で感度変化が小さい部分を呈する。このことはバイアス
設定の範囲が広く出力レベルが均一化しやすいというこ
とを意味するものであるが、）ＩＲ磁性薄膜自体の抵抗
特性は第１０図に示すように非線形性を示すために低い
周波数において高周波歪率の増大は免れない。

ところが第８図で説明したように多数の感磁部（１１の
配列部の中央部に中間端子を導出して差動的に出力を導
出する場合は、中間端子から左右で第１０図に示すよう
に、抵抗特性の正負対称のバイアス磁界１（ＢＬ及びＨ
ＢＲが与えられた状態で矢印ａ及びｂに示すように、信
号磁界によって一方が上昇するとき、他方が下降するこ
とになって互いに非線形性を打ち消す方向に動作し、高
調波歪率の低減化を図ることができることになる。

また、さらに上述の構成において前方導体（４）及び後
方導体（５）を、それぞれ高透磁率を有する磁性導体に
よって構成することができ、この場合は、さらに各感磁
部（１）の前方端及び後方端における各導体（４）及び
（５）における信号磁界に基づく磁化の回転を阻害する
不要な磁界を高透磁率の前方導体（４）及び後方導体（
５）自体で磁気通路を形成することができるので、これ
によって各感磁部（１）の前方端及び後方端における磁
化の固定を回避することができて、よりヒステリシス及
びバルクハウゼンノイズの低減化を図ることができる。

〔発明の効果〕

上述したように本発明においては、それぞれ対の磁性薄
膜（１ａ）及び（Ｉｂ）が非磁性中間Ｅ　（ｌｃ”）を
介して積層された構造を有する複数の感磁部（１）の並
置配列構成をとるシールド型構成としたことによって効
果的にバルクハウゼンノイズの発生を回避でき、またヒ
ステリシス特性の改善を図ることができ、これにより出
力特性のりニアリティの向上及び変動の回避を行うこと
ができて、優れた特性のＭＲ型磁気ヘッドを構成でき、
実用に供してその利益は大である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による磁気抵抗効果型磁気ヘッドの拡大
平面図、第２図は第１図のＡ−Ａ線上の拡大断面図、第
３図は本発明の説明に供する感磁部の磁化状態を示す図
、第４図は同様に本発明の説明に供する感磁部の外部磁
界による磁化状態の説明図、第５図〜第７図は同様に本
発明の説明に供する動作説明図、第８図は本発明による
磁気ヘッドの他の例の感磁部の配置パターンを示す平面
図、第９図は多層構造による感磁部ををするシールド型
磁気ヘッドの出力特性図、第１０図はその説明に供する
磁気抵抗効果磁性膜の抵抗変化曲線図、第１１図はヨー
ク型の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの断面図、第１２図は
単層磁性薄膜の磁区構造を示す図、第１３図は本発明と
対比する感磁部の説明図、第１４図はヨーク型磁気ヘッ
ドの出力特性曲線図、第１５図は単層構造の感磁部によ
る磁気ヘッドの出力特性曲線図である。 （１）は感磁部、（１ａ）及び（１ｂ）はその磁性薄膜
、（１ｃ）は非磁性中間層、（２）は絶縁層、（３）は
バイアス用導体、（４）は前方導体、（５）は後方導体
、（７）は上部磁性体、（８）は基板ないしは下部磁性
体、（９）は磁気記録媒体との対接面である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 基板上に、磁気記録媒体との対接面に前方端面が臨み、
   上記対接面に対しほぼ直交する方向に延在する複数の感
   磁部が並置配列され、 上記感磁部は、隣り合う２つの感磁部がそれぞれの前方
   端において各感磁部の延在方向とほぼ直交する方向に延
   在する前方導体によって連結されるとともに互いに他の
   隣り合う２つの感磁部がそれぞれの後方端において各感
   磁部の延在方向とほぼ直交する方向に延在する後方導体
   によって連結されて上記各感磁部におけるセンス電流の
   主たる通電方向が上記磁気記録媒体から与えられる信号
   磁界の方向とほぼ同方向に選定され、 上記複数の感磁部を共通に横切るように絶縁層を介して
   バイアス用導体が延在され、 上記感磁部と上記バイアス用導体の配置部を覆って磁性
   体が配置されてなる磁気抵抗効果型磁気ヘッド。