JPH03263886A - 磁気抵抗素子とその製造方法 - Google Patents
磁気抵抗素子とその製造方法Info
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- JPH03263886A JPH03263886A JP2063260A JP6326090A JPH03263886A JP H03263886 A JPH03263886 A JP H03263886A JP 2063260 A JP2063260 A JP 2063260A JP 6326090 A JP6326090 A JP 6326090A JP H03263886 A JPH03263886 A JP H03263886A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
バーバー・ポール型磁気抵抗素子とその製造方法に関し
、 磁気抵抗素子の特性を安定化し品質を向上せしめると共
に、信頼性を高めることを目的とし、基板に設けら゛れ
た絶縁層の上にパーマロイの薄帯からなる磁性層が形成
され、 該磁性層の上に約45度傾けた導電薄帯からなる導電層
が、タンタルモリブデンの薄帯にてなり膜抵抗値が約8
50〜900Ωである第1の密着層を介して形成され、 タンタルモリブデンの薄帯にてなる第2の密着層を上面
に形成した該導電層が、保護層に覆われてなることを特
徴とし、 さらに、前記保護層がシリコン系の熱硬化性樹脂層を二
酸化シリコン層で挟んだ3層構造であることを特徴とし
構成するおよび、 基板の表面に前記絶縁層を設け、該絶縁層の上に磁性膜
を被着し、該磁性膜の上に第1の密着膜を被着し、該第
1の密着膜の上に導電膜を被着し、該導電膜の上に第2
の密着膜を被着したのち、前記磁性層と同一パターン形
状である第1のマスクを使用した第1のエツチング工程
にて、該第2の密着膜、導電膜、第1の密着膜、磁性膜
をエツチングし、 次いで、前記導電層の形成されない磁性層の所定部に対
向し磁性層幅より広幅の窓があけられた第2のマスクを
使用した第2のエツチング工程にて、該第1のエツチン
グ工程により形成さた第2の密着膜パターン、導電膜パ
ターン、第1の密着膜パターンをエツチングしたのち、 前記保護層を形成せし磁気抵抗素子を製造することを特
徴とし構成する。
、 磁気抵抗素子の特性を安定化し品質を向上せしめると共
に、信頼性を高めることを目的とし、基板に設けら゛れ
た絶縁層の上にパーマロイの薄帯からなる磁性層が形成
され、 該磁性層の上に約45度傾けた導電薄帯からなる導電層
が、タンタルモリブデンの薄帯にてなり膜抵抗値が約8
50〜900Ωである第1の密着層を介して形成され、 タンタルモリブデンの薄帯にてなる第2の密着層を上面
に形成した該導電層が、保護層に覆われてなることを特
徴とし、 さらに、前記保護層がシリコン系の熱硬化性樹脂層を二
酸化シリコン層で挟んだ3層構造であることを特徴とし
構成するおよび、 基板の表面に前記絶縁層を設け、該絶縁層の上に磁性膜
を被着し、該磁性膜の上に第1の密着膜を被着し、該第
1の密着膜の上に導電膜を被着し、該導電膜の上に第2
の密着膜を被着したのち、前記磁性層と同一パターン形
状である第1のマスクを使用した第1のエツチング工程
にて、該第2の密着膜、導電膜、第1の密着膜、磁性膜
をエツチングし、 次いで、前記導電層の形成されない磁性層の所定部に対
向し磁性層幅より広幅の窓があけられた第2のマスクを
使用した第2のエツチング工程にて、該第1のエツチン
グ工程により形成さた第2の密着膜パターン、導電膜パ
ターン、第1の密着膜パターンをエツチングしたのち、 前記保護層を形成せし磁気抵抗素子を製造することを特
徴とし構成する。
本発明は、バーバー・ボール型の磁気抵抗素子(磁気検
出器、磁気センサ)の構造と製造方法、特に磁気抵抗素
子の信頼性および品質の向上を図る改善に関する。
出器、磁気センサ)の構造と製造方法、特に磁気抵抗素
子の信頼性および品質の向上を図る改善に関する。
磁気検出用磁気抵抗素子には、強磁性金属の磁気抵抗を
利用したもの、半導体の磁気抵抗を利用したもの、半導
体のホール硬化を利用したもの等がある。パーマロイ等
からなる強磁性金属の磁気抵抗を利用した磁気抵抗素子
は、温度変化に対し他のものより安定であり、微小磁束
の検出能力に優れるという特徴がある。
利用したもの、半導体の磁気抵抗を利用したもの、半導
体のホール硬化を利用したもの等がある。パーマロイ等
からなる強磁性金属の磁気抵抗を利用した磁気抵抗素子
は、温度変化に対し他のものより安定であり、微小磁束
の検出能力に優れるという特徴がある。
(従来の技術〕
第5図は磁気抵抗素子のパターン形状、第6図は従来の
磁気抵抗素子の断面図であり、磁気センサとしては第5
図に示すようなパターンで第7図のようなブリッジを構
成したものが有効である。
磁気抵抗素子の断面図であり、磁気センサとしては第5
図に示すようなパターンで第7図のようなブリッジを構
成したものが有効である。
第5図および第6図において、シリコンやパイレックス
等にてなる基板1の表面に二酸化シリコン(SiO□)
等の酸化膜にてなる絶縁層2を被着し、絶縁N2の上に
形成されたバーバーポール(Barber Po1e)
状の磁気抵抗素子パターンは、つづら折り状にパーマロ
イ等にて磁性層3を形成し、その上にクロムやチタン等
からなる密着層4を介して、約45度傾けた一定間隔に
金やアルミニウム等の導電層5を形成してなり、磁気抵
抗素子パターンの一部であるリードパターン6の一部分
を表呈せしめる保護N7が形成されてなる。
等にてなる基板1の表面に二酸化シリコン(SiO□)
等の酸化膜にてなる絶縁層2を被着し、絶縁N2の上に
形成されたバーバーポール(Barber Po1e)
状の磁気抵抗素子パターンは、つづら折り状にパーマロ
イ等にて磁性層3を形成し、その上にクロムやチタン等
からなる密着層4を介して、約45度傾けた一定間隔に
金やアルミニウム等の導電層5を形成してなり、磁気抵
抗素子パターンの一部であるリードパターン6の一部分
を表呈せしめる保護N7が形成されてなる。
第5図に示す如く、複数本の長軸18と短軸19をつづ
ら折り状に形成された磁性層3は、長軸18の長さ方向
に一軸磁気異方性(内部磁化)Mが付与されており、つ
づら折り状に形成された磁性層3の往復両方向に導電層
5を斜めに配設し、磁性層3に電流iが流れる素子は、
第7図に示す如くブリッジに組み、両出力端子間の電位
差を測定することで高感度の磁気センサが得られる。
ら折り状に形成された磁性層3は、長軸18の長さ方向
に一軸磁気異方性(内部磁化)Mが付与されており、つ
づら折り状に形成された磁性層3の往復両方向に導電層
5を斜めに配設し、磁性層3に電流iが流れる素子は、
第7図に示す如くブリッジに組み、両出力端子間の電位
差を測定することで高感度の磁気センサが得られる。
第8図(イ)〜(す)は、本出願人が出願し昭和60年
12月16日付けで公開された特開昭60−25478
1号公報の方法による前記磁気抵抗素子の製造方法の説
明図であり、(ロ)の断面図と(ハ)の平面図、(ニ)
の断面図と(ネ)の平面図、(へ)の断面図と(ト)の
平面図、(チ)の断面図と(す)の平面図が対応する。
12月16日付けで公開された特開昭60−25478
1号公報の方法による前記磁気抵抗素子の製造方法の説
明図であり、(ロ)の断面図と(ハ)の平面図、(ニ)
の断面図と(ネ)の平面図、(へ)の断面図と(ト)の
平面図、(チ)の断面図と(す)の平面図が対応する。
第8図(イ)に示す如く、絶縁層(図示せず)が被着さ
れた基板1の上に磁性膜IL密着膜12.導電膜13を
連続して積層する。
れた基板1の上に磁性膜IL密着膜12.導電膜13を
連続して積層する。
次いで、第8図(II)、(ハ)に示す如く磁性層3の
幅より広幅lのレジストマスク14を利用し、導電膜パ
ターン5aを形成する。このとき、密着膜12も導電膜
13と一緒にエツチングし、密着膜パターン4aを形成
する。
幅より広幅lのレジストマスク14を利用し、導電膜パ
ターン5aを形成する。このとき、密着膜12も導電膜
13と一緒にエツチングし、密着膜パターン4aを形成
する。
次いで、第8図(ニ)、(本)に示す如き新たなレジス
トマスク15を用い、磁性膜11をバターニング磁性層
3を形成するが、マスク15の幅Wは磁性層3と同一幅
であり、幅Wは幅lより狭いため、マスク15は厳密に
位置合わせを行う必要がない。
トマスク15を用い、磁性膜11をバターニング磁性層
3を形成するが、マスク15の幅Wは磁性層3と同一幅
であり、幅Wは幅lより狭いため、マスク15は厳密に
位置合わせを行う必要がない。
そして、マスク15よりはみ出したパターン5at48
のはみ出し部は、磁性層3を形成する際に同時にエツチ
ングされ、第8図(へ)、0)に示す如く磁性層3と同
幅の密着層4.導電層5が形成される。
のはみ出し部は、磁性層3を形成する際に同時にエツチ
ングされ、第8図(へ)、0)に示す如く磁性層3と同
幅の密着層4.導電層5が形成される。
最後に、SiO□等にてなる保護層7が形成され、第8
図(4)、(IJ)に示す素子が完成する。
図(4)、(IJ)に示す素子が完成する。
前記従来の磁気抵抗素子において、導電層5と保護層7
とは密着力が悪いため、保護層7が剥離し易いという問
題点があった。
とは密着力が悪いため、保護層7が剥離し易いという問
題点があった。
また、導電膜13はイオンミーリングでエツチングし、
密着膜12はドライエツチングにてバターニングするが
、密着膜12が薄過ぎると導電膜13のエツチング時に
磁性膜11が傷付けられ磁気抵抗素子の磁気特性が不安
定になり、密着膜12が厚過ぎると密着層4の電気抵抗
によって磁気抵抗素子の特性が低下するという問題点が
あった。
密着膜12はドライエツチングにてバターニングするが
、密着膜12が薄過ぎると導電膜13のエツチング時に
磁性膜11が傷付けられ磁気抵抗素子の磁気特性が不安
定になり、密着膜12が厚過ぎると密着層4の電気抵抗
によって磁気抵抗素子の特性が低下するという問題点が
あった。
第9図CA) 、 (0)は前記従来方法で製造された
磁気抵抗素子の問題点の説明図であり、従来の磁気抵抗
素子、特に量産されたときの磁気抵抗素子はその製造過
程で、導電膜パターン5aのはみ出し部端面にはその形
成時に残滓20が被着され、該はみ出し部に沿って磁性
膜11に凹所17が形成され易く、該はみ出し部をエツ
チングしたとき、残滓20による線状突起16が形成さ
れ、かかる突起16および凹所17によって、磁性層3
の磁気特性が不安定化されるという問題点があった。
磁気抵抗素子の問題点の説明図であり、従来の磁気抵抗
素子、特に量産されたときの磁気抵抗素子はその製造過
程で、導電膜パターン5aのはみ出し部端面にはその形
成時に残滓20が被着され、該はみ出し部に沿って磁性
膜11に凹所17が形成され易く、該はみ出し部をエツ
チングしたとき、残滓20による線状突起16が形成さ
れ、かかる突起16および凹所17によって、磁性層3
の磁気特性が不安定化されるという問題点があった。
本発明の目的は、前記各種の問題点をなくすことである
。
。
(課題を解決するための手段〕
本発明による磁気抵抗素子はその実施例を示す第1図に
よれば、基板1に設けられた絶縁層2の上にパーマロイ
の薄帯からなる磁性層3が形成され、 磁性層3の上に約45度傾けた導電薄帯からなる導電層
5が、タンタルモリブデンの薄帯にてなり膜抵抗値が約
850〜900Ωである第1の密着層4を介して形成さ
れ、 タンタルモリブデンの薄帯にてなる第2の密着■ 層22を上面に形成された導電層Iが、保護層7に覆わ
れてなることを特徴とする磁気抵抗素子21である。
よれば、基板1に設けられた絶縁層2の上にパーマロイ
の薄帯からなる磁性層3が形成され、 磁性層3の上に約45度傾けた導電薄帯からなる導電層
5が、タンタルモリブデンの薄帯にてなり膜抵抗値が約
850〜900Ωである第1の密着層4を介して形成さ
れ、 タンタルモリブデンの薄帯にてなる第2の密着■ 層22を上面に形成された導電層Iが、保護層7に覆わ
れてなることを特徴とする磁気抵抗素子21である。
また、磁気抵抗素子21の製造に際し適用した本り
発明方法を示す第4図によれば、基板7の表面に絶縁層
2を設け、絶縁層2の上に磁性膜11を被着し、磁性膜
11の上に第1の密着膜12を被着し、第1の密着膜1
2の上に導電膜13を被着し、導電膜13の上に第2の
密着膜31を被着したのち、前記磁性層3と同一パター
ン形状である第1のマスク32を使用した第1のエツチ
ング工程にて、第2の密着膜31.導電膜13.第1の
密着膜12.磁性膜11をエツチングし、 次いで、前記導電層5の形成されない磁性層3の所定部
に対向し磁性層幅Wより広幅りの窓37があけられた第
2のマスク36を使用した第2のエツチング工程にて、
該第1のエツチング工程により形成さた第2の密着膜パ
ターン35.導電膜パターン34.第1の密着膜パター
ン33をエツチングしたのち、 前記保護層7を形成せしめることを特徴とする磁気抵抗
素子21の製造方法である。
2を設け、絶縁層2の上に磁性膜11を被着し、磁性膜
11の上に第1の密着膜12を被着し、第1の密着膜1
2の上に導電膜13を被着し、導電膜13の上に第2の
密着膜31を被着したのち、前記磁性層3と同一パター
ン形状である第1のマスク32を使用した第1のエツチ
ング工程にて、第2の密着膜31.導電膜13.第1の
密着膜12.磁性膜11をエツチングし、 次いで、前記導電層5の形成されない磁性層3の所定部
に対向し磁性層幅Wより広幅りの窓37があけられた第
2のマスク36を使用した第2のエツチング工程にて、
該第1のエツチング工程により形成さた第2の密着膜パ
ターン35.導電膜パターン34.第1の密着膜パター
ン33をエツチングしたのち、 前記保護層7を形成せしめることを特徴とする磁気抵抗
素子21の製造方法である。
上記手段によれば、第1の密着膜を磁気抵抗素子の特性
から約850〜900Ωの抵抗値に設定したことによっ
て磁気抵抗素子の特性が安定化し、品質および信頼性が
改善され、 第2の密着層を設けたことによって保護層の密着性が向
上し、磁気抵抗素子の信頼性が改善されるようになり、 さらに、新規製造方法を提供したことによって、磁性膜
および密着膜をエツチングした残滓による線状突起が形
成されないため、磁気抵抗素子の量産性、特性の安定化
を実現し、品質および信頼性が改善される。
から約850〜900Ωの抵抗値に設定したことによっ
て磁気抵抗素子の特性が安定化し、品質および信頼性が
改善され、 第2の密着層を設けたことによって保護層の密着性が向
上し、磁気抵抗素子の信頼性が改善されるようになり、 さらに、新規製造方法を提供したことによって、磁性膜
および密着膜をエツチングした残滓による線状突起が形
成されないため、磁気抵抗素子の量産性、特性の安定化
を実現し、品質および信頼性が改善される。
以下に、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第1図は本発明の一実施例による磁気抵抗素子の断面図
(イ)とそのパターンの平面図(ri)、第2図は本発
明の他の実施例による磁気抵抗素子の断面図、第3図は
タンタルモリブデン膜の厚さとその抵抗値との関係を示
す図である。
(イ)とそのパターンの平面図(ri)、第2図は本発
明の他の実施例による磁気抵抗素子の断面図、第3図は
タンタルモリブデン膜の厚さとその抵抗値との関係を示
す図である。
前出図と共通部分に同一符号を使用した第1図において
、磁気抵抗素子21は、シリコン(Si)にてなる基板
lの表面に二酸化シリコン(SiOz)にてなる絶縁層
2を設け、絶縁層2の上に形成されたバーバーポール(
Barber Po1e)状の磁気抵抗素子パターンは
、つづら折り状にパーマロイの磁性層3を形成し、その
上にタンタルモリブデン(T a M o )にて形成
された第1の密着層4を介して、約45度傾けた一定間
隔に金の導電層5を形成し、導電層5の上にTaMoに
てなる第2の密着層22を形成してなり、磁気抵抗素子
パターンの一部であるリードパターン6の一部分を表呈
せしめる保護層7が形成されてなる。
、磁気抵抗素子21は、シリコン(Si)にてなる基板
lの表面に二酸化シリコン(SiOz)にてなる絶縁層
2を設け、絶縁層2の上に形成されたバーバーポール(
Barber Po1e)状の磁気抵抗素子パターンは
、つづら折り状にパーマロイの磁性層3を形成し、その
上にタンタルモリブデン(T a M o )にて形成
された第1の密着層4を介して、約45度傾けた一定間
隔に金の導電層5を形成し、導電層5の上にTaMoに
てなる第2の密着層22を形成してなり、磁気抵抗素子
パターンの一部であるリードパターン6の一部分を表呈
せしめる保護層7が形成されてなる。
密着層4の厚さは、横軸をTaMo膜の厚さ人。
縦軸をTaMo膜の抵抗値Ωとし測定値のプロットを実
線で結んだ第3図より、抵抗値を約850〜900Ω、
即ち磁気抵抗素子パターンの磁気特性を低下せしめる上
限であるところの900Ω以下とし、かつ、抵抗値がな
るべく低くなる(厚膜となる)ように、さらに成膜技術
上の容易性を考慮して限定し、その結果、TaMo膜の
厚さを500〜800人とする。
線で結んだ第3図より、抵抗値を約850〜900Ω、
即ち磁気抵抗素子パターンの磁気特性を低下せしめる上
限であるところの900Ω以下とし、かつ、抵抗値がな
るべく低くなる(厚膜となる)ように、さらに成膜技術
上の容易性を考慮して限定し、その結果、TaMo膜の
厚さを500〜800人とする。
かかる磁気抵抗素子21は従来のそれと同様に、例えば
第7図に示す如くブリッジに組み高感度の磁気センサと
して利用されるが、導電層5の上に密着層22を形成し
たことにより、保護層7の密着力が従来のものより改善
される。
第7図に示す如くブリッジに組み高感度の磁気センサと
して利用されるが、導電層5の上に密着層22を形成し
たことにより、保護層7の密着力が従来のものより改善
される。
前出図と共通部分に同一符号を使用した第2図において
、磁気抵抗素子25は、シリコン(Si)にてなる基板
10表面にStO□にてなる絶縁層2を設け、絶縁層2
の上に形成されたバーバーポール(Barber Po
1e)状の磁気抵抗素子パターンは、つづら折り状にパ
ーマロイの磁性層3を形成し、その上にTaMoにて厚
さ500〜800人に形成された第1の密着層4を介し
て、約45度傾けた一定間隔に金の導電N5を形成し、
導体層5の上にTaMoにてなる第2の密着層22を形
成してなり、磁気抵抗素子パターンの一部であるリード
パターン6の一部分を表呈せしめる保護層26が形成さ
れてなる。
、磁気抵抗素子25は、シリコン(Si)にてなる基板
10表面にStO□にてなる絶縁層2を設け、絶縁層2
の上に形成されたバーバーポール(Barber Po
1e)状の磁気抵抗素子パターンは、つづら折り状にパ
ーマロイの磁性層3を形成し、その上にTaMoにて厚
さ500〜800人に形成された第1の密着層4を介し
て、約45度傾けた一定間隔に金の導電N5を形成し、
導体層5の上にTaMoにてなる第2の密着層22を形
成してなり、磁気抵抗素子パターンの一部であるリード
パターン6の一部分を表呈せしめる保護層26が形成さ
れてなる。
保護Fi26はS io 2層27.28とシリコン系
熱硬化性樹脂層29との3層構造、例えば、厚さ950
0人程度の5層02層27と厚さ3500人程度のSi
O□層28との間に、厚さ5000λ程度の樹脂層29
を挟み構成である。樹脂層29はSiOz層27の凹凸
を均らし、耐湿性を良くする効果がある。
熱硬化性樹脂層29との3層構造、例えば、厚さ950
0人程度の5層02層27と厚さ3500人程度のSi
O□層28との間に、厚さ5000λ程度の樹脂層29
を挟み構成である。樹脂層29はSiOz層27の凹凸
を均らし、耐湿性を良くする効果がある。
かかる磁気抵抗素子25は従来のそれと同様に、例えば
第7図に示す如くブリッジに組み高感度の磁気センサと
して利用されるが、導電層5の上に密着層22を形成し
たことにより、保護層7の密着力が従来のものより改善
され、保護層26が樹脂層を含む3層構造としたことに
より、耐湿性が改善される。
第7図に示す如くブリッジに組み高感度の磁気センサと
して利用されるが、導電層5の上に密着層22を形成し
たことにより、保護層7の密着力が従来のものより改善
され、保護層26が樹脂層を含む3層構造としたことに
より、耐湿性が改善される。
第4図(イ)〜(ト)は本発明の実施例による磁気抵抗
素子の製造方法の説明図であり、(ハ)の断面図と(ニ
)の平面図、(本)の断面図と(へ)の平面図が対応し
、前出図と共通部分には同一符号を使用する。
素子の製造方法の説明図であり、(ハ)の断面図と(ニ
)の平面図、(本)の断面図と(へ)の平面図が対応し
、前出図と共通部分には同一符号を使用する。
第4図(イ)に示す如く、Si基板10表面に設けたS
iO□絶縁層2の上に、パーマロイにてなり厚さが10
00人程度である磁性膜ILTaMoにてなり厚さが5
00〜800人である第1の密着膜12金にてなり厚さ
が500人程度である導電膜13.TaMoにてなり厚
さが200人程度である第2の密着膜31を連続して積
層する。
iO□絶縁層2の上に、パーマロイにてなり厚さが10
00人程度である磁性膜ILTaMoにてなり厚さが5
00〜800人である第1の密着膜12金にてなり厚さ
が500人程度である導電膜13.TaMoにてなり厚
さが200人程度である第2の密着膜31を連続して積
層する。
次いで、第4図(U)に示す如く密着膜31の上に、磁
性層3と同一パターン形状であり、従ってつづら折り状
長軸幅がWである第1のレジストマスク32を形成した
のち、第4図(ハ)、(ニ)に示す如くマスク32を使
用した第1のエツチング工程では、密着膜31.導電膜
13.密着膜12.磁性膜11をエツチングする。する
と、磁性膜11より磁性層3が形成され、密着膜12よ
り密着膜パターン33が形成され、導電膜13より導電
膜パターン34が形成され、密着膜31より密着膜パタ
ーン35が形成される。
性層3と同一パターン形状であり、従ってつづら折り状
長軸幅がWである第1のレジストマスク32を形成した
のち、第4図(ハ)、(ニ)に示す如くマスク32を使
用した第1のエツチング工程では、密着膜31.導電膜
13.密着膜12.磁性膜11をエツチングする。する
と、磁性膜11より磁性層3が形成され、密着膜12よ
り密着膜パターン33が形成され、導電膜13より導電
膜パターン34が形成され、密着膜31より密着膜パタ
ーン35が形成される。
次いで、第4図(ネ)、(へ)に示す如く導電層5の形
成されない磁性層3に所定部に対向し貫通窓37のあけ
られ、窓37の幅りが磁性層長軸幅Wより広い第2のレ
ジストマスク36を形成し、レジストマスク36をした
第2のエツチング工程では、第4図(ト)に示す如く密
着膜パターン35.導電膜パターン34.密着膜パター
ン33をエツチングすると、密着膜パターン33より密
着層4が形成され、導電膜パターン34より21電N5
が形成され、密着膜パターン35より密着層22が形成
される。
成されない磁性層3に所定部に対向し貫通窓37のあけ
られ、窓37の幅りが磁性層長軸幅Wより広い第2のレ
ジストマスク36を形成し、レジストマスク36をした
第2のエツチング工程では、第4図(ト)に示す如く密
着膜パターン35.導電膜パターン34.密着膜パター
ン33をエツチングすると、密着膜パターン33より密
着層4が形成され、導電膜パターン34より21電N5
が形成され、密着膜パターン35より密着層22が形成
される。
そこで、密着層22を覆うように保護層7を形成せしめ
て第1図に示す磁気抵抗素子21が、密着層22を覆う
ように保護Ji26を形成せしめて第2図に示す磁気抵
抗素子25が完成する。
て第1図に示す磁気抵抗素子21が、密着層22を覆う
ように保護Ji26を形成せしめて第2図に示す磁気抵
抗素子25が完成する。
以上説明したように本発明によれば1、第1の密着膜を
磁気抵抗素子の特性から約850〜900Ωの抵抗値に
設定したことによって磁気抵抗素子の特性が安定化し、
品質および信頼性が改善され、第2の密着層を設けたこ
とによって保護層の密着性が向上し、磁気抵抗素子の信
頼性が改善され、さらに、新規製造方法を提供したこと
によって、従来の線状突起をなくし磁気抵抗素子の量産
性。
磁気抵抗素子の特性から約850〜900Ωの抵抗値に
設定したことによって磁気抵抗素子の特性が安定化し、
品質および信頼性が改善され、第2の密着層を設けたこ
とによって保護層の密着性が向上し、磁気抵抗素子の信
頼性が改善され、さらに、新規製造方法を提供したこと
によって、従来の線状突起をなくし磁気抵抗素子の量産
性。
特性の安定化を実現し、品質および信頼性が改善された
効果を有する。
効果を有する。
第1図は本発明の一実施例による磁気抵抗素子、第2図
は本発明の他の実施例による磁気抵抗素子、 第3図はTaMo膜の厚さと抵抗値との関係を示す図、 第4図は本発明の実施例による磁気抵抗素子の製造方法
の説明図、 第5図は磁気抵抗素子のパターン形状、第6図は従来の
磁気抵抗素子、 第7図は磁気センサの検出回路、 第8図は従来の磁気抵抗素子の製造方法の説明図、 第9図は従来の製造方法の問題点の説明図、である。 図中において、 1は基板(Si基板)、 2は絶縁層、 3はパーマロイの磁性層、 4はTaMoにてなる第1の密着層、 5は金の導電層、 7.26は保護層、 11は磁性膜、 12は第1の密着膜、 13は導電膜、 21.25は磁気抵抗素子、 22はTaMoにてなる第2の密着層、27.28 は
SiO□層、 29はシリコン系熱硬化性樹脂層、 31は第2の密着膜、 32は第1のマスク、 33は第1の密着膜パターン、 34は導電膜パターン、 35は第2の密着膜パターン、 36は第2のマスク、 37は第2のマスクの窓、 Lは第2のマスクの窓の幅、 lは磁性層の長軸幅、 で=:)′ 木死明のイ巴の側バーイタ刊てよろ石ム気オ氏抗禾引臀
9 2 図 了ユrho腹の厚−!Lオ民抗イ直と○肥イ糸Fホ寸閏
爽 3 図 1小色縁■オ瓦 碗灸ヒシ寸の手動お回路 鱈 rl 図 (イ) /i1゜ (ロ)
は本発明の他の実施例による磁気抵抗素子、 第3図はTaMo膜の厚さと抵抗値との関係を示す図、 第4図は本発明の実施例による磁気抵抗素子の製造方法
の説明図、 第5図は磁気抵抗素子のパターン形状、第6図は従来の
磁気抵抗素子、 第7図は磁気センサの検出回路、 第8図は従来の磁気抵抗素子の製造方法の説明図、 第9図は従来の製造方法の問題点の説明図、である。 図中において、 1は基板(Si基板)、 2は絶縁層、 3はパーマロイの磁性層、 4はTaMoにてなる第1の密着層、 5は金の導電層、 7.26は保護層、 11は磁性膜、 12は第1の密着膜、 13は導電膜、 21.25は磁気抵抗素子、 22はTaMoにてなる第2の密着層、27.28 は
SiO□層、 29はシリコン系熱硬化性樹脂層、 31は第2の密着膜、 32は第1のマスク、 33は第1の密着膜パターン、 34は導電膜パターン、 35は第2の密着膜パターン、 36は第2のマスク、 37は第2のマスクの窓、 Lは第2のマスクの窓の幅、 lは磁性層の長軸幅、 で=:)′ 木死明のイ巴の側バーイタ刊てよろ石ム気オ氏抗禾引臀
9 2 図 了ユrho腹の厚−!Lオ民抗イ直と○肥イ糸Fホ寸閏
爽 3 図 1小色縁■オ瓦 碗灸ヒシ寸の手動お回路 鱈 rl 図 (イ) /i1゜ (ロ)
Claims (3)
- (1)基板(1)に設けられた絶縁層(2)の上にパー
マロイの薄帯からなる磁性層(3)が形成され、該磁性
層(3)の上に約45度傾けた導電薄帯からなる導電層
(5)が、タンタルモリブデンの薄帯にてなり膜抵抗値
が約850〜900Ωである第1の密着層(4)を介し
て形成され、 タンタルモリブデンの薄帯にてなる第2の密着層(22
)を上面に形成された該導電層(5)が、保護層(7、
26)に覆われてなることを特徴とする磁気抵抗素子。 - (2)前記保護層(26)がシリコン系の熱硬化性樹脂
層(29)を二酸化シリコン層(27、28)で挟んだ
3層構造であることを特徴とする前記請求項1記載の磁
気抵抗素子。 - (3)基板(1)の表面に前記絶縁層(2)を設け、該
絶縁層(2)の上に磁性膜(11)を被着し、該磁性膜
(11)の上に第1の密着膜(12)を被着し、該第1
の密着膜(12)の上に導電膜(13)を被着し、該導
電膜(13)の上に第2の密着膜(31)を被着したの
ち、前記磁性層(3)と同一パターン形状である第1の
マスク(32)を使用した第1のエッチング工程にて、
該第2の密着膜(31)、導電膜(13)、第1の密着
膜(12)、磁性膜(11)をエッチングし、次いで、
前記導電層(5)の形成されない磁性層(3)の所定部
に対向し磁性層幅(W)より広幅(L)の窓(37)が
あけられた第2のマスク(36)を使用した第2のエッ
チング工程にて、該第1のエッチング工程により形成さ
た第2の密着膜パターン(35)、導電膜パターン(3
4)、第1の密着膜パターン(33)をエッチングした
のち、 前記保護層(7、26)を形成せしめることを特徴とす
る磁気抵抗素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2063260A JP2586680B2 (ja) | 1990-03-14 | 1990-03-14 | 磁気抵抗素子とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2063260A JP2586680B2 (ja) | 1990-03-14 | 1990-03-14 | 磁気抵抗素子とその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03263886A true JPH03263886A (ja) | 1991-11-25 |
JP2586680B2 JP2586680B2 (ja) | 1997-03-05 |
Family
ID=13224129
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2063260A Expired - Lifetime JP2586680B2 (ja) | 1990-03-14 | 1990-03-14 | 磁気抵抗素子とその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2586680B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007194322A (ja) * | 2006-01-18 | 2007-08-02 | Alps Electric Co Ltd | 車載用gmr角度センサ |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60263484A (ja) * | 1984-06-11 | 1985-12-26 | Nec Corp | 磁気抵抗素子 |
JPS6421977A (en) * | 1987-07-16 | 1989-01-25 | Fujitsu Ltd | Magnetoresistance element |
-
1990
- 1990-03-14 JP JP2063260A patent/JP2586680B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60263484A (ja) * | 1984-06-11 | 1985-12-26 | Nec Corp | 磁気抵抗素子 |
JPS6421977A (en) * | 1987-07-16 | 1989-01-25 | Fujitsu Ltd | Magnetoresistance element |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007194322A (ja) * | 2006-01-18 | 2007-08-02 | Alps Electric Co Ltd | 車載用gmr角度センサ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2586680B2 (ja) | 1997-03-05 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19961015 |