JPH03263886A - 磁気抵抗素子とその製造方法 - Google Patents
磁気抵抗素子とその製造方法Info
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- JPH03263886A JPH03263886A JP2063260A JP6326090A JPH03263886A JP H03263886 A JPH03263886 A JP H03263886A JP 2063260 A JP2063260 A JP 2063260A JP 6326090 A JP6326090 A JP 6326090A JP H03263886 A JPH03263886 A JP H03263886A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
バーバー・ポール型磁気抵抗素子とその製造方法に関し
、 磁気抵抗素子の特性を安定化し品質を向上せしめると共
に、信頼性を高めることを目的とし、基板に設けら゛れ
た絶縁層の上にパーマロイの薄帯からなる磁性層が形成
され、 該磁性層の上に約４５度傾けた導電薄帯からなる導電層
が、タンタルモリブデンの薄帯にてなり膜抵抗値が約８
５０〜９００Ωである第１の密着層を介して形成され、 タンタルモリブデンの薄帯にてなる第２の密着層を上面
に形成した該導電層が、保護層に覆われてなることを特
徴とし、 さらに、前記保護層がシリコン系の熱硬化性樹脂層を二
酸化シリコン層で挟んだ３層構造であることを特徴とし
構成するおよび、 基板の表面に前記絶縁層を設け、該絶縁層の上に磁性膜
を被着し、該磁性膜の上に第１の密着膜を被着し、該第
１の密着膜の上に導電膜を被着し、該導電膜の上に第２
の密着膜を被着したのち、前記磁性層と同一パターン形
状である第１のマスクを使用した第１のエツチング工程
にて、該第２の密着膜、導電膜、第１の密着膜、磁性膜
をエツチングし、 次いで、前記導電層の形成されない磁性層の所定部に対
向し磁性層幅より広幅の窓があけられた第２のマスクを
使用した第２のエツチング工程にて、該第１のエツチン
グ工程により形成さた第２の密着膜パターン、導電膜パ
ターン、第１の密着膜パターンをエツチングしたのち、 前記保護層を形成せし磁気抵抗素子を製造することを特
徴とし構成する。
、 磁気抵抗素子の特性を安定化し品質を向上せしめると共
に、信頼性を高めることを目的とし、基板に設けら゛れ
た絶縁層の上にパーマロイの薄帯からなる磁性層が形成
され、 該磁性層の上に約４５度傾けた導電薄帯からなる導電層
が、タンタルモリブデンの薄帯にてなり膜抵抗値が約８
５０〜９００Ωである第１の密着層を介して形成され、 タンタルモリブデンの薄帯にてなる第２の密着層を上面
に形成した該導電層が、保護層に覆われてなることを特
徴とし、 さらに、前記保護層がシリコン系の熱硬化性樹脂層を二
酸化シリコン層で挟んだ３層構造であることを特徴とし
構成するおよび、 基板の表面に前記絶縁層を設け、該絶縁層の上に磁性膜
を被着し、該磁性膜の上に第１の密着膜を被着し、該第
１の密着膜の上に導電膜を被着し、該導電膜の上に第２
の密着膜を被着したのち、前記磁性層と同一パターン形
状である第１のマスクを使用した第１のエツチング工程
にて、該第２の密着膜、導電膜、第１の密着膜、磁性膜
をエツチングし、 次いで、前記導電層の形成されない磁性層の所定部に対
向し磁性層幅より広幅の窓があけられた第２のマスクを
使用した第２のエツチング工程にて、該第１のエツチン
グ工程により形成さた第２の密着膜パターン、導電膜パ
ターン、第１の密着膜パターンをエツチングしたのち、 前記保護層を形成せし磁気抵抗素子を製造することを特
徴とし構成する。
本発明は、バーバー・ボール型の磁気抵抗素子（磁気検
出器、磁気センサ）の構造と製造方法、特に磁気抵抗素
子の信頼性および品質の向上を図る改善に関する。
出器、磁気センサ）の構造と製造方法、特に磁気抵抗素
子の信頼性および品質の向上を図る改善に関する。
磁気検出用磁気抵抗素子には、強磁性金属の磁気抵抗を
利用したもの、半導体の磁気抵抗を利用したもの、半導
体のホール硬化を利用したもの等がある。パーマロイ等
からなる強磁性金属の磁気抵抗を利用した磁気抵抗素子
は、温度変化に対し他のものより安定であり、微小磁束
の検出能力に優れるという特徴がある。
利用したもの、半導体の磁気抵抗を利用したもの、半導
体のホール硬化を利用したもの等がある。パーマロイ等
からなる強磁性金属の磁気抵抗を利用した磁気抵抗素子
は、温度変化に対し他のものより安定であり、微小磁束
の検出能力に優れるという特徴がある。
（従来の技術〕
第５図は磁気抵抗素子のパターン形状、第６図は従来の
磁気抵抗素子の断面図であり、磁気センサとしては第５
図に示すようなパターンで第７図のようなブリッジを構
成したものが有効である。
磁気抵抗素子の断面図であり、磁気センサとしては第５
図に示すようなパターンで第７図のようなブリッジを構
成したものが有効である。
第５図および第６図において、シリコンやパイレックス
等にてなる基板１の表面に二酸化シリコン（ＳｉＯ□）
等の酸化膜にてなる絶縁層２を被着し、絶縁Ｎ２の上に
形成されたバーバーポール（Ｂａｒｂｅｒ Ｐｏ１ｅ）
状の磁気抵抗素子パターンは、つづら折り状にパーマロ
イ等にて磁性層３を形成し、その上にクロムやチタン等
からなる密着層４を介して、約４５度傾けた一定間隔に
金やアルミニウム等の導電層５を形成してなり、磁気抵
抗素子パターンの一部であるリードパターン６の一部分
を表呈せしめる保護Ｎ７が形成されてなる。
等にてなる基板１の表面に二酸化シリコン（ＳｉＯ□）
等の酸化膜にてなる絶縁層２を被着し、絶縁Ｎ２の上に
形成されたバーバーポール（Ｂａｒｂｅｒ Ｐｏ１ｅ）
状の磁気抵抗素子パターンは、つづら折り状にパーマロ
イ等にて磁性層３を形成し、その上にクロムやチタン等
からなる密着層４を介して、約４５度傾けた一定間隔に
金やアルミニウム等の導電層５を形成してなり、磁気抵
抗素子パターンの一部であるリードパターン６の一部分
を表呈せしめる保護Ｎ７が形成されてなる。
第５図に示す如く、複数本の長軸１８と短軸１９をつづ
ら折り状に形成された磁性層３は、長軸１８の長さ方向
に一軸磁気異方性（内部磁化）Ｍが付与されており、つ
づら折り状に形成された磁性層３の往復両方向に導電層
５を斜めに配設し、磁性層３に電流ｉが流れる素子は、
第７図に示す如くブリッジに組み、両出力端子間の電位
差を測定することで高感度の磁気センサが得られる。
ら折り状に形成された磁性層３は、長軸１８の長さ方向
に一軸磁気異方性（内部磁化）Ｍが付与されており、つ
づら折り状に形成された磁性層３の往復両方向に導電層
５を斜めに配設し、磁性層３に電流ｉが流れる素子は、
第７図に示す如くブリッジに組み、両出力端子間の電位
差を測定することで高感度の磁気センサが得られる。
第８図（イ）〜（す）は、本出願人が出願し昭和６０年
１２月１６日付けで公開された特開昭６０−２５４７８
１号公報の方法による前記磁気抵抗素子の製造方法の説
明図であり、（ロ）の断面図と（ハ）の平面図、（ニ）
の断面図と（ネ）の平面図、（へ）の断面図と（ト）の
平面図、（チ）の断面図と（す）の平面図が対応する。
１２月１６日付けで公開された特開昭６０−２５４７８
１号公報の方法による前記磁気抵抗素子の製造方法の説
明図であり、（ロ）の断面図と（ハ）の平面図、（ニ）
の断面図と（ネ）の平面図、（へ）の断面図と（ト）の
平面図、（チ）の断面図と（す）の平面図が対応する。
第８図（イ）に示す如く、絶縁層（図示せず）が被着さ
れた基板１の上に磁性膜ＩＬ密着膜１２．導電膜１３を
連続して積層する。
れた基板１の上に磁性膜ＩＬ密着膜１２．導電膜１３を
連続して積層する。
次いで、第８図（ＩＩ）、（ハ）に示す如く磁性層３の
幅より広幅ｌのレジストマスク１４を利用し、導電膜パ
ターン５ａを形成する。このとき、密着膜１２も導電膜
１３と一緒にエツチングし、密着膜パターン４ａを形成
する。
幅より広幅ｌのレジストマスク１４を利用し、導電膜パ
ターン５ａを形成する。このとき、密着膜１２も導電膜
１３と一緒にエツチングし、密着膜パターン４ａを形成
する。
次いで、第８図（ニ）、（本）に示す如き新たなレジス
トマスク１５を用い、磁性膜１１をバターニング磁性層
３を形成するが、マスク１５の幅Ｗは磁性層３と同一幅
であり、幅Ｗは幅ｌより狭いため、マスク１５は厳密に
位置合わせを行う必要がない。
トマスク１５を用い、磁性膜１１をバターニング磁性層
３を形成するが、マスク１５の幅Ｗは磁性層３と同一幅
であり、幅Ｗは幅ｌより狭いため、マスク１５は厳密に
位置合わせを行う必要がない。
そして、マスク１５よりはみ出したパターン５ａｔ４８
のはみ出し部は、磁性層３を形成する際に同時にエツチ
ングされ、第８図（へ）、０）に示す如く磁性層３と同
幅の密着層４．導電層５が形成される。
のはみ出し部は、磁性層３を形成する際に同時にエツチ
ングされ、第８図（へ）、０）に示す如く磁性層３と同
幅の密着層４．導電層５が形成される。
最後に、ＳｉＯ□等にてなる保護層７が形成され、第８
図（４）、（ＩＪ）に示す素子が完成する。
図（４）、（ＩＪ）に示す素子が完成する。
前記従来の磁気抵抗素子において、導電層５と保護層７
とは密着力が悪いため、保護層７が剥離し易いという問
題点があった。
とは密着力が悪いため、保護層７が剥離し易いという問
題点があった。
また、導電膜１３はイオンミーリングでエツチングし、
密着膜１２はドライエツチングにてバターニングするが
、密着膜１２が薄過ぎると導電膜１３のエツチング時に
磁性膜１１が傷付けられ磁気抵抗素子の磁気特性が不安
定になり、密着膜１２が厚過ぎると密着層４の電気抵抗
によって磁気抵抗素子の特性が低下するという問題点が
あった。
密着膜１２はドライエツチングにてバターニングするが
、密着膜１２が薄過ぎると導電膜１３のエツチング時に
磁性膜１１が傷付けられ磁気抵抗素子の磁気特性が不安
定になり、密着膜１２が厚過ぎると密着層４の電気抵抗
によって磁気抵抗素子の特性が低下するという問題点が
あった。
第９図ＣＡ） 、 （０）は前記従来方法で製造された
磁気抵抗素子の問題点の説明図であり、従来の磁気抵抗
素子、特に量産されたときの磁気抵抗素子はその製造過
程で、導電膜パターン５ａのはみ出し部端面にはその形
成時に残滓２０が被着され、該はみ出し部に沿って磁性
膜１１に凹所１７が形成され易く、該はみ出し部をエツ
チングしたとき、残滓２０による線状突起１６が形成さ
れ、かかる突起１６および凹所１７によって、磁性層３
の磁気特性が不安定化されるという問題点があった。
磁気抵抗素子の問題点の説明図であり、従来の磁気抵抗
素子、特に量産されたときの磁気抵抗素子はその製造過
程で、導電膜パターン５ａのはみ出し部端面にはその形
成時に残滓２０が被着され、該はみ出し部に沿って磁性
膜１１に凹所１７が形成され易く、該はみ出し部をエツ
チングしたとき、残滓２０による線状突起１６が形成さ
れ、かかる突起１６および凹所１７によって、磁性層３
の磁気特性が不安定化されるという問題点があった。
本発明の目的は、前記各種の問題点をなくすことである
。
。
（課題を解決するための手段〕
本発明による磁気抵抗素子はその実施例を示す第１図に
よれば、基板１に設けられた絶縁層２の上にパーマロイ
の薄帯からなる磁性層３が形成され、 磁性層３の上に約４５度傾けた導電薄帯からなる導電層
５が、タンタルモリブデンの薄帯にてなり膜抵抗値が約
８５０〜９００Ωである第１の密着層４を介して形成さ
れ、 タンタルモリブデンの薄帯にてなる第２の密着■ 層２２を上面に形成された導電層Ｉが、保護層７に覆わ
れてなることを特徴とする磁気抵抗素子２１である。
よれば、基板１に設けられた絶縁層２の上にパーマロイ
の薄帯からなる磁性層３が形成され、 磁性層３の上に約４５度傾けた導電薄帯からなる導電層
５が、タンタルモリブデンの薄帯にてなり膜抵抗値が約
８５０〜９００Ωである第１の密着層４を介して形成さ
れ、 タンタルモリブデンの薄帯にてなる第２の密着■ 層２２を上面に形成された導電層Ｉが、保護層７に覆わ
れてなることを特徴とする磁気抵抗素子２１である。
また、磁気抵抗素子２１の製造に際し適用した本り
発明方法を示す第４図によれば、基板７の表面に絶縁層
２を設け、絶縁層２の上に磁性膜１１を被着し、磁性膜
１１の上に第１の密着膜１２を被着し、第１の密着膜１
２の上に導電膜１３を被着し、導電膜１３の上に第２の
密着膜３１を被着したのち、前記磁性層３と同一パター
ン形状である第１のマスク３２を使用した第１のエツチ
ング工程にて、第２の密着膜３１．導電膜１３．第１の
密着膜１２．磁性膜１１をエツチングし、 次いで、前記導電層５の形成されない磁性層３の所定部
に対向し磁性層幅Ｗより広幅りの窓３７があけられた第
２のマスク３６を使用した第２のエツチング工程にて、
該第１のエツチング工程により形成さた第２の密着膜パ
ターン３５．導電膜パターン３４．第１の密着膜パター
ン３３をエツチングしたのち、 前記保護層７を形成せしめることを特徴とする磁気抵抗
素子２１の製造方法である。
２を設け、絶縁層２の上に磁性膜１１を被着し、磁性膜
１１の上に第１の密着膜１２を被着し、第１の密着膜１
２の上に導電膜１３を被着し、導電膜１３の上に第２の
密着膜３１を被着したのち、前記磁性層３と同一パター
ン形状である第１のマスク３２を使用した第１のエツチ
ング工程にて、第２の密着膜３１．導電膜１３．第１の
密着膜１２．磁性膜１１をエツチングし、 次いで、前記導電層５の形成されない磁性層３の所定部
に対向し磁性層幅Ｗより広幅りの窓３７があけられた第
２のマスク３６を使用した第２のエツチング工程にて、
該第１のエツチング工程により形成さた第２の密着膜パ
ターン３５．導電膜パターン３４．第１の密着膜パター
ン３３をエツチングしたのち、 前記保護層７を形成せしめることを特徴とする磁気抵抗
素子２１の製造方法である。
上記手段によれば、第１の密着膜を磁気抵抗素子の特性
から約８５０〜９００Ωの抵抗値に設定したことによっ
て磁気抵抗素子の特性が安定化し、品質および信頼性が
改善され、 第２の密着層を設けたことによって保護層の密着性が向
上し、磁気抵抗素子の信頼性が改善されるようになり、 さらに、新規製造方法を提供したことによって、磁性膜
および密着膜をエツチングした残滓による線状突起が形
成されないため、磁気抵抗素子の量産性、特性の安定化
を実現し、品質および信頼性が改善される。
から約８５０〜９００Ωの抵抗値に設定したことによっ
て磁気抵抗素子の特性が安定化し、品質および信頼性が
改善され、 第２の密着層を設けたことによって保護層の密着性が向
上し、磁気抵抗素子の信頼性が改善されるようになり、 さらに、新規製造方法を提供したことによって、磁性膜
および密着膜をエツチングした残滓による線状突起が形
成されないため、磁気抵抗素子の量産性、特性の安定化
を実現し、品質および信頼性が改善される。
以下に、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の一実施例による磁気抵抗素子の断面図
（イ）とそのパターンの平面図（ｒｉ）、第２図は本発
明の他の実施例による磁気抵抗素子の断面図、第３図は
タンタルモリブデン膜の厚さとその抵抗値との関係を示
す図である。
（イ）とそのパターンの平面図（ｒｉ）、第２図は本発
明の他の実施例による磁気抵抗素子の断面図、第３図は
タンタルモリブデン膜の厚さとその抵抗値との関係を示
す図である。
前出図と共通部分に同一符号を使用した第１図において
、磁気抵抗素子２１は、シリコン（Ｓｉ）にてなる基板
ｌの表面に二酸化シリコン（ＳｉＯｚ）にてなる絶縁層
２を設け、絶縁層２の上に形成されたバーバーポール（
Ｂａｒｂｅｒ Ｐｏ１ｅ）状の磁気抵抗素子パターンは
、つづら折り状にパーマロイの磁性層３を形成し、その
上にタンタルモリブデン（Ｔ ａ Ｍ ｏ ）にて形成
された第１の密着層４を介して、約４５度傾けた一定間
隔に金の導電層５を形成し、導電層５の上にＴａＭｏに
てなる第２の密着層２２を形成してなり、磁気抵抗素子
パターンの一部であるリードパターン６の一部分を表呈
せしめる保護層７が形成されてなる。
、磁気抵抗素子２１は、シリコン（Ｓｉ）にてなる基板
ｌの表面に二酸化シリコン（ＳｉＯｚ）にてなる絶縁層
２を設け、絶縁層２の上に形成されたバーバーポール（
Ｂａｒｂｅｒ Ｐｏ１ｅ）状の磁気抵抗素子パターンは
、つづら折り状にパーマロイの磁性層３を形成し、その
上にタンタルモリブデン（Ｔ ａ Ｍ ｏ ）にて形成
された第１の密着層４を介して、約４５度傾けた一定間
隔に金の導電層５を形成し、導電層５の上にＴａＭｏに
てなる第２の密着層２２を形成してなり、磁気抵抗素子
パターンの一部であるリードパターン６の一部分を表呈
せしめる保護層７が形成されてなる。
密着層４の厚さは、横軸をＴａＭｏ膜の厚さ人。
縦軸をＴａＭｏ膜の抵抗値Ωとし測定値のプロットを実
線で結んだ第３図より、抵抗値を約８５０〜９００Ω、
即ち磁気抵抗素子パターンの磁気特性を低下せしめる上
限であるところの９００Ω以下とし、かつ、抵抗値がな
るべく低くなる（厚膜となる）ように、さらに成膜技術
上の容易性を考慮して限定し、その結果、ＴａＭｏ膜の
厚さを５００〜８００人とする。
線で結んだ第３図より、抵抗値を約８５０〜９００Ω、
即ち磁気抵抗素子パターンの磁気特性を低下せしめる上
限であるところの９００Ω以下とし、かつ、抵抗値がな
るべく低くなる（厚膜となる）ように、さらに成膜技術
上の容易性を考慮して限定し、その結果、ＴａＭｏ膜の
厚さを５００〜８００人とする。
かかる磁気抵抗素子２１は従来のそれと同様に、例えば
第７図に示す如くブリッジに組み高感度の磁気センサと
して利用されるが、導電層５の上に密着層２２を形成し
たことにより、保護層７の密着力が従来のものより改善
される。
第７図に示す如くブリッジに組み高感度の磁気センサと
して利用されるが、導電層５の上に密着層２２を形成し
たことにより、保護層７の密着力が従来のものより改善
される。
前出図と共通部分に同一符号を使用した第２図において
、磁気抵抗素子２５は、シリコン（Ｓｉ）にてなる基板
１０表面にＳｔＯ□にてなる絶縁層２を設け、絶縁層２
の上に形成されたバーバーポール（Ｂａｒｂｅｒ Ｐｏ
１ｅ）状の磁気抵抗素子パターンは、つづら折り状にパ
ーマロイの磁性層３を形成し、その上にＴａＭｏにて厚
さ５００〜８００人に形成された第１の密着層４を介し
て、約４５度傾けた一定間隔に金の導電Ｎ５を形成し、
導体層５の上にＴａＭｏにてなる第２の密着層２２を形
成してなり、磁気抵抗素子パターンの一部であるリード
パターン６の一部分を表呈せしめる保護層２６が形成さ
れてなる。
、磁気抵抗素子２５は、シリコン（Ｓｉ）にてなる基板
１０表面にＳｔＯ□にてなる絶縁層２を設け、絶縁層２
の上に形成されたバーバーポール（Ｂａｒｂｅｒ Ｐｏ
１ｅ）状の磁気抵抗素子パターンは、つづら折り状にパ
ーマロイの磁性層３を形成し、その上にＴａＭｏにて厚
さ５００〜８００人に形成された第１の密着層４を介し
て、約４５度傾けた一定間隔に金の導電Ｎ５を形成し、
導体層５の上にＴａＭｏにてなる第２の密着層２２を形
成してなり、磁気抵抗素子パターンの一部であるリード
パターン６の一部分を表呈せしめる保護層２６が形成さ
れてなる。
保護Ｆｉ２６はＳ ｉｏ ２層２７．２８とシリコン系
熱硬化性樹脂層２９との３層構造、例えば、厚さ９５０
０人程度の５層０２層２７と厚さ３５００人程度のＳｉ
Ｏ□層２８との間に、厚さ５０００λ程度の樹脂層２９
を挟み構成である。樹脂層２９はＳｉＯｚ層２７の凹凸
を均らし、耐湿性を良くする効果がある。
熱硬化性樹脂層２９との３層構造、例えば、厚さ９５０
０人程度の５層０２層２７と厚さ３５００人程度のＳｉ
Ｏ□層２８との間に、厚さ５０００λ程度の樹脂層２９
を挟み構成である。樹脂層２９はＳｉＯｚ層２７の凹凸
を均らし、耐湿性を良くする効果がある。
かかる磁気抵抗素子２５は従来のそれと同様に、例えば
第７図に示す如くブリッジに組み高感度の磁気センサと
して利用されるが、導電層５の上に密着層２２を形成し
たことにより、保護層７の密着力が従来のものより改善
され、保護層２６が樹脂層を含む３層構造としたことに
より、耐湿性が改善される。
第７図に示す如くブリッジに組み高感度の磁気センサと
して利用されるが、導電層５の上に密着層２２を形成し
たことにより、保護層７の密着力が従来のものより改善
され、保護層２６が樹脂層を含む３層構造としたことに
より、耐湿性が改善される。
第４図（イ）〜（ト）は本発明の実施例による磁気抵抗
素子の製造方法の説明図であり、（ハ）の断面図と（ニ
）の平面図、（本）の断面図と（へ）の平面図が対応し
、前出図と共通部分には同一符号を使用する。
素子の製造方法の説明図であり、（ハ）の断面図と（ニ
）の平面図、（本）の断面図と（へ）の平面図が対応し
、前出図と共通部分には同一符号を使用する。
第４図（イ）に示す如く、Ｓｉ基板１０表面に設けたＳ
ｉＯ□絶縁層２の上に、パーマロイにてなり厚さが１０
００人程度である磁性膜ＩＬＴａＭｏにてなり厚さが５
００〜８００人である第１の密着膜１２金にてなり厚さ
が５００人程度である導電膜１３．ＴａＭｏにてなり厚
さが２００人程度である第２の密着膜３１を連続して積
層する。
ｉＯ□絶縁層２の上に、パーマロイにてなり厚さが１０
００人程度である磁性膜ＩＬＴａＭｏにてなり厚さが５
００〜８００人である第１の密着膜１２金にてなり厚さ
が５００人程度である導電膜１３．ＴａＭｏにてなり厚
さが２００人程度である第２の密着膜３１を連続して積
層する。
次いで、第４図（Ｕ）に示す如く密着膜３１の上に、磁
性層３と同一パターン形状であり、従ってつづら折り状
長軸幅がＷである第１のレジストマスク３２を形成した
のち、第４図（ハ）、（ニ）に示す如くマスク３２を使
用した第１のエツチング工程では、密着膜３１．導電膜
１３．密着膜１２．磁性膜１１をエツチングする。する
と、磁性膜１１より磁性層３が形成され、密着膜１２よ
り密着膜パターン３３が形成され、導電膜１３より導電
膜パターン３４が形成され、密着膜３１より密着膜パタ
ーン３５が形成される。
性層３と同一パターン形状であり、従ってつづら折り状
長軸幅がＷである第１のレジストマスク３２を形成した
のち、第４図（ハ）、（ニ）に示す如くマスク３２を使
用した第１のエツチング工程では、密着膜３１．導電膜
１３．密着膜１２．磁性膜１１をエツチングする。する
と、磁性膜１１より磁性層３が形成され、密着膜１２よ
り密着膜パターン３３が形成され、導電膜１３より導電
膜パターン３４が形成され、密着膜３１より密着膜パタ
ーン３５が形成される。
次いで、第４図（ネ）、（へ）に示す如く導電層５の形
成されない磁性層３に所定部に対向し貫通窓３７のあけ
られ、窓３７の幅りが磁性層長軸幅Ｗより広い第２のレ
ジストマスク３６を形成し、レジストマスク３６をした
第２のエツチング工程では、第４図（ト）に示す如く密
着膜パターン３５．導電膜パターン３４．密着膜パター
ン３３をエツチングすると、密着膜パターン３３より密
着層４が形成され、導電膜パターン３４より２１電Ｎ５
が形成され、密着膜パターン３５より密着層２２が形成
される。
成されない磁性層３に所定部に対向し貫通窓３７のあけ
られ、窓３７の幅りが磁性層長軸幅Ｗより広い第２のレ
ジストマスク３６を形成し、レジストマスク３６をした
第２のエツチング工程では、第４図（ト）に示す如く密
着膜パターン３５．導電膜パターン３４．密着膜パター
ン３３をエツチングすると、密着膜パターン３３より密
着層４が形成され、導電膜パターン３４より２１電Ｎ５
が形成され、密着膜パターン３５より密着層２２が形成
される。
そこで、密着層２２を覆うように保護層７を形成せしめ
て第１図に示す磁気抵抗素子２１が、密着層２２を覆う
ように保護Ｊｉ２６を形成せしめて第２図に示す磁気抵
抗素子２５が完成する。
て第１図に示す磁気抵抗素子２１が、密着層２２を覆う
ように保護Ｊｉ２６を形成せしめて第２図に示す磁気抵
抗素子２５が完成する。
以上説明したように本発明によれば１、第１の密着膜を
磁気抵抗素子の特性から約８５０〜９００Ωの抵抗値に
設定したことによって磁気抵抗素子の特性が安定化し、
品質および信頼性が改善され、第２の密着層を設けたこ
とによって保護層の密着性が向上し、磁気抵抗素子の信
頼性が改善され、さらに、新規製造方法を提供したこと
によって、従来の線状突起をなくし磁気抵抗素子の量産
性。
磁気抵抗素子の特性から約８５０〜９００Ωの抵抗値に
設定したことによって磁気抵抗素子の特性が安定化し、
品質および信頼性が改善され、第２の密着層を設けたこ
とによって保護層の密着性が向上し、磁気抵抗素子の信
頼性が改善され、さらに、新規製造方法を提供したこと
によって、従来の線状突起をなくし磁気抵抗素子の量産
性。
特性の安定化を実現し、品質および信頼性が改善された
効果を有する。
効果を有する。
第１図は本発明の一実施例による磁気抵抗素子、第２図
は本発明の他の実施例による磁気抵抗素子、 第３図はＴａＭｏ膜の厚さと抵抗値との関係を示す図、 第４図は本発明の実施例による磁気抵抗素子の製造方法
の説明図、 第５図は磁気抵抗素子のパターン形状、第６図は従来の
磁気抵抗素子、 第７図は磁気センサの検出回路、 第８図は従来の磁気抵抗素子の製造方法の説明図、 第９図は従来の製造方法の問題点の説明図、である。 図中において、 １は基板（Ｓｉ基板）、 ２は絶縁層、 ３はパーマロイの磁性層、 ４はＴａＭｏにてなる第１の密着層、 ５は金の導電層、 ７．２６は保護層、 １１は磁性膜、 １２は第１の密着膜、 １３は導電膜、 ２１．２５は磁気抵抗素子、 ２２はＴａＭｏにてなる第２の密着層、２７．２８ は
ＳｉＯ□層、 ２９はシリコン系熱硬化性樹脂層、 ３１は第２の密着膜、 ３２は第１のマスク、 ３３は第１の密着膜パターン、 ３４は導電膜パターン、 ３５は第２の密着膜パターン、 ３６は第２のマスク、 ３７は第２のマスクの窓、 Ｌは第２のマスクの窓の幅、 ｌは磁性層の長軸幅、 で＝：）′ 木死明のイ巴の側バーイタ刊てよろ石ム気オ氏抗禾引臀
９ ２ 図 了ユｒｈｏ腹の厚−！Ｌオ民抗イ直と○肥イ糸Ｆホ寸閏
爽 ３ 図 １小色縁■オ瓦 碗灸ヒシ寸の手動お回路 鱈 ｒｌ 図 （イ） ／ｉ１゜ （ロ）
は本発明の他の実施例による磁気抵抗素子、 第３図はＴａＭｏ膜の厚さと抵抗値との関係を示す図、 第４図は本発明の実施例による磁気抵抗素子の製造方法
の説明図、 第５図は磁気抵抗素子のパターン形状、第６図は従来の
磁気抵抗素子、 第７図は磁気センサの検出回路、 第８図は従来の磁気抵抗素子の製造方法の説明図、 第９図は従来の製造方法の問題点の説明図、である。 図中において、 １は基板（Ｓｉ基板）、 ２は絶縁層、 ３はパーマロイの磁性層、 ４はＴａＭｏにてなる第１の密着層、 ５は金の導電層、 ７．２６は保護層、 １１は磁性膜、 １２は第１の密着膜、 １３は導電膜、 ２１．２５は磁気抵抗素子、 ２２はＴａＭｏにてなる第２の密着層、２７．２８ は
ＳｉＯ□層、 ２９はシリコン系熱硬化性樹脂層、 ３１は第２の密着膜、 ３２は第１のマスク、 ３３は第１の密着膜パターン、 ３４は導電膜パターン、 ３５は第２の密着膜パターン、 ３６は第２のマスク、 ３７は第２のマスクの窓、 Ｌは第２のマスクの窓の幅、 ｌは磁性層の長軸幅、 で＝：）′ 木死明のイ巴の側バーイタ刊てよろ石ム気オ氏抗禾引臀
９ ２ 図 了ユｒｈｏ腹の厚−！Ｌオ民抗イ直と○肥イ糸Ｆホ寸閏
爽 ３ 図 １小色縁■オ瓦 碗灸ヒシ寸の手動お回路 鱈 ｒｌ 図 （イ） ／ｉ１゜ （ロ）
Claims (3)
- （１）基板（１）に設けられた絶縁層（２）の上にパー
マロイの薄帯からなる磁性層（３）が形成され、該磁性
層（３）の上に約４５度傾けた導電薄帯からなる導電層
（５）が、タンタルモリブデンの薄帯にてなり膜抵抗値
が約８５０〜９００Ωである第１の密着層（４）を介し
て形成され、 タンタルモリブデンの薄帯にてなる第２の密着層（２２
）を上面に形成された該導電層（５）が、保護層（７、
２６）に覆われてなることを特徴とする磁気抵抗素子。 - （２）前記保護層（２６）がシリコン系の熱硬化性樹脂
層（２９）を二酸化シリコン層（２７、２８）で挟んだ
３層構造であることを特徴とする前記請求項１記載の磁
気抵抗素子。 - （３）基板（１）の表面に前記絶縁層（２）を設け、該
絶縁層（２）の上に磁性膜（１１）を被着し、該磁性膜
（１１）の上に第１の密着膜（１２）を被着し、該第１
の密着膜（１２）の上に導電膜（１３）を被着し、該導
電膜（１３）の上に第２の密着膜（３１）を被着したの
ち、前記磁性層（３）と同一パターン形状である第１の
マスク（３２）を使用した第１のエッチング工程にて、
該第２の密着膜（３１）、導電膜（１３）、第１の密着
膜（１２）、磁性膜（１１）をエッチングし、次いで、
前記導電層（５）の形成されない磁性層（３）の所定部
に対向し磁性層幅（Ｗ）より広幅（Ｌ）の窓（３７）が
あけられた第２のマスク（３６）を使用した第２のエッ
チング工程にて、該第１のエッチング工程により形成さ
た第２の密着膜パターン（３５）、導電膜パターン（３
４）、第１の密着膜パターン（３３）をエッチングした
のち、 前記保護層（７、２６）を形成せしめることを特徴とす
る磁気抵抗素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2063260A JP2586680B2 (ja) | 1990-03-14 | 1990-03-14 | 磁気抵抗素子とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2063260A JP2586680B2 (ja) | 1990-03-14 | 1990-03-14 | 磁気抵抗素子とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03263886A true JPH03263886A (ja) | 1991-11-25 |
| JP2586680B2 JP2586680B2 (ja) | 1997-03-05 |
Family
ID=13224129
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2063260A Expired - Lifetime JP2586680B2 (ja) | 1990-03-14 | 1990-03-14 | 磁気抵抗素子とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2586680B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007194322A (ja) * | 2006-01-18 | 2007-08-02 | Alps Electric Co Ltd | 車載用ｇｍｒ角度センサ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60263484A (ja) * | 1984-06-11 | 1985-12-26 | Nec Corp | 磁気抵抗素子 |
| JPS6421977A (en) * | 1987-07-16 | 1989-01-25 | Fujitsu Ltd | Magnetoresistance element |
-
1990
- 1990-03-14 JP JP2063260A patent/JP2586680B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60263484A (ja) * | 1984-06-11 | 1985-12-26 | Nec Corp | 磁気抵抗素子 |
| JPS6421977A (en) * | 1987-07-16 | 1989-01-25 | Fujitsu Ltd | Magnetoresistance element |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007194322A (ja) * | 2006-01-18 | 2007-08-02 | Alps Electric Co Ltd | 車載用ｇｍｒ角度センサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2586680B2 (ja) | 1997-03-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19961015 |