JPH03154389A - 磁気抵抗素子 - Google Patents
磁気抵抗素子Info
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- JPH03154389A JPH03154389A JP1294276A JP29427689A JPH03154389A JP H03154389 A JPH03154389 A JP H03154389A JP 1294276 A JP1294276 A JP 1294276A JP 29427689 A JP29427689 A JP 29427689A JP H03154389 A JPH03154389 A JP H03154389A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、磁界の変化に応じて電気抵抗値が変動する磁
気抵抗効果を利用した磁気抵抗素子に関し、特にバイア
ス磁界を直接印加することが可能な磁気抵抗素子に関す
る。
気抵抗効果を利用した磁気抵抗素子に関し、特にバイア
ス磁界を直接印加することが可能な磁気抵抗素子に関す
る。
（従来の技術）
バイアス磁界を印加することが可能である磁気抵抗素子
の一つに特開昭６０−３４８３０号に示されたものがあ
り、その構造を第４図に示す。
の一つに特開昭６０−３４８３０号に示されたものがあ
り、その構造を第４図に示す。
これは、ガラス基板５上にコバルト−リンから成り、膜
厚が８００オングストローム、幅が１０ミクロンのバイ
アス磁界用ハード膜（高抗磁力強磁性体膜）パターン９
を、スパッタリング成膜装置により形成し、次に、この
ハード膜パターン９上にスペーサ兼用の絶縁膜２として
、二酸化シリコン膜を前記成膜装置により形成し、更に
この絶縁膜２上に両端部がリード線と接続されており、
ストライブ幅が５ミクロンである磁気抵抗素子８を設け
た構造である。
厚が８００オングストローム、幅が１０ミクロンのバイ
アス磁界用ハード膜（高抗磁力強磁性体膜）パターン９
を、スパッタリング成膜装置により形成し、次に、この
ハード膜パターン９上にスペーサ兼用の絶縁膜２として
、二酸化シリコン膜を前記成膜装置により形成し、更に
この絶縁膜２上に両端部がリード線と接続されており、
ストライブ幅が５ミクロンである磁気抵抗素子８を設け
た構造である。
このような構造にすることにより、バイアス磁界のバイ
アス方向成分の強度を制御し、最適なバイアス磁界強度
を精密に且つ容易に得られるようになっている。
アス方向成分の強度を制御し、最適なバイアス磁界強度
を精密に且つ容易に得られるようになっている。
（発明が解決しようとする課題）
しかし、上述の従来例にあっては、センサ膜を有する磁
気抵抗素子８の下層に、絶縁膜２を介してハード膜パタ
ーン９を有するバイアス薄膜を形成する構造であるので
、着磁の際に着磁器とバイアス薄膜との間に絶縁膜２の
介在物があることから、着磁精度が悪くなり、またこの
介在物の上層にセンサ膜を有する磁気抵抗素子８がある
ことから、この磁気抵抗素子８の上層に膜厚が厚い保護
膜を形成しなければならず、その結果製造工程の複雑化
や製品としての厚さの増大化を引き起こすという問題点
を有している。
気抵抗素子８の下層に、絶縁膜２を介してハード膜パタ
ーン９を有するバイアス薄膜を形成する構造であるので
、着磁の際に着磁器とバイアス薄膜との間に絶縁膜２の
介在物があることから、着磁精度が悪くなり、またこの
介在物の上層にセンサ膜を有する磁気抵抗素子８がある
ことから、この磁気抵抗素子８の上層に膜厚が厚い保護
膜を形成しなければならず、その結果製造工程の複雑化
や製品としての厚さの増大化を引き起こすという問題点
を有している。
本発明は、製造工程が簡易で製品としての厚さも厚くな
らない磁気抵抗素子を提供することを目的としている。
らない磁気抵抗素子を提供することを目的としている。
「発明の構成コ
（課題を解決するための手段）
本発明は、前記目的を達成するために、ガラス基板上に
Ｕ字状パターンを有するセンサ膜と絶縁膜とが順次形成
されて成る磁気抵抗素子において、前記絶縁膜上に少な
くとも一層の強磁性厚膜層を形成し、更にこの強磁性厚
膜層が前記Ｕ字状パターン全体を覆うようにパターン化
されており、この強磁性厚膜層を所定方向に着磁するこ
とにより、バイアス磁界を印加できるようにしたことに
ある。
Ｕ字状パターンを有するセンサ膜と絶縁膜とが順次形成
されて成る磁気抵抗素子において、前記絶縁膜上に少な
くとも一層の強磁性厚膜層を形成し、更にこの強磁性厚
膜層が前記Ｕ字状パターン全体を覆うようにパターン化
されており、この強磁性厚膜層を所定方向に着磁するこ
とにより、バイアス磁界を印加できるようにしたことに
ある。
（作 用）
ガラス基板上にＵ字状パターンを有するセンサ膜と絶縁
膜とが順次形成され、この絶縁膜上に少なくとも一層の
強磁性厚膜層を形成し、更にこの強磁性厚膜層が前記Ｕ
字状パターン全体を覆うようにパターン化されており、
この強磁性厚膜層を所定方向に着磁することにより、バ
イアス磁界を印加できるので、最適なバイアス磁界強度
を精度良く容易に得ることが可能となる。
膜とが順次形成され、この絶縁膜上に少なくとも一層の
強磁性厚膜層を形成し、更にこの強磁性厚膜層が前記Ｕ
字状パターン全体を覆うようにパターン化されており、
この強磁性厚膜層を所定方向に着磁することにより、バ
イアス磁界を印加できるので、最適なバイアス磁界強度
を精度良く容易に得ることが可能となる。
（実施例）
以下、実施例により、本発明の詳細な説明する。
第１図は、本発明の実施例を示す断面図、第２図（ａ）
、 （ｂ）、 （ｃ）は、それぞれ磁性厚膜層の配
置図、第３図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）。
、 （ｂ）、 （ｃ）は、それぞれ磁性厚膜層の配
置図、第３図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）。
（ｄ）は、それぞれ磁性厚膜層と磁界用パターンとの配
置を示す平面図である。
置を示す平面図である。
この磁気抵抗素子は、ガラス基板５上に、強磁性体のニ
ッケルー鉄又はニッケルーコバルトから成るセンサ膜３
を、スパッタリング等の成膜装置で形成し、次に窒化シ
リコン又は二酸化シリコン等から成る絶縁膜２を、前記
成膜装置で形成し、更にこの絶縁膜２の両端部にエツチ
ングにより設けた溝の上に、金電極膜４を蒸着等の成膜
装置で形成し、また前記センサ膜３上にＵ字状パターン
７を形成し更に前記絶縁膜２上に磁界強度を有する強磁
性体粉を混入させたエポキシ樹脂から成る磁性厚膜層１
とを、スクリーン印刷後に熱硬化させることにより設け
た構造である。
ッケルー鉄又はニッケルーコバルトから成るセンサ膜３
を、スパッタリング等の成膜装置で形成し、次に窒化シ
リコン又は二酸化シリコン等から成る絶縁膜２を、前記
成膜装置で形成し、更にこの絶縁膜２の両端部にエツチ
ングにより設けた溝の上に、金電極膜４を蒸着等の成膜
装置で形成し、また前記センサ膜３上にＵ字状パターン
７を形成し更に前記絶縁膜２上に磁界強度を有する強磁
性体粉を混入させたエポキシ樹脂から成る磁性厚膜層１
とを、スクリーン印刷後に熱硬化させることにより設け
た構造である。
尚、前記磁性厚膜層１は、第２図に示すように磁性厚膜
層のみから構成される単一層（ａ）、エポキシ樹脂層の
上に磁性厚膜層を設けた二層（ｂ）及び２つのエポキシ
樹脂層の間に磁性厚膜層を挾み込んだ三層（ｄ）の構造
にすることが可能であり、これらの層の厚さは１乃至８
０ミクロンである。
層のみから構成される単一層（ａ）、エポキシ樹脂層の
上に磁性厚膜層を設けた二層（ｂ）及び２つのエポキシ
樹脂層の間に磁性厚膜層を挾み込んだ三層（ｄ）の構造
にすることが可能であり、これらの層の厚さは１乃至８
０ミクロンである。
また、第３図に示すように、絶縁膜２の上に設けられる
磁性厚膜層１と、金電極端子部６を介して金電極と接続
されている磁界用パターン７との配置は、絶縁膜２の両
端部に設けられたこの磁界用パターン７を磁性厚膜層１
が覆い、面内金体に広がっているもの（ａ）、前記両端
部の磁界用パターン７を磁性厚膜層１が覆うのみで、血
中央部近傍には磁性厚膜層１が設けられてないもの（ｂ
）磁界用パターン７の内側の面内金体に磁性厚膜層を設
けたもの（Ｃ）及び両端部に設けられた磁界用パターン
７を挾むように分割された磁性厚膜層１を両端部それぞ
れに設けたもの（ｄ）等の種々の形態にすることができ
る。
磁性厚膜層１と、金電極端子部６を介して金電極と接続
されている磁界用パターン７との配置は、絶縁膜２の両
端部に設けられたこの磁界用パターン７を磁性厚膜層１
が覆い、面内金体に広がっているもの（ａ）、前記両端
部の磁界用パターン７を磁性厚膜層１が覆うのみで、血
中央部近傍には磁性厚膜層１が設けられてないもの（ｂ
）磁界用パターン７の内側の面内金体に磁性厚膜層を設
けたもの（Ｃ）及び両端部に設けられた磁界用パターン
７を挾むように分割された磁性厚膜層１を両端部それぞ
れに設けたもの（ｄ）等の種々の形態にすることができ
る。
このような配置にすると、金電極に通電し、磁界用パタ
ーン７を介して印加されるバイアス磁界により、例えば
第３図（ａ）では、Ｘ、Ｙの方向に着磁される。
ーン７を介して印加されるバイアス磁界により、例えば
第３図（ａ）では、Ｘ、Ｙの方向に着磁される。
以上の構成にすることにより、着磁が容易となり、バイ
アス磁界強度を精度良く容易に得ることができるし、ま
た最上層に厚膜を配置しているので、特に保護膜を必要
としないし、もし保護膜を設けるとしても、極薄膜で良
く、製造工程の簡易化及び製品の極薄化が可能となる。
アス磁界強度を精度良く容易に得ることができるし、ま
た最上層に厚膜を配置しているので、特に保護膜を必要
としないし、もし保護膜を設けるとしても、極薄膜で良
く、製造工程の簡易化及び製品の極薄化が可能となる。
〔発明の効果］
以上述べた通り、本発明によれば、ガラス基板上にＵ字
状パターンを有するセンサ膜と絶縁膜とを順次形成し、
またこの絶縁膜上に少なくとも一層の強磁性厚膜層を形
成し、更にこの強磁性厚膜層が前記Ｕ字状パターン全体
を覆うようにパターン化されており、この強磁性厚膜層
を所定方向に着磁することにより、バイアス磁界を印加
できるので、バイアス磁界強度を精度良く容易に得るこ
とができるし、また最上層に厚膜を配置しているので、
特に保護膜を必要としないし、もし保護膜を設けるとし
ても、極薄膜で良く、製造工程の簡易化及び製品の極薄
化が可能となる。
状パターンを有するセンサ膜と絶縁膜とを順次形成し、
またこの絶縁膜上に少なくとも一層の強磁性厚膜層を形
成し、更にこの強磁性厚膜層が前記Ｕ字状パターン全体
を覆うようにパターン化されており、この強磁性厚膜層
を所定方向に着磁することにより、バイアス磁界を印加
できるので、バイアス磁界強度を精度良く容易に得るこ
とができるし、また最上層に厚膜を配置しているので、
特に保護膜を必要としないし、もし保護膜を設けるとし
ても、極薄膜で良く、製造工程の簡易化及び製品の極薄
化が可能となる。
この結果、製造工程が簡易で製品としての厚さも厚くな
らない磁気抵抗素子を提供することができる。
らない磁気抵抗素子を提供することができる。
第１図は本発明の実施例を示す断面図、第２図（ａ）、
（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ磁性厚膜層の配置図、第
３図（ａ）、 （ｂ）、 （ｃ）、 （ｄ）はそ
れぞれ磁性厚膜層と磁界用パターンとの配置を示す平面
図、第４図は従来の磁気抵抗素子の断面図である。 １・・・磁性厚膜層、２・・・絶縁膜、３・・・センサ
膜、４・・・金電極膜、５・・・ガラス基板、６・・・
金電極端子部、７・・・磁界用パターン、８・・・磁気
抵抗素子、９・・・ハード膜パターン。 第 １ 図 （Ｇ） ＋ｂ＞ 第２図
（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ磁性厚膜層の配置図、第
３図（ａ）、 （ｂ）、 （ｃ）、 （ｄ）はそ
れぞれ磁性厚膜層と磁界用パターンとの配置を示す平面
図、第４図は従来の磁気抵抗素子の断面図である。 １・・・磁性厚膜層、２・・・絶縁膜、３・・・センサ
膜、４・・・金電極膜、５・・・ガラス基板、６・・・
金電極端子部、７・・・磁界用パターン、８・・・磁気
抵抗素子、９・・・ハード膜パターン。 第 １ 図 （Ｇ） ＋ｂ＞ 第２図
Claims (3)
- （１）ガラス基板上にセンサ膜と絶縁膜とが順次形成さ
れて成る磁気抵抗素子において、前記絶縁膜上に少なく
とも一層の強磁性厚膜層を形成し、この強磁性厚膜層を
所定方向に着磁することにより、バイアス磁界を印加し
て成る磁気抵抗素子。 - （２）前記センサ膜がＵ字状パターンを有し、前記強磁
性厚膜層が前記Ｕ字状パターン全体を覆うようにパター
ン化された請求項１記載の磁気抵抗素子。 - （３）前記強磁性厚膜層が前記Ｕ字状パターンに対して
、分割形成された請求項２記載の磁気抵抗素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1294276A JPH03154389A (ja) | 1989-11-13 | 1989-11-13 | 磁気抵抗素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1294276A JPH03154389A (ja) | 1989-11-13 | 1989-11-13 | 磁気抵抗素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03154389A true JPH03154389A (ja) | 1991-07-02 |
Family
ID=17805611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1294276A Pending JPH03154389A (ja) | 1989-11-13 | 1989-11-13 | 磁気抵抗素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03154389A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9207292B2 (en) | 2011-02-02 | 2015-12-08 | Infineon Technologies Ag | Magnetoresistive device and method for manufacturing the same |
-
1989
- 1989-11-13 JP JP1294276A patent/JPH03154389A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9207292B2 (en) | 2011-02-02 | 2015-12-08 | Infineon Technologies Ag | Magnetoresistive device and method for manufacturing the same |
| US9523747B2 (en) | 2011-02-02 | 2016-12-20 | Infineon Technologies Ag | Magnetoresistive device and method for manufacturing the same |
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