KR920001130B1 - 다채널 자기저항효과형 자기헤드 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

다채널 자기저항효과형 자기헤드

제1도는 자기저항효과형 자기헤드의 요부의 확대평면도.

제2도는 그 A-A선상의 평면도.

제3도는 그 자기저항소자의 자기저항특성곡선도.

제4도는 그 비교설명을 위한 자기저항특성곡선도.

제5도는 정전류구동에 의한 자동형의 자기저항효과형 자기헤드의 구성도.

제6도는 그 출력파형도.

제7도는 본원 발명에 의한 자기헤드의 기본적 구성도.

제8도는 본원 발명의 일예의 전기적 접속도.

제9도는 본원 발명에 의한 자기헤드의 자기저항효과소자의 일예의 약선적 배치구성도.

제10도는 바이어스발생수단의 바이어스도체의 일예의 배치구성도.

제11도는 본원 발명에 의한 자기헤드의 일예의 요부의 약선적 확대평면도.

제12도 및 제13도는 제11도 A-A선상 및 B-B선상의 확대단면도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

MR_n1및 MR_n2(MR₁₁및 MR₁₂, MR₂₁및 MR₂₂,…) : 자기저항효과 소자

21 : 자기저항효과를 갖는 박막 22 : 바이어스도체

23 : 자성기체 24,37 : 절연층

41₁,41₂,42₁,42₂: 자성층 45 : 상부보호기판

본원 발명은 다채널 자기저항효과형 자기헤드에 관한 것이다.

종래의 자기저항효과(이하 MR이라고 함)형 재생자기헤드, 특히 그 MR소자가 자기매체와의 대접면(對接面)보다 후퇴한 위치에 배치되도록 한 이른바 리어형 자기헤드의 예는 예를들면 제1도에 그 요부의 확대 약선적 평면도를 나타내고, 제2도에 그 A-A선상의 확대약선적 단면도를 나타낸 바와같이, 예를들면 Ni-Zn계 페라이트로 이루어진 절연성의 자성기체(基體)(1)상에 MR소자에 대해서 전자유도등에 의하여 바이어스자계를 부여하기 위한 바이어스자계 발생수단으로서의 전류통로로 되는 대상(帶狀) 도전막(2)이 피착되며, 이 위에 절연층(3)을 통하여 예를들면 Ni-Fe계 합금 또는 Ni-CO계 합금박막등으로 이루어진 MR 효과소자(4) 피착형성되며, 다시 이 위에 절연층(5)을 통하여 Ni-Fe계 합금등으로 이루어진 한 쌍의 자성층(6) 및 (7)이 소자(4) 상을 가로지르는 방향으로 또한 소자(4)상에 있어서 소요의 간격을 유지하여 대향유지되며, 한쪽의 자성층(6)의 외단부가 절연층(3) 및 (5)의 최소한 어느 한쪽을 통하여 기체(1)와 대향함으로써 자기갭 g이 형성되도록 이루어지며, 다른쪽의 자성층(7)의 외단이 절연층(3) 및 (5)에 뚫어 형성된 창을 통하여 기체(1)에 연접하도록 이루어진다. 그리고, 이들 도전층(2), MR소자(4), 자성층(6) 및 (7)을 덮어서 비자성보호층(8)이 피복되며, 이 위에 접착제층(9)에 의해서 보호기체(10)가 접착되도록 이루어진다. 그리고, 양 기체(1) 및 (10)에 걸쳐서 자기기록매체와의 대접면(11)이 형성되며, 이 대접면(11)에 자기갭 g이 면하도록 이루어지며, 이 자기갭 g 및 MR소자(4)를 포함하는 자로(磁路), 즉 자성기체(1)-자성갭 g-자성층(6)-MR소자(4)-자성층(7)-자성기체(1)의 자로가 형성된다.

이와같은 구성에 있어서, 도전층(2)에 바이어스자계발생용의 전류 I_B를 통하여 MR소자(4)에 소요의 바이어스자계를 부여하며, MR소자(4)에 전류 I를 흐르게 할 때, 그 자기갭 g에 대접 내지는 대향하는 자기기록매체로부터의 이것에 기록된 기록자화에 의한 신호자계가 MR소자(4)에 주어지는 것으로 인한 저항변화에 의한 전기적 신호, 즉 출력신호가 MR소자(4)의 양단에서 얻어진다.

그런데, 이와같은 MR 효과형 자기헤드, 특히 리어형과 같이 자성체가 근접하여 배치되는 자기헤드는 그 특성의 비선형(非線形)이 문제가 된다. 즉, 이 종류의 자기헤드에서는 그 MR소자의 자기 H 저항 R 특성이 제3도에 나타낸 바와같이 2차 곡선을 나타내기 때문에, 지금 이 도면에서 나타낸 바와같이, 이 MR소자(4)에 바이어스자계 H_B가 주어진 상태에서 부호(12)로 표시한 신호자계가 주어졌다고 하면, MR소자(4)에 있어서의 저항변화에 의한 출력신호는 이 도면에서 부호(13)를 붙여서 표시한 바와같은 비대칭의 왜곡된 신호로 된다. 더욱이, MR소자에 자성체가 근접해 있지 않을 경우의 자기 저항특성은 제4도에 나타낸 바와같은 밑부분이 넓어지는 특성을 나타내며, 그 특성이 우수한 직선성을 갖는 부분이 존재하므로, 소요의 바이어스자계 H_B´에서 신호자계(12´)에 대해서 왜곡되지 않은 대칭성이 우수한 출력신호(13´)을 얻을 수 있다. 이것은 MR소자의 양측단면에 생기는 반자계(反磁界)의 영향에 의한 것이나, 제1도 및 제2도에서 설명한 리어형구성의 것과 같이, MR소자(4)의 양측 단면에 근접하여 자성층(6) 및 (7)이 배치되는 것에 있어서는 이와같은 반자계에 의한 특성에의 영향이 작아지는 것에 의한 것으로 생각된다.

이와같은 MR소자에 있어서의 비선형성분을 해소하는 것으로서, 차동형(差動型) 구성으로 하는 것이 제안되어 있다. 이 차동형 MR 자기헤드는 제5도에 나타낸 바와같이 일단이 공통으로 접속된 2개의 MR소자 MR₁및 MR₂로 이루어지며, 각 MR소자 MR₁및 MR₂의 각 타단으로부터 도출한 단자 t₁및 t₂가 각각 독립된 정전류원(定電流源) s₁및 s₂에 접속되는 동시에, 차동증폭기 Amp의 입력측에 접속되어 이루어진다. 양 MR소자 MR₁및 MR₂의 접속중점으로부터 도출된 공통의 단자 t₃에 소정전위 예를들면 접지전위가 주어지며, 각 MR소자 MR₁및 MR₂에 정전류(定電流) i를 역방향으로 주어지고, 이것과 직교하는 방향으로 각 MR소자 MR₁및 MR₂에 바이어스자계 H_B가 역방향으로 주어진다. 이와 같은 구성에 의한 차동형 자기헤드에 의하면, 각 MR소자 MR₁및 MR₂에 공통의 입력신호자계가 자기기록매체로부터 주어진 경우, 제6도에 나타낸 서로 극성이 다른 출력신호(14₁) 및 (14₂)가 주어지며, 증폭기 Amp의 출력단자 t_OUT로부터는 이들이 신호의 합성에 의한 정부(正負)대칭성을 가진, 즉 비선형성분이 상쇄된 신호(14)가 얻어진다.

이와같은 정전류형의 차동형 MR 자기헤드에 의하면, MR소자의 비선형 성분을 상쇄할 수 있고, 대칭성이 우수한 왜곡이 없는 재생신호를 얻을 수 있다. 그러나, 이 종류의 자기헤드에서는 3개의 단자 t₁~t₃의 도출을 필요로 하며, 차동증폭기 Amp에 접속되는 독립된 2개의 신호선과, 독립된 2개의 정전류원을 필요로 한다. 따라서, 다채널 자기헤드에 적용할 경우, 채널수가 n개라고 하면, 이 다채널 자기헤드에 최소한 2_n+1개의 단자의 도출이 필요해지며, 다시 최소한 2n개의 정전류원이 필요해진다. 또, 정전류구동이기 때문에, 그 소비전력은 크며, 회로규모도 커져서, 예를들면 n이 10~50의 다채널 자기헤드에의 적용에는 부적당한 것이다.

이와 같은 결점을 해소하는 것으로서는 쌍을 이루는 MR소자를 직렬로 연결하여, 그 양 외단에 정전압을 부여하고, 양 소자의 접속중점으로부터 출력을 차동적으로 취출하는 구성을 취하는 것이 제안되었다.

이와 같은 정전압구동에 의한 차동형 자기헤드에 의하면, 상술한 정전류구동의 경우와 마찬가지로 2차고조파성분을 캔슬할 수 있으며, 동일소비전력시의 감도는 정전류구동의 경우의 절반으로 되나, 또한 이 동일 소비전력시의 SN비 및 신호파워는 정전류구동의 경우와 같아진다. 그리고, 정전류형의 차동형 MR 자기헤드에 비하면 각 채널에 관하여 독립적으로 각각 2개의 정전류원을 설치할 필요성이나, 다수의 단자도출 및 다수의 배선이 불필요해지므로, 구성의 간결화를 도모할 수 있다고 하는 다채널형 자기헤드에 있어서의 큰 이익을 가져온다.

이미 이와같은 정전압구동에 의한 MR헤드로서 이른바 자체바이어스형 구성을 취하는 것이 제안되어 있다. 이 자체 바이어스형 구성을 취하는 것으로서는 예를들면 일본국 특개소 52-23920호 공개공보에 개시된 것이나, 또는 이른바 바버볼형이라고 불리우는 것 등이 있다. 이들은 각 MR소자에 통하는 전류의 방향이 각 소자의 용이자화(磁化) 방향과 소요의 각도를 갖도록 이루어지며, 소자에 통하는 전류에 의해서 이것과 소요의 각도를 갖는 바이어스자계가 발생하도록 하는 것이다. 예를들면 바버볼형의 MR헤드에 있어서는 그 박막 MR소자의 길이방향에 따르는 용이자화방향에 대해서 경사지게, 즉 마치 바버볼에 있어서의 경사모양과 같이, 예를들면 Au로 이루어진 양 도전성의 복수의 대선(帶線)을 소요의 간격으로 유지하여 팽행배열시키는 것이나, 이 경우 다채널 자기헤드에 있어서, 그 채널피치의 축소화를 도모하고자 MR소자의 축소화를 도모하려고 하면, 도전성대선의 간격을 좁힐 필요가 생기며, 이에 따라서 MR소자의 실질적 저항이 작아져서 출력신호를 취급하기 어렵게 된다고 하는 등의 여러 가지 문제가 생긴다.

또한, 바이어스자계를 부여하기 위한 바이어스도체단자는 2개의 MR소자의 중점과 그 양측에 필요하며, 각 자기헤드소자당 3개가 필요해진다. 따라서 다채널 자기헤드에서는 다수의 단자도출이 필요해진다.

본원 발명은 이와 같은 결점을 해소한 다채널 자기저항효과형 자기헤드를 제공하는 것이다.

본원 발명에 있어서는 그 기본적 구성을 제7도에 나타낸 바와같이 각 채널마다 직렬로 연결한 한 쌍의 자기저항효과소자 MR소자 MR_n1및 MR_n2을 배설한다. 그리고, 이들 각 쌍의 MR소자 MR_n1및 MR_n2의 양단에 정전압 V₁, V₂을 공급하는 동시에, 각 MR소자 MR_n1및 MR_n2에 이것에 통하는 각 전류 i와, 소정의 각도 예를들면 90°를 이루며, MR소자막을 따라 서로 크기가 같고 역방향의 바이어스자계 H_B및 -H_B을 인가한다. 또 MR소자 MR_n1및 MR_n2의 그 직렬접속중점으로부터 출력단자 t_sn를 도출하여 이것으로부터 증폭기 A를 통하여 출력을 취출한다.

다음에, 본원 발명의 실시예에 대하여 도면에 따라서 상세히 설명한다.

제8도는 본원 발명에 의한 다채널 자기저항효과형 자기헤드의 일예의 전기적 접속양태를 나타낸 것으로서, 각 채널 CH₁, CH₂, CH₃…CH_m에 관하여 각각 제7도에서 설명한 각 쌍의 MR소자 MR_n1및 MR_n2을(MR₁₁및 MR₁₂, MR₂₁및 MR₂₂, MR₃₁및 MR₃₂…MR_m1및 MR_m2)이 배설되며, 그 각 쌍의 접속중점으로부터 각각 단자 t_sn(t_s1,t_s2,t_s3…t_sm)가 도출된다. 또, 각 채널 CH_n에 있어서의 각 쌍의 MR소자 MR_n1및 MR_n2의 각 타단은 각각 각 소정의 전압 V₁, V₂이 인가된 공통의 급전선로 l₁및 l₂에 대하여 병렬로 접속된다.

이들 각 MR소자 MR_n1(MR₁₁, MR₂₁…MR_m1) 및 MR_n2(MR₁₂, MR₂₂…MR_m2)는 각각 예를들면 제9도에 나타낸 바와같이 자기저항효과를 가진 E자형 패턴의 급속박막 예를들면 Ni-Fe계 합금 또는 Ni-Co계 합금박막(21)으로 형성되며, 그 양 외측 각부(脚部)(21₁) 및 (21₂)가 각각 전압 V₁, V₂이 주어지는 선로 l₁및 l₂에 접속되며, 중앙 각부(21_s)로부터 각각 신호출력단자 t_sn(t_s1,t_s2…t_sm)가 도출된다. 그리고, 박막(21)의 각 각부(21₁) 및 (21_s)사이, (21_s) 및 (21₂) 사이에 각각 MR소자 MR_n1및 MR_n2을 형성한다. 이와 같이하여, 각 채널 CH_n의 각 MR 소자 MR_n1및 MR_n2이 직렬접속됨으로써, 이들에 동일방향의 전류 i를 통하게 한다. E자형 패턴의 박막(21)은 그 중앙각부 (21_s)의 중앙을 지나는 중심선에 대해 좌우대칭적으로 형성되어서 양 MR소자 MR_n1및 MR_n2이 동일한 특징을 갖도록 이루어진다.

그리고, 이들 각 MR소자 MR_n1및 MR_n2에 대해서 이들의 전류방향에 대해 이것과 일치하지 않는 소요의 각도, 예를들면 이것과 직교하며, 서로 역방향의 바이어스자계 H_B및 -H_B을 외부로부터 부여한다. 이 반대방향의 바이어스자계를 부여하는 수단으로서는 여러 가지 구성을 취할 수 있다. 예를 들면, 착자된 박막영구자석을 각 소자 MR_n1, MR_n2와 적층하도록 배치할 수도 있으나, 전자유도에 의한 자계발생수단을 배설함으로써 형성할 수 있다. 그 예로서는 예를들면 제10도에 나타낸 바와 같이, 상술한 예를 들면 E자형패턴의 자기저항효과를 가지며, 각 쌍의 MR소자 MR_n1및 MR_n2을 구성하는 MR 박막(21)과 절연층을 통하여 적층되도록 이것에 따라서 마찬가지의 예를들면 E자형 패턴을 가진 저전기저항을 갖는 도전층으로 이루어진 바이어스도체(22)를 적층하여 형성한다. 이 바이어스도체(22)는 그 E자형 패턴의 양측각부(22₁) 및 (22₂)를 서로 연결하는 연결부(22_C)를 가진 형상으로 하고, 각 인접하는 채널이 순차 E자형 패턴의 중앙각부(22_S), 즉 쌍을 이루는 MR소자 MR_n1및 MR_n2의 접속중점에 대응하는 부분이, 다음 단계의 채널의 도체패턴(22)의 양측 각부의 연결부(22_C)에 접속되도록 하고, 가장 외측에 위치하는 한쪽의 채널 CH₁의 E자형 패턴의 양 각부의 (22_C)와 역시 다른쪽에 위치하는 채널 CH_m의 중앙각부(22_S)와의 사이에 바이어스자계 발생용의 전류원을 접속한다.

이와 같이해서, 이 바이어스도체(22)가 쌍을 이루는 MR소자 MR_n1및 MR_n2에 대해서는 병렬의, 인접하는 채널 사이에서는 직렬의 배치관계가 되도록 한다. 이와 같이 함으로써, 바이어스자계발생용 전류원으로부터 ib₁+ib₂를 공급하여 박막(21)의 각 소자 MR_n1및 MR_n2에 대응하는 통전부에 각각 바이어스자계 발생용 전류 ib₁+ib₂를 통하게 함으로써, 각 쌍의 MR소자 MR_n1및 MR_n2에 역방향을 향한 바이어스자계 H_B를 부여하도록 한다.

다음에, 상술한 본원 발명에 의한 다채털 MR형 자기헤드의 구체적 구조를 제11도 내지 제13도에 의거하여 설명한다. 제11도는 본원 발명에 의한 다채털 MR형 자기헤드의 일예의 요부의 개략적 확대평면도이며, 제12도는 그 A-A선상의 확대단면도, 제13도는 또한 제11도 B-B선상의 확대단면도를 나타낸다. (23)은 하부코어로 되는 자성기체, 예를 들면 Ni-Zn계 페라이트로 이루어지는 자성기체(23)가 설치되고, 이 위에 바이어스도체(22)와, 정전압 V₁및 V₂의 각 급전선로, l₁및 l₂을 구성하는 도체(31) 및 (32)이 피착형성되며, 이 위에 절연층(24)을 통하여 각 채널 CH_n(CH₁, CH₂…CH_m)의 각 쌍의 MR소자 MR_n1및 MR_n2을(MR₁₁및 MR₁₂, MR₂₁및 MR₂₂…MR_m1및 MR_m2)을 형성하는 MR박막(21)이 각각 소요의 패턴으로 피착 형성된다. 이들 바이어스도체(22), 절연층(24) 및 MR박막(21)은 자성기체(23)상에 순차 각각 전면적(全面的)으로 증착, 스패터링 등에 의해 피착되며, 그후 이들을 패턴화한다. 이 경우, 이 도체층의 기체(23)에 대한 피착강도를 높이기 위해 필요에 따라서 바탕층으로서의 예를들면 Cr층을 전면적으로 예를 들면 3000Å의 두께로 증착 또는 스패터링 등에 의해 피착한다. 그리고, 이 위에 전술한 바와같이 바이어스도체(22), 급전도체(31) 및 (32)을 형성하는 도전층, 예를 들면 Au 금속층을 역시 증착, 스패터링 등에 의해 피착하고, 이어서 이 위에 역시 전면적으로 절연층(24)을 형성하는 Si₃N₄또는 Al₂O₃등을 피착하며, 다시 이 위에 MR 박막(21)을 형성하는 예를들면 Ni-Fe계 합금, 또는 Ni-Co계 합금박막을 전면적으로 역시 증착 또는 스패터링 등에 의해 피착한다.

그리고, 그 후에 이들 MR 박막층과, 이 밑의 절연층과, 이 밑의 도전층과, 또한 이 밑의 바탕층에 걸쳐서 선택적으로 예를들면 각 채널 CH_n에 있어서의 각 쌍의 MR소자 MR_n1및 MR_n2을 형성하기 위한 전술한 E자형 패턴의 MR박막(21)을 형성하는 부분과, 역시 바이어스도체를 형성하는 부분과, 정전압 V₁, V₂의 급전도체를 형성하는 부분, 또는 단자부를 형성하는 부분 등을 남기고, 다른 부분을 각 층에 대해서 예를 들면 동일마스크에 의해, 또는 상층의 패턴을 마스크로 함으로써 순차 에칭제거한다. 이 경우, 상층에 향하여 폭이 좁아지는 단면제형(梯形)의 에칭으로 하는 것이 바람직하다. 다음에, 다시 MR박막층에만 선택적 에칭을 하여 전술한 E자형 패턴의 박막(21)을 형성한다. 이들 에칭은 습식법에 의한 에칭 또는 건식법에 의한 에칭, 즉 예를들면 화학적 에칭 또는 이온 에칭등에 의하여 행할 수 있다. 이와같이 하면, 각 쌍의 MR소자 MR_n1및 MR_n2을 구성하는 E자형 패턴의 MR박막(21)의 형성이 이루어지며, 이 밑에 중첩하여 절연층(24)에 의해 절연된 E자형 패턴의 바이어스도체(22)와, 급전도체(31) 및 (32)의 형성이 이루어진다. 여기서, 바이어스도체(22)는 제10도에 설명한 바와 마찬가지로 그 양 외측각부(22₁) 및 (22₂)을 연결하는 연결부(22_C)가 인접하는 채널의 예를 들면 전단측의 채널 CH_n+1이 각 도체(22)의 중앙각부(22_S)에 연결부(22_C)를 사이에 두고 대향하는 위치까지 연장하는 연장부(22_C´)를 설치해둔다. 또 급전도체(31) 및 (32)은 각 채널 CH_n의 배열방향에 따라서 연장되는 대상의 패턴으로서 형성할 수 있다.

다음에, 바이어스도체(22)의 중앙각부(22_S)의 단부상과, 연장부(22_C')상과, 각 급전도체(31) 및 (32)의 각 채널 CH_n에 대응하는 부분상의 절연층(24)에 각각 후술하는 배선도체층을 접속하기 위한 콘택트용 창(33)~(36)을 뚫어서 형성한다.

그리고, 다음에 이들 패턴을 덮고 전면적으로 예를들면 SiO₂로 이루어지며, 절연층(24)과는 상이한 에칭성을 가진 비자성절연층(37)을 주지의 기술로 피착한다. 이 절연층(37)의 두께는 후술하는 자기기록매체와의 대접면에 있어서의 자기갭 길이를 규정하는 두께, 예를들면 0.3㎛의 두께로 전면적으로 형성한다. 그리고, 이 절연층(37)에 대하여 예를들면 습식에칭 또는 플라즈마에칭 등에 의한 건식에칭에 의해 선택적으로 에칭하여, 각 채널의 각 E자형 MR박막(21)의 각 가부사이에 있어서 각 쌍의 MR소자 MR_n1및 MR_n2과 인접하는 위치에 각각 창(38₁) 및 (38₂)을 뚫어 형성하여 자성기체(23)의 표면의 일부를 면하게 하는 동시에, 각 MR박막(21)의 각 각부(21₁), (21₂), (21_s)의 각 단부상에 각각 창(39₁), (39₂), (39_s)을 뚫어 형성하여 이들 각 각부(21₁), (21₂), (21_s)의 각 표면의 일부를 외부에 면하게 한다. 또한, 이들 각 창을 뚫어 형성하는 동시에, 앞서 뚫어 형성한 창(33)~(36)상의 절연층(37)을 에칭제거하여 다시 이들 창(33)~(36)을 외부에 면하게 한다.

다음에, 창(38₁) 및 (38₂) 내를 포함하며, 또한 각 쌍의 MR소자 MR_n1및 MR_n2을 가로지르는 위치를 포함하여 예를들면 전면적으로 증착, 스패터링 등에 의해 Ni-Fe계 합금층 등으로 이루어진 자성층을 형성하고, 이것을 선택적으로 전술한 바와같이 습식법 또는 건식법에 의해 에칭하여 각 MR소자 MR_n1및 MR_n2에 대응하여 각각 쌍을 이루는 자성층(41₁) 및 (41₂), (42₁) 및 (42₂)이 각 MR소자의 양측에지상에 절연층(37)을 통하여 걸치며, 이 MR소자상에 있어서 양자간에 소요의 간격 G을 유지하여 대향하도록 형성한다. 자성층 (41₁) 및 (41₂), (42₁) 및 (42₂)의 MR소자의 옆에지상에 걸치는 폭은 각각 예를들면 MR소자의 폭이 5㎛일 때 1㎛ 정도로 되도록 선정된다. 그리고, 여기에 한쪽의 자성층(42₁) 및 (42₂)는 그 일부가 절연층(37)의 창(38₁) 및 (38₂)을 통해 자성기체(23)에 연접하도록 이루어진다. 한편, 기체(23)상의 자성층(41₁) 및 (41₂), (42₁) 및 (42₂)이 배열된 부분을 제외하고, 최소한 각 창(33)~(36), (39₁), (39₂), (39_s)상에 걸쳐서 전면적으로 예를들면 도전층(40)을 피착하고, 선택적으로 에칭하여 각 창(39₁)과 (36)와의 사이, 창(39₂)과 (35)와의 사이, 창(33)과 (34)와의 사이에 걸치는 배선도전부와 또한 창(39_s)으로부터 외부출력단자 t_sn를 도출하기 위한 배선부를 남기고 에칭제거 한다. 그후, 이들 각 패턴을 포함하여 전면적으로 예를들면 SiO₂등으로 이루어진 보호막(43)을 피착하여, 유리와 같은 무기 또는 유기접착제층(44)으로 상부보호기판(45), 예를들면 유리판등을 접합한다. 그리고, 이들 보호기판(45)에서 자성기체(23)에 걸쳐서 그 각 채널 CH_n의 쌍을 이루는 각 MR소자에 대한 각 한쪽의 자성층 (41₁), (41₂)의 외단측을 절삭연마하여 자기기록매체와의 대접면(51)을 형성한다. 이와 같이해서 대접면(51)을 형성한다. 이와 같이해서 대접면(51)에 면하여, 비자성절연층(37)의 두께에 따라 규정되는 갭 길이를 가진 자기갭 g₁, g₂을 자성기체(23)와 자성층(41₁), (41₂)과의 사이에 의해서 형성한다. 이와같은 구성에 의하면 자기갭 g₁및 g₂과 MR소자 MR_n1및 MR_n2을 각각 포함하는 각 쌍의 페자로가 각각 자성층(41₁) 및 (42₂)-자성기체(23), 자성층(41₂), (42₂)-자성기체(23)로 형성된 다채널 자기헤드가 구성된다.

본원 발명에 의한 다채널 MR형 자기헤드를 제조하는 방법은 전술한 예에 한정되는 것은 아니나, 전술한 바와같이 각 바이어스도체(22)를 구성하는 도전층과, MR 박막(21)을 구성하는 MR 박막층을 절연층을 통해서 전면적으로 적층한 다음, 이들을 패턴화할 때는 그 각 MR소자를 구성하는 예를들면 E자형 패턴의 MR박막(21)과 바이어스도체(22)가 서로 위치가 어긋나지 않고, 더욱이 절연층(24)에 의해서 확실하게 전기적으로 절연하여 배치되므로, 각 MR소자 MR_n1및 MR_n2에의 바이어스자계를 확실히 또한 효율적으로 부여할 수 있다. 또한, 절연층(24)은 갭 g₁, g₂에 있어서 제거되므로, 이 갭의 갭길이는 상층의 절연층(37)의 두께에 의하여만 규정되게 되므로, 이 갭길이의 설정을 용이하게 할 수 있다. 그리고, 양 절연층(24) 및 (37)은 서로 그 에칭성을 달리하는 예를들면 Al₂O₃, 또는 Si₃N₄와 SiO₂에 의하여 구성할 때는 상층의 SiO₂에 의한 절연층(37)에 대하여 예를들면 플라즈마에칭에 의해 선택적으로 에칭해도, 하층의 Al₂O₃, 또는 Si₃N₄에 대하여는 거의 에칭효과가 발생하지 않도록 할 수 있는 이익이 있다.

그리고, 전술한 예에서는 각 채널에 한 쌍의 MR소자를 배설한 경우이나, 복수쌍 배설한 구성으로 할 수도 있다.

또, 전술한 예에서는 리어형 MR 자기헤드에 적용한 경우이나, 자기매체와의 대접면에 MR소자의 단면이 면하도록 배치된 경우에 있어서도 MR소자를 사이에 두고 자성체가 근접배설될 경우에는 역시 이들 MR소자의 자기저항 특성이 2차곡선을 나타내므로, 이와 같은 이른바 시일드형 MR 자기헤드에 적용할 수도 있다.

그리고 상술한 예에 있어서는 자성기체(23)가 절연성인 경우를 설명하였으나, 이것이 도전성을 가질 경우에는 기체(23)상에 절연층을 피복하여 이 위에 바이어스도체(22)등을 순차 형성한다.

상술한 바와같이 본원 발명에 의하면, 정전압구동에 의한 차동형 구성으로 했으므로, 비선형성분의 캔슬과 함께, 소비전력의 저감화를 도모할 수 있거나, 또는 동일소비전력시의 감도의 향상을 도모할 수 있고, 또 바이어스자계를 외부적으로 부여하므로, MR소자 자체의 저항치설정에 영향을 미치지 않으며, 따라서, 그 길이, 환언하면 트랙길이, 따라서 트랙피치의 선정의 자유도가 높여진다고 하는 이익이 있다.

Claims (1)

1. 각 채널마다 직렬로 연결한 쌍을 이루는 제1 및 제2의 자기저항효과소자를 가지고, 이 제1 및 제2의 자기저항효과소자의 직렬접속중점에 중앙부를 가지고, 상기 제1의 자기저항효과소자는 그 일단에 제1의 단부를 가지고, 상기 제2의 자기저항효과소자의 제1의 단부에 제1의 정전압을 공급하고, 상기 제2의 자기저항효과소자의 제2의 단부에 제2의 정전압을 공급하는 동시에, 상기 제1 및 제2의 자기저항효과소자의 각각에 서로 역방향을 향한 바이어스자계를 인가하고, 상기 제1 및 제2의 자기저항효과소자의 직렬접속 중점의 중앙부로부터 자동적으로 출력을 취출하도록 한 것을 특징으로 하는 다채널 자기저항효과형 자기헤드.

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