JP5433960B2 - 磁気センサ - Google Patents

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Description

この発明は、例えば紙幣等に印刷されている磁気パターンを検出する長尺型の磁気センサに関するものである。
磁性インク等で所定パターンが印刷された紙幣や証券等の被検知物の識別を行う磁気センサとして例えば特許文献1が開示されている。図1は従来の磁気センサ101,102の構成と特性について示す図であり、図1(A)は特許文献1の磁気センサについて示す図、図1(B)はその他の従来の磁気センサについて示す図である。
図1(B)に示す例では、磁気抵抗素子21〜26にそれぞれ感磁部11a,11b,12a,12b,・・・16a,16bを備えていて、これらの磁気抵抗素子21〜26を長尺状ケースの長手方向に直線状に配列するとともに、それぞれの磁気抵抗素子21〜26が磁気検出チャンネルch1〜ch6を構成している。この長尺状ケースの長手方向に対して垂直方向に磁気パターンを有する紙幣等を搬送した際、各感磁部の抵抗値が変動する。
図1中の波形は縦軸が磁気センサの抵抗値変化を電圧変化として取り出したときの出力電圧の振幅(ピーク−ピークの変化幅)、横軸は磁気センサの長手方向の位置である。個々の磁気抵抗素子21〜26に設けられている感磁部11〜16の抵抗値変化を電圧変化として個別に取り出した場合には、図1(B)のように、互いに隣接する磁気検出チャンネル間で出力電圧の変化幅(振幅)が低下する。
一方、図1(A)のように、隣接する複数の磁気抵抗素子21〜25を1つの単位として、感磁部11a〜15a及び11b〜15bを直列接続して、一つの磁気検出チャンネルch1とすることによって、隣接する磁気抵抗素子間での出力電圧変化幅の減少量を抑えることができる。
特開平5−332703号公報
ところが、図1(A)に示した磁気センサ102においても、上記磁気検出チャンネルch1と、それに隣接する他の磁気検出チャンネルch2との間では依然として出力電圧の変化幅は低下する。例えば図1(B)の例では磁気抵抗素子25と26との間が磁気検出チャンネルの境界であるので、この部分で出力電圧の変化幅は減少する。
このような出力電圧変化幅の減少を抑制するためには、各磁気抵抗素子に対して極力端部にまで感磁部を配置して、磁気検出チャンネルの境界となる部分の感磁部同士の間隔を狭めることが重要である。
しかし、磁気抵抗素子はダイシング法やレーザカット法等によってウェハから切り出すので、各磁気抵抗素子の端部には「切りしろ」が存在し、感磁部の端部から磁気抵抗素子の端部まで磁気抵抗変化に寄与しない領域が必ず生じる。この領域は加工精度上、少なくとも0.05mmは存在する。
そこで、この発明の目的は、上述の問題を解消して、互いに隣接する磁気検出チャンネル間における出力電圧変化幅の低下を抑えた磁気センサを提供することにある。
この発明は、ウェハから切り出された複数の磁気抵抗素子と、単一または複数の磁石と、前記複数の磁気抵抗素子が略直線状に配列されるとともに前記磁気抵抗素子に対して所定方向に磁界を印加する位置に前記磁石が配置されるケースと、を備えた磁気センサにおいて、
前記複数の磁気抵抗素子は、前記略直線状の配列方向に並ぶ少なくとも2つの感磁部をそれぞれ備え、隣接する磁気抵抗素子間で互いに隣接する前記感磁部同士が電気的に接続されて、この電気的に接続された感磁部で磁気検出チャンネルが構成され、前記磁気抵抗素子内で隣接する感磁部の間が、隣接する磁気検出チャンネルの境界とされたことを特徴としている。
この発明によれば、隣接する磁気抵抗素子の感磁部同士を電気的に接続することで、その電気的に接続された感磁部間を通過する磁性パターンを、隣接する感磁部の両方の磁気抵抗変化の加算によって補えるので、出力電圧変化幅の減少を抑制できる。
また、隣接する磁気抵抗素子の間隙がある程度あっても許容できることになり、磁気抵抗素子の素子サイズをその分小さくでき、幅広の磁気検出チャンネルを形成する際、磁気抵抗素子の素子サイズを大きくする必要がないので、1つのウェハから取り出せる素子数が増大し、良品率の向上とともに低価格化が図れる。
さらに、磁気抵抗素子内で隣接する感磁部の間で磁気検出チャンネルが分離されるので、感磁部間の距離は例えばフォトリソパターンニング等の微細加工で高精度に調整できるため、チャンネル間の出力電圧の変化幅の減少を予め抑制することができる。
《第1の実施形態》
図2は第1の実施形態に係る磁気センサ103の主要部の平面図及びその特性を示す波形図である。この例では、3つの磁気抵抗素子31,32,33を備えている。磁気抵抗素子31には4つの感磁部1a,1b,1c,1dを備えている。これらの感磁部1a〜1dのうち、感磁部1a,1bで一方の対をなし、感磁部1c,1dで他方の対をなしている。磁気抵抗素子32には4つの感磁部2a,2b,2c,2dを備えている。これらの感磁部2a〜2dのうち、感磁部2a,2bで一方の対をなし、感磁部2c,2dで他方の対をなしている。同様に、磁気抵抗素子33には4つの感磁部3a,3b,3c,3dを備えていて、これらの感磁部3a〜3dのうち、感磁部3a,3bで一方の対をなし、感磁部3c,3dで他方の対をなしている。
これらの磁気抵抗素子31,32,33の隣接する磁気抵抗素子31,32のそれぞれに形成されている感磁部のうち、互いに隣接する感磁部1c,2aの端子電極間をワイヤ(ボンディングワイヤ)W12aで接続している。また、互いに隣接する感磁部1d,2bの端子電極間をワイヤW12bで接続している。このことによって1つの磁気検出チャンネルch2を構成している。
同様に、互いに隣接する感磁部2c,3aの端子電極間をワイヤW23aで接続している。また、互いに隣接する感磁部2d,3bの端子電極間をワイヤW23bで接続している。このことによって1つの磁気検出チャンネルch3を構成している。
また、磁気センサ103の一方端の磁気抵抗素子31の外側に配置されている感磁部1a,1bで1つの磁気検出チャンネルch1を構成し、他方端の磁気抵抗素子33の外側に配置されている感磁部3c,3dによって1つの磁気検出チャンネルch4を構成している。
このように複数の磁気抵抗素子31〜33を直線状に配列するとともに、その配列方向に隣接する2つの磁気抵抗素子の1/2ずつにまたがる範囲を1つの磁気検出チャンネルとして構成している。そして、磁気抵抗素子内で隣接する感磁部間を、磁気検出チャンネルの境界としている。
なお、これらの磁気抵抗素子31〜33は、これらの磁気抵抗素子に対して紙面に垂直方向に磁界を印加する永久磁石とともに長尺状のケースに配置され、そのケースには磁気抵抗素子31〜33の表面を保護するカバーが取り付けられる。
図3は図2に示した、隣接する感磁部間の出力電圧変化幅の減少特性、及び従来の隣接する磁気抵抗素子間の出力電圧変化幅の減少特性の例を対比するものである。
この実施形態によれば、隣接する磁気検出チャンネルch1とch2の境界部分は、磁気抵抗素子(図3(A)の例では31)に形成されている感磁部(1a,1b)と(1c,1d)との間隙部分である。一方、従来の磁気センサにおいて、隣接する磁気検出チャンネルch1とch2の境界部分は、隣接する磁気抵抗素子(図3(B)の例では21,22)に形成されている感磁部(11a,11b)と感磁部(12a,12b)との間隙部分である。
第1の実施形態によれば、図3(A)に示すように間隙G1は磁気抵抗素子31上の隣接する感磁部間の間隙であるので、パターン形成精度に応じて極めて狭くでき、出力電圧変化幅の減少量ΔS1を小さく抑えることができる。
これに対して、図3(B)のように、異なった磁気抵抗素子21,22の隣接部分で磁気検出チャンネル境界となる場合には、隣接する感磁部は異なった磁気抵抗素子上の感磁部であるので、間隙Goは前述したとおり大きくなり、出力電圧変化幅の減少量ΔSoは大きくならざるを得ない。
《第2の実施形態》
図4は第2の実施形態に係る磁気センサ104の主要部の平面図及びその特性を示す波形図である。
第2の実施形態では磁気抵抗素子の感磁部及びその周辺の具体的なパターンを示すものである。磁気抵抗素子61には4つの感磁部41a,41b,41c,41dを備えていて、これらの感磁部のパターンの両端には端子電極51a,51b,51c,51d,51e,51f,51g,51hをそれぞれ形成している。磁気抵抗素子62には4つの感磁部42a,42b,42c,42dを備えていて、これらの感磁部のパターンの両端には端子電極52a,52b,52c,52d,52e,52f,52g,52hをそれぞれ形成している。同様に磁気抵抗素子63には4つの感磁部43a,43b,43c,43dを備えていて、これらの感磁部のパターンの両端には端子電極53a,53b,53c,53d,53e,53f,53g,53hをそれぞれ形成している。また、これらの感磁部はメアンダライン状にパターン形成していて、長手方向に平行な辺にはそれぞれ電極膜を付与している。
このようにメアンダライン状にするとともに電極膜を付与することによって、磁気抵抗材料によるパターンの形状効果係数を高めている。
隣接する磁気抵抗素子61,62のそれぞれに形成されている感磁部のうち、互いに隣接する部分で且つ隣接する端子電極間をワイヤ(ボンディングワイヤ)W12a,W12bでそれぞれ接続している。同様に、隣接する磁気抵抗素子62,63のそれぞれに形成されている感磁部のうち、互いに隣接する部分で且つ隣接する端子電極間をワイヤ(ボンディングワイヤ)W23a,W23bでそれぞれ接続している。
図5は、隣接する2つの感磁部A,Bにおいて、両者を電気的に接続して1つの磁気検出チャンネルとして用いる場合と、その境界部を磁気検出チャンネルの境界として用いる場合とについて、出力電圧変化幅の減少量抑制効果について示す図である。
異なった磁気センサの感磁部A,B同士の境界をチャンネルの境界として用いる場合、図5(a)の例では、境界部での出力電圧は最大値の60%程度にまで減少する。これに対し、互いに隣接する2つの感磁部A,B同士を電気的に接続して1つの磁気検出チャンネルとして用いると図5(b)のように出力電圧は最大値の80%程度に抑えられる。
《第3の実施形態》
図6は第3の実施形態に係る磁気センサ105の主要部の平面図及びその特性を示す波形図である。
この磁気センサ105は、磁気抵抗素子62に形成した感磁部42a〜42dのうち、長手方向に隣接する感磁部42a,42c同士を接続し、同様に感磁部42b,42d同士を接続して、1つの磁気検出チャンネル内の感磁部として作用させている。すなわち、図中破線で囲む磁気検出チャンネルchは、感磁部41c,42a,42c,43a、及び41d,42b,42d,43bによって構成している。
このようにして異なった磁気抵抗素子の感磁部同士だけでなく、同一の磁気抵抗素子上の感磁部同士を接続することによって幅広の磁気検出チャンネルを構成してもよい。
磁気検出チャンネルの幅は、狭くする程、分解能が向上するが、磁気抵抗素子の搭載数が増えることになり、コストアップの要因となるため、検出すべき磁気パターンの幅に応じて定めればよい。
従来の磁気センサ101,102の構成と特性について示す図であり、図1(A)は特許文献1の磁気センサについて示す図、図1(B)はその他の従来の磁気センサについて示す図である。 第1の実施形態に係る磁気センサ103の主要部の平面図及びその特性を示す波形図である。 図2に示した、隣接する感磁部間の出力電圧変化幅の減少特性、及び従来の隣接する磁気抵抗素子間の出力電圧変化幅の減少特性の例を対比する図である。 第2の実施形態に係る磁気センサ104の主要部の平面図及びその特性を示す波形図である。 隣接する2つの感磁部A,Bにおいて、両者を電気的に接続して1つの磁気検出チャンネルとして用いる場合と、その境界部を磁気検出チャンネルの境界として用いる場合とについて、出力電圧変化幅の減少量抑制効果について示す図である。 第3の実施形態に係る磁気センサ105の主要部の平面図及びその特性を示す波形図である。
符号の説明
1a,1b,1c,1d…感磁部
2a,2b,2c,2d…感磁部
3a,3b,3c,3d…感磁部
11a,11b,12a,12b,…感磁部
31,32,33…磁気抵抗素子
41a,41b,41c,41d…感磁部
41c,42a,42c,43a…感磁部
42a,42b,42c,42d…感磁部
43a,43b,43c,43d…感磁部
51a,51b…端子電極
61,62,63…磁気抵抗素子
101,102…磁気センサ
102〜105…磁気センサ
ch1〜ch4…磁気検出チャンネル
G1,Go…間隙
W12a,W12b,W23a,W23b…ワイヤ

Claims (1)

  1. ウェハから切り出された複数の磁気抵抗素子と、単一または複数の磁石と、前記複数の磁気抵抗素子が略直線状に配列されるとともに前記磁気抵抗素子に対して所定方向に磁界を印加する位置に前記磁石が配置されるケースと、を備えた磁気センサにおいて、
    前記複数の磁気抵抗素子は、前記略直線状の配列方向に並ぶ少なくとも2つの感磁部をそれぞれ備え、
    隣接する磁気抵抗素子間で互いに隣接する前記感磁部同士が電気的に接続されて、この電気的に接続された感磁部で磁気検出チャンネルが構成され、前記磁気抵抗素子内で隣接する感磁部の間が、隣接する磁気検出チャンネルの境界とされたことを特徴とする磁性センサ。
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