JPS5979419A - 多チヤンネル磁気抵抗効果型磁気ヘツド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、多チャンネル磁気抵抗効果型磁気ヘソＦに係
わる。

背景技１ホｊとその問題点 ｆｊｆｆ米の磁気Ｊｌｌｉ抗効果（辺土ＭＲという）型
再生磁気ヘット、特にそのＭ　Ｒ％３子が磁気媒体との
対接面より後退した位置に配置されるようにしたいわゆ
るリア型磁気ヘット′の例は、例えば第１図にその要部
の拡大路線的平面図を示し、第２図にそのＡ−Ａ線上の
拡大路線的１１ｉ面図を示すように、例えばＮｉ−Ｚｎ
系フェライトより成る絶縁性の磁性基体（１１Ｊ：に、
ＭＲ素子に対して電磁誘導等によってバイアス磁界を与
えるためのバイアス磁界発生手段としＣの電流通路とな
る帯状導電膜（２）が被着され、これの上に絶縁層（３
）を介しζ例えばＮｉ−Ｆｅ系合金、或いはＮｉ−Ｃｏ
系合金薄膜等より成るＭＲ効果素子（４）が被着形成さ
れ、更にこれの上に絶縁＋＝　（５１を介して、Ｎｉ−
Ｆｅ系合金等より成る列の磁性）督（６）及び（７）が
、素子（４）上を横切る方向に且つ素子（４）上におい
て所要の間隔を保持し′Ｃ対向保持され、一方の磁性層
（６）の外端部が、絶縁層（３）及び（５）の少な（と
もいずれか一方を介して基体（１）と対向するごとによ
って磁気ギヤツブｇが形成されるようになされ、他方の
磁性層（７）の外端が絶縁層（３）及び（５）に穿設さ
れた窓を通じて基体ｆｉｌに連接するようになされる。

そしＣ１これら導電層（２）、ＭＲ素子（４）、磁性Ｎ
（６１及び（７）を覆って非畷性保護層（８）が被覆さ
れ、これの上に接着剤層（９）によって保護基体（１０
１が接着されるようになされる。そして両基体＋１１及
び（川）に渡って（イク気記録媒体との対接面（１１）
が形成され、この対接面（１１）に磁気ギヤツブｇが臨
むよ“）になされ、この磁気ギャップｇ及びＭＲ単素子
４）を含む磁１／８、すなわち磁性基体（１）−磁気ギ
ャソブｇ−磁４！ｌ　１回＋６１−　Ｍ　Ｒ素子（／Ｉ
）−磁性層（７）−磁性基体（１）の磁１／、’ｉが形
成される。

このような構成において、導電層（２）にバイアス磁界
発生用の電流ＩＢを通じ゛ζＭＲ素子（４）に所要のバ
イアス磁界を与え、ＭＲ単素子４）に電流Ｉを流すとき
、その磁気ギャップｇに対接ないしは対向する磁気記録
媒体よりのこれに記録された記録磁化による信号磁界が
ＭＲ単素子４）に与えられるごとによる抵抗変化による
電気的信号、ずなわち出力信呼がＭＲ単素子４）の両端
から得られる。

とごろが、このようなＭＲ効果型磁気ヘット、特にリア
型のように磁性体が近接して配置される磁気ヘノｔ”は
、その特性の非線型が問題となる。

すなわち、ごの種磁気ヘッドでは、そのＭＲ単素子磁気
Ｉ］−抵抗抵抗性特性３図に示すように２次曲線を示す
ために、今、同図で示すように、ごのＭＲ単素子４）に
バイアス磁界Ｉ］Ｒがｔ−ｉえられた状態で符号（１２
）で示す信号磁界が与えられたとするとＭＲ単素子４）
における抵抗変化による出刃信号は、同図で符号（１３
）を付して示すような非対称な歪んだ信号となる。因み
にＭＲ素子自体の磁気抵抗特性は、第４図に示されるよ
うに裾が広がるような特性を不し、その特性にずくれた
直線１１１．を有する部分が存在するので、所要のバイ
アス磁界Ｈ日’で、信号磁界（１２’）に対して歪のな
い対称性にすぐれた出力信号（１３’）を得ることがで
きる。これは、ＭＲ単素子両側端面に顕著に生しる反磁
界の影響によるものであるが、第１し１及び第２し１で
説明したリア型構成のもののように、ＭＲ単素子４）の
両側端面に近接して磁性層（６）及び（７）が配置され
るものにおいては、このような反磁界にょる特４１１゛
への影響が小さくなることによると思われる。

このようなＭＲ単素子おける非線型線分を解消するもの
として、差動型構成とするものが提案されている。ごの
差動型ＭＲ磁気ヘッドは、第５図に示すように、一端が
共通に接続された２個のＭＲ素−ｒＭＩｈ及ヒＭｌ？２
ヨり成り、各Ｍ　Ｒ素子ＭＲｔ及び門１１２の各他端か
ら導出された端子Ｌ１及びｔ２が夫々独立の定電流源Ｓ
】及びＳ２に接続されると共に、差動増幅器Ａｍｐの入
力端に接続されて成る。両ＭＲ素子ＭＲ＞及びＭｎ２の
接続中点から導出された共通の端子ｔ３には、所定電位
、例えば接地電位がりえられ、各ＭＲ単素子Ｒ＞及びに
Ｒ２に定電流ｊが逆方向にりえられ、これと直交する方
向に各ＭＲ単素子Ｒ１及びＭｎ２にバイアス磁界Ｉ］Ｂ
が逆向きにり、えられる。このような構成による差動型
磁気ヘッドによれば、各ＭＲ単素子ｌｈ及びＭｎ２に共
通の人力信号磁界が磁気記録媒体からり、えられた場合
第６図に示す互いに極性の異なる出力信号（１４１）及
び（１４２）が与えられ、増幅器篩ｐの出力端子ｔ　ｏ
ｕｔからは、これらの信号の合成による正負対称性を有
する、すなわち非線型成分が相殺された信号（１４）が
得られる。

このような定電流型の差動型Ｍ　Ｒ磁気ヘッドによれば
、ＭＲ単素子非線型成分を相殺するごとがごき、グ１４
′（目・°１にすぐれた歪のない再生信号を得ることが
できる。しかしながら、この種磁気ヘッドでは、３個の
端子ｔ１〜ｔ３の導出を必要とし、差動増幅器篩ｐに接
続される独立の２本の信号線と、独立の２個の定電流源
を必要とする。したがって、多チャンネル磁気ヘッドに
適用する場合、チ十ンネル数がｎ個であるとすると、こ
の多チャンネル磁気ヘッドに少くとも２ｎ＋　Ｉ　（Ｒ
ｒｌの端子の導出が必要となり、更に少くとも２ｎ個の
定電流源が必要となる。また、定電流駆動であるため、
その消費電力は大きく、回路規模も大きくなり、例えば
ｎが１０〜５０の多チャンネル磁気ヘッド△・の適用に
は不適当なものである。

このような欠点を解消するものとしζは、対のＭＲ単素
子直列に連結し、その両外端に定電圧を与え、画素子の
接続中点から出方を差動的に取り出す構成を採るものが
提案された。

このような定電圧駆動による差動型磁気ヘッドによれば
、前述した定電流駆動の場合と同様に２次高調波成分の
キャンセルをなし得、同−消費電力時の感度は、定電流
駆動の場合の２倍となり、またこのｌ１ｉｌ−消費電力
時のＳＮ比及び信号ノくワーも定電流駆動の場合に等し
くなる。そして、各チ・トンネルに関して独立に夫々２
個の定電流源を設ｂ）る必・ｙ！性や多数の端子導出及
び多数の配線がイ°Ｐ３さとなることから構成の簡潔化
をしすることができるという多チャンネル型磁気−・ノ
ドにおいて大きな利益をもたらす。

すでにこのような定電圧駆動によるＭ　Ｒへ・ノドとし
ていわゆり自己バイアス型構成を採るものが１に案され
ζいる。この自己ノ＼イアス型構成を採るものとしては
、例えば、特開昭５２−２３９２０号公開公報に開示さ
れたものや、或いは、いわゆるノ＼−ノ＼−ボール型と
呼称されるものなどかある。これらは、各ＭＲ素子に通
ずる電流の方向が各素子の容易磁化方向と所要の角度を
有するようになされ、２がイに通ずる電流によってこれ
と所要の角度を有するバイアス磁界が生ずるようになす
ものである。

例えばバーバーポール型のＭ　Ｒへ・７トにおいζはそ
の薄膜ＭＲ素子の長平方向に沿う容易磁化方向にりｌし
て斜めに、ずなわち恰もノ＼−ノ＼−ボールにおける斜
め模様のように、例えばＡｕより成る両群電性の複数の
帯線を所要の間隔を保持して平行配列させるものである
が、この場合、多チ、Ｖンネルｌ＆’ｔ％ヘッドにおい
て、そのチャンネル毎・ノチの縮小化をはかるべく、Ｍ
Ｒｆｆｉ子の縮小化をはかろうとすると、導電性帯線の
間隔を狭める必要が生し、これに伴ってＭＲ素子の実質
的抵抗が小さくなって、出力信号の取扱いがなしにくく
なるソサと゛の諸問題が生じる。

発明の目的 本発明はこのような欠点を１ｎ１消した多チヤンネル磁
気）１（抗効果型磁気へ・２・ドを提供するものＣある
。

発明の概要 本発明におい°ζは、その基本的構成を第７１ＭＩＬこ
示ずように、各チャンネル毎に、直列に連結した対の磁
気＋ｉｔ抗効果素子（ＭＲｉ子）　ＭＲｎｘ及びＭＩ′
ｌｎ２を設ける。そしてこれら各幻のＭＲＪ子ＭＲｈ＋
及びＭＲｎ２の両端に定電圧Ｖｌ、Ｖ２を供給するとと
（）に、各ＭＲ素子ＭＲｎｉ及び肝。２にこれに通Ｊす
る各電流ｉと所定の角度例えは９０°をなし、ＭＲ素子
ｊ模に沿い１１−いに大きさが等しく逆向きのバイアス
磁界ＩＩ　Ｂ　ＢｔｉＪ−ＩＴ　Ｒを印加する。またＭ
Ｒ素イＭＲｎ１及びＦ１１？。、のその直列接続中点か
ら出力端子ｔｓｎを導出しこれまり差動増幅器へより差
動的に出力を取り出す。

実施例 第８図は本発明による多チヤンネル磁気抵抗効果型磁気
ベッドの一例の電気的接続態様を示すもので、各チャン
ネルＣ１１１、Ｃ１１２、ＣＩ＋３　　・・・ＣＨｍに
関して夫々第７図で説明した各幻のＭＲ素子ＭＲｎ＋及
びＭＲｎ２（１１１ｈ、’を及びＭｎ１２　、　Ｍｎ２
１及びＭｎ２２　、　ＭＩｈｘ及びＭｎ３２．・・・肝
、ｌ１１及びＭＲｎ２）が設けられ、その各列の接続中
点から夫々端子Ｌ　Ｓｎ　（’８１　＋　１８２　＋ｔ
ｓ３　　・・・ｔｓｍが導出される。また、各チャン２
・ルＣ１Ｉｎにおける各幻のＭＲ素子ＭＲｎ１及びＭＲ
ｎ２の各他端は、夫々各所定の電圧Ｖｌ、Ｖ２が印加さ
れた共通の給電線路β１及びβ２に対して並列に接続さ
れる。

これら各ＭＲ素子ＭＲｎ、（ＭＲｔ１＋　Ｍｎ２ビ・・
ＭＲｍｌ）及びＭＲｎ２（Ｍｎ１２．　Ｍｎ２２　・・
・ＭＲ＋ｎ２）は、夫々例えば第９図に示すように、磁
気１１に抗す１果を有するＩＥ字型パターンの金属薄膜
例えば）ｌｉ−ｒｅ系合金、或いはＮ１−Ｇｏ系合金薄
膜（２１）により形成され、その両弁側脚部（２１ｚ　
）及び（２１２）が、夫々電圧Ｖｌ、Ｖ２が与えられる
線路１２１　＋　　１−２に接続され、中央脚部（２１
ｓ）から夫々信号とり出し端子ｔ　ｓｎ　（Ｌｓｓ　、
　ｔｓ２＋　　・・・ｔｓｍ）が導出される。

そして、薄膜（２１）の各脚部（２１１）及び（２１ｓ
）間、（２１ｓ）及び（２１２）間に夫々ＭＲ素子ＭＲ
ｎ１及びＭＲｎ＞を形成する。このようにして、各チャ
ンネルＣｌＩｎの各ＭＲ素子間。、及びＭＲ１＋２が直
列接続されることによりこれらに同一方向の電流ｉを通
ずる。０字型パターンの薄膜（２１）は、その中央脚部
（２１ｓ　）の中火を通る中心線に対して左右対称的に
形成され“ζ、両ＭＲ素子ＭＲｎｘ及びＭＲｎ２が同一
の特性を有するようになされる。

そして、これら各ＭＲ素子肝、１及びＭＲｎ２に対して
これらの電流方向に対しこれと一致しない所要の角度、
例えばこれと直交し、互いに逆向きのパイアスイイク界
１１．及び−Ｉ］Ｂを外Ｑｌｊからｔ−ｚ−える。この
逆向きのバイアス磁界を１′：ｉえる手段としては１、
種々の構成を採り（ｑる。例えば着磁された薄膜永久磁
石を各素子ＭＲｒｕ及びＭｌｌｎ２と積層するように配
置するようになずこともできるが、電磁誘導による磁界
光４１一手段を設けることによって形成し得る。

その例としては、例えば第１０図に示すように、前述し
た例えば８字型パターンの磁気１１に抗効果ををし、各
月のＭＲ，ｉ子ＭＲｒｕ及びＭ　Ｒｎ　２を構成するＭ
Ｒ薄ｊ１ぐ（２１）と絶縁層を介して積層されるように
いれにｌイトって同様の例えば８字型パターンを有する
低電気抵抗を有する導電層よりなるバイアス導体（２２
）を積層して形成する。このバイアス導体（２２）はそ
のＩＥ字型パターンの両側脚部（２２ｔ　＞及び（２２
２）を相互に連結する連結ｆｆ１（（２２ｃ　）を有す
る形状となし、各隣り合うチャンネルが順次１３字型パ
ターンの中央脚部（２２ｓ　）　、すなわちり・］のＭ
Ｒ素子ＭＲｎ□及びＭＲｎ２の接続中点に対応する部分
が、次１文のチャンネルの導体パターン（２２）の両ｊ
ｕ１１１１１１１部の連結部に接続するようにし、最外
側に位置する一方のチャンネルＣ）１１のＩＥ字パター
ンの両脚部の連結部（２２ｃ）と、同様の他方に位置す
るチャンぶルＣ１１ｍの中火脚部（２２３）との間に、
バイアス磁界発生用の電流源を接続Ｊる。このようにし
て、このバイアス導体（２２）が対のＭＲ素子ＭＲｎ１
及びＭＲｎ２に対しては並列の、隣接するチ中ンネル間
では直列の配置関係となるようにする。

このようにするごとによってバイアス磁界発生圧゛市流
柳よりｊｂ＋＋ｉｂ、を供給して導体（２１）の各素子
ＭＲｎ１及びＭＲｎ２に対応する通電部に人々バイアス
磁界発生用電流ｉｂ、＋ｉｂ２を通１゛るごとにより各
月のＭ　Ｒ素子ＭＲｎ１及び淋。２に逆向きのバイアス
（１り支環ＨＢをす、えるようになす。

次に上述した本発明による多チャンネルＭＲ型磁気ヘッ
ドの具体的構造を第１１図ないし第１３図を参Ｈ＜＜（
して説明する。第１１図は本発明による多チャンネルＭ
Ｒ型磁気ヘッドの一例の要部の路線的拡大平面図で、第
１２図は、そのＡ−Ａ線上の拡大断面図、第１３１ツ１
は同様に第１１図のＢ−Ｂ線上の拡大断面図を示す。（
２３）は、下部コアとなる磁性基体、例エバ　旧−Ｚｎ
系フェライトよりなる磁性基体（２３）が設けられ、こ
れの上にバイアス導体（２２）と、定？ｌｉ圧Ｖ１及び
■２の各給゛市線１１！３’ｊ２を及びβ２を構成する
導体（３１）及び（３２）が被着形成され、これの十に
絶縁ｒ＝（ｚ、ｏを介し”乙各千、１．ンネル（：ＩＩ
ｎ　　（ＣＩＩ＋　、　Ｃｔｈ　　・・・Ｃｌ１ｍ　）
の各月のＭ　Ｒ素子Ｍ　１＋１１１及びＭＲｎｚ　（Ｍ
Ｒｘｉ及びＭｔｈ２．　ＭＲ２１及びＭＲ２２，・・・
ＭＲｖ及びＭＲＩｌｌ、）を形成するＭＲＭ膜（２１）
力（人々所要のパターンに被着形成される。これら）＼
イアス導体（２２）　、絶縁１＠（２４）及びＭＲン１
駒（２Ｉ）は、磁性基体（２３）上に順次夫々全面的Ｑ
こ、蒸着、スパッタリング等によって被着し、そのマ友
、これらをパターン化する。この場合、この専（本ｊＨ
の基体（２３）に対する被着強度を上層デーるために４
・要に応し゛Ｃ下地層としての例えばＣｒ層を、全■ｉ
ス白に例えば３００人の厚さに蒸着或いはスノマ・ツク
１ノング等によって被着する。そしてこれの上層こ１１
１述したようにハイーアス導体（２２）　、給電環イ本
（３１）及び（３２）を形成する導電層、例え＆よＡｕ
金１罵層を１司様に蒸着、スバ・７タリング等によって
被着し、続いてこれの上に同様に全面的に絶縁１ｍ（２
４）を形成するＳｉ３Ｎ＋或いは信２０３等をに被着し
、更にこれの上にＭ　ＲｔｉＨａｆ　（２１）を形成す
る例えばＮｉ−Ｆｅ系合金、或いはＮｉ−Ｃｏ系合金薄
聡を全面的に同様に蒸着或いはスパッタリング等によっ
て被着する。

そして、その後に、これらＭＲ薄股層と、これのドの絶
縁ｊ何と、これの−トの導電層と、更にこれの下の下地
層とに亘って選択的に例えば各チャンネルＣＨｎにおけ
る各月のＭＲ素子ＭＲｎｔ及びＭＲｎ２を形成するため
の前述した８字型パターンのＭＲ薄膜（２１）を形成す
る部分と、同様のバイアス導体を形成する部分と、定電
圧Ｖｌ、Ｖ２の給電導体を形成する部分、更に端子部を
形成する部分等を残して他部を、各層に関し′ζ例えば
同一マスクによって、或いは上層のパターンをマスクと
することによりて順次エツチング除去する。しかしなが
ら、この場合、上１−に向って幅狭となる断面台形状の
エツチングとすることが望ましい。次に、更にＭＲ薄Ｆ
Ｉ　ＩＮにのみ選択的エツチングを行って前述した８字
型パターンの薄膜（２１）を形成する。これらエツチン
グは、６１１式法によるエツチング或いは乾式法による
エツチング、すなわち例えば化学的エツチング或いはイ
オンエツチング等によって行い得る。このようにすれば
、各列のＭＲ素子ＭＲｎ１及Ｏ・ト印、１２を構成する
Ｅ字型パターンのＭＲ薄膜（２１）の形成がなされ、こ
れの下に車なり合って絶縁層（２４）によって絶縁され
た８字型ぺ、ターンのバイアス導体（２２）と、給電導
体（３１）及び（３２）の形成がなされる。ここに、バ
イアス導体（２２）は、第１０図で説明したと同様にそ
の両弁側脚部（２２１）及び（２２２）を連結する連結
部（２２ｃ）が、隣り合うチャンネルの例えば前段側の
チャンネルＣ１Ｉｎ、。

の各導体（２２）の中央脚部（２２ｓ）に、連結部（２
２ｃ）を挾んで対向する位１ね′まで延長する延Ｊ（部
（２２ｃ　’）を設け、おく。また給電導体（３１）及
び（３２）は、各す中ンネルＣ１Ｉｎの配列方向に沿っ
て延長する（１）状のパターンとし゛（形成し得る。

次にバイアス導体（２２）の、中央脚部（２２ｓ　＞の
端ｑ＋＋−＋−と、延長部（２２０つ上と、各給電導体
（：３１）及び（３２）の、各チャンネルＣｌＩｎに対
応する部分上の絶縁層（２４）に夫々後述する配線導体
層を接続するにイノ（するコンタク１−用窓（３３）〜
（３６）を穿設する。

そして、次にこれらパターンを覆って全面的に例えばＳ
ｉＯ２よりなり絶縁層（２４）とは異なるエツチング性
を有する非磁性絶縁層（３７）を周知の技術で被着する
。この絶縁層（３７）の厚さは後述する磁気記録媒体と
の対接面にお＆Ｊる磁気キャップ長を規定する厚さ、例
えは０．３μｍの厚さをもって全面的に形成する。そし
”にの絶縁ｒ？５’（３７）に対して例えば湿式エツチ
ングの或いはプラズマエツチング等による乾式エノーｆ
−ンクによる選択的エツチングを行って各チャンネルの
各Ｅ字型ＭＲ薄股（２１）の各脚９旧Ｈ１におい゛ζ各
対のＭＲ素子ＭＲｎ＋及びＭＲｎ２と隣接する位置に夫
々窓（３８１）及び（３８２）を穿設して磁性基体（２
３）の表面の一部を臨ませると共に、各ＭＲ薄換（２１
）の各脚部（２１＋’）　、　　（２１２）　、　　（
２１ｓ　）の各端部上に人々窓（３９ユ）、（３９２）
、（３９ｓ　）を穿設してこれら各脚部（２１１）　、
　　（２１２）　、　　（２１ｓ　）の各表面の一部を
外部に臨ませる。更に、これら６窓の穿設と同時に、先
に穿設した窓（３３）〜（３６）上の絶縁ＩＨ（３７）
をエツチング除去して再び、これら窓（３３）〜（３７
）を外部に臨ませる。

次に、窓Ｃ３８＋　）及び（３８２）内を含み且つ各列
のＭＲ素子淋ｎ１及びＭＲｎ、を横切る位置を含んで例
えは全面的に蒸着、スパンタリング等によってＮｉ−１
’ｅ系合金層等よりなる磁性層を形成し、これを選択的
に前述したと同様にＭ民法、或いは乾式法によってエツ
チングして各ＭＲ素子Ｍ　Ｒｎｔ及びＭＲｎ２に対応し
て夫々対の磁性層（４１１）及び＜４１２　）　。

（４２＋　）　、　　（４２２）が各ＭＲ素子の両側縁
−Ｌに絶縁層（３７）を介して跨り、このＭＲ素子上に
おい゛ζ両省間に所要の間隔Ｇを保持して対向するよう
に形成する。磁性層（４１ｚ　）及び（４１２）　、　
　（４２１）及び（４２２）のＭＲ素子の側縁」−に跨
る幅は、夫々、例えはＭＲ素子の幅が５ｔｔｍのとき１
μｍ程度となるように選ばれる。そして、ごこに、一方
の磁性ＩＦｆ　（４１２）及び（４２２）はその一部が
絶縁層（３７）の窓（３８４）及び（３８２）を通じて
、磁性基体（２３）に連接するようになされる。一方、
基体（２３）上の磁性層（４１ｈ　）及び（４１２）　
。

（４２１）及び（４２２）が配列された部分を除いて少
なくとも６窓（３３）〜（３６ン　、　　（３９ｚ　）
　　（３９２）（３’ＪＳ　）　ｌに差し渡っ“Ｃ１全
面的に例えば導電層（４０）を被着し、選択的エツチン
グを行っ′Ｃ各窓（３９ｚ）と（３６）との間、窓（３
９２）と（３５）との間、窓（３３）と（３４）との間
に差し渡る配線導電部と、更に窓（３９ｓ）から外部出
力端子ｔｓＢを導出するに供する配線部を残してエツチ
ング除去する。その後これら各パターン上を含んで全面
的に例えば５ｉ０２等よりなる保護膜（４３）を被着し
、ガラスのような無機或いは有機接着剤層（４４）をも
って上部保護基板（４５）、例えばガラス坂等を接合す
る。そしてこれら保護基板（４５）から磁性基体（２３
）に差し渡っ−ζその各チャンネルＣｌＩｎの対の各Ｍ
Ｒ素子に対する各一方の相性ｒｆ４（４ｂ）＜４２１）
の外端側を切削研磨して磁気記録媒体との対接面（５１
）を形成する。このようにして対接面（５１）に臨んで
、非磁性絶縁［（３７）の厚さに、１、ゲ（規定される
キャップ長を有する磁気ギヤ・ノブ肋１ｇりを、磁性基
体（２３）と磁性層（４１１）（４２１）との間によっ
て形成する。このような構成によれば、各チ中ンイ、ル
ＣＨｎに関して各月の仔）（ＩＩ市（４ｈ　）及び（４
１２）と磁性基体（２３）との間に形成され磁気ギヤツ
ブｇ１及びｇ２とＭＲ単素子ＭＲｎｌ及びＭＲｎ２とを
含む各月の閉磁路が、ｌｆｉ　＋Ｑｇ層（４１１）及び
（４２１）−磁性基体（２３）−磁性ｊ柵（４ｈ　）　
　（４２ｔ　）−磁性層（４ｂ　）及び（４２２）に形
成された多チヤンネル磁気ヘットが構成される。

本発明による多チヤンネルＭＲ型磁気へ・ノドを製造す
る方法は、上述した例に限られるものでにないが、上述
したように各バイアス導体（２２）を構成する導電層と
、ＭＲ薄膜（２１）を構成するＭＲ薄膜層とを絶縁層を
介して全面的に積層して後、これらをバクーン化すると
きは、その各ＭＲ単素子構成する例えばＥ字型パターン
のＭＲ薄膜（２１）と、バイアス磁界（２２）とが相互
に位置すれするよ−）なことなく、しかも絶縁１ｆ’ｆ
（２４）によって確実に電気的に絶縁して配置されるの
で、各ＭＲ−ｌ子ＭＲｎｉ及びＭＲｎ２へのバイアス磁
界を確実Ｇこ且つ効率良くり、えることができる。また
、糸色縁Ｊ何（２４）は、ギャップｇｘ、ｇ２において
除去されるのｅ、このギャップｇ１＋ｇ２のギャップ長
は・上層の絶縁層（３７）の厚さのみによって規定され
るごとになるので、このギャップ長の設定を容易に行う
ことができる。尚、両絶縁Ｉｎ（２４）及び（３７）は
、相互にそのエツチング性を異にする例えばＡ１２０ｉ
　。

Ｓ　ｊ３Ｎ　４とＳｉＯ２とによって構成するときは、
上層の５ｉ０２による絶縁！（３７）に対して例えばプ
ラスマエソチングによる選択的エツチングを行う場合に
上層のＡｌ２Ｏ２或いはＳ　Ｌ＋Ｎ　４に対しζは殆ん
どエツチング効果が生じないようにすることができる利
益がある。

尚、上述した例では、各チャンネルに１対のＭＲ累子を
設けた場合であるが、複数対設げた構成とすることもで
きる。

また、上述した例では、リア型ＭＲ磁気ヘッドに適用し
た場合であるが、磁気媒体との対接面にＭＲ単素子６Ｍ
Ｓ面が臨むように配置された場合においてもＭ　Ｒ素子
を挾んで磁性体が近接配設される場合は、同様にこれら
ＭＲ単素子磁気抵抗特性が２次曲線を示すの・・で、こ
のようないわゆるフロント型Ｍ　Ｒ磁気ヘッドに本発明
を適用することもできる。

面１．Ｊ−述した例においては、磁ｆ７１基体（２３）
が絶縁性である場合を説明したか、これが導電性を有す
る場合には、基体（２３）　ｌに絶縁層を被覆してこれ
の上にバイアス導体（２２）等を順次形成１゜る。

発明の効果 １−述しノ、：ように本発明によれば定電圧駆動による
差動型構成としたので、非線型成分のキャンセルと共に
、消費電力の低減化をはかることができるとか、或いは
、１司−泊貿電力時の感度の向上をはかることができ、
またバイアス磁界を外部的にりえるので、ＭＲ素子自体
の抵抗値設定に影戟−を及し、■りごとがなく、Ｌ７た
がっζその長さ、云い換えればトラックｋ、したがって
トランクピンチの選定の自由度が市められるという利益
がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は磁気抵抗効果型磁気ヘソ“トの要部の拡大平面
し１、第２図はそのＡ−Ａ線上の断面図、第３図はその
磁気抵抗素子の磁気抵抗特性曲線図、第４図はその仕較
説明に供Ｊる磁気抵抗特性曲線図、第５図は定電流駆動
による差動型のωシス抵抗効果型磁気ヘッドの構成図、
第６図はその出力波形図、第７図は本発明による磁気−
・ノドの基本的構成図、第８図は本発明の一例の電気的
接続図、第９図は本発明による磁気ヘッドの磁気抵抗効
果素子の一例の路線的配置構成図、第１０図はバイアス
発生手段のバイアス導体の一例の配置構成図、第月図は
本発明による磁気−・ノドの一例の要部の路線的拡大平
面（４￥！１、第１２図及び第１３図は第１１図のＡ−
Ａ線上、及びＢ−Ｂ線上の拡大断面図である。 ＭＲｎｘ及びＭＲｎ２　（ＭＲ１４及びＭ１１１２　、
　Ｍ＋？２１及びＭＩ？２２　’・・）は磁気抵抗効果
素子、（２１）は磁気抵抗効果を有する薄膜、（２２）
はバイアス導体、（２３）はその磁性基体、（２４）及
び（３７）は絶縁層、（４１＋　）　　（４］２　）　
　（４２ｔ　）　　（４２２）は磁性層、（４５）は−
１一部保槽基（ｋである。 同　　松隈秀盛 第１図 第２図 ３ 第： 第・ 第５図 第８図 手続補正書 昭和５８年　２月　１６日 特許庁長官　若　杉　和　夫　殿 （特許庁審判長　　　　　　　　　　　殿）１、事件の
表示 昭和５７年特許願第１９０１８２　　号２、発明の名称
　多チヤンネル磁気抵抗効果型３、補正をする者　ａｉ
″″。 事件との関係　　特許出願人 住所　東京部品用区北品用６丁目７番３５号名称（２１
８）　　ソニー株式会社 代表取締役　大　賀　典雄 ４、代　理　人　東京都新宿区西新宿１丁目８番１号（
新宿ビル）６、補正により増加する発明の数 （１）明細書中、第４頁下から４行「非線型線分」を「
非線型成分」と訂正する。 （２）同、第７頁８行「いわゆり」を「いわゆる」と訂
正する。 （３）同、第１４頁２行「等をに被着し、」を「等に被
着し、」と訂６．正する。 （４）同、同頁１６行「しかしながら、」を削除する。 （５）　　同、第１５頁２行「すなわち」を削除する。 （６）同、第１４頁２行ｒ　（４１２）　ｊをＶ　（４
２１）　Ｊと訂正する。 （７）同、第１４頁２行ｒ（４２１）Ｊを「（４１２）
　ｊと訂正する。 （８）同、第１４頁２行Ｕ　（４２１）　Ｊをｒ　（４
１２）　Ｊと訂正する。 （９）同、同頁４〜６行「各チャンネルＣ１（ｎ・・・
間に形成され」を削除する。 １０）・　同、同頁７行「とを含む各月の閉磁路が、磁
性」を「とを夫に含む各月の閉磁路が、夫々磁性」と訂
正する。 （１１）　　同、同頁８〜９行「レター磁性層・・・（
４ｈ）及び（４２２）　Ｊを「Ｃ；脅、磁性層（４１２
）及び（４２２）　−磁性基体＠」と訂正する。 （１２＋　　同、第２０頁９行「ＡＱ２０３、」ヲ「Ａ
ｅ２０３、又は」と訂正する。 （１３１同、同頁１２行「行う場合に」を「行っても」
と訂正する。 ０４）　　同、第２１頁４〜５行「フ日ント型」を「シ
ールド型」と訂正する。 （１５１図面中鎖１１図を添付図面のように補正する。 以上

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 各チャンネル毎に直列に連結した対の磁気抵抗効果素子
   の両端に定電圧を供給すると共に、上記対の磁気抵抗効
   果素子の夫々に力゛いに逆向きのバイアス磁界を印加し
   て上記対の磁気抵抗効果素子の直列接続中点から差動的
   に出力をとり出すようにした多チヤンネル磁気抵抗効果
   型磁気−・ソド。