JPH04507163A - 高密度信号を増幅する短絡二重エレメント磁気抵抗再生ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 高密度信号を増幅する短絡二重エレメント磁気抵抗再生ヘッド発明の背景 １、発明の技術分野 本発明は、磁気再生ヘッドに関し、特に二重エレメント磁気抵抗ヘッドに関する 。

２　従犯創桓信口３韮朋 磁気抵抗（ＭＲ）再生ヘッドは、１９７０年にハン）　（Ｈｕｎｔ）に対して発 行された米国特許第３．４９３．６９４号において開示されて以来、磁気記録技 術分野において広く受け入れられるに至った。ＭＲヘッドは高出力かつ低雑音を 特徴としており、短波長信号の再生に魅力的なものとなっている。ＭＲヘッドは 薄膜堆積法により製造され、高密度記録応用の狭トラツク幅を有する比較的に低 価格の多重トラック・ヘッドの製造を可能にしている。−重及び二重ＭＲエレメ ントを用い、かつ多数のバイアス技術に関連させた種々のシールド及び非シール ド構造は、この技術分野で知られている。

二重エレメント磁気抵抗ヘッドは「コモン・モード除去用の整合エレメントを有 する磁気抵抗読み出しヘッド・アッセンブリ」と題してボーグリ（Ｖｏｇｌｉ） の名により発行された米国特許第３．８６０．９６５号、及び「垂直記録媒体読 み出し用の対抗電流による磁気抵抗センサ」と題してジル（Ｇｉｌｌ）他の名に より発行された米国特許第４．８７８．１４０号に開示されている。　これらの 特許に開示されたヘッドは、薄い電気的な絶縁層により分離された並行なＭＲエ レメントを備えている。薄い電気的な絶縁スペーサによりエレメントを分離して いる前記のようなＭＲ槽構造は、短絡の問題があることが以前から知られていた 。このような短絡は絶縁スペーサにおけるビン・ホールによること、若しくはヘ ッドの研摩中に発生することがあり　又はヘッドが摩擦のある磁気テープを再生 する動作中に、スベー・すに跨って軟ＭＲエレメントを汚損し、隣接する導電材 料を短絡させることがある。これは１例えば軟隣接層バイアスを用いるヘッドに 発生してい！′ｒ、ものである。

この軟隣接層ＭＲにおいて、ＭＲエレメントは磁界がＭＲエレメントにノくイア スを誘起する導電磁性材料から薄い電気的な絶縁スペーサにより分離されている 。

バジェレク（Ｂａｉｅ＋ｅｋ）　ａは、［を気的なシャント及び磁気バイアス層 と電気的に並列なセンサを含む磁気抵抗サレドイフチ」と題する米国特許第４． ０２４．４８９号における問題を肥識して、非常に薄い（２２０オングストロー ム）、連続的な導電分離層を用いてＭＲ検知層及び磁気バイアス層を意図的に短 絡させることにより、この問題を解決することを示している。しかし、バジェレ ク他により開示された構造は、導電シャント層を流れる電流が信号出力に寄与し ないので、ヘッドにおける所定のエネルギ損失のために一つのＭＲセンサの信号 の３０％を損失してしまうと述べＣいる。

発咀Ｑ開示 好ましい実施例において、本発明のＭＲ二重エレメント磁気抵抗ヘッドは６検知 電流を側路することにより信号を減衰させる犠牲を払うことなく　２つのＭＲエ レメント（これらはいずれも検知エレメント及び相互バイアス・エレメントとし て働く）間の短絡問題を解決している。同一の２つのＭＲエレメントは、連続的 な導電スペーサによりそれぞれ互いに完全に絶縁されたり、その全長にわたって 短絡されたりすることもないが、その終端にＭＲエレメントを電気的に短絡する 短絡スタブを備えた絶縁層により分離される。短絡されたＭＲエレメントに印加 された電流は、２つの等しい電流に分流し、実質的に同一のＭＲエレメントを介 して同一方向に流れてバイアスを形成し、かつエレメント抵抗変化を検出するた めの検知電流として機能する。検知電流がスペーサを介して側路されることはな い、短絡がスペーサの絶縁に発生するときは、電流が各ＭＲエレメントを同一方 向に流れ、かつ各ＭＲエレメントが同一抵抗を有するように整合されているので 、整合されたＭＲエレメント間の短絡を通る電流はない、短絡には電圧差がない ので、ＭＲエレメント間の短絡は記録信号の検出と干渉することはない。

更に、本発明の実施において、Ｍｒ（エレメントは磁気非飽和モードにおいて動 作するようにバイアスされている。これは、信号スペクトルの広い領域にわたっ て再生信号を効果的に増幅する短波長信号の「ブートストラップ」となる、スペ クトルの増幅部分を判断する設計基準は、１／２から１までの範囲にあるＭＲエ レメント間の直線間隔と、信号媒体上に記録された磁束変化の間における直線距 離との積を要求する。スペーサの厚さのこの範囲で、増幅された応答は分離に対 して比較的に不感動である。８０キロ磁束変化／２５．４ｕの短波長磁束密度の 場合に。

スペーサは典型的に、約１５００オングストロームの厚さを持つように選択され る。

図面の簡単な説明 本発明は、図面に関連して説明される９第１図は、記録磁気テープと接触状態に ある本発明の二重ＭＲヘッドの図である。

第２図は第１図に示すヘッドにおけるＭＲエレメントの抵抗の概要図である。

第３ａ図は本発明によるヘッドのＭＲエレメントの相互バイアスを示す。

第３ｂ図は印加された磁界の関数として逆バイアスされたＭＲエレメントの抵抗 における部分的な変化を示１゜ 第４図は印加さ才１だ信号のために本発明のヘッドのＭＲエレメントの抵抗にお いて部分的な変化を示す。

第５ａ図、第５ｂ図、第５ｃ図は本発明のヘッドが示す信号増幅効果を示す。

第６図は記録磁束苫度の関数として本発明のヘッドの出力信号レベルを非シール ドのＭＲヘッドのものと比較して示す。

第７図は本発明のヘッドの第２の実施例の図である。

発叫炙天ＴｆＡ１五景只の実施例 本発明の好ましい実施例において、ＭＲエレメントはその長さ方向端で互いに電 気的に短絡されているが、長さの残部に対しては電気的な絶縁スペーサによって 分離されている。第１図を参照すると、二重ＭＲヘッド７ｏは、磁気的、電気的 及び幾何学的特性が一致した２つのＭＲニレメン）７２．７４からなる。ＭＲエ レメント７２．７４は非導電性のスペーサ７６によりほぼその全長にわたり分離 されている。スペーサ７６の長さ方向端で電気的に短絡し、スペーサ７６と同一 幅の２つのスタブ７８．８０があり、互いに２つのＭＲエレメントを電気的に短 絡させている。線８４．８６を介して二重ＭＲヘッド７ｏへ流れる検知及びバイ アス電流８２は、ＭＲニレメン１−７２．７４が同一なために、かつ電気的に短 絡するスタブ７８．８０のために、２つのＭＲエレメント７２．７４間で等しい 電流８８．９０に分流する。第２図を参照すると、二重ＭＲヘフド７ｏの構造の 等価電気回路には、ＭＲエレメント７２の抵抗である並列な抵抗Ｒ７□と、ＭＲ エレメント７４の抵抗であるＲ７４とを流れる電流８２が示されている０例えば 絶縁性のスペーサ７６におけるピンホールのために、偶発的かつ電気的な短絡９ ２がＭｒ（エレメント７２７４間で発生したものと仮定する。ＭＲエレメント７ ２７４のほぼ同一特性のため、及び電流８８．９０が等（７いために、各ＭＲエ レメント７２．７４の長さ方向の電圧ｅ１、ｅ２は等１．い。即ち、電気的な短 絡９２に流れる電流は存在せず、Ｍ）（ｆｆ−Ｌ／、ｄントにおける電流分布は 電気的な短絡９２により変化することはない。従って、検知電流８８．９００関 数である磁気バイアス及び信号バフす−マンスは、短絡の存在に対して動作上で の影響はない。

薄膜のＭＲニレメン）７２．７４の形状は長方形である。この構造はＭＲフィル ムの長軸に沿って存在するＭＲフィルムの形状異方性を生じさせ、この長軸はＭ Ｒフィルムの非バイアスの磁化方向でもある。以下で説明するように、バイアス はこの軸方向からの磁化を回転させ、媒体からの旧刊は、磁化の位置を更に変調 し５、ＭＲフィルムの抵抗を変化させる。テープ３０からの信号磁界はＭＲニレ メツドア２．７４の短寸法に沿っていることに注意すべきである。長さ方向のサ ンドインチの幅は、テープ３０に記録されたデ・−タのトラック幅に等し、いか 、又はこねよりやや小さい、・＼フドのパラメータ値は用途により決定される０ 例えば、５０μｍのドラフグ幅を有し、２５．４ｍｍ当り８０＋口磁束変化で動 作する△・フドにおいて２適当なパラメータは、ＭＲエレメント７２．７４．及 びスペーサ７６の輻が５０μｍに等しく、ＭＲエレメント７２．７４の厚さが約 ２５０オングストロームに等しく　スペーサ７６の厚さが１５００オングストロ ームに等（２く、ＭＲニレメン）７２．７４及びスペーサ７６の高さが５μｍに 等しい。

二重ＭＲヘッド７０はテープ３０の全長にわたり、交互に磁化された部分３２． ３４．３６，３８．４０を有する磁気テープ３０と接触しているのが示されてい る。これらの部分はテープ３０上に記録された情報を有する。テープ３０上に記 録された信号の波長は、逆方向に磁化された連続的な２つの領域１例えば矢印３ ２及び３４により示された領域に及ぶ、　２５．４ｍｍ当り交互に磁化される部 分３２゜３４．３８．３８．４０の数は、２５．４ｍｍ当りテープ３０に記録さ れた磁束変化数である。

第３ａ図を参照すると、ＭＲエレメント７２．７４へ同一方向に流れる電流８８ ．９０は　磁界を発生する。この磁界は、磁界横比エレメントでもある各ＭＲエ レメントが他方に対する軟隣接バイアス層として作用するので、ＭＲエレメント ７２．７４の相互バイアスどなる。ＭＲエレメント７２．７４は磁気的及び幾何 学的な形状においＣ同−Ｃあり、かつ電流８８９０の振幅が同一なために、ＭＲ ユルメ〉ドア４の軟隣接バイアス作用ニＪ：るＭＲエレメント７２内でのバイ１ ス磁界Ｈ１，は、Ｍ　Ｒｆｆ−、Ｌｚメンノドア２の軟隣接バイアス作用による ＭＲニレメン［７４でのバイアス磁界−Ｈ，１に対して大きさが等しく、かつ符 号が逆である。

ＭＲエレメント７２．７４をバイアスする際は当該技術分野で知られているよう に、バイアス磁界Ｈ８がＭＲエレメント７２の磁化を−の方向に回転させ、バイ アス磁界−Ｈ８がＭＲエレメント７４の磁化を逆の方向に等量だけ回転させる。

第３１〕図を参照すると　曲線４２．４２’は、対称な　抵抗の変化に対する、 バイアスされたＭＲエレメント７２．７４の磁界曲線である。前述のようにＭＲ 工１ノメント７２．７４におけるバイアス磁界は同一の振幅、かつ逆符号を有し 。

またＭＲエレメント７２．７４そのものは磁気的に一致している。従って２曲線 ４２．４２’　（ＭＲエレメント７２．７４に対してそれぞれ任意に割り付けら れる）はほぼ同一であり　印加されたバイアス磁界により原点に対して対称にシ フトされている。第３ｂ図の水平軸は印加される信号磁界Ｈ，であり、印加され る信号磁界がなければ、静止バイアス点４４は対向する曲線４２．４２′の傾斜 側国特許第４．８３３．５６０号、［自己バイアス磁気抵抗再生ヘッド（Ｓｅｌ ｆ−ＢｉａｓｅｄＭａｇｎｅｊｏｒｅｓｉｓｌｉｖｅ　Ｒｅｐｒｏｄｕｃｅ　Ｈ ｅａｄ）　Ｊは、ＭＲエレメントの誘起異方性磁界。

及びバイアス隣接層を方向付けることにより、これらの誘起異方性磁界が長方形 の磁気抵抗エレメントの短寸法に沿った同一方向に存在することを教えている。

本発明において、各ＭＲエレメント７２．７４は、信号検出器としての役割に加 えて、他のエレメントをバイアスするための軟隣接層として作用することが想起 される０本発明によるＭＲエレメントの誘起異方性磁界は、ＭＲエレメントにお けるバイアス磁界方向に、　即ちここでは引用により関連される米国特許第４、 ８３３．５８０号が示しているＭＲエレメント７２．７４の短寸法に沿って存在 するように作成されてもよい。

第１図を再び参照すると、テープ３０上に記録される前述の波長は、１／２波長 がＭＲニレメン）７２．７４間の距離に等しいことが示されている。この条件に より、ＭＲエレメント７２．７４におけるテープ３０からの磁界は１８０度位相 がずれている。第４図に、信号磁界５０がＭＲエレメント７４（曲線４２′を適 用する）に印加される間に、ＭＲエレメント７２（曲線４２を適用する）に印加 される信号磁界４８と共に、抵抗の変化対磁界曲線４２．４２′を再び示す、信 号４８．５０の波長はＭＲエレメント７２．７４の距離の２倍に等しく、従って 信号４８５０は位相が１８０度ずれている。信号４８．５０はＭＲエレメント７ ２．７４の抵抗をバイアス点４４の回りで変動させ、またＭＲエレメント７２の 抵抗変化は波形５２により示され、一方ＭＲエレメント７４のものは波形５４に より示されている。前記抵抗の変化から得られる出力信号が電気的に平行な２つ のＭＲエレメントと同相であり、従って検知電流８８．９０による合成出力信号 の電圧も同相となることが理解されるであろう。

短波長の再生信号を効果的に増幅する際の本発明の動作は、第５ａ図、第５ｂ図 及び第５ｃ図を参照することにより理解される。第５ａ図、第５ｂ図及び第５Ｃ 図には、記録媒体の磁界により動作する部品、ＭＲエレメントにおける誘起磁化 、及びＭＲエレメントにおける誘起磁界が示されている。（これらの図に示す事 象は実際には同時に発生ｌ−２全ての磁界が同時に存在する。明確にするために 、これらの図では、これらが順次発生ずるのを示している。）第５ａ図において 。

ＭＲエレメ１ノｌ−７２及びＭＲ１ｔｚメン１７４の下を通る磁化された媒体３ ０の部分を示している。媒体３０に記録された正極性磁化３６く第５ａ図におい て左を指すものとし２て任意に定めた）及び負極性磁化（逆方向）３４は、信号 磁界Ｈ５を発生させる。第５ａ図は、媒体３０において正極性磁化から負極性磁 化への遷移間の距離は、ＭＲエレメント７２とＭＲエレメント７４との間の分離 距離にほぼ等しいという状態を示す、これが信号増幅のための条件である。；７ かし、前述のように、スペーサの厚さが、１／２から１までの範囲と遷移間の距 離との積にあるときは、応答がスペーサの厚さに対して比較的に不感動である。

第５ａ図に示すように、信号磁界Ｈ８の一部分はＭＲ工１ノメント７２及びＭＲ エレメント７４を含む低磁気抵抗路を通過する。第５ａ図には示していないが、 依然と１７で存在し、装置の動作に本質的なのは　先に説明したようにバイアス に関連する静的磁界である。第５ａ図に示す信号磁界Ｈ８は媒体における磁化の ためにダイナミックに増加する磁界である。ＭＲエレメントを有する軟磁性材料 を横切る信号磁界Ｈ３は　ＭＲエレメント７２において磁化Ｍ７２．及びＭＲエ レメント７４において磁化Ｍ７４を誘起する。誘起された磁化Ｍ７２及びＭ、４ は信号磁界Ｈ，により発生するので、これらもダイナミックに増加する。ＭＲエ レメント７２及び７４は共にこれらの磁化曲線の線形部分上で動作しているので 、誘起された磁化Ｍ？２及びＭｒ４の大きさが信号磁界Ｈ３の強さに直接比例し ていることは、理解されるであろう。

第５ｂ図を参照すると、第５ａ図の信号磁界Ｈ，によりＭＲエレメント７４に誘 起された磁化Ｍ７４が示されているが、明確にするために発生する信号磁界Ｈ８ の磁界線は省略されている。第５ｂ図において誘起されたＭＲエレメント７４の 磁化Ｍ７４は磁界Ｈ？４を発生させる。磁界Ｈ？４による磁束線はＭＲエレメン ト７２に達して捕捉される。捕捉された磁界Ｈ７４からの磁束はＭＲエレメント ７２に付加的な磁化Ｍ２．を誘起させる。磁界ＨＴ４の方向はＭＲエレメント７ ２で下向きであることは理解されるであろう、また、第５ａ［］を再び参照する と、磁界Ｈ７４を最初に発生させる信号磁界Ｈ，を強める方向に、磁界ＨＴ４が 付加されることが示さねている。従−〕で、磁界Ｈ７４はＭＲエレメント７２の 磁化ベクトルの角度位置を更に変調し、更にＭＲエレメント７２の磁気抵抗を変 化させる。第５Ｃ図を参照すると、誘起されたＭＲエレメント７２′の磁化Ｍ１ ．も磁界ドア２′を発生させ、マタソノ磁束線がＭＲ工１ノメント７４により捕 捉される。磁界Ｈ１２′はＭＲエレメント７４では上向きである。再び第５ｂ図 を参照すると、磁界Ｈ７，′は、磁化Ｍ７４を強めて更に磁界Ｈ７４を増加させ ることに注意すべきである。この２つのＭＲエレメント間の「ブートストラップ 」作用及び媒体からの信号は、媒体に関する与えられた磁化の強さについてＭＲ エレメントからの出力信号を増加させる。

媒体が信号波長の１／２、即ちヘッドに対して１倍号磁束変化の距離だけ移動す ると、ＭＲエレメント７２及びＭＲエレメント７４の下の媒体が前述のものと逆 符号の磁化となっている。結果的に誘起される全ての磁界及び磁化の方向も符号 が変化し　総合的な効果として前述のように信号磁界を連続的に強めることが理 解されるであろう、「ブー　トストラップ」もまたＭＲエレメント７２で信号磁 界Ｈ６の効果を増加させ　従って媒体の交番する両符号の信号磁界について増幅 が行なわれる。

第６図を参照すると１曲線１００が電気的に短絡した本発明による二重ＭＲヘッ ドの応答を表わしている。比較のため、曲線ＩＯ２は対応する非シールド単−Ｍ Ｒエレメント　ヘッドの応答である０曲線１０２のヘッドは、永久磁石のような 外部的に固定されたバイアス源によりバイアスされるＭＲエレメントからなるも のとして当該技術分野で知られている０曲線１００，１０２の比較によって、短 波長で電気的に短絡した二重ＭＲヘッドにより改善が得られることを示している 。

前述のように、短波長における増幅は、媒体上の磁束変化の分離がＭＲエレメン ト間の距離と同一程度のものであるときに発生する。磁束遷移間の間隔が長くな るに従って、本発明のヘッドの応答が漸次低下すると共に、磁束の長さとして両 ＭＲエレメントが同時に媒体から同一極性の信号を同時に「見る」長さになると 、振幅が低下する。

第２の実施例が第７図に示されている。第７図において、二重エレメント磁気抵 抗再生ヘッド１０は、磁気抵抗特性、電気抵抗特性、幾何学的な形状及び大きさ が一致している検知及び相互的なバイアス磁気抵抗のエレメント１２．１４を備 えている。ニレメン［２，１４はサンドイッチ構造によりエレメント１２．１４ 間の導電性かつ非磁性体のスペーサ１６と一致している。検知電流であり。

かつエレメント１２．１４をバイアスする励起電流である電流２２は、サンドイ ンチに接続されている２本の線１８．２０に流れる。

サンドインチのコンポーネントはこれらの全長にわたり電気的な接触状態にあり 、従ってそれらの相対的な抵抗に依存するサンドインチに流れる電流を共有して いる。磁気抵抗ニレメンＨ２，１４が電気的な特性（磁気特性も同時に）で一致 しているため、かつサントイフチの対称性のために、電流２２は成分電流２４． ２６．２８に分割され、ＭＲエレメント１２．１４を介して同一方向に流れる電 流２４．２６は大きさが等しく、電流２２の残り即ち電流２８はスペーサ１６に 流れる。

この実施例において、導電性スペーサ２８の存在は短絡の問題をなくす、しかし 、第１図の二重ＭＲヘフド７０に比較］７て、スペーサ１６を介して側路された 電流２８は信号検出に寄与せず、同一の電力損失のときは、再生ヘッド１０は二 重ＭＲヘッド７０程効率的ではない、再生ヘッドｌＯは二重ＭＲヘッド７０につ いて第６図に示すものと同じような増幅特性を示す、第７図に示すように、テー プからの信号もＭＲニレメン）１２．１４の短寸法方向に印加され、従って二重 ＭＲヘッド７０について先に説明したように、この寸法に沿って誘起される容易 軸を方向付ける利点がある５、 本発明を好ましい実施例を特に参照して詳細に説明したが、本発明の精神及び範 囲内で変形及び変更をすることが可能なことは理解されるであろう。

ＦＩＧ、４ 叉−約１ 本発明のＭＥに二重−ＴＬ１７メントも−）ド（７０）は検知電流の側路のｔこ めに信号をに’Ｈさ１−Ｉる５Ｔ、となく、二重エレメント　ヘラ１の検知及び 相互バイアスＭ　ＲＩレメリト間の短絡問題を解決する。好ルニしい実施例にお い王、２′つのＭ　ｌ＜、　ｊ−１Ｌ＝　−ｘ１／ト（′７２、’ｉ’　４）は ２１いに総合的１．ｒ絶縁されたり、連続的導電性スベ　（ハごよりそ第１らの 全拶：ζ沿一つで短絡Ｊ゛ることｌ′）なく　その終端てＭＲ丁ル・メンｌを電 気的に短絡ｅ１１′せるスタＸ）’（７１３，８０）を有する絶縁ＩＩ（７６） により分前、さｔする。

短絡されたＭＲユレメントに印加される電流（８２）はほぼ同一のＭＲ，：Ｔレ メントを介！て同一方向に流ｔする２−）の電流（８８，９０）に分流しでバイ アスを得ると共に　」レメントの抵抗変化を検出するｔζ゛めの検知電流として 働く７前記ＭＲ工ｌ・メントは磁気的に非飽和＋−１でで動作するようにバイア スされる。

こ之１は　前記Ｍ　ＲＸ、　１ノメソト間の直線の間隔が１／２から１才での範 囲と、信号媒体上に記録された磁里変化間の］Ｍ線距離との積にあるときに、そ の信号スベク１ルの広い領域にわたって再生信号を効果的に増幅する短波長信号 の［−ブートストラップ」を発生させる。

第２の実施例において　Ｍ　Ｒｊｌ−１７メント（１２，１４）はこれらの全長 で導電スペーサ（１６）と接触している。

国際調査報告 ｌｗｍＰＣＴＡｓＡｎ＋０（ｓｕ費−−１１ｖ寞８＋１−１２１トＭａ１２１１ ｏａｙ国際調査報告 ＵＳ　９＋０１７５３ ＳＡ　４６０８５

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．磁気的に記録された信号を検出する磁気ヘッド・アッセンプリ（７０）にお いて、 ａ）第１の長方形の薄膜磁気抵抗エレメント（７２）と、ｂ）第２の長方形の薄 膜磁気抵抗エレメント（７４）と、ｃ）前記磁気抵抗エレメントと接触し、前記 第１及び第２の磁気抵抗エレメントを分離させる非磁性体の平坦な薄膜スペーサ （７６）であって、更に、電気的に絶縁する平坦な中央部、及び前記スペーサの 長さ方向端における導電性領域（７８、８０）を備え、前記スペーサの前記導電 性領域が前記第１の磁気抵抗エレメントと前記第２の磁気抵抗エレメントとの間 を電気的に短絡させる前記スペーサと、 ｄ）前記第１及び第２の磁気抵抗エレメントが磁気的に互いに逆方向に相い等し くバイアスするように、前記第１及び第２の磁気抵抗エレメントにおける同時的 な長さ方向の電流用の手段（８４、８６）とを備え、 ｅ）前記第１及び第２の磁気抵抗エレメントは前記磁気抵抗エレメントの短寸法 に沿い、磁気記録信号による信号磁界を結合するように配列され、その効果が一 方の磁気抵抗エレメント用の抵抗の変化を前記他方の磁気抵抗エレメントの抵抗 における変化と同相にさせることにより、前記第１及び第２の磁気抵抗エレメン トにおける合成長さ方向の電流を検知するように関連された出力信号電圧を増強 させることを特徴とする磁気ヘッド・アッセンプリ。 ２．前記第１及び第２の磁気抵抗エレメントは非飽和でバイアスされていること を特徴とする請求の範囲第１項記載の磁気ヘッド・アッセンプリ。 ３．前記第１及び第２の磁気抵抗エレメントは磁気的、電気的及び幾何学的な特 性がほぼ一致していることを特徴とする請求の範囲第２項記載の磁気ヘッド・ア ッセンプリ。 ４．前記第１及び第２の磁気抵抗エレメントは前記長方形の磁気抵抗エレメント の前記短寸法に沿って誘起された第１及び第２の異方性軸を有することを特徴と する請求の範囲第３項記載の磁気ヘッド・アッセンプリ。 ５．前記電流手段は前記第１及び第２の磁気抵抗エレメントを流れる等振幅の電 流を供給する手段であることを特徴とする請求の範囲第３項記載の磁気ヘッドア ッセンプリ。 ６．信号磁界を結合する前記手段は前記第１及び第２の磁気抵抗エレメントに方 向が交番する信号磁界を同時に結合させる手段を備え、前記交番する信号磁界が 前記第１及び第２の磁気抵抗エレメントと協働して前記磁気ヘッド・アッセンプ リにより再生される磁気記録信号を増幅する手段を得ることを特徴とする請求の 範囲第５項記載の磁気ヘッド・アッセンプリ。 ７．前記増幅する手段は１／２から１までの範囲にある距離と、前記交番する信 号磁界間の空間的な距離との積により前記第１及び第２の磁気抵抗エレメントを 空間的に分離する手段であることを特徴とする請求の範囲第６項記載の磁気ヘッ ド・アッセンプリ。 ８．磁気的に記録された信号を検出する磁気ヘッド・アッセンプリ（１０）にお いて、 ａ）第１の長方形の薄膜磁気抵抗エレメント（１２）と、ｂ）前記第１の磁気抵 抗エレメントと平らに接触し、薄膜非磁性かつ導電性の長方形スペーサ（１６） と、 ｃ）前記スペーサが前記第１及び第２の磁気抵抗エレメントを分離させるように 、前記導電性のスペーサと接触している第２の長方形薄膜磁気抵抗エレメント（ １４）と、 ｄ）前記磁気抵抗エレメントが互いに逆方向に相い等しく磁気的にバイアスする ように、前記第１及び第２の磁気抵抗エレメントにおける長さ方向の同時的な電 流用の手段（１８、２０）と を備え、 ｅ）前記第１及び第２の磁気抵抗エレメントは前記磁気抵抗エレメントの短寸法 に沿って磁気的に記録された信号による信号磁界を結合するように配列され、そ の効果が一方の磁気抵抗エレメント用の抵抗の変化を前記他方の磁気抵抗エレメ ントの抵抗における変化と同相にさせることにより、前記第１及び第２の磁気抵 抗エレメントにおける合成長さ方向の電流を検知するように関連された出力信号 電圧を増強させることを特徴とする磁気ヘッド・アッセンプリ。