JPS61242315A - 磁気抵抗効果型薄膜ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果型薄膜ヘツドInfo
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- JPS61242315A JPS61242315A JP60082333A JP8233385A JPS61242315A JP S61242315 A JPS61242315 A JP S61242315A JP 60082333 A JP60082333 A JP 60082333A JP 8233385 A JP8233385 A JP 8233385A JP S61242315 A JPS61242315 A JP S61242315A
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- Japan
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- magnetic
- magnetoresistive
- soft magnetic
- magnetic field
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、磁気抵抗効果型薄膜ヘッドに係り、さらに詳
しくは、軟磁性体薄膜をバイアス印加手段に使用した磁
気抵抗効果型薄膜ヘッドに関する。
しくは、軟磁性体薄膜をバイアス印加手段に使用した磁
気抵抗効果型薄膜ヘッドに関する。
高密度磁気記録再生専用の磁気抵抗効果型薄膜ヘッドの
開発が盛んである。磁気抵抗効果型薄膜ヘッドでは、最
適な動作をさせるために磁性媒体に記録された信号磁界
を検出する磁気抵抗素子に対して最適なバイアス磁界を
印加する必要がある。
開発が盛んである。磁気抵抗効果型薄膜ヘッドでは、最
適な動作をさせるために磁性媒体に記録された信号磁界
を検出する磁気抵抗素子に対して最適なバイアス磁界を
印加する必要がある。
バイアス磁界印加方法には色々あり、その一つとして、
該磁気抵抗素子に絶縁層を介して軟磁性体薄膜を近接さ
せ、素子電流の作る電流磁界を該軟磁性体薄膜を通して
該磁気抵抗素子にバイアス磁界となすように戻すという
バイアス磁界印加方法がある。このバイアス磁界印加方
法を用いた磁気抵抗効果型薄膜ヘッドについては米国特
許第３８６０９６５号に記載されている。この磁気抵抗
果型薄膜ヘッドにおいては、該磁気抵抗動素子に掛るバ
イアス磁界の大きな素子電流の大きさにほぼ比例してい
るので、バイアス磁界を微調節できる利点がある。しか
し、磁気シールド層を有する場合には、磁気シールド層
に上記電流磁界が吸われてバイアス磁界の低下をまねく
ので、これを補うために磁気抵抗素子と軟磁性体薄膜と
の距離、すなわち両者の間の絶縁層の厚さを極めて薄く
しなければならず、さらに素子電流も増大しなければな
らない。
該磁気抵抗素子に絶縁層を介して軟磁性体薄膜を近接さ
せ、素子電流の作る電流磁界を該軟磁性体薄膜を通して
該磁気抵抗素子にバイアス磁界となすように戻すという
バイアス磁界印加方法がある。このバイアス磁界印加方
法を用いた磁気抵抗効果型薄膜ヘッドについては米国特
許第３８６０９６５号に記載されている。この磁気抵抗
果型薄膜ヘッドにおいては、該磁気抵抗動素子に掛るバ
イアス磁界の大きな素子電流の大きさにほぼ比例してい
るので、バイアス磁界を微調節できる利点がある。しか
し、磁気シールド層を有する場合には、磁気シールド層
に上記電流磁界が吸われてバイアス磁界の低下をまねく
ので、これを補うために磁気抵抗素子と軟磁性体薄膜と
の距離、すなわち両者の間の絶縁層の厚さを極めて薄く
しなければならず、さらに素子電流も増大しなければな
らない。
そのため、ジュール熱による素子の発生によってヘッド
の熱ノイズが増加するという欠点が有る。
の熱ノイズが増加するという欠点が有る。
さらに、絶縁層の厚さを薄くした場合、絶縁層の絶縁性
の低下やプロセス上の問題により該磁気抵抗素子と軟磁
性体薄膜とが短絡し、ヘッド出力が大幅に低下するとい
う欠点がある。従来このような欠点については、特に配
慮されていなかった。
の低下やプロセス上の問題により該磁気抵抗素子と軟磁
性体薄膜とが短絡し、ヘッド出力が大幅に低下するとい
う欠点がある。従来このような欠点については、特に配
慮されていなかった。
本発明の目的は、上記欠点をなくし、上記電流磁界を上
記軟磁性体薄膜を通して効率良く上記磁気抵抗効果呻バ
イアス磁界として掛るようにした磁気抵抗効果型薄ヘッ
ドを提供することにある。
記軟磁性体薄膜を通して効率良く上記磁気抵抗効果呻バ
イアス磁界として掛るようにした磁気抵抗効果型薄ヘッ
ドを提供することにある。
〔発明の概要〕
上述したように、磁気抵抗素子に近接させた軟磁性体薄
膜をバイアス印加手段として使う磁気抵抗効果型薄膜ヘ
ッドでは、磁気シールド層にバイアス磁界が吸われるた
めに、適当なバイアス磁界を磁気抵抗素子に印加するに
は磁気抵抗素子と軟磁性体薄膜間の絶縁層を薄くシ、さ
らに素子電流を増大しなければならない。
膜をバイアス印加手段として使う磁気抵抗効果型薄膜ヘ
ッドでは、磁気シールド層にバイアス磁界が吸われるた
めに、適当なバイアス磁界を磁気抵抗素子に印加するに
は磁気抵抗素子と軟磁性体薄膜間の絶縁層を薄くシ、さ
らに素子電流を増大しなければならない。
このように磁気シールド層にバイアス磁界が吸われる理
由は２、主に磁気抵抗素子と磁気シールド層内の磁気抵
抗に比して、磁気抵抗素子と軟磁性体薄膜間の磁気抵抗
がさほど小さくないためと考えられる。したがって、本
発明はこの点を考慮して、磁気抵抗素子と軟磁性体薄膜
間の磁気抵抗を極めて小さくするような構造にして、磁
気抵抗素子と軟磁性体薄膜との間で良好な磁気回路を構
成し、軟磁性体薄膜を通った電流磁界を効率良く磁気抵
抗素子にバイアス磁界として掛るようにしたものである
。すなわち、磁気抵抗素子および軟磁性体薄膜の媒体対
向面と反対側の側辺部を互いに接触させるかもしくは接
触する程度に近接させた構造とするものである。
由は２、主に磁気抵抗素子と磁気シールド層内の磁気抵
抗に比して、磁気抵抗素子と軟磁性体薄膜間の磁気抵抗
がさほど小さくないためと考えられる。したがって、本
発明はこの点を考慮して、磁気抵抗素子と軟磁性体薄膜
間の磁気抵抗を極めて小さくするような構造にして、磁
気抵抗素子と軟磁性体薄膜との間で良好な磁気回路を構
成し、軟磁性体薄膜を通った電流磁界を効率良く磁気抵
抗素子にバイアス磁界として掛るようにしたものである
。すなわち、磁気抵抗素子および軟磁性体薄膜の媒体対
向面と反対側の側辺部を互いに接触させるかもしくは接
触する程度に近接させた構造とするものである。
以下、本発明を実施例により詳細に説明する。
実施例１
第１図は本発明の一実施例による磁気抵抗効果型薄膜ヘ
ッドの断面図を示すものである６本実施例による磁気抵
抗効果型薄膜ヘッドは、基板１上にパーマロイや非晶質
磁性体からなる下部シールド層２を積層し、その上にＳ
ｉｎ、などの絶縁層３を介して磁気抵抗効果を有するＮ
ｉ −Ｆ ｅ膜やＮ１−Ｇｏ膜からなる磁気抵抗素子
４を設ける６さらに絶縁層３を介して磁気抵抗素子と重
なるようにバイアス磁界印加手段としての軟磁性体薄膜
５を設ける。磁気抵抗素子４および軟磁性体薄膜５の両
者の磁性媒体対向面７と反対側の側辺部Ａを互いに接触
させる。そして、さらに軟磁性体薄膜５上に絶縁層３を
介して下部シールド層２と同じ材質の上部シールド層６
を積層した構成となっている。なお、この他、磁気抵抗
素子に素子電流を流すために素子の両端に導電体層が設
けられているが、本図では省略しである。また軟磁性体
薄膜は、パーマロイや非晶質磁性体で作成されている。
ッドの断面図を示すものである６本実施例による磁気抵
抗効果型薄膜ヘッドは、基板１上にパーマロイや非晶質
磁性体からなる下部シールド層２を積層し、その上にＳ
ｉｎ、などの絶縁層３を介して磁気抵抗効果を有するＮ
ｉ −Ｆ ｅ膜やＮ１−Ｇｏ膜からなる磁気抵抗素子
４を設ける６さらに絶縁層３を介して磁気抵抗素子と重
なるようにバイアス磁界印加手段としての軟磁性体薄膜
５を設ける。磁気抵抗素子４および軟磁性体薄膜５の両
者の磁性媒体対向面７と反対側の側辺部Ａを互いに接触
させる。そして、さらに軟磁性体薄膜５上に絶縁層３を
介して下部シールド層２と同じ材質の上部シールド層６
を積層した構成となっている。なお、この他、磁気抵抗
素子に素子電流を流すために素子の両端に導電体層が設
けられているが、本図では省略しである。また軟磁性体
薄膜は、パーマロイや非晶質磁性体で作成されている。
このような構成の磁気抵抗効果型薄膜ヘッドでは、磁気
抵抗素子４に導電体層より素子電流を流し、その素子電
流の作る電流磁界が、例えば第１図で矢印で示すような
方向の磁界が、該軟磁性体薄膜５を通って再び該磁気抵
抗素子４にバイアス磁界として掛り、該ヘッドの再生動
作が可能な状態となる。従来のこのようなバイアス方式
の磁気抵抗効果型薄膜ヘッドでは、上記バイアス磁界が
磁気シールド層２，６に吸われて低下するため。
抵抗素子４に導電体層より素子電流を流し、その素子電
流の作る電流磁界が、例えば第１図で矢印で示すような
方向の磁界が、該軟磁性体薄膜５を通って再び該磁気抵
抗素子４にバイアス磁界として掛り、該ヘッドの再生動
作が可能な状態となる。従来のこのようなバイアス方式
の磁気抵抗効果型薄膜ヘッドでは、上記バイアス磁界が
磁気シールド層２，６に吸われて低下するため。
適当なバイアス磁界強度を保持するために磁気抵抗素子
４と軟磁性体薄膜５との間の絶縁層３の厚さを極めて薄
＜Ｌ（０，１μｍ未満）、素子電流を増加しなければな
らない。しかし、本発明によれば、第１図に示したよう
に磁気抵抗素子４と軟磁性体薄膜５とはＡ部において接
触させているので、磁気抵抗素子４と軟磁性体薄膜５と
の間の磁気抵抗は大幅に低下し、両者は良好な磁気回路
を構成する。したがって、軟磁性体薄膜５を通った電流
磁界はほとんど磁気シールド層に吸われることなく大部
分が磁気抵抗素子４に戻ることななり。
４と軟磁性体薄膜５との間の絶縁層３の厚さを極めて薄
＜Ｌ（０，１μｍ未満）、素子電流を増加しなければな
らない。しかし、本発明によれば、第１図に示したよう
に磁気抵抗素子４と軟磁性体薄膜５とはＡ部において接
触させているので、磁気抵抗素子４と軟磁性体薄膜５と
の間の磁気抵抗は大幅に低下し、両者は良好な磁気回路
を構成する。したがって、軟磁性体薄膜５を通った電流
磁界はほとんど磁気シールド層に吸われることなく大部
分が磁気抵抗素子４に戻ることななり。
絶縁層３の厚み（０，１μｍ以上）を特に薄くしなくと
も、また素子電流を特に増加しなくとも適当なバイアス
磁界適度を保つことが可能となる。
も、また素子電流を特に増加しなくとも適当なバイアス
磁界適度を保つことが可能となる。
すなわち本発明は、磁気抵抗素子４の素子電流による電
流磁界を効率よく軟磁性体薄膜５を通して効率よく磁気
抵抗素子４に戻してバイアス磁界となす効果を有する。
流磁界を効率よく軟磁性体薄膜５を通して効率よく磁気
抵抗素子４に戻してバイアス磁界となす効果を有する。
もちろん、本発明は磁気抵抗素子４と軟磁性体薄膜５と
の間の絶縁層３の厚さを極めて薄くした場合にはさらに
有効となることはいうまでもない。したがって、また、
本発明によれば、磁気抵抗素子４と軟磁性体薄膜５とが
接触することになりわずかな出力の低下はあるが。
の間の絶縁層３の厚さを極めて薄くした場合にはさらに
有効となることはいうまでもない。したがって、また、
本発明によれば、磁気抵抗素子４と軟磁性体薄膜５とが
接触することになりわずかな出力の低下はあるが。
素子の発熱によるヘッドの熱ノイズの増加や大幅な出力
の低下の恐れはなくなる。なお、上述したような効果は
磁気抵抗素子４と軟磁性体薄膜５の積層関係を逆にした
場合でも同様である。
の低下の恐れはなくなる。なお、上述したような効果は
磁気抵抗素子４と軟磁性体薄膜５の積層関係を逆にした
場合でも同様である。
実施例２
第２図は、本発明の他の実施例による磁気抵抗効果薄膜
ヘッドの断面図を示すものである。本実施例では、上記
実施例の１第１＠に示した磁気抵抗効果型薄膜ヘッドの
該磁気抵抗素子４と軟磁性体薄膜５の媒体対向面７と反
対側の側辺部Ａを接触ではなく、互いに接触する程度（
両者の間隔は０．１μｍ未満）に近接させた構成となっ
ており、その他の構成は全く同様である。したがって、
本実施例による磁気抵抗効果型薄膜ヘッドの動作も実施
例１と全く同様であり、その効果も実施例１の場合とほ
とんど変わらなかった。
ヘッドの断面図を示すものである。本実施例では、上記
実施例の１第１＠に示した磁気抵抗効果型薄膜ヘッドの
該磁気抵抗素子４と軟磁性体薄膜５の媒体対向面７と反
対側の側辺部Ａを接触ではなく、互いに接触する程度（
両者の間隔は０．１μｍ未満）に近接させた構成となっ
ており、その他の構成は全く同様である。したがって、
本実施例による磁気抵抗効果型薄膜ヘッドの動作も実施
例１と全く同様であり、その効果も実施例１の場合とほ
とんど変わらなかった。
実施例３
第３図は本発明のさらに他の実施例による磁気抵抗効果
型薄膜ヘッドの断面図を示すものである。
型薄膜ヘッドの断面図を示すものである。
本実施例では、上記実施例２の第２図に示した磁気抵抗
効果型薄膜ヘッドとは異なる方法で、磁気抵抗素子４と
軟磁性体薄膜５とを媒体対向面７と反対側の側辺部で互
いに接触する程度（両者の間隔は０．１μｍ未満）に近
接させた構成となっており、その他の構成は実施例１の
場合と全く同様である。したがって、本実施例による磁
気抵抗効果型薄膜ヘッドの動作も実施例１と全く同様で
あり、その効果も実施例１の場合とほとんど変わらなか
った。
効果型薄膜ヘッドとは異なる方法で、磁気抵抗素子４と
軟磁性体薄膜５とを媒体対向面７と反対側の側辺部で互
いに接触する程度（両者の間隔は０．１μｍ未満）に近
接させた構成となっており、その他の構成は実施例１の
場合と全く同様である。したがって、本実施例による磁
気抵抗効果型薄膜ヘッドの動作も実施例１と全く同様で
あり、その効果も実施例１の場合とほとんど変わらなか
った。
本発明によれば、上記磁気抵抗素子と上記軟磁性体薄膜
の磁性媒体対向面と反対側の側辺部を互いに接触または
接触する程度に近接させているので、磁気抵抗素子と軟
磁性体薄膜との間の磁気抵抗を磁気抵抗素子と上記磁気
シールド層との間の磁気抵抗に比べて大幅に低下するこ
とができ、磁気抵抗素子と軟磁性体薄膜とは良好な磁気
回路を形成する。したがって、磁気シールド層を有する
磁気抵抗効果型薄膜ヘッドの場合でも、磁気抵抗素子に
流れる素子電流の作る電流磁界は該磁気シールド層に吸
わ九ることなく軟磁性体薄膜を通って大部分が磁気抵抗
素子に戻ることになる。すなわち、本発明は、上記電流
磁界を効率よく軟磁性体薄膜を通して効率よく磁気抵抗
素子に戻してバイアス磁界となす効果がある。したがっ
てまた、それにより、磁気シールド層の有る場合にも素
子電流を特に増加しなくても、磁気抵抗素子と軟磁性体
薄膜との間の絶縁層の厚さを特に薄くしなくても適当な
バイアス磁界強度を保持することができるので、素子電
流の増加によるヘッドのノイズの増加やあるいは絶縁層
を薄くすることによる出力の大幅な低下をも防ぐ効果が
ある。
の磁性媒体対向面と反対側の側辺部を互いに接触または
接触する程度に近接させているので、磁気抵抗素子と軟
磁性体薄膜との間の磁気抵抗を磁気抵抗素子と上記磁気
シールド層との間の磁気抵抗に比べて大幅に低下するこ
とができ、磁気抵抗素子と軟磁性体薄膜とは良好な磁気
回路を形成する。したがって、磁気シールド層を有する
磁気抵抗効果型薄膜ヘッドの場合でも、磁気抵抗素子に
流れる素子電流の作る電流磁界は該磁気シールド層に吸
わ九ることなく軟磁性体薄膜を通って大部分が磁気抵抗
素子に戻ることになる。すなわち、本発明は、上記電流
磁界を効率よく軟磁性体薄膜を通して効率よく磁気抵抗
素子に戻してバイアス磁界となす効果がある。したがっ
てまた、それにより、磁気シールド層の有る場合にも素
子電流を特に増加しなくても、磁気抵抗素子と軟磁性体
薄膜との間の絶縁層の厚さを特に薄くしなくても適当な
バイアス磁界強度を保持することができるので、素子電
流の増加によるヘッドのノイズの増加やあるいは絶縁層
を薄くすることによる出力の大幅な低下をも防ぐ効果が
ある。
第１図は本発明の実施例１による磁気抵抗効果型薄膜ヘ
ッドの断面図、第２図は本発明の実施例２による磁気抵
抗効果型薄膜ヘッドの断面図、第３図は本発明の実施例
３による磁気抵抗効果型薄膜ヘッドの断面図である。 １・・・基板、２・・・下部シールド層、３・・・絶縁
層、４・・・磁気抵抗素子、５・・・軟磁性体薄膜、６
・・・上部シールド層、７・・・磁性媒体対向面。 茅１ 図 Ｍ２ 図
ッドの断面図、第２図は本発明の実施例２による磁気抵
抗効果型薄膜ヘッドの断面図、第３図は本発明の実施例
３による磁気抵抗効果型薄膜ヘッドの断面図である。 １・・・基板、２・・・下部シールド層、３・・・絶縁
層、４・・・磁気抵抗素子、５・・・軟磁性体薄膜、６
・・・上部シールド層、７・・・磁性媒体対向面。 茅１ 図 Ｍ２ 図
Claims (1)
- １、磁性媒体に記録された信号磁界を読み取るための磁
気抵抗素子と、該磁気抵抗素子に素子電流を流すための
導電体層と、素子電流の作る電流磁界を該磁気抵抗素子
に戻してバイアス磁界と成すような効果を有する軟磁性
体薄膜とを有する磁気抵抗効果型薄膜ヘッドにおいて、
該磁気抵抗素子および該軟磁性体薄膜の媒体対向面と反
対側の側辺部を互いに接触させるか、もしくは接触する
程度に近接させることを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜
ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60082333A JPS61242315A (ja) | 1985-04-19 | 1985-04-19 | 磁気抵抗効果型薄膜ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60082333A JPS61242315A (ja) | 1985-04-19 | 1985-04-19 | 磁気抵抗効果型薄膜ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61242315A true JPS61242315A (ja) | 1986-10-28 |
Family
ID=13771631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60082333A Pending JPS61242315A (ja) | 1985-04-19 | 1985-04-19 | 磁気抵抗効果型薄膜ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61242315A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1991015012A2 (en) * | 1990-03-29 | 1991-10-03 | Eastman Kodak Company | Shorted dual element magnetoresistive reproduce head exhibiting high density signal amplification |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5572443U (ja) * | 1978-11-15 | 1980-05-19 | ||
| JPS56116130U (ja) * | 1980-01-31 | 1981-09-05 | ||
| JPS56144464U (ja) * | 1980-03-31 | 1981-10-31 | ||
| JPS56173928U (ja) * | 1980-05-28 | 1981-12-22 | ||
| JPS57137448U (ja) * | 1981-02-20 | 1982-08-27 | ||
| JPS57210187A (en) * | 1981-06-19 | 1982-12-23 | Sanyo Electric Co Ltd | Cylinder fixing method for enclosed type compressor |
| JPS598434U (ja) * | 1982-07-08 | 1984-01-19 | 大村技研株式会社 | タイル |
| JPS5991334U (ja) * | 1982-12-14 | 1984-06-21 | 住友重機械工業株式会社 | コ−クガイド車用ケ−ジ |
-
1985
- 1985-04-19 JP JP60082333A patent/JPS61242315A/ja active Pending
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