JPS59221823A - 磁気抵抗効果型磁気ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘツドInfo
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- JPS59221823A JPS59221823A JP9605183A JP9605183A JPS59221823A JP S59221823 A JPS59221823 A JP S59221823A JP 9605183 A JP9605183 A JP 9605183A JP 9605183 A JP9605183 A JP 9605183A JP S59221823 A JPS59221823 A JP S59221823A
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3945—Heads comprising more than one sensitive element
- G11B5/3948—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
- G11B5/58—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed with provision for moving the head for the purpose of maintaining alignment of the head relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は薄膜磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子という）
を用いた多チヤンネル型の磁気抵抗効果型磁気ヘッドに
係わる。
を用いた多チヤンネル型の磁気抵抗効果型磁気ヘッドに
係わる。
背景技術とその問題点
ＭＲ素子による磁気ヘッドにおいては、各チャンネルに
関するＭＲ素子が、これに対する外部磁界すなわち磁気
記録媒体上の記録によって得られる信号磁界によって出
力を得るためにはこのＭＲ素子に定電流を流してこのＭ
Ｒ素子における外部磁界による抵抗変化に基づく電圧変
化によって出力を取出す必要がある。この場合、各チャ
ンネルに関して外部の独立の複数の定電流源からいわゆ
るセンス電流すなわち定電流を供給するようにするには
回路構成が複雑となるなど種々の問題がある。したがっ
てこの種ＭＲ素子による多チャンネル磁気ヘッドにおい
ては、外部の定電圧電源から各ＭＢ２子を並列にして定
電流を供給するようにすることが望まれる。ところがこ
の場合、各チャンネルのＭＲ素子にはこれに直列に定電
流を得るための定抵抗を接続する必要がある。
関するＭＲ素子が、これに対する外部磁界すなわち磁気
記録媒体上の記録によって得られる信号磁界によって出
力を得るためにはこのＭＲ素子に定電流を流してこのＭ
Ｒ素子における外部磁界による抵抗変化に基づく電圧変
化によって出力を取出す必要がある。この場合、各チャ
ンネルに関して外部の独立の複数の定電流源からいわゆ
るセンス電流すなわち定電流を供給するようにするには
回路構成が複雑となるなど種々の問題がある。したがっ
てこの種ＭＲ素子による多チャンネル磁気ヘッドにおい
ては、外部の定電圧電源から各ＭＢ２子を並列にして定
電流を供給するようにすることが望まれる。ところがこ
の場合、各チャンネルのＭＲ素子にはこれに直列に定電
流を得るための定抵抗を接続する必要がある。
発明の目的
本発明においては各チャンネルにおけるＭ Ｒ素子に直
列に定電流用抵抗を接続し、各ＭＲ素子を並列に外部の
定電圧源に接続して定電流を得るようにした構成をとる
磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、各チャンネルにお
けるＭＲ素子に対応して設けられる定電流用抵抗素子の
形成を容易確実に且つこれら抵抗素子のＭＲ素子に対す
る接続を容易且つ確実に行うことができるようにしてそ
の製造の簡易化、量産性を図った磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドを提供するものである。
列に定電流用抵抗を接続し、各ＭＲ素子を並列に外部の
定電圧源に接続して定電流を得るようにした構成をとる
磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、各チャンネルにお
けるＭＲ素子に対応して設けられる定電流用抵抗素子の
形成を容易確実に且つこれら抵抗素子のＭＲ素子に対す
る接続を容易且つ確実に行うことができるようにしてそ
の製造の簡易化、量産性を図った磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドを提供するものである。
発明の概要
まず、第１図を参照して本発明による磁気抵抗効果型磁
気ヘッドの電気的構成を説明するに、図においてＭＲ８
１＋ ＭＲｌ、 ＭＲ２、ＭＲ３＝−ＭＲ８２は各チャ
ンネルに対応して設けられたＭＲ素子で、両側のＭＲ素
子ＭＲ８□及びＭＦＬ３２は、磁気記録媒体の幅方向の
位置を検出するもので６Ｄ、ＭＲｌ、 ＭＦＬ２・・・
は、各記録トラック土の記録を読み出すものであシ、こ
れらＭＲ素子は外部信号磁界すなわち磁気記録媒体よシ
の記録信号磁界に応じてその抵抗値が変化するＭＲ素子
を示し、各ＭＲ素子の一端に定電流用抵抗の定抵抗Ｒが
直列に接続され、その接続中点から各チャンネルに対応
する出力端子ｆｉｌｅｔｌ ｌ ｔ２＋ ｔ３・・・・
・・ｔｓψ−導出される。各ＭＲ素子、ＭＲｌ。
気ヘッドの電気的構成を説明するに、図においてＭＲ８
１＋ ＭＲｌ、 ＭＲ２、ＭＲ３＝−ＭＲ８２は各チャ
ンネルに対応して設けられたＭＲ素子で、両側のＭＲ素
子ＭＲ８□及びＭＦＬ３２は、磁気記録媒体の幅方向の
位置を検出するもので６Ｄ、ＭＲｌ、 ＭＦＬ２・・・
は、各記録トラック土の記録を読み出すものであシ、こ
れらＭＲ素子は外部信号磁界すなわち磁気記録媒体よシ
の記録信号磁界に応じてその抵抗値が変化するＭＲ素子
を示し、各ＭＲ素子の一端に定電流用抵抗の定抵抗Ｒが
直列に接続され、その接続中点から各チャンネルに対応
する出力端子ｆｉｌｅｔｌ ｌ ｔ２＋ ｔ３・・・・
・・ｔｓψ−導出される。各ＭＲ素子、ＭＲｌ。
ＭＲ２、ＭＲ３・・・の各他端は例えば接地され、また
各定抵抗Ｒの他端は定電圧電源Ｓに接続されて一定の電
圧が与えられるようになされるものである。
各定抵抗Ｒの他端は定電圧電源Ｓに接続されて一定の電
圧が与えられるようになされるものである。
尚、ここに定抵抗Ｒは各ＭＲ素子の抵抗と同等の抵抗値
に設定される。
に設定される。
本発明においては、このような電気的構成をとるもので
あって、この場合基板上に各チャンネルに対応する上述
したＭＲ素子、すなわち、各記録トラックに対するＭＲ
素子ＭＲ１，ＭＲ２，ＭＲ３・・・更にこれらＭＲ素子
の両側に配置され磁気記録媒体の位置検出に供するＭＲ
素子ＭＲ８１１ＭＲ８２を形成するものであるが、特に
本発明においてはこれらＭＲ素子と共にこれらに近接し
た位置に定電流用抵抗素子Ｒを構成する薄膜抵抗素子を
被着形成する。そしてこれら薄膜抵抗素子Ｒの一端を対
応する各ＭＲ素子の一端に接続させて両者を夫々直列接
続する。また、各ＭＲ素子の他端には一定電位例えば接
地電位を与え、また、定電流用抵抗素子Ｒの各他端には
、所定の電位を与えるべく外部の定電圧電源に接続する
。また上述した基板上には、その各ＭＲ素子とこれに直
列接続される定電流用 ″抵抗素子との接続中点よシ
夫々信号取シ出し用導電体を接続して、これよ多出力端
子を導出するようになす。
あって、この場合基板上に各チャンネルに対応する上述
したＭＲ素子、すなわち、各記録トラックに対するＭＲ
素子ＭＲ１，ＭＲ２，ＭＲ３・・・更にこれらＭＲ素子
の両側に配置され磁気記録媒体の位置検出に供するＭＲ
素子ＭＲ８１１ＭＲ８２を形成するものであるが、特に
本発明においてはこれらＭＲ素子と共にこれらに近接し
た位置に定電流用抵抗素子Ｒを構成する薄膜抵抗素子を
被着形成する。そしてこれら薄膜抵抗素子Ｒの一端を対
応する各ＭＲ素子の一端に接続させて両者を夫々直列接
続する。また、各ＭＲ素子の他端には一定電位例えば接
地電位を与え、また、定電流用抵抗素子Ｒの各他端には
、所定の電位を与えるべく外部の定電圧電源に接続する
。また上述した基板上には、その各ＭＲ素子とこれに直
列接続される定電流用 ″抵抗素子との接続中点よシ
夫々信号取シ出し用導電体を接続して、これよ多出力端
子を導出するようになす。
実施例
第２図ないし第４図を参照して本発明による磁気抵抗効
果型磁気ヘッドの一例を説明する。第２図はこの磁気ヘ
ッドの路線的拡大平面図を示し、第３図及び第４図は第
２図中ｈ−Ａ′及びＢ −１線上の夫々の拡大断面図を
示す。
果型磁気ヘッドの一例を説明する。第２図はこの磁気ヘ
ッドの路線的拡大平面図を示し、第３図及び第４図は第
２図中ｈ−Ａ′及びＢ −１線上の夫々の拡大断面図を
示す。
本発明においては磁性基板（１）を設ける。この場合こ
の基板（１）が例えばＭｎ−Ｚｎ系フェライトのような
導電性を有する場合には５１０２等の絶縁層（３）を被
覆する。この絶縁層（３）下には金属層例えばＡ９゜層
（２＋を１００〜２０００Ｘ程度の厚さにスパッタ等に
よって被着し、この金属層（２）の介在によって絶縁層
（３）をＭｎ−Ｚｎ系フェライト等の基板（１）に良好
に密着できるようにする。そして基板（１）上にすなわ
ち基板（１）上に形成された絶縁層（３）上に各記録ト
ラックに対応するチャンネルｃｂ１ 、 ｃｈ２ 、
ｃｈ３・・・とその両側に配置される磁気媒体の幅方向
の位置検出用のチャンネルＣｈＳｌ ＋ ｃｈ５２の各
ＭＲ素子に対して共通にバイアス磁界を与えるバイアス
磁界発生用の電流を通ずるバイアス導体（４）を各チャ
ンネルの配列方向に沿って延在被着すると共に各配線導
体（５）を被着形成する。これら導体（４）及び（５）
は金属層を全面的に蒸着、スパッタリング等によって形
成し、リングラフィ技術によってこれを選択的にエツチ
ング除去して、夫々所定のパターンに形成し得る。
の基板（１）が例えばＭｎ−Ｚｎ系フェライトのような
導電性を有する場合には５１０２等の絶縁層（３）を被
覆する。この絶縁層（３）下には金属層例えばＡ９゜層
（２＋を１００〜２０００Ｘ程度の厚さにスパッタ等に
よって被着し、この金属層（２）の介在によって絶縁層
（３）をＭｎ−Ｚｎ系フェライト等の基板（１）に良好
に密着できるようにする。そして基板（１）上にすなわ
ち基板（１）上に形成された絶縁層（３）上に各記録ト
ラックに対応するチャンネルｃｂ１ 、 ｃｈ２ 、
ｃｈ３・・・とその両側に配置される磁気媒体の幅方向
の位置検出用のチャンネルＣｈＳｌ ＋ ｃｈ５２の各
ＭＲ素子に対して共通にバイアス磁界を与えるバイアス
磁界発生用の電流を通ずるバイアス導体（４）を各チャ
ンネルの配列方向に沿って延在被着すると共に各配線導
体（５）を被着形成する。これら導体（４）及び（５）
は金属層を全面的に蒸着、スパッタリング等によって形
成し、リングラフィ技術によってこれを選択的にエツチ
ング除去して、夫々所定のパターンに形成し得る。
また配線導体（５）としては、後述する各ＭＲ素子の一
端と、同様に後述する定電流用抵抗素子の一端とを接続
するに供する配線導体（５ａ）と、この配線導体（５ａ
）から外部に各出力端子を導出するに供する信号とシ出
し用の配線導体（５ｂ）と、更に各ＭＲ素子の他端とこ
れに所定の電位、例えば接地電位を印加する給電配線と
を接続するに供する配線導体（５Ｃ）と、更に必要に応
じて定電流用抵抗素子の他端に接続される島状導体（５
ｄ）とを設けてなる。
端と、同様に後述する定電流用抵抗素子の一端とを接続
するに供する配線導体（５ａ）と、この配線導体（５ａ
）から外部に各出力端子を導出するに供する信号とシ出
し用の配線導体（５ｂ）と、更に各ＭＲ素子の他端とこ
れに所定の電位、例えば接地電位を印加する給電配線と
を接続するに供する配線導体（５Ｃ）と、更に必要に応
じて定電流用抵抗素子の他端に接続される島状導体（５
ｄ）とを設けてなる。
そしてこれらバイアス導体（４）及び配線導体（５）を
覆って、５ｉ０２等の絶縁層（６）を被覆し、この絶縁
層（６）に同様にリソグラフィによって各チャンネルの
ＭＲ素子の両端が夫々接続される配線導体（５ａ）及び
（５Ｃ）の端部上に夫々ＭＲ素子の両端を接続するに供
するコンタクト用窓（７ａ）及び（７Ｃ）を穿設すると
同時に同様に配線導体（５ａ）の他端と島状導体（５ｄ
）上に夫々後述する定電流用抵抗素子の各両端を接続す
るに供するコンタクト用窓（７ａつ及び（７ｄ）を穿設
する。そしてこれら各窓（７ａ）、 （７ａ’）、 （
７ｃ）。
覆って、５ｉ０２等の絶縁層（６）を被覆し、この絶縁
層（６）に同様にリソグラフィによって各チャンネルの
ＭＲ素子の両端が夫々接続される配線導体（５ａ）及び
（５Ｃ）の端部上に夫々ＭＲ素子の両端を接続するに供
するコンタクト用窓（７ａ）及び（７Ｃ）を穿設すると
同時に同様に配線導体（５ａ）の他端と島状導体（５ｄ
）上に夫々後述する定電流用抵抗素子の各両端を接続す
るに供するコンタクト用窓（７ａつ及び（７ｄ）を穿設
する。そしてこれら各窓（７ａ）、 （７ａ’）、 （
７ｃ）。
（７ｄ）上を含んで例えば全面的にＭＲ効果を有する金
属層例えばＮｉ−Ｆｅ系合金或いはＮｉ−Ｃｏ系合金薄
膜を蒸着、スパッタリング等によって全面的に形成し、
同様にリソグラフィ技術によって選択的にエツチング除
去して各チャンネルに対応すルＭＲ素子ＭＲｓ１． Ｍ
Ｒ，、ＭＲ２，ＭＲ３−・−ＭＲｓ２を共通のバイアス
導体（４）上に形成すると共に、その両端から各配線導
体（５ａ）及び（５Ｃ）の端部上に形成したコンタクト
窓（７ａ）及び（７Ｃ）に延在させてこれら各ＭＲ素子
の両端を夫々の対応する配線導体（５ａ）及び（５Ｃ）
に電気的に接続させる。一方この各ＭＲ素子の形成と同
時に導体（５ａ）及び（５ｄ）の各コンタクト窓（７ａ
’ ）及び（７ａ勺間に差し渡って例えば帯状）ｅター
ンに定電流用抵抗素子Ｒを形成する。尚、この場合にお
いては、抵抗素子ＲとＭＲ素子とを同一の金属層による
パターン化によって同時に形成した場合であるが、ある
場合はこれらを別工程によって夫々異なる抵抗体層によ
って形成することもできる。そして更にこれら各ＭＲ素
子及び定電流用抵抗素子Ｒ上を含んで５ｉ０２等の絶縁
層（８）を全面的に被着形成する。そして基板（１）上
に積層形成された各絶縁層、特に基板（１）の前方端縁
上圧臨む各チャンネルの形成部において、必要に応じて
これら絶縁層の積層部を所要の厚さすなわち最終的に得
る磁気ギャップ長に対応する厚さにエツチング除去し、
更に各ＭＲ素子ＭＩｔＳ、 、 ＭＲ，、ＭＲ２・・・
・・・ＭＲ８２の各両端、すなわち図においてコ字状パ
ターンの端部間に挟まれる部分における基板（１）上の
金属層（２）或いは絶縁層（３１、（６） 、 （８１
を必要に応じてエツチング除去して後述する上部磁性体
層の基板（１）に対するコンタクト用の窓（９）を穿設
する。そ≦ してこのコンタクト窓（９）、更に磁気ギヤング部を含
んで各ＭＲ素子上を跨ぐように例えばバーマロ、センダ
スト等の高透磁率磁性合金層をスパッタリング等によっ
て被着しフォトリソグラフィによってこれをツクターン
化して各チャンネルＣｈｓｌ＋ｃｈｌ 、 ｃｈ２ 、
ｃｈ３−・・・ｃｈ５２に対応して各ＭＲ素子ＭＲｓ
１ 、 ＭＦＬｌ、 ｂｉＲ２、ＭＲ３・・曲ＭＲｓ２
上に所要の間隙ｄを保持して対向する対の磁気コア部と
なる上部磁性体（１０ａ）及び（１０ｂ）を例えば帯状
に形成する。この上部磁性体（１０ａ）及び（１０ｂ）
は夫々ＭＲ素子を横切る方向に延長して形成され、前方
の上部磁性体（１０ａ）は基板（１）の前方端から各Ｍ
Ｒ素子上に跨がシ、また後方の上部磁性体（１０ｂ）は
ＭＲ素子上からコンタクト窓（９）を通じて基板（１）
に磁気的に密に結合される。このようにして各チャンネ
ルｃｈｓ１ 、 ｃ’ｈ１ 、 ｃｈ２ 、 ｃｈ３−
−Ｃｈ５２ に関して基板（１）と上部磁性体（１０ａ
）及び（１０ｂ）によってＭＲ素子ＭＲ８１，ＭＲｌ、
ＭＲ２、ＭＲ３，叩−ＭＲｓ２を含んで夫夫の閉磁路
が形成される。一方、抵抗素子Ｒの他端、上の絶縁層（
８）にコンタクト窓（ｌｉｄ）を穿設し、また配線導体
（５Ｃ）の他端上の絶縁層（８）とこれの下の絶縁層（
６）にコンタクト窓（ｌｌｃ）を穿設し各窓（１１ｃ）
及び（ｌｌｄ）に対応して夫々各チャンネル部を横切る
ように共通の給電配線導体（１２１及び［１３１を例え
ば全面蒸着、フォトリソグラフィによるエツチングによ
るパターン化によって形成する。給電配線導体（１２１
には所定の電位例えば接地電位を与え、他方の配線導体
（１３１は外部の定電圧源Ｓに接続して所定の電位を与
える。また基板（１）の前方縁とこれに臨む上部磁性体
（１０ａ）の前方部とを全体的に研磨して磁気媒体との
対接面Ｉを形成する。このようにして磁気媒体との対接
面Ｉに臨んで上部磁性体（１０ａ）と基板（１）との間
に金属層（２）或いは絶縁層（３）等によって規制され
るギャップ長ρを有する磁気ギャップｇが夫々形成され
る。
属層例えばＮｉ−Ｆｅ系合金或いはＮｉ−Ｃｏ系合金薄
膜を蒸着、スパッタリング等によって全面的に形成し、
同様にリソグラフィ技術によって選択的にエツチング除
去して各チャンネルに対応すルＭＲ素子ＭＲｓ１． Ｍ
Ｒ，、ＭＲ２，ＭＲ３−・−ＭＲｓ２を共通のバイアス
導体（４）上に形成すると共に、その両端から各配線導
体（５ａ）及び（５Ｃ）の端部上に形成したコンタクト
窓（７ａ）及び（７Ｃ）に延在させてこれら各ＭＲ素子
の両端を夫々の対応する配線導体（５ａ）及び（５Ｃ）
に電気的に接続させる。一方この各ＭＲ素子の形成と同
時に導体（５ａ）及び（５ｄ）の各コンタクト窓（７ａ
’ ）及び（７ａ勺間に差し渡って例えば帯状）ｅター
ンに定電流用抵抗素子Ｒを形成する。尚、この場合にお
いては、抵抗素子ＲとＭＲ素子とを同一の金属層による
パターン化によって同時に形成した場合であるが、ある
場合はこれらを別工程によって夫々異なる抵抗体層によ
って形成することもできる。そして更にこれら各ＭＲ素
子及び定電流用抵抗素子Ｒ上を含んで５ｉ０２等の絶縁
層（８）を全面的に被着形成する。そして基板（１）上
に積層形成された各絶縁層、特に基板（１）の前方端縁
上圧臨む各チャンネルの形成部において、必要に応じて
これら絶縁層の積層部を所要の厚さすなわち最終的に得
る磁気ギャップ長に対応する厚さにエツチング除去し、
更に各ＭＲ素子ＭＩｔＳ、 、 ＭＲ，、ＭＲ２・・・
・・・ＭＲ８２の各両端、すなわち図においてコ字状パ
ターンの端部間に挟まれる部分における基板（１）上の
金属層（２）或いは絶縁層（３１、（６） 、 （８１
を必要に応じてエツチング除去して後述する上部磁性体
層の基板（１）に対するコンタクト用の窓（９）を穿設
する。そ≦ してこのコンタクト窓（９）、更に磁気ギヤング部を含
んで各ＭＲ素子上を跨ぐように例えばバーマロ、センダ
スト等の高透磁率磁性合金層をスパッタリング等によっ
て被着しフォトリソグラフィによってこれをツクターン
化して各チャンネルＣｈｓｌ＋ｃｈｌ 、 ｃｈ２ 、
ｃｈ３−・・・ｃｈ５２に対応して各ＭＲ素子ＭＲｓ
１ 、 ＭＦＬｌ、 ｂｉＲ２、ＭＲ３・・曲ＭＲｓ２
上に所要の間隙ｄを保持して対向する対の磁気コア部と
なる上部磁性体（１０ａ）及び（１０ｂ）を例えば帯状
に形成する。この上部磁性体（１０ａ）及び（１０ｂ）
は夫々ＭＲ素子を横切る方向に延長して形成され、前方
の上部磁性体（１０ａ）は基板（１）の前方端から各Ｍ
Ｒ素子上に跨がシ、また後方の上部磁性体（１０ｂ）は
ＭＲ素子上からコンタクト窓（９）を通じて基板（１）
に磁気的に密に結合される。このようにして各チャンネ
ルｃｈｓ１ 、 ｃ’ｈ１ 、 ｃｈ２ 、 ｃｈ３−
−Ｃｈ５２ に関して基板（１）と上部磁性体（１０ａ
）及び（１０ｂ）によってＭＲ素子ＭＲ８１，ＭＲｌ、
ＭＲ２、ＭＲ３，叩−ＭＲｓ２を含んで夫夫の閉磁路
が形成される。一方、抵抗素子Ｒの他端、上の絶縁層（
８）にコンタクト窓（ｌｉｄ）を穿設し、また配線導体
（５Ｃ）の他端上の絶縁層（８）とこれの下の絶縁層（
６）にコンタクト窓（ｌｌｃ）を穿設し各窓（１１ｃ）
及び（ｌｌｄ）に対応して夫々各チャンネル部を横切る
ように共通の給電配線導体（１２１及び［１３１を例え
ば全面蒸着、フォトリソグラフィによるエツチングによ
るパターン化によって形成する。給電配線導体（１２１
には所定の電位例えば接地電位を与え、他方の配線導体
（１３１は外部の定電圧源Ｓに接続して所定の電位を与
える。また基板（１）の前方縁とこれに臨む上部磁性体
（１０ａ）の前方部とを全体的に研磨して磁気媒体との
対接面Ｉを形成する。このようにして磁気媒体との対接
面Ｉに臨んで上部磁性体（１０ａ）と基板（１）との間
に金属層（２）或いは絶縁層（３）等によって規制され
るギャップ長ρを有する磁気ギャップｇが夫々形成され
る。
上述したように本発明においては、共通の基板（１）上
に複数のチャンネルＣｈ８１１ Ｃｈｌ ＋ Ｃ１０＋
Ｃｈ３ ”’ｃｈ５２に対応する各ＭＲ素子による磁
気ヘッド素子が形成されるものであるが、各ＭＲ素子に
近接して夫々これと直列接続される定電流用抵抗素子Ｒ
が設けられるものであシ、またこの抵抗素子ｌ：ｔは例
えば各ＭＲ素子の形成と同時に形成し得るものであるの
でその製造は簡略化され、また両者の接続も確実且つ簡
単に行われる。
に複数のチャンネルＣｈ８１１ Ｃｈｌ ＋ Ｃ１０＋
Ｃｈ３ ”’ｃｈ５２に対応する各ＭＲ素子による磁
気ヘッド素子が形成されるものであるが、各ＭＲ素子に
近接して夫々これと直列接続される定電流用抵抗素子Ｒ
が設けられるものであシ、またこの抵抗素子ｌ：ｔは例
えば各ＭＲ素子の形成と同時に形成し得るものであるの
でその製造は簡略化され、また両者の接続も確実且つ簡
単に行われる。
発明の効果
上述したように本発明においては、共通の基板（１）上
に各チャンネルに対応するＭＲ素子を形成すると共に、
これに直列接続させる定電流用抵抗素子Ｒを形成するも
のでおってこれらは各チャンネルに対して同時に形成し
得、また各ＭＲ素子と抵抗素子Ｒとは例えば同一工程に
よって形成し得ることによって各抵抗値を各チャンネル
に関して確実正確に設定することができる。また各ＭＲ
素子、抵抗素子Ｉ（との接続を容易に行うことができる
ので、その構造が簡略化されまた製造工程も簡略化され
る。また信号導出のリード線は各チャンネルにおけるト
ラック幅に対応して充分大なる幅に選定し得るのでこれ
による分布抵抗を充分小となし得る０
に各チャンネルに対応するＭＲ素子を形成すると共に、
これに直列接続させる定電流用抵抗素子Ｒを形成するも
のでおってこれらは各チャンネルに対して同時に形成し
得、また各ＭＲ素子と抵抗素子Ｒとは例えば同一工程に
よって形成し得ることによって各抵抗値を各チャンネル
に関して確実正確に設定することができる。また各ＭＲ
素子、抵抗素子Ｉ（との接続を容易に行うことができる
ので、その構造が簡略化されまた製造工程も簡略化され
る。また信号導出のリード線は各チャンネルにおけるト
ラック幅に対応して充分大なる幅に選定し得るのでこれ
による分布抵抗を充分小となし得る０
第１図は本発明の説明に供する電気的構成を示す図、第
２図は本発明による磁気抵抗効果型磁気ヘッドの路線的
拡大平面図、第３図及び第４図は第２図Ａ−Ａ’及びＢ
−Ｂ／線上の夫々Ｑ拡犬断面図である。 （１）は基板、ｃｈｓｌ及びｃｈ５２は検出用チャンネ
ル、Ｃｈｌ、 ｃｈ２ 、 ｃｈ３・・・・・・は各記
録トラックに対するチャンネル、ＭＲ８Ｉ 、 ＭＲＢ
２ ｔ ＭＲｌ 、 ＭＲ２、ＭＲ３、＝はＭＲ素子、
（３） 、 （６） 、 （８１は絶縁層、（２）は金
属層、Ｒは定電流用抵抗素子である。
２図は本発明による磁気抵抗効果型磁気ヘッドの路線的
拡大平面図、第３図及び第４図は第２図Ａ−Ａ’及びＢ
−Ｂ／線上の夫々Ｑ拡犬断面図である。 （１）は基板、ｃｈｓｌ及びｃｈ５２は検出用チャンネ
ル、Ｃｈｌ、 ｃｈ２ 、 ｃｈ３・・・・・・は各記
録トラックに対するチャンネル、ＭＲ８Ｉ 、 ＭＲＢ
２ ｔ ＭＲｌ 、 ＭＲ２、ＭＲ３、＝はＭＲ素子、
（３） 、 （６） 、 （８１は絶縁層、（２）は金
属層、Ｒは定電流用抵抗素子である。
Claims (1)
- 基板上に、複数の磁気抵抗効果素子と、該各磁気抵抗効
果素子に対応し夫々互いに一端で直列接続された定電流
用抵抗素子とが形成され、上記複数の磁気抵抗素子の各
他端を所定の電位とし、上記各定電流用抵抗素子の他端
を所定の電位とし、上記磁気抵抗効果素子と上記定電流
用抵抗素子との各接続中点から夫々のチャンネルの出力
を取出すようにした磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9605183A JPS59221823A (ja) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9605183A JPS59221823A (ja) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59221823A true JPS59221823A (ja) | 1984-12-13 |
Family
ID=14154657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9605183A Pending JPS59221823A (ja) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59221823A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL1011679C2 (nl) * | 1999-03-26 | 2000-09-27 | Onstream B V | Magnetische flux-sensor. |
-
1983
- 1983-05-31 JP JP9605183A patent/JPS59221823A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL1011679C2 (nl) * | 1999-03-26 | 2000-09-27 | Onstream B V | Magnetische flux-sensor. |
| WO2000058742A1 (en) * | 1999-03-26 | 2000-10-05 | Onstream B.V. | Magnetic flux sensor |
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