JPH04121809A - 磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気ヘッド製造方法 - Google Patents
磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気ヘッド製造方法Info
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- JPH04121809A JPH04121809A JP2413620A JP41362090A JPH04121809A JP H04121809 A JPH04121809 A JP H04121809A JP 2413620 A JP2413620 A JP 2413620A JP 41362090 A JP41362090 A JP 41362090A JP H04121809 A JPH04121809 A JP H04121809A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
- G11B5/58—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed with provision for moving the head for the purpose of maintaining alignment of the head relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
［０００１］
本発明は一般的に、磁気抵抗変換器に関する。更に詳細
には本発明は、記録された信号情報の再生中に、トラッ
キング制御を行なう磁気抵抗ヘッドに関する。 ［０００２］
には本発明は、記録された信号情報の再生中に、トラッ
キング制御を行なう磁気抵抗ヘッドに関する。 ［０００２］
以前から知られているように、磁気媒体に書き込まれた
トラックからの磁気情報を読み取るために一般に用いら
れる磁気抵抗（ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ、以
下ＭＲと記す）素子は、ＭＲ素子が追跡している情報ト
ラックに関して全磁気ヘッドの位置を制御するために、
センタタップを有する構成で用いられる。これは、米国
特許第３．９１８．０９１号に示されている。各外側導
体と中央導体との間の電圧の差異は、ヘッドの位置を表
示すると言われている。米国特許第４．６３３．３４４
は、トラック上のデータから発信される信号を用いるト
ラッキングサーボ信号を提供するための、センタタップ
を有するＭＲ素子を示している。この特許は、サーボ信
号とデータ信号そのものとを区別するための特別の回路
構成を開示している。センタタップ付ＭＲセンサは、位
置決めサーボ情報がディスクスタック内の別の専用ディ
スク表面に記録されている伝統的なサーボシステムと異
なり、マイクロセクタのセクタサーボのようにヘッドが
使用されるトラック上にサーボ情報をはめ込むことによ
って生じる問題から逃れるための優れた方法を提供する
。セクタサーボ情報は、データを記憶するために用いら
れるはずのディスクのスペースを塞ぐので、読込み及び
書込み中に位置エラー信号を継続再生することを不可能
にしている。センタタップ付ＭＲセンサは、位置サーボ
信号を真のデータから直接引き出すことによって、この
問題を解決した。センタタップリード接続をＭＲ変換器
の中央へ加えるための直線急進的な設計は、問題を残し
た。ＭＲセンサ中央部の導体パッドは、磁気バイアスを
妨害すると共に、センサの中心部をショートさせた。こ
れによって、センタタップ付ＭＲセンサは、狭いトラッ
クには適用できないものとなった。ＭＲセンサの中央部
に於けるデッドセンタを取り除くことを目的とする三端
子ＭＲ変換器設計は、本発明の譲受人へ譲渡された米国
特許第４．０１２．７８１号に記載されている。ヘッド
は、実際には絶縁層によって隔てられた２つのＭＲ感知
素子を含んでいた。中央導体は、２つのＭＲセンサの活
性領域が、１つの連続した活性領域を形成するように、
位置決めされる。２つの別々の素子を製作するために要
求される追加の製造工程に加えて、この設計にはいくつ
かの制限があるが、これらは、本発明によって解決され
たものである。第１に、位置サーボ信号は２つのＭＲセ
ンサの出力の電位差として引き出されるので、ヘッドが
トラック上にあるときに電位差がゼロの信号を与えるた
めに、２つのＭＲセンサの感度は等しくなくてはならな
い。しかし、２つのＭＲセンサは異なる工程で組み立て
られ、２つのＭＲセンサの感度を同一にするのは難しい
ので、回路設計において電位差は許容されるべきである
。第２に、センサは絶縁層の厚さ及びディスク媒体の速
度に依存する僅かに異なる時間に於けるデータの位置を
それぞれ読み取っているので、もし磁気ヘッドがデータ
を読み取るためにも使用されるのであれば、２つのＭＲ
センサの出力間のフェーズラグは、回路設計に組み込ま
れるべきである。 ［０００３］ 従って、本発明の目的は、先行技術の不利な点を克服す
る、センタタップを有するＭＲセンサを提供することで
ある。 ［０００４］ 本発明の他の目的は、ＭＲセンサの感度を低下させない
データでサーボをかけるためのセンタタップを含むＭＲ
センサを提供することである。 ［０００５］ 本発明のなお一層の目的は、センタタップが外側導体と
自己整合すると共に、ＭＲセンサの２つのセクションが
それによって磁気特性及び物理特性が同一となっている
センタタップＭＲセンサを提供することである。 ［０００６］
トラックからの磁気情報を読み取るために一般に用いら
れる磁気抵抗（ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ、以
下ＭＲと記す）素子は、ＭＲ素子が追跡している情報ト
ラックに関して全磁気ヘッドの位置を制御するために、
センタタップを有する構成で用いられる。これは、米国
特許第３．９１８．０９１号に示されている。各外側導
体と中央導体との間の電圧の差異は、ヘッドの位置を表
示すると言われている。米国特許第４．６３３．３４４
は、トラック上のデータから発信される信号を用いるト
ラッキングサーボ信号を提供するための、センタタップ
を有するＭＲ素子を示している。この特許は、サーボ信
号とデータ信号そのものとを区別するための特別の回路
構成を開示している。センタタップ付ＭＲセンサは、位
置決めサーボ情報がディスクスタック内の別の専用ディ
スク表面に記録されている伝統的なサーボシステムと異
なり、マイクロセクタのセクタサーボのようにヘッドが
使用されるトラック上にサーボ情報をはめ込むことによ
って生じる問題から逃れるための優れた方法を提供する
。セクタサーボ情報は、データを記憶するために用いら
れるはずのディスクのスペースを塞ぐので、読込み及び
書込み中に位置エラー信号を継続再生することを不可能
にしている。センタタップ付ＭＲセンサは、位置サーボ
信号を真のデータから直接引き出すことによって、この
問題を解決した。センタタップリード接続をＭＲ変換器
の中央へ加えるための直線急進的な設計は、問題を残し
た。ＭＲセンサ中央部の導体パッドは、磁気バイアスを
妨害すると共に、センサの中心部をショートさせた。こ
れによって、センタタップ付ＭＲセンサは、狭いトラッ
クには適用できないものとなった。ＭＲセンサの中央部
に於けるデッドセンタを取り除くことを目的とする三端
子ＭＲ変換器設計は、本発明の譲受人へ譲渡された米国
特許第４．０１２．７８１号に記載されている。ヘッド
は、実際には絶縁層によって隔てられた２つのＭＲ感知
素子を含んでいた。中央導体は、２つのＭＲセンサの活
性領域が、１つの連続した活性領域を形成するように、
位置決めされる。２つの別々の素子を製作するために要
求される追加の製造工程に加えて、この設計にはいくつ
かの制限があるが、これらは、本発明によって解決され
たものである。第１に、位置サーボ信号は２つのＭＲセ
ンサの出力の電位差として引き出されるので、ヘッドが
トラック上にあるときに電位差がゼロの信号を与えるた
めに、２つのＭＲセンサの感度は等しくなくてはならな
い。しかし、２つのＭＲセンサは異なる工程で組み立て
られ、２つのＭＲセンサの感度を同一にするのは難しい
ので、回路設計において電位差は許容されるべきである
。第２に、センサは絶縁層の厚さ及びディスク媒体の速
度に依存する僅かに異なる時間に於けるデータの位置を
それぞれ読み取っているので、もし磁気ヘッドがデータ
を読み取るためにも使用されるのであれば、２つのＭＲ
センサの出力間のフェーズラグは、回路設計に組み込ま
れるべきである。 ［０００３］ 従って、本発明の目的は、先行技術の不利な点を克服す
る、センタタップを有するＭＲセンサを提供することで
ある。 ［０００４］ 本発明の他の目的は、ＭＲセンサの感度を低下させない
データでサーボをかけるためのセンタタップを含むＭＲ
センサを提供することである。 ［０００５］ 本発明のなお一層の目的は、センタタップが外側導体と
自己整合すると共に、ＭＲセンサの２つのセクションが
それによって磁気特性及び物理特性が同一となっている
センタタップＭＲセンサを提供することである。 ［０００６］
本発明によると、サーボ位置決めシステムと共に用いら
れる磁気抵抗（ＭＲ）変換器ヘッドアセンブリは、セン
タタップを有するＭＲ素子を組み込んでいる。 このＭＲ素子では、センタタップ導体は高抵抗率材料で
製造されるかあるいは高抵抗率構造を有しているので、
センタタップがＭＲ素子中央部にデッドゾーンを生じさ
せない。高抵抗率センタタップは、ＭＲ素子の磁気配列
又はバイアスを妨害してはならない。 ［０００７］ 好適実施例によると、サーボ調節システムと共に用いら
れる磁気抵抗変換器ヘッドアセンブリは、例えばタンタ
ル、ニクロム、又は蒸着カーボン薄膜のような高抵抗率
材料によって製造されるセンタタップ導体を組み込んで
いる。高抵抗率センタタップ導体は、ＭＲ素子の磁気配
列又はバイアスを妨害しない。 ［０００８］ 従って、本発明の目的は、磁気抵抗素子を用いた、高性
能化ヘッドアセンブリを提供することである。 ［０００９］ 本発明の他の目的は、改良されたサーボ位置決め操作の
ために接続されたセンタタップ導体を有する磁気抵抗素
子を提供することである。 ［００１０］ 更に他の目的は、高抵抗率センタタップ導体を含む磁気
抵抗素子を有するサーボ感知ヘッドアセンブリを提供す
ることである。 ［００１１］ 高抵抗率センタタップを有するＭＲ素子を製造するため
のプロセスは、トラック及びセンタタップ導体の両方を
定めるための薄絶縁体を使用すると記載されている。第
１に、ＭＲ素子構造体は基板上へ付着され、パターン化
される。薄絶縁層が構造体の上に付着される。フォトレ
ジストマスキング層が、センタタップ領域及び導体領域
の両方を決定するために形成される。選択的エツチング
によって絶縁層が除去された後、高抵抗率センタタップ
導電材料が付着される。そしてフォトレジストが取り除
かれる。次に、前もって決定された、絶縁層の外側導体
を露光する間、センタタップ領域を保護するために、フ
ォトレジストマスキング層が用いられる。高抵抗率層は
エツチング除去され、交換導体金属質が付着される。更
に、フォトレジストが除去される。 ［００１２］ 従って、本発明の他の目的は、本発明に従うセンタタッ
プＭＲ素子を形成するためのプロセスを提供することで
ある。 ［００１３］ 第２のプロセスの具体例は、センタタップ領域及び外側
導体領域の両方を決定するためにまずＭＲ素子構造体を
パターン化し、フォトレジストマスキング層を塗布する
順に実施される。そして、高抵抗率センタタップ導体材
料が付着された後、前もって定められた第ルジスト層の
外側導体エツジ領域を露光する間センタタップ導体領域
を保護するために、フォトレジストマスキング層が形成
される。次に、高抵抗率導体層がエツチングされ、外側
導体金属質が付着された後に、フォトレジストが除去さ
れる。 ［００１４］ 更に他の目的は、磁気データ変化からのサーボ信号を与
える高抵抗率センタタップを有する磁気抵抗ヘッドアセ
ンブリを形成するためのプロセスを提供することである
。 ［００１５］ 本発明のこれらの目的及び他の目的は、以下の記載によ
って、技術者にとって明らかになるであろう。 ［００１６］
れる磁気抵抗（ＭＲ）変換器ヘッドアセンブリは、セン
タタップを有するＭＲ素子を組み込んでいる。 このＭＲ素子では、センタタップ導体は高抵抗率材料で
製造されるかあるいは高抵抗率構造を有しているので、
センタタップがＭＲ素子中央部にデッドゾーンを生じさ
せない。高抵抗率センタタップは、ＭＲ素子の磁気配列
又はバイアスを妨害してはならない。 ［０００７］ 好適実施例によると、サーボ調節システムと共に用いら
れる磁気抵抗変換器ヘッドアセンブリは、例えばタンタ
ル、ニクロム、又は蒸着カーボン薄膜のような高抵抗率
材料によって製造されるセンタタップ導体を組み込んで
いる。高抵抗率センタタップ導体は、ＭＲ素子の磁気配
列又はバイアスを妨害しない。 ［０００８］ 従って、本発明の目的は、磁気抵抗素子を用いた、高性
能化ヘッドアセンブリを提供することである。 ［０００９］ 本発明の他の目的は、改良されたサーボ位置決め操作の
ために接続されたセンタタップ導体を有する磁気抵抗素
子を提供することである。 ［００１０］ 更に他の目的は、高抵抗率センタタップ導体を含む磁気
抵抗素子を有するサーボ感知ヘッドアセンブリを提供す
ることである。 ［００１１］ 高抵抗率センタタップを有するＭＲ素子を製造するため
のプロセスは、トラック及びセンタタップ導体の両方を
定めるための薄絶縁体を使用すると記載されている。第
１に、ＭＲ素子構造体は基板上へ付着され、パターン化
される。薄絶縁層が構造体の上に付着される。フォトレ
ジストマスキング層が、センタタップ領域及び導体領域
の両方を決定するために形成される。選択的エツチング
によって絶縁層が除去された後、高抵抗率センタタップ
導電材料が付着される。そしてフォトレジストが取り除
かれる。次に、前もって決定された、絶縁層の外側導体
を露光する間、センタタップ領域を保護するために、フ
ォトレジストマスキング層が用いられる。高抵抗率層は
エツチング除去され、交換導体金属質が付着される。更
に、フォトレジストが除去される。 ［００１２］ 従って、本発明の他の目的は、本発明に従うセンタタッ
プＭＲ素子を形成するためのプロセスを提供することで
ある。 ［００１３］ 第２のプロセスの具体例は、センタタップ領域及び外側
導体領域の両方を決定するためにまずＭＲ素子構造体を
パターン化し、フォトレジストマスキング層を塗布する
順に実施される。そして、高抵抗率センタタップ導体材
料が付着された後、前もって定められた第ルジスト層の
外側導体エツジ領域を露光する間センタタップ導体領域
を保護するために、フォトレジストマスキング層が形成
される。次に、高抵抗率導体層がエツチングされ、外側
導体金属質が付着された後に、フォトレジストが除去さ
れる。 ［００１４］ 更に他の目的は、磁気データ変化からのサーボ信号を与
える高抵抗率センタタップを有する磁気抵抗ヘッドアセ
ンブリを形成するためのプロセスを提供することである
。 ［００１５］ 本発明のこれらの目的及び他の目的は、以下の記載によ
って、技術者にとって明らかになるであろう。 ［００１６］
本発明は好ましくは、磁気抵抗読取素子と共に書込素子
をも含む磁気ヘッドアセンブリに用いられる。磁気抵抗
素子によって情報は再生可能であるが、記録はできない
ので、図１に示されるような磁気抵抗再生ヘッドは、多
くの応用例に於いて、書込素子に連結されるであろう。 記録素子の空隙と磁気抵抗読取素子とは可能な限り相互
に近接して配置されるべきである。本発明の磁気抵抗素
子はそれ故、本発明の譲受人へ譲渡された米国特許第４
．０１２．７８１号に示されるような書込素子へ連結さ
れている。この特許の磁気抵抗素子から本発明による磁
気抵抗素子への置き換えは薄膜ヘッド製造技術の当業者
によって理解できる。そのため、磁気ヘッドアセンブリ
に関して完全に記載する必要はないものと確信される。 図面に従う磁気抵抗素子及びそれに関する詳細な記載が
本発明を十分に説明するものであることは、本発明の目
的として十分である。 ［００１７］ 図１に示されるように、磁気ヘッドアセンブリ１０は、
非磁性支持体１２上に配置されて示される磁気抵抗（Ｍ
Ｒ）素子２０を含んでいる。ヘッド１０は書込素子１０
を含み、この書込素子１０はＭＲ素子２０に隣接してい
る。また書込増幅器１５によって制御される磁気空隙１
３を有している。センタタップリード１４と２つの外側
のリード１６及び１８は磁気抵抗素子２０へ接続してい
る。ヘッド１０は、データ信号を含む磁気記録トラック
２２に沿って搭載されると共に、そのような信号と関連
するフィールドに応じて、トラッキング制御及び増幅器
２４で示される再生エレクトロニクスへ再生信号を供給
するようになっている。増幅器２４からのデータ回線に
よって示されるように、増幅器２４は、記録データの回
復（リカバリー）のために再生信号を処理する。更に、
増幅器２４ば、トラッキング制御（ＴＣ）装置２６を通
して、トラック２２へのヘッド１０の位置トラッキング
を与える。後で更に詳細に議論されるが、ＴＣ装置２６
は、ＭＲ素子によってトラック２２から読み取られ、増
幅器２４から発信される信号を受信すると共に、ＭＲ素
子２０が正確にトラック２２上の中心へ位置されるよう
に、ヘッド１０を直接トラック２２上へ配置する。トラ
ック２２からデータ信号を読み取るためのＭＲ素子２０
の操作は技術的に周知であり、ここでは詳細な記載は行
わない。更に、データトラック追跡サーボシステムを提
供するためのセンタタップを有するＭＲ素子の操作もま
た技術的に周知である。 ［００１８］ データトラック追跡サーボシステムを完成するために増
幅器２４内で有用な自動利得制御回路は、”ＩＢＭ Ｔ
ｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｓｃｌｏｓｕｒｅ Ｂｕｌｌｅ
ｔｉｎ、 Ｖｏｌ、１９． Ｎｏ、８． Ｊａｎｕａｒ
ｙ １．９１１”の３２２８−３２２９頁に開示されて
いる。この回路では、センタタップ付ＭＲ素子からの出
力は、例えば回線２８への信号を発生する差動増幅器２
５へ伝達される。回線２８の信号は、ヘッド１０の最終
位置合ぜを制御するためのトラッキング制御装置２６へ
伝達される。一般的に、ヘッド１０の大まかな位置合わ
せは技術的にある意味では知られた方法で粗位置制御２
７によって制御される。 データ信号は、外側リード１６．１８を介して全ＭＲ素
子２０の全域に渡って感知され、この外側リードはまた
、前述の文献の如くデータ出力信号を発生する、システ
ムの最終部分である。このように、トラッキング制御装
置２６を制御するなめにトラック追跡サーボ信号となる
のは、センタタップ１４と外側リード１６１８との間の
電位差であり、増幅器２４内の加算増幅器２３からのデ
ータ信号となるのは、外側リード１６．１８に渡って感
知される信号である。センタタップを有するＭＲ素子の
最も重要な特質ば、センタタップリード１４が、差動信
号を供給する一方、データ信号の読取りと干渉しないこ
とである。本発明に従うＭＲ素子は、センサの磁気バイ
アスに影響を与えないだけでなく、データ信号読取りの
際ヘッドの感度を低下させない、図２に示されるセンタ
タップを含んでいる［００１９］ 図２を参照すると、同様の素子が、図１と同一の参照番
号で示されている。発明をより充分に説明するために、
基板１２は示されていない。ＭＲＲ子２０は、例えばパ
ーマロイに用いられるような標準組成比のニッケルー鉄
合金等どんな標準的な磁気抵抗物質によっても製造する
ことができる。外側リード１６及び１８はＭＲ素素子部
部上配置され、銅あるいは金のような標準導電物質の一
つによって製造可能である。外側リード１６．１８は本
質的にＭＲ素子の感度を低下させるので、トラック２２
からの磁気変化は、図２の３つのセクションＡ、Ｂ、Ｃ
に示されるＭＲＲ子２０の活性領域によって検出される
。センサの活性領域は抵抗Ｒを有し、図２の３つのセク
ションＡ、Ｂ、Ｃすべてを含む。３つの導体からの出力
電圧は入力電流■を用いて、以下の式で示される。 Ｖ１＝Ｉ （Ｒ／２＋ＳＲＡ＋ＳＲＢ／２） 及ＵＶ２
＝Ｉ （Ｒ／２＋ＳＲＣ＋ＳＲＢ／２）ここで、ＳＲ
Ａ、ＳＲＢ及びＳＲＣは、それぞれセクションＡ、Ｂ、
Ｃからの磁気抵抗信号の抵抗である。 ［００２０］ 全信号■１＋ｖ２は、直流（ＤＣ）要素を除くと、ＳＲ
Ａ＋５ＲＢ−ｊ−３ＲＣに等しい。本発明によれば、セ
ンタタップ１４は高抵抗物質によって製造される。 センタタップ１４は、それ自身は外側リード１８へ流れ
込む電流■から極小電流しか分岐しない。センタタップ
１４は外側導体１６．１８及びＭＲＲ子２０と比較して
高抵抗率を有するので、電流Ｉから極小電流を排出し、
その結果、セクションＢに於いてＭＲＲ子内にデッドゾ
ーンを生じない。センタタップ１４が外側導体１６及び
１８間のＭＲ素子２０総表面の３分の１を被覆するよう
な狭いトラツクの応用例では超臨界領域（ｅｓｐｅｃｉ
ａｌｌｙ ｃｒｉｔｉｃａｌ ｒｅｇｉｏｎ）である。 センタタップ１４の高抵抗性は、ＭＲ素子２０に入力さ
れる磁気配列又はバイアスを妨害しない。ソフト膜バイ
アス、シャントバイアス、パターン化交換縦バイアス（
ｐａ七ｔ、ｅｒｎｅｄ ｅｘｃｈａｎｇｅ ｌｏｎｇｉ
ｔｕｄｉｎａｌ ｂｉａｓ）或いはハード磁気縞バイア
スなどのＭＲ素子２０のための多数のバイアス体系が用
いられる。 ［００２１］ 電圧出力■１及び■２間の電位差は、ＳＲＡ及びＳＲＣ
間の差に等しい。センタタップ１４は外側リード１６及
び１８へ自己整合され、ヘッドがデータトラック２２へ
正確に位置合わせされると、外側リード１６及び１８か
らの出力における差はゼロになる。従って３つのリード
からの出力に於ける電位差は図１に示されるように、ト
ラッキング制御装置を制御するための位置エラー信号と
して利用される。 ［００２２］ センタタップに適切な材料は、ＭＲ素子２０又は外側リ
ード１６及び１８に使用される材料よりも高抵抗を有す
る材料であればよい。そのような材料としては例えば、
タンタル、ニクロム、蒸着カーボン薄膜等が挙げられる
。センタタップ１４は図２に示される様に、センタタッ
プ１４の抵抗率を更に高めるために、より薄型構造にも
できる。本発明の目的では、高抵抗率とは、ＭＲ素子の
単位長当たりの抵抗率よりも大きい抵抗率を意味する。 抵抗率の単位は、薄膜の面積当たりのオームで表される
。抵抗値は物質の全抵抗を膜厚で割ることにより計算さ
れる。典型的な応用例では、リード１６及び１８間のＭ
Ｒ素子２０の面抵抗は薄膜の面積当たり５オームから１
０オームの範囲である。外側リード１６及び１８の面抵
抗は、一般にＭＲ素子よりも遥かに小さい。総電流の十
分の−に相当する電流をセンサから分岐させるために、
センタタップ層１４の面抵抗は、好ましくはＭＲ素子２
０の面抵抗の１０倍であるべきである。 ［００２３］ 図３及び図４には、トラック２２のエツジへ自己整合さ
れる高抵抗率センタタップ１４の２つの組立プロセスが
示されている。図２のトラックセクションＡ、Ｂ及びＣ
とセンタタップ１４とを定めるために、図３に示される
方法では薄絶縁体が用いられている。 ［００２４］ 図３を参照すると、１１３ （ａ）に示される第１工程
で、ＭＲ素子２０構造体をパターン化すると共に、酸化
アルミニウムのような物質である薄絶縁層３０を全基板
１０を被覆して付着させている。ＭＲ素子２０は、ニッ
ケルー鉄のようなＭＲ材料層３２と、非磁性スペーサー
層３４と、例えばタンタルで製造されるソフト膜バイア
ス層３６とを含む。センタタップ領域４０及び導電性リ
ード領域４２４４を定めるために、図３ （ｂ）に示さ
れるように、先ず、レジストマスキング層３８が、塗布
され、ベーク、露光及び現像される。絶縁層３０が、レ
ジストマスキング層３８によって被覆された領域を除い
て、選択的エツチング・プロセスによってＭＲ素子２０
から除去された後、高抵抗率センタタップ層物質４６が
全ウェーハ上に配置される。次にレジストマスキング層
３８が、例えば通常の有機溶媒を用いて除去され、図３
（Ｃ）に示されるように、センタタップ４０の位置及び
導体４２．４４の位置に、高抵抗センタタップ層物質４
６が残存する。絶縁物質３０の層は、異なる導体セクシ
ョンを隔てるために残る。図３ （Ｃ）に示されるよう
に、トラック幅が外側導体セクション４２及び４４間に
形成され、これは図２のＡ、Ｂ及びＣと同一である。 ［００２５］ 図３（ｄ）では、レジストマスキング層５０が、センタ
タップ領域４０を保護し、絶縁層の既に定められた導体
領域４２及び４４を露光するために、塗布されベーク、
露光及び現像される。外側導体領域４２及び４４では、
高抵抗層がエツチングされる。高抵抗層のエツチングに
用いられる除去プロセスは高抵抗率センタタップとして
選択される物質に依存する。タンタルのためには、スパ
ッタエッチ又はイオンミリング処理が用いられる。ニク
ロムのためには、化学的なエッチが不必要な物質を除去
する。カーボンセンタタップリードのためには、酸素中
における反応エッチが、高抵抗率層の不必要セクション
除去のために使用可能である。 ［００２６］ 図３（ｅ）に示されるように、導体リード金属質５２が
全ウェーハ上に配置される。その後、図３ （ｆ）に示
されるように、レジストマスキング層５０は例えば通常
の有機溶媒を用いたリフトオフ・フロセスで除去される
。 ［００２７］ 図３（ｆ）に示されるように、磁気ヘッドば、ＭＲ素子
２０と、センタタップ１４と、外側導体１６及び１８と
を含む。 ［００２８］ 図２に示される磁気ヘッドは、図３（ａ−ｆ）と共に、
他の縦バイアス処理も適用できる。ハードバイアスの隣
接接合を満たすために、例えば図３（ｅ）に示される処
理は不活性領域を完全に除去し、さらに、ハードバイア
ス膜及び導体リード金属を配置するために修正する必要
がある。別のリード接続が、高抵抗率センタタップに要
求される。これは、ＭＲセンサに加えてＭＲパターンを
残し、そのパターンを、ＭＲ素子を搬送するセンタタッ
プと外界へ来るべきリードとの間の接続のために使用す
ることによって達成される。 ［００２９］ 本発明に従う磁気ヘッド組み立てる為の他の工程は、ト
ラック幅を決定するための絶縁体を使用しないカミその
代替として、異なるフォトプロセスが用いられる。第一
に、ＭＲ素子構造体がパターン化され、図３（ａ）及び
（ｂ）に示されるように、レジストマスキング層がセン
タタップ領域及び導体リード領域の両方を決定するため
に付着される。高抵抗率センタタップ材料４６は図３（
ｂ）に示される様に付着される。図４に示されるように
、センタタップ領域４０を保護すると共に第一のレジス
ト層に前もって決定された外側導体セクション４２及び
４４を露光するために、レジストマスキング層６０は、
塗布され、ベーク、露光及び現像される。高抵抗率層４
６は、その後外側導体４２及び４４の領域がエツチング
される。図３（ｅ）に示される導体リード金属５２が、
付着される。最後に図３（ｆ）に示されるような磁気ヘ
ッドを生産するために、図４のレジストマスキング層６
０は通常の有機溶媒によって取り除がれる。 ［００３０］ 本発明はその好適実施例に従って詳細に図示されると共
に説明されたが、発明の精神と範囲から外れることなく
、形式及び詳細に於いて様々な変形が成され得ることば
、技術者によって、理解されるであろう。特許請求の範
囲の記載事項は本発明の真の精神と範囲の制限内に於け
る、そのような変形例を包含するように意図されたもの
である。
をも含む磁気ヘッドアセンブリに用いられる。磁気抵抗
素子によって情報は再生可能であるが、記録はできない
ので、図１に示されるような磁気抵抗再生ヘッドは、多
くの応用例に於いて、書込素子に連結されるであろう。 記録素子の空隙と磁気抵抗読取素子とは可能な限り相互
に近接して配置されるべきである。本発明の磁気抵抗素
子はそれ故、本発明の譲受人へ譲渡された米国特許第４
．０１２．７８１号に示されるような書込素子へ連結さ
れている。この特許の磁気抵抗素子から本発明による磁
気抵抗素子への置き換えは薄膜ヘッド製造技術の当業者
によって理解できる。そのため、磁気ヘッドアセンブリ
に関して完全に記載する必要はないものと確信される。 図面に従う磁気抵抗素子及びそれに関する詳細な記載が
本発明を十分に説明するものであることは、本発明の目
的として十分である。 ［００１７］ 図１に示されるように、磁気ヘッドアセンブリ１０は、
非磁性支持体１２上に配置されて示される磁気抵抗（Ｍ
Ｒ）素子２０を含んでいる。ヘッド１０は書込素子１０
を含み、この書込素子１０はＭＲ素子２０に隣接してい
る。また書込増幅器１５によって制御される磁気空隙１
３を有している。センタタップリード１４と２つの外側
のリード１６及び１８は磁気抵抗素子２０へ接続してい
る。ヘッド１０は、データ信号を含む磁気記録トラック
２２に沿って搭載されると共に、そのような信号と関連
するフィールドに応じて、トラッキング制御及び増幅器
２４で示される再生エレクトロニクスへ再生信号を供給
するようになっている。増幅器２４からのデータ回線に
よって示されるように、増幅器２４は、記録データの回
復（リカバリー）のために再生信号を処理する。更に、
増幅器２４ば、トラッキング制御（ＴＣ）装置２６を通
して、トラック２２へのヘッド１０の位置トラッキング
を与える。後で更に詳細に議論されるが、ＴＣ装置２６
は、ＭＲ素子によってトラック２２から読み取られ、増
幅器２４から発信される信号を受信すると共に、ＭＲ素
子２０が正確にトラック２２上の中心へ位置されるよう
に、ヘッド１０を直接トラック２２上へ配置する。トラ
ック２２からデータ信号を読み取るためのＭＲ素子２０
の操作は技術的に周知であり、ここでは詳細な記載は行
わない。更に、データトラック追跡サーボシステムを提
供するためのセンタタップを有するＭＲ素子の操作もま
た技術的に周知である。 ［００１８］ データトラック追跡サーボシステムを完成するために増
幅器２４内で有用な自動利得制御回路は、”ＩＢＭ Ｔ
ｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｓｃｌｏｓｕｒｅ Ｂｕｌｌｅ
ｔｉｎ、 Ｖｏｌ、１９． Ｎｏ、８． Ｊａｎｕａｒ
ｙ １．９１１”の３２２８−３２２９頁に開示されて
いる。この回路では、センタタップ付ＭＲ素子からの出
力は、例えば回線２８への信号を発生する差動増幅器２
５へ伝達される。回線２８の信号は、ヘッド１０の最終
位置合ぜを制御するためのトラッキング制御装置２６へ
伝達される。一般的に、ヘッド１０の大まかな位置合わ
せは技術的にある意味では知られた方法で粗位置制御２
７によって制御される。 データ信号は、外側リード１６．１８を介して全ＭＲ素
子２０の全域に渡って感知され、この外側リードはまた
、前述の文献の如くデータ出力信号を発生する、システ
ムの最終部分である。このように、トラッキング制御装
置２６を制御するなめにトラック追跡サーボ信号となる
のは、センタタップ１４と外側リード１６１８との間の
電位差であり、増幅器２４内の加算増幅器２３からのデ
ータ信号となるのは、外側リード１６．１８に渡って感
知される信号である。センタタップを有するＭＲ素子の
最も重要な特質ば、センタタップリード１４が、差動信
号を供給する一方、データ信号の読取りと干渉しないこ
とである。本発明に従うＭＲ素子は、センサの磁気バイ
アスに影響を与えないだけでなく、データ信号読取りの
際ヘッドの感度を低下させない、図２に示されるセンタ
タップを含んでいる［００１９］ 図２を参照すると、同様の素子が、図１と同一の参照番
号で示されている。発明をより充分に説明するために、
基板１２は示されていない。ＭＲＲ子２０は、例えばパ
ーマロイに用いられるような標準組成比のニッケルー鉄
合金等どんな標準的な磁気抵抗物質によっても製造する
ことができる。外側リード１６及び１８はＭＲ素素子部
部上配置され、銅あるいは金のような標準導電物質の一
つによって製造可能である。外側リード１６．１８は本
質的にＭＲ素子の感度を低下させるので、トラック２２
からの磁気変化は、図２の３つのセクションＡ、Ｂ、Ｃ
に示されるＭＲＲ子２０の活性領域によって検出される
。センサの活性領域は抵抗Ｒを有し、図２の３つのセク
ションＡ、Ｂ、Ｃすべてを含む。３つの導体からの出力
電圧は入力電流■を用いて、以下の式で示される。 Ｖ１＝Ｉ （Ｒ／２＋ＳＲＡ＋ＳＲＢ／２） 及ＵＶ２
＝Ｉ （Ｒ／２＋ＳＲＣ＋ＳＲＢ／２）ここで、ＳＲ
Ａ、ＳＲＢ及びＳＲＣは、それぞれセクションＡ、Ｂ、
Ｃからの磁気抵抗信号の抵抗である。 ［００２０］ 全信号■１＋ｖ２は、直流（ＤＣ）要素を除くと、ＳＲ
Ａ＋５ＲＢ−ｊ−３ＲＣに等しい。本発明によれば、セ
ンタタップ１４は高抵抗物質によって製造される。 センタタップ１４は、それ自身は外側リード１８へ流れ
込む電流■から極小電流しか分岐しない。センタタップ
１４は外側導体１６．１８及びＭＲＲ子２０と比較して
高抵抗率を有するので、電流Ｉから極小電流を排出し、
その結果、セクションＢに於いてＭＲＲ子内にデッドゾ
ーンを生じない。センタタップ１４が外側導体１６及び
１８間のＭＲ素子２０総表面の３分の１を被覆するよう
な狭いトラツクの応用例では超臨界領域（ｅｓｐｅｃｉ
ａｌｌｙ ｃｒｉｔｉｃａｌ ｒｅｇｉｏｎ）である。 センタタップ１４の高抵抗性は、ＭＲ素子２０に入力さ
れる磁気配列又はバイアスを妨害しない。ソフト膜バイ
アス、シャントバイアス、パターン化交換縦バイアス（
ｐａ七ｔ、ｅｒｎｅｄ ｅｘｃｈａｎｇｅ ｌｏｎｇｉ
ｔｕｄｉｎａｌ ｂｉａｓ）或いはハード磁気縞バイア
スなどのＭＲ素子２０のための多数のバイアス体系が用
いられる。 ［００２１］ 電圧出力■１及び■２間の電位差は、ＳＲＡ及びＳＲＣ
間の差に等しい。センタタップ１４は外側リード１６及
び１８へ自己整合され、ヘッドがデータトラック２２へ
正確に位置合わせされると、外側リード１６及び１８か
らの出力における差はゼロになる。従って３つのリード
からの出力に於ける電位差は図１に示されるように、ト
ラッキング制御装置を制御するための位置エラー信号と
して利用される。 ［００２２］ センタタップに適切な材料は、ＭＲ素子２０又は外側リ
ード１６及び１８に使用される材料よりも高抵抗を有す
る材料であればよい。そのような材料としては例えば、
タンタル、ニクロム、蒸着カーボン薄膜等が挙げられる
。センタタップ１４は図２に示される様に、センタタッ
プ１４の抵抗率を更に高めるために、より薄型構造にも
できる。本発明の目的では、高抵抗率とは、ＭＲ素子の
単位長当たりの抵抗率よりも大きい抵抗率を意味する。 抵抗率の単位は、薄膜の面積当たりのオームで表される
。抵抗値は物質の全抵抗を膜厚で割ることにより計算さ
れる。典型的な応用例では、リード１６及び１８間のＭ
Ｒ素子２０の面抵抗は薄膜の面積当たり５オームから１
０オームの範囲である。外側リード１６及び１８の面抵
抗は、一般にＭＲ素子よりも遥かに小さい。総電流の十
分の−に相当する電流をセンサから分岐させるために、
センタタップ層１４の面抵抗は、好ましくはＭＲ素子２
０の面抵抗の１０倍であるべきである。 ［００２３］ 図３及び図４には、トラック２２のエツジへ自己整合さ
れる高抵抗率センタタップ１４の２つの組立プロセスが
示されている。図２のトラックセクションＡ、Ｂ及びＣ
とセンタタップ１４とを定めるために、図３に示される
方法では薄絶縁体が用いられている。 ［００２４］ 図３を参照すると、１１３ （ａ）に示される第１工程
で、ＭＲ素子２０構造体をパターン化すると共に、酸化
アルミニウムのような物質である薄絶縁層３０を全基板
１０を被覆して付着させている。ＭＲ素子２０は、ニッ
ケルー鉄のようなＭＲ材料層３２と、非磁性スペーサー
層３４と、例えばタンタルで製造されるソフト膜バイア
ス層３６とを含む。センタタップ領域４０及び導電性リ
ード領域４２４４を定めるために、図３ （ｂ）に示さ
れるように、先ず、レジストマスキング層３８が、塗布
され、ベーク、露光及び現像される。絶縁層３０が、レ
ジストマスキング層３８によって被覆された領域を除い
て、選択的エツチング・プロセスによってＭＲ素子２０
から除去された後、高抵抗率センタタップ層物質４６が
全ウェーハ上に配置される。次にレジストマスキング層
３８が、例えば通常の有機溶媒を用いて除去され、図３
（Ｃ）に示されるように、センタタップ４０の位置及び
導体４２．４４の位置に、高抵抗センタタップ層物質４
６が残存する。絶縁物質３０の層は、異なる導体セクシ
ョンを隔てるために残る。図３ （Ｃ）に示されるよう
に、トラック幅が外側導体セクション４２及び４４間に
形成され、これは図２のＡ、Ｂ及びＣと同一である。 ［００２５］ 図３（ｄ）では、レジストマスキング層５０が、センタ
タップ領域４０を保護し、絶縁層の既に定められた導体
領域４２及び４４を露光するために、塗布されベーク、
露光及び現像される。外側導体領域４２及び４４では、
高抵抗層がエツチングされる。高抵抗層のエツチングに
用いられる除去プロセスは高抵抗率センタタップとして
選択される物質に依存する。タンタルのためには、スパ
ッタエッチ又はイオンミリング処理が用いられる。ニク
ロムのためには、化学的なエッチが不必要な物質を除去
する。カーボンセンタタップリードのためには、酸素中
における反応エッチが、高抵抗率層の不必要セクション
除去のために使用可能である。 ［００２６］ 図３（ｅ）に示されるように、導体リード金属質５２が
全ウェーハ上に配置される。その後、図３ （ｆ）に示
されるように、レジストマスキング層５０は例えば通常
の有機溶媒を用いたリフトオフ・フロセスで除去される
。 ［００２７］ 図３（ｆ）に示されるように、磁気ヘッドば、ＭＲ素子
２０と、センタタップ１４と、外側導体１６及び１８と
を含む。 ［００２８］ 図２に示される磁気ヘッドは、図３（ａ−ｆ）と共に、
他の縦バイアス処理も適用できる。ハードバイアスの隣
接接合を満たすために、例えば図３（ｅ）に示される処
理は不活性領域を完全に除去し、さらに、ハードバイア
ス膜及び導体リード金属を配置するために修正する必要
がある。別のリード接続が、高抵抗率センタタップに要
求される。これは、ＭＲセンサに加えてＭＲパターンを
残し、そのパターンを、ＭＲ素子を搬送するセンタタッ
プと外界へ来るべきリードとの間の接続のために使用す
ることによって達成される。 ［００２９］ 本発明に従う磁気ヘッド組み立てる為の他の工程は、ト
ラック幅を決定するための絶縁体を使用しないカミその
代替として、異なるフォトプロセスが用いられる。第一
に、ＭＲ素子構造体がパターン化され、図３（ａ）及び
（ｂ）に示されるように、レジストマスキング層がセン
タタップ領域及び導体リード領域の両方を決定するため
に付着される。高抵抗率センタタップ材料４６は図３（
ｂ）に示される様に付着される。図４に示されるように
、センタタップ領域４０を保護すると共に第一のレジス
ト層に前もって決定された外側導体セクション４２及び
４４を露光するために、レジストマスキング層６０は、
塗布され、ベーク、露光及び現像される。高抵抗率層４
６は、その後外側導体４２及び４４の領域がエツチング
される。図３（ｅ）に示される導体リード金属５２が、
付着される。最後に図３（ｆ）に示されるような磁気ヘ
ッドを生産するために、図４のレジストマスキング層６
０は通常の有機溶媒によって取り除がれる。 ［００３０］ 本発明はその好適実施例に従って詳細に図示されると共
に説明されたが、発明の精神と範囲から外れることなく
、形式及び詳細に於いて様々な変形が成され得ることば
、技術者によって、理解されるであろう。特許請求の範
囲の記載事項は本発明の真の精神と範囲の制限内に於け
る、そのような変形例を包含するように意図されたもの
である。
前述及び他の目的に沿って、構成及び操作方法に関する
発明自体と同様に、本発明の様々な新規の特徴が、上記
の実施例の記載を図面を参照しながら読むことによって
、より充分に理解される。
発明自体と同様に、本発明の様々な新規の特徴が、上記
の実施例の記載を図面を参照しながら読むことによって
、より充分に理解される。
【図１】
磁気データトラックからデータを読み取る為に有用であ
ると共に、ヘッドをトラック上の中心に位置づけるため
のサーボ制御情報を与える磁気抵抗ヘッド素子の斜視図
を含む、概略図である。
ると共に、ヘッドをトラック上の中心に位置づけるため
のサーボ制御情報を与える磁気抵抗ヘッド素子の斜視図
を含む、概略図である。
【図２】
図１に示される磁気抵抗素子の斜視図である。
【図３】
（ａ）から（ｆ）は、図２に示される磁気抵抗素子を生
産するための連続した１つのプロセスの順序を示してい
る。
産するための連続した１つのプロセスの順序を示してい
る。
【図４】
図２に示されるセンタタップ磁気抵抗素子を製造するた
めの第２の組立プロセスアプローチを示す。
めの第２の組立プロセスアプローチを示す。
１０ 磁気ヘッド
１２ 基板
１４ センタタップ導体（中央導体）１６．１８
外側導体 ２０ 磁気抵抗素子（磁気抵抗材料薄細片）２２
トラック
外側導体 ２０ 磁気抵抗素子（磁気抵抗材料薄細片）２２
トラック
Claims (15)
- 【請求項１】磁気記録媒体のトラックに記録された磁気
信号を感知するための磁気ヘッドであって、 基板と、 記録された磁気信号を感知するために記録媒体上のトラ
ック幅とほぼ同一長を有すると共に、記録媒体に隣接し
て位置決め可能に前記基板上に配置される、磁気抵抗特
性を有する材料の薄細片と、 前記細片の各端部へ電気的に接続される外側導体と、前
記磁気抵抗材料薄細片よりも高い電気抵抗率を有する材
料から形成されると共に、前記外側導体間の中央付近で
、前記細片へ電気的に接続される中央導体と、 を含む磁気ヘッド。 - 【請求項２】前記中央導体は、前記磁気抵抗材料薄細片
の電気抵抗率よりも、単位長あたり少なくとも１０倍の
高電気抵抗率を有する請求項１記載の磁気ヘッド。 - 【請求項３】前記中央導体として用いられる材料は、タ
ンタル、ニッケル−クロム酸化物及びカーボンから成る
グループから選択される請求項１記載の磁気ヘッド。 - 【請求項４】磁気記録媒体上へ磁気信号を書き込むため
の書込素子を、更に含む請求項１記載の磁気ヘッド。 - 【請求項５】前記磁気ヘッドが更に、 前記磁気抵抗材料薄細片によって感知された磁気信号を
増幅させるための手段と、 前記増幅手段によって増幅された磁気信号を、データと
サーボエラー信号とに分離するための手段と、 磁気ヘッドをトラック上へ位置決めするために、サーボ
エラー信号によって制御されるトラック制御手段と、 を含む請求項１記載の磁気ヘッド。 - 【請求項６】磁気的に記録された情報を媒体から感知す
るために用いられると共に、サーボ情報を提供するため
の操作が可能なヘッドアセンブリであって、 媒体から情報のトラックを感知するために位置決めされ
る、細長い磁気抵抗素子と、 前記磁気抵抗素子の長手方向の各外側縁部付近へ電気的
に接続される外側導電手段と、 前記磁気抵抗素子よりも単位長あたり高い電気抵抗率を
有する材料から製造されると共に、前記外側導電手段間
の中央付近で、前記磁気抵抗素子へ電気的に接続される
センタタップ導電手段と、 前記外側導電手段へ電流を供給するための手段と、前記
磁気抵抗素子へ磁気操作バイアスを与えるための手段と
、を含むヘッドアセンブリ。 - 【請求項７】前記センタタップ導電手段は、前記磁気抵
抗素子の電気抵抗率よりも、単位長あたり少なくとも１
０倍の高電気抵抗率を有する請求項６記載のヘッドアセ
ンブリ。 - 【請求項８】前記センタタップ導電手段として用いられ
る材料は、タンタル、ニッケル−クロム酸化物及びカー
ボンから成るグループから選択される請求項６記載のヘ
ッドアセンブリ。 - 【請求項９】磁気信号を磁気記録媒体上へ書き込むため
の書込素子を、更に含む請求項６記載のヘッドアセンブ
リ。 - 【請求項１０】前記ヘッドアセンブリが更に、前記磁気
抵抗素子によって感知された磁気信号を増幅させるため
の手段と、前記増幅手段によって増幅された磁気信号を
、データとサーボエラー信号とに分離するための手段と
、 磁気ヘッドをトラック上へ位置決めするために、サーボ
エラー信号によって制御されるトラック制御手段と、 を含む請求項６記載のヘッドアセンブリ。 - 【請求項１１】磁気記録媒体上の選択された情報トラッ
クに関して、磁気ヘッドの位置を自動制御するための装
置であって、選択された情報トラックへ磁気ヘッドを隣
接させて位置決めするためのトラック制御手段と、 選択された情報トラック上に記録された情報を感知する
ために位置決めされる磁気抵抗素子と、 前記磁気抵抗素子の外側縁部付近へ電気的に接続された
外側導電手段と、前記外側導電手段間の中央付近で、前
記磁気抵抗素子へ電気的に接続されると共に、前記磁気
抵抗素子よりも高い電気抵抗率を有する材料から製造さ
れるセンタタップ導電手段と、 前記外側導電手段へ電流を供給するための手段と、前記
磁気抵抗素子へ磁気操作バイアスを与えるための手段と
、前記外側導電材料及びセンタタップ導電材料へ接続さ
れた、前記磁気抵抗素子によって感知された情報を増幅
するための手段と、前記増幅手段へ接続された、感知及
び増幅された信号をデータとサーボエラー信号に分離す
る手段であって、該サーボエラー信号が、選択された情
報トラックに対する位置に磁気ヘッドを保持するための
前記トラック制御手段へ伝達される分離手段と、 を含む磁気ヘッド位置自動制御装置。 - 【請求項１２】前記センタタップ導電手段は、前記磁気
抵抗素子の電気抵抗率よりも、単位長当たり少なくとも
１０倍の高電気抵抗率を有する請求項１１記載の磁気ヘ
ッド位置自動制御装置。 - 【請求項１３】前記センタタップ導電手段として用いら
れる材料は、タンタル、ニッケル−クロム酸化物及びカ
ーボンから成るグループから選択される請求項１１記載
の磁気ヘッド位置自動制御装置。 - 【請求項１４】磁気ヘッドを製造するための方法であっ
て、磁気抵抗センサ構造体を、基板上に付着させる工程
と、付着させた磁気抵抗センサ構造体上へ、薄絶縁層を
付着させる工程と、付着させた磁気抵抗センサ構造体及
びその上へ付着させた絶縁層の、センタタップ導電領域
及び外側導電領域を決定する、第１のフォトレジストマ
スキング層を形成する工程と、 付着させた絶縁層の露光されたセクションをエッチング
する工程と、磁気抵抗構造体の少なくとも露光、エッチ
ングされたセクション上へ、高抵抗率材料を付着させる
工程と、 形成した第１のフォトレジストマスキング層を取り除く
工程と、エッチングされた外側導電領域を露光するため
に、第２のフォトレジストマスキング層を形成する工程
と、 形成したフォトレジストマスキング層上へ、電導性材料
を付着させる工程と、形成した第２のフォトレジストマ
スクを取り除く工程と、を含む磁気ヘッド製造方法。 - 【請求項１５】磁気抵抗ヘッドを製造するための方法で
あって、磁気抵抗構造体を、基板上に付着させる工程と
、付着させた磁気抵抗構造体のセンタタップ導電領域及
び外側導電領域を決定するために、第１のフォトレジス
トマスキング層を形成する工程と、付着させた磁気抵抗
構造体の少なくとも、限定して露光されたセクション上
へ、高抵抗率材料を付着させる工程と、 付着された磁気抵抗構造体の、限定された外側導体領域
を露光するために、第２のフォトレジストマスキング層
を形成する工程と、形成された第２のフォトレジストマ
スキング層の、少なくとも露光された外側導電領域上へ
、電導性材料を付着させる工程と、第２のフォトレジス
トマスキング層を取り除く工程と、を含む磁気ヘッド製
造方法。
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