JPS60263484A - 磁気抵抗素子 - Google Patents
磁気抵抗素子Info
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- JPS60263484A JPS60263484A JP59119671A JP11967184A JPS60263484A JP S60263484 A JPS60263484 A JP S60263484A JP 59119671 A JP59119671 A JP 59119671A JP 11967184 A JP11967184 A JP 11967184A JP S60263484 A JPS60263484 A JP S60263484A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/80—Constructional details
Landscapes
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＮｉ −Ｆｅ ＋Ｎｉ−Ｃｏ等の強磁性薄膜を
用いた磁気抵抗素子に関するものである。
用いた磁気抵抗素子に関するものである。
磁気抵抗素子はＩｎ、Ｓｂ等の半導体材料を真空蒸着法
により薄膜化して使用するものと、ＮｉＦｅ。
により薄膜化して使用するものと、ＮｉＦｅ。
Ｎｉ−Ｃｏ等の強磁性材料を同様の方法で薄膜化して使
用するもの等がある。前者はホール効果を利用したもの
であり、通常５００ガウス以上の磁界強度が必要とされ
る。
用するもの等がある。前者はホール効果を利用したもの
であり、通常５００ガウス以上の磁界強度が必要とされ
る。
これに対し、後者の強磁性材料を使用した磁気抵抗素子
は磁界による電子のエネルギーバンドの変化を利用する
ため、１００ガウス以下の弱い磁界強度で作用する。Ｎ
ｉ −Ｆｅ 、Ｎｉ−Ｃｏ等の強磁性材料を薄膜化した
磁気抵抗素子のうち、熱硬化性樹脂による外装を行なう
ものが開発されつつある。第２図に開発されつつある磁
気抵抗素子の製造工程の一例を示す。図示するようにガ
ラス板、グレーズドセラミック等の絶縁基板あるいはＳ
ｉ基板等の半導体基板からなる平滑基板５上にＳｉＯ２
絶縁膜４を形成し、その上面に真空蒸着法によりＮｉ−
Ｆｅ、Ｎｉ−α等の磁性薄膜及び葡による導体薄膜を形
成する。
は磁界による電子のエネルギーバンドの変化を利用する
ため、１００ガウス以下の弱い磁界強度で作用する。Ｎ
ｉ −Ｆｅ 、Ｎｉ−Ｃｏ等の強磁性材料を薄膜化した
磁気抵抗素子のうち、熱硬化性樹脂による外装を行なう
ものが開発されつつある。第２図に開発されつつある磁
気抵抗素子の製造工程の一例を示す。図示するようにガ
ラス板、グレーズドセラミック等の絶縁基板あるいはＳ
ｉ基板等の半導体基板からなる平滑基板５上にＳｉＯ２
絶縁膜４を形成し、その上面に真空蒸着法によりＮｉ−
Ｆｅ、Ｎｉ−α等の磁性薄膜及び葡による導体薄膜を形
成する。
次にフォトリソグラフィー技術を利用して前記薄膜の微
細加工を行ない、磁性薄膜パターンｌと接続用電極２と
を形成する。更に全面に絶縁性保護膜としてＳｉＯ２膜
３をスパッタリング法にて形成し、再度フォトリソグラ
フィー技術によりＳｉＯ２の一部に孔明は加工を行なう
。適当な検査完了後にウェハを所定の寸法に切断して第
２図（Ｃ）に示すようなチップＣを形成する。このチッ
プＣをリードフレーム７にダイボンディングし、その後
リードフレーム７とチップＣ上の接続用電極２の間を桶
又はＭの細線６で接続する。次にその表面に外装時のバ
ッファーとしてシリコン樹脂８を塗布し、最後にトラン
スファーモールド法により外装用樹脂９で成形される。
細加工を行ない、磁性薄膜パターンｌと接続用電極２と
を形成する。更に全面に絶縁性保護膜としてＳｉＯ２膜
３をスパッタリング法にて形成し、再度フォトリソグラ
フィー技術によりＳｉＯ２の一部に孔明は加工を行なう
。適当な検査完了後にウェハを所定の寸法に切断して第
２図（Ｃ）に示すようなチップＣを形成する。このチッ
プＣをリードフレーム７にダイボンディングし、その後
リードフレーム７とチップＣ上の接続用電極２の間を桶
又はＭの細線６で接続する。次にその表面に外装時のバ
ッファーとしてシリコン樹脂８を塗布し、最後にトラン
スファーモールド法により外装用樹脂９で成形される。
成形完了後、リードフレームの不要部分を切断、除去し
て磁気抵抗素子を完成させるものである。
て磁気抵抗素子を完成させるものである。
一般に電子部品は能動、受動を問わず、耐湿性が最大の
弱点とされる。トランスファーモールド法による外装を
行なった磁気抵抗素子においても例外ではなく、耐湿性
能が問題となる、特に磁気抵抗素子ではセンサーとして
の機能上、小型化を要求されるため、外装の肉厚が薄く
なりやすい。
弱点とされる。トランスファーモールド法による外装を
行なった磁気抵抗素子においても例外ではなく、耐湿性
能が問題となる、特に磁気抵抗素子ではセンサーとして
の機能上、小型化を要求されるため、外装の肉厚が薄く
なりやすい。
磁性媒体とのギャップが十分に確保できないタイプによ
っては１００μ以下の厚さの外装を要求され、又これを
施したタイプも散見される。上述した磁１ 気抵抗素子
では保護膜として主に５ｉｎ２を使用し、更にエポキシ
系熱硬化性樹脂で外装を行なうので、基本的には外装樹
脂の耐湿特性に左右される。
っては１００μ以下の厚さの外装を要求され、又これを
施したタイプも散見される。上述した磁１ 気抵抗素子
では保護膜として主に５ｉｎ２を使用し、更にエポキシ
系熱硬化性樹脂で外装を行なうので、基本的には外装樹
脂の耐湿特性に左右される。
このため、前記の如く特性上の要求より外装樹脂を薄く
する場合は、特性の保証が困難である。
する場合は、特性の保証が困難である。
本発明はかかる欠点を除去するため、各チップ上のＮｉ
−Ｆｅ 、Ｎｉ−Ｃｏ磁性薄膜上に金属薄膜の耐湿膜
を設けたものである。ＴａｌＮｂ１Ｍ０ 等は真空蒸着
法あるいはスパッタリング法により薄膜化され、薄膜抵
抗器の抵抗体として使用され劣悪な環境条件に対し高い
安定度を示すことはすでに良く知られている通りである
。これを利用してまず保護膜として磁性薄膜の上にＳｉ
Ｏ□を付着せしめ、更にその上に前記の薄膜抵抗器に使
用されるＴａｌＮｂ１Ｍ０等の合金を含む薄膜を耐湿膜
として形成する。
−Ｆｅ 、Ｎｉ−Ｃｏ磁性薄膜上に金属薄膜の耐湿膜
を設けたものである。ＴａｌＮｂ１Ｍ０ 等は真空蒸着
法あるいはスパッタリング法により薄膜化され、薄膜抵
抗器の抵抗体として使用され劣悪な環境条件に対し高い
安定度を示すことはすでに良く知られている通りである
。これを利用してまず保護膜として磁性薄膜の上にＳｉ
Ｏ□を付着せしめ、更にその上に前記の薄膜抵抗器に使
用されるＴａｌＮｂ１Ｍ０等の合金を含む薄膜を耐湿膜
として形成する。
本発明は熱硬化性樹脂により樹脂封止した磁気抵抗素子
において、リードフレームに搭載された磁気抵抗素子チ
ップ上に絶縁性保護膜を設けるとともに、該絶縁性保護
膜上にＮｉ−Ｃｒ、ＴａｌＮｂ１Ｍｏ５Ｔｉ系の合金を
含む高融点金属薄膜よりなる導電性耐湿膜を設けたこと
を特徴とする磁気抵抗素子である。
において、リードフレームに搭載された磁気抵抗素子チ
ップ上に絶縁性保護膜を設けるとともに、該絶縁性保護
膜上にＮｉ−Ｃｒ、ＴａｌＮｂ１Ｍｏ５Ｔｉ系の合金を
含む高融点金属薄膜よりなる導電性耐湿膜を設けたこと
を特徴とする磁気抵抗素子である。
以下に、本発明の一実施例を図により説明する。
第１図（Ａ） 、 （Ｂ） 、 （Ｃ’）において、本
発明は熱硬化性樹脂１０により樹脂封止した磁気抵抗素
子において、リードフレーム７に搭載された磁気抵抗素
子チップＣ上に絶縁性保護膜３を設けるとともに、該絶
縁性保護膜３上にＮｉ−Ｃｒ、ＴａｌＮｂ１Ｍ０．Ｔｉ
系の合金を含む高融点金属薄膜よりなる導電性耐湿膜ｌ
Ｏを設けたものである。
発明は熱硬化性樹脂１０により樹脂封止した磁気抵抗素
子において、リードフレーム７に搭載された磁気抵抗素
子チップＣ上に絶縁性保護膜３を設けるとともに、該絶
縁性保護膜３上にＮｉ−Ｃｒ、ＴａｌＮｂ１Ｍ０．Ｔｉ
系の合金を含む高融点金属薄膜よりなる導電性耐湿膜ｌ
Ｏを設けたものである。
次に本発明に係る磁気抵抗素子の製造方法について説明
する。
する。
ガラス板、グレーズドアルミ基板或いはシリコン板など
の絶縁基板あるいは半導体基板よりなる平滑基板５上に
Ｓｉｎ、絶縁膜４を形成し、該絶縁膜４上に真空蒸着法
により、Ｎｉ −Ｆｅ 、Ｎｉ−Ｃｏ等の磁性薄膜及び
Ａｕによる導体薄膜を形成する。次にフォトリソグラフ
ィー技術を利用して前記薄膜に微細加工を施し、センサ
部としての磁性薄膜パターン■と、接続用電極２とを形
成する。その後、全面にＳｉＯ□膜を絶縁性保護膜３と
して付着形成後、フォトリソグラフィー技術により電極
２上の５ｉｎ２膜の孔明は加工を行なう。完了後、フォ
トレジストを除去し、その面を洗浄する。再度フォトリ
ソグラフィー技術によ多接続用電極２のみをフォトレジ
ストによりカバーＬＳｉＯ，の絶縁性保護膜３上にＮｉ
−Ｃｒ、Ｔａ、Ｎｂ＋Ｍｏ＋Ｔｉ等の高融点金属を蒸着
し導電性耐湿膜ｌＯを形成する。再度フォトエツチング
法により接続用電極２上に設けたフォトレジストを除去
して完成される。この後所定の寸法に切断して第１図（
Ｑに示すチップＣを形成し、個片に切断されたチップＣ
をリードフレーム７上にダイポンディングし、チップ上
の接続用電極２とリードフレーム７とをん細線６で接続
する。チップ表面にバッファー用樹脂としてシリコン樹
脂８を塗布した後、トランスファーモールド法により熱
硬化性樹脂１０で樹脂封止する。その後リードフレーム
１０の不要部分を切断、削除して磁気抵抗素子を完成さ
せる。
の絶縁基板あるいは半導体基板よりなる平滑基板５上に
Ｓｉｎ、絶縁膜４を形成し、該絶縁膜４上に真空蒸着法
により、Ｎｉ −Ｆｅ 、Ｎｉ−Ｃｏ等の磁性薄膜及び
Ａｕによる導体薄膜を形成する。次にフォトリソグラフ
ィー技術を利用して前記薄膜に微細加工を施し、センサ
部としての磁性薄膜パターン■と、接続用電極２とを形
成する。その後、全面にＳｉＯ□膜を絶縁性保護膜３と
して付着形成後、フォトリソグラフィー技術により電極
２上の５ｉｎ２膜の孔明は加工を行なう。完了後、フォ
トレジストを除去し、その面を洗浄する。再度フォトリ
ソグラフィー技術によ多接続用電極２のみをフォトレジ
ストによりカバーＬＳｉＯ，の絶縁性保護膜３上にＮｉ
−Ｃｒ、Ｔａ、Ｎｂ＋Ｍｏ＋Ｔｉ等の高融点金属を蒸着
し導電性耐湿膜ｌＯを形成する。再度フォトエツチング
法により接続用電極２上に設けたフォトレジストを除去
して完成される。この後所定の寸法に切断して第１図（
Ｑに示すチップＣを形成し、個片に切断されたチップＣ
をリードフレーム７上にダイポンディングし、チップ上
の接続用電極２とリードフレーム７とをん細線６で接続
する。チップ表面にバッファー用樹脂としてシリコン樹
脂８を塗布した後、トランスファーモールド法により熱
硬化性樹脂１０で樹脂封止する。その後リードフレーム
１０の不要部分を切断、削除して磁気抵抗素子を完成さ
せる。
本発明は以上説明したようにチップ表面にＮｉ −Ｃｒ
、Ｔａ、Ｍｏ等の金属よりなる制湿膜を設けたので、モ
ールド樹脂表面より浸透する湿気を遮断することができ
、そのモールド樹脂の厚さを薄くして磁性媒体とのギャ
ップを十分に確保し、要求される特性を保証できる。ま
た、耐湿膜は既存の製造設備を使って設けることができ
、高価な設備を新たに必要とせず、容易に実施して安価
な価格で磁気抵抗素子を供給できる効果を有するもので
ある。
、Ｔａ、Ｍｏ等の金属よりなる制湿膜を設けたので、モ
ールド樹脂表面より浸透する湿気を遮断することができ
、そのモールド樹脂の厚さを薄くして磁性媒体とのギャ
ップを十分に確保し、要求される特性を保証できる。ま
た、耐湿膜は既存の製造設備を使って設けることができ
、高価な設備を新たに必要とせず、容易に実施して安価
な価格で磁気抵抗素子を供給できる効果を有するもので
ある。
第１図囚、ω） 、 （Ｃ’ｌは本発明に係る磁気抵抗
素子の一実施例を示す斜視図、断面図及びチップの断面
図、第２図囚、 （Ｂ） 、 （Ｃ’）は従来の磁気抵
抗素子の一例を示す斜視図、断面図及びチップの断面図
である・ ■・・・磁性薄膜パターン ２・・・接続用電極ｓ ”
”’ Ｐ″Ｒ″００ “−Ｍ′″１“５・・・平滑基
板 ６・・・Ｍ細線 ７・・・リードフレーム ８・・・シリコン樹脂９・・
・熱硬化性樹脂 １ｏ・・導電性耐湿膜特許出願人 日
本電気株式会社 、−−一・ −４：
素子の一実施例を示す斜視図、断面図及びチップの断面
図、第２図囚、 （Ｂ） 、 （Ｃ’）は従来の磁気抵
抗素子の一例を示す斜視図、断面図及びチップの断面図
である・ ■・・・磁性薄膜パターン ２・・・接続用電極ｓ ”
”’ Ｐ″Ｒ″００ “−Ｍ′″１“５・・・平滑基
板 ６・・・Ｍ細線 ７・・・リードフレーム ８・・・シリコン樹脂９・・
・熱硬化性樹脂 １ｏ・・導電性耐湿膜特許出願人 日
本電気株式会社 、−−一・ −４：
Claims (1)
- （１）熱硬化性樹脂により樹脂封止した磁気抵抗素子に
おいて、リードフレームに搭載された磁気抵抗素子チッ
プ上に絶縁性保護膜を設けるとともに、該絶縁性保護膜
上にＮｉ−Ｃｒ＋Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｉ系の合金を含
む高融点金属薄膜よりなる導電性耐湿膜を設けたことを
特徴とする磁気抵抗素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59119671A JPS60263484A (ja) | 1984-06-11 | 1984-06-11 | 磁気抵抗素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59119671A JPS60263484A (ja) | 1984-06-11 | 1984-06-11 | 磁気抵抗素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60263484A true JPS60263484A (ja) | 1985-12-26 |
Family
ID=14767166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59119671A Pending JPS60263484A (ja) | 1984-06-11 | 1984-06-11 | 磁気抵抗素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60263484A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03263886A (ja) * | 1990-03-14 | 1991-11-25 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗素子とその製造方法 |
-
1984
- 1984-06-11 JP JP59119671A patent/JPS60263484A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03263886A (ja) * | 1990-03-14 | 1991-11-25 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗素子とその製造方法 |
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