JPS6120378A - 磁電変換素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 この発明はホール素子、磁気抵抗効果素子など磁界乃至
磁束を電気信号に変換する磁電変換素子に関するもので
ある。

「従来技術」 従来■−■族化合物半導体を用いた磁電変換素子の感磁
部は、■半導体をフェライト等の基板上に接着したもの
、■半絶縁性の半導体基板上に、その基板と同種の半導
体の活性層を形成したもの、■絶縁体基板上に半導体層
を形成したものに大別される。

■ノ例ｔｒｉ　Ｉ　ｎｓ　ｂウエーノ・をフェライト基
板上に樹脂で接着し、その後、研磨法にてＩｎ５ｂＯ薄
層を形成して作成した磁気抵抗素子、■の例はＧａＡｓ
の半絶縁性基板上にイオン注入により活性層を形成した
ホール素子、■の例はアルミナ基板上に蒸着法によりＩ
　ｎＡｓの半導体層を形成して作ったホール素子等があ
る。

■においては、磁電変換素子の性能に多大の影響を与え
る半導体活性層の淳さを所定値にするのが難しく、また
樹脂層の存在の為製作工程が複雑化する。■については
一般に半絶縁性基板を作成可能な半導体材料はバンドギ
ャップが犬きく、移動度が小さい為に十分な感度が得ら
れない。■の場合は基板がアモルファス又は多結晶であ
るので、その上に良好な単結晶の半導体層を形成するこ
とが難しい。

そこでこの発明の目的は半絶縁性の半導体装置晶基板上
に、これよりも移動度の大きい■−■族化合物半導体の
良質の膜を形成し、高感度かつ高信頼性の磁電変換素子
を提供することである。

「問題点を解決するだめの手段」 この発明の磁電変換素子によれば、半絶縁性のＧａＡｓ
単結晶基板上に、厚さが０．１〜１０μｍ、電子濃度が
５Ｘ１０１５〜５　Ｘ　Ｉ　Ｑ　”　ｃｙ＋＋３の範囲
内、室温で電子移動度が４０００〜８　Ｑ　Ｏ００ｅＪ
／ＶｓａｃのＩｎＸＳｂＹ又はＩ　ｎＸＡＳＹ（Ｘ　＋
　Ｙ　＝　２）　、又はＩｎＸＳｂＹＳｂＺ　　、又ｆ
３　ＩｎＸＧａＹＳｂＺ又はＩｎｘＧａｙＡｓ：（Ｘ十
Ｙ＋Ｚ＝２　）の２元もしくＶｉ３元の１ｌｌ−ｖ族の
高移動度化合物半導体膜が形成され、その半導体膜上の
所要の部分に電極が形成されている。

半絶縁性のＧａＡｓ単結晶基板を用いることにより、次
の効果がある。まず、■−■族の高移動度化合物半導体
はその結晶構造が全て閃亜鉛鉱形で等しく、また格子定
数も近い。よってＧ　ａ　Ａ　Ｓ単結晶基板上には他の
■−ｖ族化合物半導体の良質の結晶が簡単に成長し、移
動度も大きく、高感度のホール素子、磁気抵抗素子が工
業的に容易に製造可能になる。

捷たＧａＡｓと他の■−■族の化合物半導体との熱膨張
係数が非常に近い為、半導体膜作成時に発生する熱応力
が非常に小さい。また、基板からのＧａ又はＡｓのオー
トドープがごくわずかあるが、半導体膜の電気的特性に
はほとんど影響を与えない。また基板と半導体膜との間
に熱の不良導体の層がな（、ＧａＡｓそのものが熱伝導
が非常に良いので、高温域での磁電変換素子の信頼性が
非常に乙高くなる。

以上のような理由で、半絶縁性のＧａＡｓ単結晶基板上
に他の高移動度の化合物半導体膜を形成することにより
、高感度で高い信頼性を有する磁電変換素子を工業的に
容易に製造することができる。

「実施例」 この発明の磁電変換素子の１つであるホール素子の構造
の１例を第１図に示す。第１図において半絶縁性のＧ　
ａ　Ａ　Ｓ単結晶基板１１上に、感磁部を構成する高電
子移動度の半導体膜１４が形成され、半導体膜１４上に
ワイヤボンディング用電極１５が形成される。この電極
１５け半導体膜１４と接続するコンタクト層１６．その
上の中間層１７、更にその上のボンディング層１８より
なる。電極間の中央部の半導体膜１４は感磁部１９であ
る。

電極１５１ｄＡｕ、Ａ４．Ａ４−８ｉ合金等の細線２１
でリードフレーム２２に接続される。リードフレーム２
２の端部を残して基板１１、細線２１などは、樹脂のモ
ールド体２３内に埋込まれる。

第２図は第１図のホール素子を上面からみた状況を示す
。

第３図及び第４図はホール素子チップをリードフレーム
２２を介することなく、プリント配線板に直接取付けだ
例である。すなわちプリント基板２４に形成された配線
２５に細線２１が接続される。

この発明の磁電変換素子の電極構造は注意を要する。従
来■−■族半導体を用いた磁電変換素子の電極構造は半
導体膜にオーミックコンタクトを形成後、蒸着法等によ
りＡｕ、Ａｔ等のワイヤボンディング性の良好な金属層
を形成し、これを３００−。

４００℃付近に加熱して圧着もしくは超音波によりＡｕ
、Ａｔ等の細線を接続する方法が用いられている。しか
るにこの方法をこの発明の磁電変換素子に適用しようと
すると２つの問題を生じる。その第一は基板であるＧａ
Ａｓ　１１とその上に形成されたＧ　ａ　Ａ　Ｓ以外の
化合物半導体膜１４とでは熱膨張率が異る為、ボンディ
ング時に温度を十分に上げることができない。通常行な
われているように３００〜４００℃に電極部の温度を上
げると、基板１１と半導体膜１４との界面に熱応力が集
中し、信頼性の低下もしくは基板１１と半導体薄膜１４
との間のはく離が生じる。第二は基板１１と半導体膜１
４とは、一般に密着性が十分でない為、パワーの大きい
エネルギーの超音波を与えるとはく離が生じる。

そこで、半導体膜１４とオーミック接合を形成し、かつ
、電極１５と半導体膜間の熱応力をおさえるやわらかい
金属のコンタクト層１６を形成し、その上に超音波を反
射し、外力が半導体膜１４に加わることを防止するボン
ディング層１８に比して硬い中間層１７を形成し、さら
にその上にボンディング性の良好な金属のボンディング
層１８を形成する。このようにして低温かつ弱い超音波
パワーで高信頼性のワイヤボンディング接合を可能とし
ている。尚コンタクト層ｌ６Ｌｒｉ、中間層Ｉ７が半導
体膜１４と良好なオーミック接合を形成する場合は省略
してもよい。

ホンティング層１８は、Ａｕ、Ａｕ−Ｇｅ合金、Ｐｔ。

Ａｔ、Ａｔ−８ｉ合金、Ａｇ、Ｃｕ又はこれらの合金等
のワイヤポンティング性の良好な金属より成る。

このボンディング層１８に用いる金属はワイヤボンディ
ング性の良いものであれば伺でも良いが、特にＡｕが好
ましい。ボンディング層１８は電極１５とＡｕ、Ａｔ、
Ａ４−８ｉ合金等の細線２１との強固かつ高信頼性の結
合を保障するものである。ボンディング層１８の形成に
は、無電解メッキ法。

電解メッキ法、蒸着またはスパッタリングによるリフト
オフ法等の通常の半導体素子の電極形成に用いる方法が
用いられる。ボンディング層１８の層厚は特に限定され
ないが、通常Ｖｉ０．１〜３０μｍ、好ましくは０１〜
１０μｍがよい。ボンディングの信頼性を向上する為に
はポンディング層１８Ｖｉ厚いほど好ましいが、層厚の
増大に伴う内部応力の増加により層界面の密着性が低下
すること、エツチングの切れが低下すること、　Ａ　ｇ
　、　Ａ、　ｕ　、　Ｐ　を等の貴金属を用いる場合に
は、価格が増大することによりその上限が決定される。

ボンディング層１８にＣｕ、Ａｔ等の酸化されやすい金
属を用いるときには、表面にＡｕ、Ａｇ等の酸化されに
くい金属のごく薄い層を形成し、ボンディング層１８を
複数にすることにより更にボンディングの信頼性が向上
する。第５図にこの電極１５の断面形状を示す。第５図
に於いて、中間層１７上にＶｉＣｕ又はＡｔ等のボンデ
ィング性が良好だが、さびやすい金属のボンディング本
体層２６が形成され、そのボンディング本体層２６上に
Ａ、ｕ又はＡｇ等のボンディング性が良好でさびにくい
金属薄層２７が形成され、ボンディング本体層２６及び
金属薄層２７でボンディング層１８が形成される。ボン
ディング本体層２６にＡｔを用いるときには金属薄層２
７の形成には注意を要する。Ａｔは空気中で瞬時に酸化
されるからである。真空中又は還元性の雰囲気中でボン
ディング本体層２６、金属薄層２７を連続的に形成する
ことが好ましい。

また、ボンディング層１８にＡｇ、Ｐｔ等の酸化されに
くい金属を用いる場合に於いても、その表面にボンディ
ング性の最も優れているＡｕをごく薄く形成すると、信
頼性がさらに増大する。第７図にその断面構造を示す。

中間層１７上に、Ａｕ以外のＡｇ、Ｐｔ等のボンディン
グ性が良好でさびにくい金属層２８を形成し、その金属
層２８上にＡｕの薄層２９を形成する。

中間層１７はＮｉ　、Ｆｅ、Ｔｉ　、Ｗ、Ｃｕ　、等の
ボンディング層１８に比して硬い金属層より成り、その
形成にも無電解メッキ法、電解メッキ法、蒸着またはス
パッタリングによるリフトオフ法などを用いることがで
きる。この中間層１７の効果は主として下記の３点より
成る。

（ａ）　　ボンディング時に電極１５の面に対して垂直
方向に作用する力を、この中間層１７に集中し、この力
が半導体膜１４ないしは半導体膜１４とコンタクト層１
６との界面に達するのを防止する。

（ｂ）　　ボンディング時の荷重を電極１５の全体に分
散し、荷重がツールの先端のみに集中することを防止す
る。

（Ｃ）　　超音波を中間層１７とボンディング層１８と
の界面で反射し、超音波が半導体膜１４又はその界面に
悪影響を与えることを防止する。それと同時に超音波エ
ネルギーをボンディング層１８に集中し、低いパワーの
超音波エネルギーで確実なボンディングを保障する。

この（ａ）又は（ｂ）の目的の為には中間層１７Ｖｉボ
ンディング層１８あるいはコンタクト層１６に比してヤ
ング率が大きく、弾性限界の大きい金属が好ましい、（
Ｃ）の効果を重視する時には、ボンディング層１８又は
コンタクト層１６での音速と中間層１７での音速とがで
きるだけ異なるものとなる金属を用いることが好ましい
。この時、音速の不整合が大きい為、ボンディング層１
８と中間層１７との界面ないしはコンタクト層１６と中
間層１７との界面によって超音波が反射される。以上の
条件を満たす金属の好ましい例としてＮｉ、Ｃｕ、Ｗが
ある。ボンディング層１８、コンタクト層１６にはＡｕ
を用いることが好ましいが、上記の中間層１７に好まし
い金属？１　Ａ　ｕに比して２倍以上のヤング率を有し
、音速塵もＡｕの約２倍になる。ボンディング層１８が
Ａｕであるときは中間層１７としてＣｕを用いることも
好ましい。

中間層１７の厚さは特に限定されないが、通常０１〜３
０μｍ、より好ましくは０１〜１０μｍがよい。中間層
１７の効果を有効に発揮する為には、層厚は大きいほど
好ましいが、層厚の増大に伴ない、内部応力が増大し、
層界面の密着性が低下すると同時に、エツチングの切れ
が悪くなるのでその上限が存在する。中間層１７を余り
薄くするとその機械的強度が小となり、かつ容易に超音
波も透過し、中間層１７を設けた意味がなくなる。

超音波の反射作用を有効に行なう為には、中間層１７を
複数の金属層で構成することが好ましい。

隣接する層の音速が大きく異なる金属を組みあわせれば
、超音波は界面を通過するととＫ、界面の両側の金属の
音速の不整合の度合いに応じて反射されて、その振幅は
大幅に減衰する。この構成例を第８図に示す。第７図に
おいてボンディング層１８はＡｕ層で構成され、その下
にＮｉ層３１、Ａｕ層３２、Ｎｉ層３３が順次積層され
、これら３層３１，３２．３３により中間層１７を形成
する。

超音波は層１８と層３１、層３１と層３２、層３２と層
３３、層３３と層１６の合計４つの界面で反射される。

中間層１７はヤング率（硬さ）、弾性限界、音速の差の
全体の特性がボンディング層１８に対し、５０％以上の
差があればよい。

コンタクト層１６はＣｕ、Ａｕ、Ａｔ、ｋｔ−８層合金
、Ａｕ−Ｇｅ合金、Ａｇ、Ｐｔまたは、これらの合金等
の化合物半導体膜１４と良好なオーム性接合を形成し、
化合物半導体膜１４と類似の熱膨張率を有し、かつ前記
化合物半導体膜１４と同程度で軟らかい金属層より成る
。このコンタクト層１６により、半導体膜１４と電極１
５との良好なオーミックコンタクトヲ確保し、かつ半導
体Ｍ１４と電極１５との間の熱応力を緩和する。コンタ
クト層１６の形成には無電解メッキ法、電解メッキ法、
蒸着又はスパッタリングを用いたリフトオフ法等が用い
られる。層厚は特に限定されないが、通常０１〜５０μ
ｍ、より好ましく　Ｖｉｏ、　１〜１０　ｐ　ｍである
。ポンディングの信頼性を向上する為にはコンタクト層
１６は厚いほど好ましいが、層厚の増大に伴い内部応力
が増加し、層界面の密着性が低下すること、エツチング
切れが低下すること、Ａｇ。

Ａｕ、Ｐｔ等の貴金属を用いるときには価格が増加する
ことによりその上限が存在する。

１ｎｕａＡｓ　等の半導体膜１４のｓｔにオーミックコ
ンタクトを形成するのが困難なものを　゛ 巷イ用いる場合、又はコンタクト層１６にＡｕ　。

Ｐｔ、Ａｇ等の高価な金属を大量に用いたくない場合に
は、コンタクト層１６、を複数にし、まずＡｕ−Ｇｅ等
の薄い層で半導体膜１４とのオーミック接合を形成した
後に、中間層１７に比して軟らかい金属又は、中間層１
７に比して熱膨張率が半導体膜１４のそれに近い金属を
その上に形成して、２層でコンタクト層１６を形成する
。この例を第８図及び第、９１図に示す。第８図におい
て、半導体合金層３４のＧｅの比率は０１〜１０重量％
であり、この層３４によりＧａＡｓ半導体膜１４と電極
１５とのオーミック接合を確保する。Ａｕ−Ｇｅ合金層
３４上にＣｕ層３５が形成され、これら２層３４．３５
でコンタクト層１６を形成する。第９図において、半導
体膜１４としてＩｎＡＳＸＳｂｌ　−Ｘ（０≦×≦１）
膜を形成した場合で、この半導体膜１４上にＡｕ層３６
が形成され、そのＡ、ｕ層３６上にＣｕ層３７が形成さ
れ、これら２層３６．３７でコンタクト層１６が形成さ
れる。コンタクト層１６の形成には、無電解メンキ法、
電解メッキ法、蒸着又はスパッタリングによるリフトオ
フ法等の通常半導体素子の電極形成に用いられる方法を
用いる。コンタクト層１６の層厚ｌ′ｉ特に指定しない
が、０１〜１０μｍが好ましい。ボッディングの信頼性
を向上させる為にはコンタクト層１６け厚いほど好まし
いが、層厚の増大に伴い内部メカが増大し、層界面の密
着性が低下すること、エツチング切れが低下すること、
Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ等の貴金属を用いる場合には価格の増
大によりその上限が決定される。

中間層１７に用いる金属が半導体膜１４と良好なオーミ
ック接合を形成し、かつ半導体膜１４との密着性が良好
な場合には、コンタクト層１６は省略してもよい。この
時、中間層１７に用いる金属はその熱膨張係数が半導体
膜１４のそれに近く。

かつ半導体膜１４に比してヤング率のあまり大きくない
がボンディング層１８よりは大きいヤング率をもつのが
好捷しい。この構成例を第１０図に示す・第１Ｏ図にお
いて、半導体層１４としてＩｎＡＳＸＳｂｌ−Ｘ（Ｑ≦
×≦１）を用いた場合で、この半導体層１４上に直接、
中間層１７としてＣｕ層が形成され、その上にボンディ
ング層１８としてＡｕ層が形成される。

感磁部半導体膜１４Ｆｉ、通常の磁電変換素子として用
てられているＧ　ａ　Ａ　ｓ以外の風量化合物の半導体
で電子移動度２０００〜８ＱＯＯＯａｄ／　Ｖ　ｓａ−
の範囲内にあり、単結晶もしくは多結晶の薄膜が用いら
れる。

半導体膜１４の形成方法は、真空蒸着法、Ｍ　ＢＥ法、
ＣｖＯ法、ＭＯＣＶＯ法、ＬＰＥ法等Ｊ常の半導体膜を
形成する方法であれば何でも良い。

特にＭＢＥ法は良質の多結晶もしくは単結晶薄膜が形成
できること、膜厚の制御性が非常に優れていること、膜
形成が低温で出来る為に基板からのオートドーピングが
少なく、又熱応力も小さい等の理由で非常に好ましい。

基板１１に用いるＧａＡｓ単結晶基板は出来るだけ高抵
抗であることが好ましい。抵抗値は特に指定しないが、
１０４Ω憫以上であることが好ましい。

通常ＶｉＨＢ法もしくＶｉＬＥＣ法により形成されたＣ
ｒ　ドープもしくはアンドーグの単結晶インゴットより
切りだした基板を用いる。基板の表面はでき乙だけ平滑
であることが好ましい。結晶方位は特に指定しないが、
（１，１，１）、（１，０，０）　　もしくはこれより
１〜１００傾斜した方向に切り出した基板が好ましく用
いられる。

磁電変換素子の電極−１５１ｄＡｕ、Ａ４．Ａｔ−８ｉ
合金等の通常ワイヤボンディングに用いられる細線２１
により、リードフレーム２２又はプリント基板上に形成
された配線パターン２５等の導体に電気的に結合される
。リードフレーム２２に結線する場合リードフレームの
材質はＣｕ、ＩＪアン銅等、通常の半導体素子のリード
に用いるものを利用できる。また、ボンディング性を向
上する為にリードの表面にＡｕ、Ａｇ等のボンディング
性の良好な金属の薄層を形成することも好ましく行なわ
れる。

プリント基板２４上に結線する場合において、用いるプ
リント基板２４は通常の電子部品の配線に用いられるも
のでよい。その配線導体上にＡ　ｕ　。

Ａｇ等のボンディング性の良好な薄層を形成することも
好１しく行なわれる。

モールド樹脂２３の材質は、一般に電子素子のモールド
に使用されている樹脂でよい。好ましいものは、熱硬化
性樹脂で、エポキシ樹脂、フェノールエポキシ樹脂等が
ある。そのモールド方法は、通常の電子部品で行なわれ
ている方法でよく、例、ｔば、　注型モールド、トラン
スファーモールド、固型ペレットを素子上に買き加熱溶
融後、硬化してモールドする等の方法がある。

以上この発明の磁電変換素子の１例としてホール素子を
例にとり説明してきたが、他の素子、例えば磁気抵抗効
果素子についてもホール素子と電極形状、端子電極の個
数、感磁部のパターンが異るが、ホール素子と全く同様
に電極形成がなされ、基本構成については同一である。

以下、この発明を具体例をもって説明するが、この発明
はこれらの例のみに限定されるものではなく、先に述べ
た基本構造を持つ全ての磁電変換素子に及ぶものである
。

第　　１　　例 表面を鏡面研磨した（１，０．０）ＧａＡｓ単結晶基板
１１上に厚さ１５μｍ、電子移動度１５．ＯＯＯｃ＃ｌ
／’ＶｓｅｃのＩ　ｎＡｓ膜をＭＢＥ法により形成して
半導体膜１４を作った。次にフォトレジストを使用し、
通常行なわれている方法でＩｎＡＳ膜１４中の感磁部１
９の表面上にフォトレジスト被膜を形成した。その後無
電解メッキを行ない、銅を厚さ０３μｍ所要の部位のみ
に付着させた。さらに銅の厚付けを行なう為、電解銅メ
ッキを行ない、厚さ４μｍのコンタクト層１６を形成し
た。次に上記のフォトレジストを再度用い、電極部のみ
に厚さ２μｍのＮｉ層の中間層１７を電解メッキ法によ
り形成した。

さらにその上に電解メッキにより厚さ２μｍのＡｕ層の
ボンディング層１８を形成した。次に上記のフォトレジ
ストを再度用い、フォトリソグラフィーの手法により、
ＧａＡｓ基板１１の表面の一部、不要なＩｎＡＳ膜１４
及び、Ａｕ層中のボンディング層１８に不要な部分を塩
化第二鉄の塩酸性溶液でエツチング除去し、ホール素子
の感磁部１９及び４つの電極部１５を形成した。次に応
力緩和用のシリコン樹脂を感磁部の上に塗布した。

このウェーハーをダイシングカッターにかけ、１、ＩＸ
ｌ、１ｍｍの方形のホール素子チップに切断した。

次にこれをリードフレーム２２のタイ上に接着した。次
にペレットの電極１５とリードフレーム２２とを高速ワ
イヤーボンダーを用い、Ａｕ細線２１で接合した。エボ
キノ樹脂によりトランスファーモールド法でパッケージ
化した。

「効果」 このようにして製作したこの発明を適用したホール素子
の感度は第１表中の■の如くであった。

第　　　１　　　表 第１表に於いて■は半絶縁性ＧａＡｓ基板上にイオン注
入法により感磁部を形成したホール素子、■は石英基板
上にＭＢＤ法によりＩｎＡＳ膜を形成し、これを感磁部
に用いたホール素子である。第１表の値は入力電圧ＩＶ
、印加磁場５００Ｇにおける出力電圧である。■が高感
度であること撓（わかる。

第　　　　２　　　表 また２６０℃１０分の熱衝撃試験における抵抗の変化率
を第２表に示す。第２表に於いて、■はこの発明のホー
ル素子、■は半絶縁性ＧａＡｓ基板上にイオン注入法に
より感磁部を形成したホール素子、■は樹脂によって基
板に接着されたＩｎＳｂの感磁部を有するホール素子で
ある。この発明のホール素子の耐熱性がイオン注入法に
よるＧａＡｓホール素子と同程度に優れていることがわ
かる。

このようにこの発明の磁電変換素子は高感度かつ高信頼
性を有する今壕でにない優れた総合性能を示しているこ
とがわかる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明による磁電変換素子の実施例を示す断
面図、第２図は第１図の磁電変換素子のモールド体を付
せる前の平面図、第３図はこの発明の他の実施例を示す
平面図、第４図は第３図の断面図、第５図はボンディン
グ層１８が複数の金属層より成る場合の電極構造の例を
示す断面図、第６図はボンディング層１８が複数の金属
層より成る場合の電極構造の他の例を示す断面図、第７
図は中間層１７が複数の金属層より成る場合の電極構造
の例を示す断面図、第８図はコンタクト層１６が複数の
金属層より成る場合の電極構造の例を示す断面図、第９
図はコンタクト層１６が複数の金属層より成る場合の電
極構造の他の例を示す断面図、第１０図は中間層１７が
コンタクト層１６を兼ねる場合の電極構造の例を示す断
面図である。 １１・・・絶縁性ＧａＡｓ単結晶基板、１４　半導体膜
、１５・・・電極、１６・・・コンタクト層、１７・・
・中間層、１８　ボンディング層、１９・・・感磁性部
、２１・細線、２２・・リードフレーム、２３・・モー
ルド体。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）半絶縁性のＧａＡｓ単結晶基板と、その単結晶基
   板上に形成された、Ｉｎ＿ＸＳｂ＿Ｙ又は、Ｉｎ＿ＸＡ
   ｓ＿Ｙ、（Ｘ＋Ｙ＝２）、又はＩｎ＿ＸＡｓ＿ＹＳｂ＿
   Ｚ、又は、Ｉｎ＿ＸＧａ＿ＹＳｂ＿Ｚ、又は、Ｉｎ＿Ｘ
   Ｇａ＿ＹＡｓ＿Ｚ（Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝２）の２元もしくは３
   元のIII−Ｖ族化合物半導体膜より成る感磁部とを有す
   ることを特徴とする磁電変換素子。