JP2010262963A - ホール素子の製造方法およびホール素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】製造上の支持基板側で半導体単結晶薄膜からホール素子のチップ14aを剥離可能に形成し、これとは別工程で、ホール素子の大きさに予め切り出されたコア基板21上に絶縁層22を形成し、その絶縁層22上に導電性接着剤を用いてそれぞれ一対の入力用電極23,23と出力用電極24,24とを含む電極部25を形成し、上記支持基板から剥離したチップ14aをコア基板21の電極部25に実装する。
【選択図】図1e
Description
11 製造上の支持基板
12 接着剤層
13 半導体単結晶材料の層
14 半導体単結晶薄膜
14a チップ
21 コア基板
22 絶縁層
23 入力用電極
24 出力用電極
25 電極部
31 保護膜
Claims (5)
- ホール素子の製造方法において、
製造上の支持基板の一方の面側に剥離可能な接着剤層を介してホール素子として用いられる半導体単結晶材料の層を積層する工程と、
上記半導体単結晶材料の層を研磨して半導体単結晶薄膜を形成する工程と、
上記半導体単結晶薄膜を個々の素子に分離して複数のチップとする工程と、
マザーコア基板から上記ホール素子の大きさに予め切り出されたコア基板上に絶縁層を形成し、上記絶縁層上に導電性接着剤を用いてそれぞれ一対の入力用電極と出力用電極とを含む電極部を形成する工程と、
上記チップを上記接着剤層から剥離して、上記電極部に実装する工程とを含むことを特徴とするホール素子の製造方法。 - 上記チップを上記電極部に実装したのち、その実装面側に保護膜を形成することを特徴とする請求項1に記載のホール素子の製造方法。
- 上記半導体単結晶材料として、InSbまたはInAsを用いることを特徴とする請求項1または2に記載のホール素子の製造方法。
- 上記コア基板を磁性体より形成することを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載のホール素子の製造方法。
- 請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載のホール素子の製造方法によって製造されたホール素子。
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KR20170135897A (ko) * | 2015-04-10 | 2017-12-08 | 알레그로 마이크로시스템스, 엘엘씨 | 홀 효과 센싱 요소 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6120378A (ja) * | 1984-07-09 | 1986-01-29 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 磁電変換素子 |
JPH06125122A (ja) * | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Nippon Autom Kk | 磁気抵抗素子及びその取付基板並びに該磁気抵抗素子と取付基板を用いた磁気センサ |
JPH07135358A (ja) * | 1993-01-08 | 1995-05-23 | Murata Mfg Co Ltd | 磁気センサの製造方法 |
JP2004265997A (ja) * | 2003-02-28 | 2004-09-24 | Victor Co Of Japan Ltd | ホール素子 |
JP2005123383A (ja) * | 2003-10-16 | 2005-05-12 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 磁電変換素子 |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6120378A (ja) * | 1984-07-09 | 1986-01-29 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 磁電変換素子 |
JPH06125122A (ja) * | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Nippon Autom Kk | 磁気抵抗素子及びその取付基板並びに該磁気抵抗素子と取付基板を用いた磁気センサ |
JPH07135358A (ja) * | 1993-01-08 | 1995-05-23 | Murata Mfg Co Ltd | 磁気センサの製造方法 |
JP2004265997A (ja) * | 2003-02-28 | 2004-09-24 | Victor Co Of Japan Ltd | ホール素子 |
JP2005123383A (ja) * | 2003-10-16 | 2005-05-12 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 磁電変換素子 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170135897A (ko) * | 2015-04-10 | 2017-12-08 | 알레그로 마이크로시스템스, 엘엘씨 | 홀 효과 센싱 요소 |
KR102469715B1 (ko) * | 2015-04-10 | 2022-11-22 | 알레그로 마이크로시스템스, 엘엘씨 | 홀 효과 센싱 요소 |
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