JP3528012B2 - 磁電変換素子の製造方法 - Google Patents
磁電変換素子の製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】 外部磁場に対して抵抗値が変化
する性質を応用した磁電変換素子の製造方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】 従来の磁電変換素子を図１２〜２１を
用いて説明する。図１２は従来の磁電変換素子３０の断
面図、図１３は磁電変換素子３０を構成する短絡膜が形
成された磁気抵抗効果膜の平面図、図１４〜２１は従来
の磁電変換素子３０の製造工程を示す図である。 【０００３】従来の磁電変換素子３０は、図１２の断面
図および図１３の平面図に示すように、長方形状を有す
る磁気抵抗効果膜１に、金属上層２ａと金属下層２ｂと
の二層からなる複数個の短絡膜２．．．２が磁気抵抗効
果膜１の長辺方向に断続的に配置して形成され、磁気抵
抗効果膜１の両端に短絡膜２．．．２と同一の二層構造
を有する電極部３、３が形成され、磁気抵抗効果膜１の
短絡膜２．．．２および電極部３、３が形成された面が
樹脂層４により基板５に接着され、磁気抵抗効果膜１の
接着された面とは反対側の面に保護膜６が形成され、電
極部３、３に接続するように素子の両端に端子電極８、
８が形成された構造を有している。 【０００４】なお磁気抵抗効果膜１は磁場に対して電気
抵抗値が変化するＩｎＳｂにより形成され、金属上層２
ａは比抵抗が小さく膜形成が容易なＡｌにより形成さ
れ、金属下層２ｂは磁気抵抗効果膜１との接着強度が大
きいＴｉにより形成され、保護膜６は樹脂あるいは金属
酸化物により形成され、基板５はフェライトからなる磁
性体あるいはアルミナや窒化ケイ素などの絶縁体によ
り、それぞれ形成されている。 【０００５】従来の磁電変換素子３０の製造工程を図１
４〜２１を用いて説明する。なお本工程においては、複
数個の磁電変換素子が同時に基板に形成される。 【０００６】まず図１４に示す第１工程で、ＩｎＳｂか
らなるバルク７を準備し、表面に長方形状を有する複数
個の磁気抵抗効果膜１をフォトリソグラフィ−法により
形成する。次に図１５に示す第２工程で、Ｔｉからなる
金属下層２ｂを、続いてＡｌからなる金属上層２ａを蒸
着する。次に図１６に示す第３工程で、フォトリソグラ
フィ−法により金属上層２ａおよび金属下層２ｂを、複
数個の短絡膜２．．．２と、電極部３、３とに形成す
る。次に図１７に示す第４工程で、複数個の短絡膜
２．．．２および電極部３、３の形成面を樹脂層４によ
り基板５に接着する。次に図１８に示す第５工程で、バ
ルク７を研磨により薄膜化し、個々の磁気抵抗効果膜１
を削り出す。次に図１９に示す第６工程で、磁気抵抗効
果膜１を保護するために、樹脂あるいは金属酸化物から
なる保護膜６を形成する。次に図２０に示す第７工程
で、個々の素子に切断分離することにより、電極部３、
３の端部を素子の端面に露出させる。次に図２１に示す
第８工程で、電極部３、３に接続するように、三元マグ
ネトロンスパッタリングによりＡｇ、Ｃｕ−Ｎｉあるい
はＮｉ−Ｃｒからなる端子電極８、８を、素子の端面に
形成し、チップ型の磁電変換素子３０を得る。 【０００７】 【発明が解決しようとする課題】 しかしながら従来の
磁電変換素子は、複数個の素子に同時に端子電極を形成
しようとすると、素子が小さく保持しにくいために、端
子電極の形成位置や大きさが安定しなかった。また、端
面電極を形成する工程が必要であり、コストアップの要
因となっていた。 【０００８】 【課題を解決するための手段】 本発明は上記問題点を
解決するためになされたものであり、保護膜をマスクと
して磁気抵抗効果膜の端部を除去することにより金属下
層を露出させて、露出部を端子電極としたチップ型の磁
電変換素子の製造方法を提供することを目的とする。 【０００９】 【００１０】本発明の請求項１の磁電変換素子の製造方
法は、磁気抵抗効果膜と短絡膜と端子電極とを有し、前
記磁気抵抗効果膜が保護膜で被覆されている磁電変換素
子の製造方法において、保護膜をマスクとして、前記磁
気抵抗効果膜の端部を除去することにより、露出した短
絡膜を端子電極に形成することを特徴とする。 【００１１】 【作用】 本発明の磁電変換素子の製造方法は、基板に
磁気抵抗効果膜が多数個形成された状態で、保護膜の一
部を除去したのち、残りの保護膜をマスクとしてエッチ
ング法により磁気抵抗効果膜を除去し、露出した短絡膜
を端子電極に形成するので、他数個の磁電変換素子に端
子電極を同時にしかも精度よく形成することができる。 【００１２】 【実施例】 本発明の一実施例の磁電変換素子の製造方
法を図１〜１１を用いて説明する。図１は本発明で製造
する磁電変換素子２０の断面図、図２〜１１は本発明の
磁電変換素子２０の製造工程を示す図である。なお従来
例と同一の部分については同一の符号を用いその説明を
省略する。 【００１３】磁電変換素子２０は、図１（ａ）の断面図
に示すように、複数個の金属上層２ａおよび金属下層２
ｂからなる二層構造を有する短絡膜２．．．２が断続的
に形成された磁気抵抗効果膜１が、短絡膜２．．．２の
形成面側を基板５に樹脂層４により接着され、磁気抵抗
効果膜１の短絡膜２．．．２が形成された面と反対側の
面に樹脂からなる保護膜６が形成され、磁気抵抗効果膜
１の端部に形成された短絡膜２．．．２を構成する金属
上層２ａが端子電極９、９として機能する構造を有して
いる。 【００１４】本発明の磁電変換素子２０の製造工程を図
２〜１１を用いて説明する。 【００１５】まず図２に示す第１工程で、ＩｎＳｂから
なり磁気抵抗効果を有するバルク７を準備し、フォトリ
ソグラフィ−法を用いて、複数個の長方形状を有する磁
気抵抗効果膜１に形成する。次に図３に示す第２工程
で、まずＴｉからなる金属下層２ｂを、続いてＡｕから
なる金属上層２ａを蒸着する。次に図４に示す第３工程
で、フォトリソグラフィ−法により金属上層２ａおよび
金属下層２ｂを、複数個の短絡膜２．．．２と、電極部
３、３とに形成する。次に図５に示す第４工程で、複数
個の短絡膜２．．．２および電極部３、３の形成面を樹
脂層４により基板５に接着する。次に図６に示す第５工
程で、バルク１を研磨により薄膜化し、磁気抵抗効果膜
１．．．１とする。なおこの工程までは複数個の磁気抵
抗効果膜１が互いに電極部３でつながっている。次に図
７に示す第６工程で、磁気抵抗効果膜１にエポキシ樹脂
などの感光性樹脂１０を塗布する。次に図８に示す第７
工程で、磁気抵抗効果膜１に接続する電極部３の一部を
除く、ほぼ全面に塗布された感光性樹脂１０を、フォト
リソグラフィ−法により露光し硬化させ保護膜６とす
る。次に図９に示す第８工程で、硬化していない部分を
溶剤により除去する。次に図１０に示す第９工程で、保
護膜６をマスクとして、磁気抵抗効果膜１の端部、およ
び磁気抵抗効果膜１に接続する電極部３を構成する金属
下層２ｂとを、フッ酸および硝酸の混合物をエッチング
液として用いるウエットエッチング法により除去し、Ａ
ｕからなる金属上層２ａを露出させる。この露出した金
属上層２ａは端子電極９、９としてはたらく。次に図１
１に示す第９工程で、個々の素子を端子電極９、９の部
分でダイシングソ−により切断分離し、磁電変換素子２
０を得る。 【００１６】なお図１（ｂ）に示す磁電変換素子２２の
ように、端子電極９、９に接続する外部接続用の接続電
極１１、１１が素子の端面に形成されていてもよい。 【００１７】また本実施例の磁気抵抗効果膜に形成され
る短絡膜はＡｕからなる金属上層とＴｉからなる金属下
層とからなる二層構造を有する場合に着いて述べたが、
Ａｕからなる金属上層のみから形成されていてもよい。 【００１８】さらに本実施例の磁電変換素子２０を構成
する基板５は、フェライトからなる磁性体基板や、アル
ミナや窒化ケイ素からなる絶縁基板や、ガラスエポキシ
基板を用いることができる。 【００１９】さらにまた本実施例の磁電変換素子２０を
構成する感光性樹脂は、エポキシ樹脂に限定されるわけ
ではなく、感光性を有する樹脂であればどんな材料でも
よいので、エポキシ樹脂、ポリイミド、ポリイソプレ
ン、ノボラック樹脂、ベンゾフェノン誘導体、ヒドロキ
シエチルメタクリレ−ト、ポリアミド、ポリスチレン−
ポリイソプレン共重合体、ジアゾ樹脂などから選ばれる
一種あるいは複数種の様々な樹脂を用いることができ
る。 【００２０】さらにまた本実施例の磁電変換素子２０を
構成するＡｕからなる金属上層２ａは、スパッタリング
法や蒸着法で形成する場合についてのべたが、メッキ形
成されてもよいし、スクリ−ン印刷などの厚膜形成技術
で形成されてもよい。またその材料もＡｕに限定される
わけではなく、磁気抵抗効果膜１と金属下層２ｂとをエ
ッチングするときにエッチング液に溶解しない材料であ
ればＡｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｃｕ−Ｎｉ合
金、Ｐｂ−Ｓｎ合金などから選ばれるさまざまな金属を
用いることができる。 【００２１】さらにまた本実施例の磁電変換素子を構成
する保護膜は、感光性樹脂を塗布したのち、フォトリソ
グラフィ−法により形成する場合について述べたが、ス
クリ−ン印刷やマスクパタ−ンを用いたマスクスプレ−
法によっても形成することが可能である。 【００２２】さらにまた本実施例では、端子電極が短絡
膜と同一工程で形成された金属下層だけからなるチップ
型の磁電変換素子について述べたが、端子電極に接続す
るとともに素子の端面にわたって形成された接続電極を
有するチップ型の磁電変換素子についても適用できる
し、外部接続用の端子が上記端子電極に半田付け接続さ
れた構造を有するリ−ド型の磁電変換素子についても適
用することができる。 【００２３】 【発明の効果】 本発明の磁電変換素子の製造方法によ
ると、磁気抵抗効果膜の端部および短絡膜を構成する金
属下層を、保護膜をマスクとしてエッチング法により除
去することにより金属上層を露出させ、金属上層を外部
の素子と接続するための端子電極とするので、フォトリ
ソグラフィ−法を用いて同時に他数個の磁電変換素子に
端子電極を高精度に形成できる。
する性質を応用した磁電変換素子の製造方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】 従来の磁電変換素子を図１２〜２１を
用いて説明する。図１２は従来の磁電変換素子３０の断
面図、図１３は磁電変換素子３０を構成する短絡膜が形
成された磁気抵抗効果膜の平面図、図１４〜２１は従来
の磁電変換素子３０の製造工程を示す図である。 【０００３】従来の磁電変換素子３０は、図１２の断面
図および図１３の平面図に示すように、長方形状を有す
る磁気抵抗効果膜１に、金属上層２ａと金属下層２ｂと
の二層からなる複数個の短絡膜２．．．２が磁気抵抗効
果膜１の長辺方向に断続的に配置して形成され、磁気抵
抗効果膜１の両端に短絡膜２．．．２と同一の二層構造
を有する電極部３、３が形成され、磁気抵抗効果膜１の
短絡膜２．．．２および電極部３、３が形成された面が
樹脂層４により基板５に接着され、磁気抵抗効果膜１の
接着された面とは反対側の面に保護膜６が形成され、電
極部３、３に接続するように素子の両端に端子電極８、
８が形成された構造を有している。 【０００４】なお磁気抵抗効果膜１は磁場に対して電気
抵抗値が変化するＩｎＳｂにより形成され、金属上層２
ａは比抵抗が小さく膜形成が容易なＡｌにより形成さ
れ、金属下層２ｂは磁気抵抗効果膜１との接着強度が大
きいＴｉにより形成され、保護膜６は樹脂あるいは金属
酸化物により形成され、基板５はフェライトからなる磁
性体あるいはアルミナや窒化ケイ素などの絶縁体によ
り、それぞれ形成されている。 【０００５】従来の磁電変換素子３０の製造工程を図１
４〜２１を用いて説明する。なお本工程においては、複
数個の磁電変換素子が同時に基板に形成される。 【０００６】まず図１４に示す第１工程で、ＩｎＳｂか
らなるバルク７を準備し、表面に長方形状を有する複数
個の磁気抵抗効果膜１をフォトリソグラフィ−法により
形成する。次に図１５に示す第２工程で、Ｔｉからなる
金属下層２ｂを、続いてＡｌからなる金属上層２ａを蒸
着する。次に図１６に示す第３工程で、フォトリソグラ
フィ−法により金属上層２ａおよび金属下層２ｂを、複
数個の短絡膜２．．．２と、電極部３、３とに形成す
る。次に図１７に示す第４工程で、複数個の短絡膜
２．．．２および電極部３、３の形成面を樹脂層４によ
り基板５に接着する。次に図１８に示す第５工程で、バ
ルク７を研磨により薄膜化し、個々の磁気抵抗効果膜１
を削り出す。次に図１９に示す第６工程で、磁気抵抗効
果膜１を保護するために、樹脂あるいは金属酸化物から
なる保護膜６を形成する。次に図２０に示す第７工程
で、個々の素子に切断分離することにより、電極部３、
３の端部を素子の端面に露出させる。次に図２１に示す
第８工程で、電極部３、３に接続するように、三元マグ
ネトロンスパッタリングによりＡｇ、Ｃｕ−Ｎｉあるい
はＮｉ−Ｃｒからなる端子電極８、８を、素子の端面に
形成し、チップ型の磁電変換素子３０を得る。 【０００７】 【発明が解決しようとする課題】 しかしながら従来の
磁電変換素子は、複数個の素子に同時に端子電極を形成
しようとすると、素子が小さく保持しにくいために、端
子電極の形成位置や大きさが安定しなかった。また、端
面電極を形成する工程が必要であり、コストアップの要
因となっていた。 【０００８】 【課題を解決するための手段】 本発明は上記問題点を
解決するためになされたものであり、保護膜をマスクと
して磁気抵抗効果膜の端部を除去することにより金属下
層を露出させて、露出部を端子電極としたチップ型の磁
電変換素子の製造方法を提供することを目的とする。 【０００９】 【００１０】本発明の請求項１の磁電変換素子の製造方
法は、磁気抵抗効果膜と短絡膜と端子電極とを有し、前
記磁気抵抗効果膜が保護膜で被覆されている磁電変換素
子の製造方法において、保護膜をマスクとして、前記磁
気抵抗効果膜の端部を除去することにより、露出した短
絡膜を端子電極に形成することを特徴とする。 【００１１】 【作用】 本発明の磁電変換素子の製造方法は、基板に
磁気抵抗効果膜が多数個形成された状態で、保護膜の一
部を除去したのち、残りの保護膜をマスクとしてエッチ
ング法により磁気抵抗効果膜を除去し、露出した短絡膜
を端子電極に形成するので、他数個の磁電変換素子に端
子電極を同時にしかも精度よく形成することができる。 【００１２】 【実施例】 本発明の一実施例の磁電変換素子の製造方
法を図１〜１１を用いて説明する。図１は本発明で製造
する磁電変換素子２０の断面図、図２〜１１は本発明の
磁電変換素子２０の製造工程を示す図である。なお従来
例と同一の部分については同一の符号を用いその説明を
省略する。 【００１３】磁電変換素子２０は、図１（ａ）の断面図
に示すように、複数個の金属上層２ａおよび金属下層２
ｂからなる二層構造を有する短絡膜２．．．２が断続的
に形成された磁気抵抗効果膜１が、短絡膜２．．．２の
形成面側を基板５に樹脂層４により接着され、磁気抵抗
効果膜１の短絡膜２．．．２が形成された面と反対側の
面に樹脂からなる保護膜６が形成され、磁気抵抗効果膜
１の端部に形成された短絡膜２．．．２を構成する金属
上層２ａが端子電極９、９として機能する構造を有して
いる。 【００１４】本発明の磁電変換素子２０の製造工程を図
２〜１１を用いて説明する。 【００１５】まず図２に示す第１工程で、ＩｎＳｂから
なり磁気抵抗効果を有するバルク７を準備し、フォトリ
ソグラフィ−法を用いて、複数個の長方形状を有する磁
気抵抗効果膜１に形成する。次に図３に示す第２工程
で、まずＴｉからなる金属下層２ｂを、続いてＡｕから
なる金属上層２ａを蒸着する。次に図４に示す第３工程
で、フォトリソグラフィ−法により金属上層２ａおよび
金属下層２ｂを、複数個の短絡膜２．．．２と、電極部
３、３とに形成する。次に図５に示す第４工程で、複数
個の短絡膜２．．．２および電極部３、３の形成面を樹
脂層４により基板５に接着する。次に図６に示す第５工
程で、バルク１を研磨により薄膜化し、磁気抵抗効果膜
１．．．１とする。なおこの工程までは複数個の磁気抵
抗効果膜１が互いに電極部３でつながっている。次に図
７に示す第６工程で、磁気抵抗効果膜１にエポキシ樹脂
などの感光性樹脂１０を塗布する。次に図８に示す第７
工程で、磁気抵抗効果膜１に接続する電極部３の一部を
除く、ほぼ全面に塗布された感光性樹脂１０を、フォト
リソグラフィ−法により露光し硬化させ保護膜６とす
る。次に図９に示す第８工程で、硬化していない部分を
溶剤により除去する。次に図１０に示す第９工程で、保
護膜６をマスクとして、磁気抵抗効果膜１の端部、およ
び磁気抵抗効果膜１に接続する電極部３を構成する金属
下層２ｂとを、フッ酸および硝酸の混合物をエッチング
液として用いるウエットエッチング法により除去し、Ａ
ｕからなる金属上層２ａを露出させる。この露出した金
属上層２ａは端子電極９、９としてはたらく。次に図１
１に示す第９工程で、個々の素子を端子電極９、９の部
分でダイシングソ−により切断分離し、磁電変換素子２
０を得る。 【００１６】なお図１（ｂ）に示す磁電変換素子２２の
ように、端子電極９、９に接続する外部接続用の接続電
極１１、１１が素子の端面に形成されていてもよい。 【００１７】また本実施例の磁気抵抗効果膜に形成され
る短絡膜はＡｕからなる金属上層とＴｉからなる金属下
層とからなる二層構造を有する場合に着いて述べたが、
Ａｕからなる金属上層のみから形成されていてもよい。 【００１８】さらに本実施例の磁電変換素子２０を構成
する基板５は、フェライトからなる磁性体基板や、アル
ミナや窒化ケイ素からなる絶縁基板や、ガラスエポキシ
基板を用いることができる。 【００１９】さらにまた本実施例の磁電変換素子２０を
構成する感光性樹脂は、エポキシ樹脂に限定されるわけ
ではなく、感光性を有する樹脂であればどんな材料でも
よいので、エポキシ樹脂、ポリイミド、ポリイソプレ
ン、ノボラック樹脂、ベンゾフェノン誘導体、ヒドロキ
シエチルメタクリレ−ト、ポリアミド、ポリスチレン−
ポリイソプレン共重合体、ジアゾ樹脂などから選ばれる
一種あるいは複数種の様々な樹脂を用いることができ
る。 【００２０】さらにまた本実施例の磁電変換素子２０を
構成するＡｕからなる金属上層２ａは、スパッタリング
法や蒸着法で形成する場合についてのべたが、メッキ形
成されてもよいし、スクリ−ン印刷などの厚膜形成技術
で形成されてもよい。またその材料もＡｕに限定される
わけではなく、磁気抵抗効果膜１と金属下層２ｂとをエ
ッチングするときにエッチング液に溶解しない材料であ
ればＡｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｃｕ−Ｎｉ合
金、Ｐｂ−Ｓｎ合金などから選ばれるさまざまな金属を
用いることができる。 【００２１】さらにまた本実施例の磁電変換素子を構成
する保護膜は、感光性樹脂を塗布したのち、フォトリソ
グラフィ−法により形成する場合について述べたが、ス
クリ−ン印刷やマスクパタ−ンを用いたマスクスプレ−
法によっても形成することが可能である。 【００２２】さらにまた本実施例では、端子電極が短絡
膜と同一工程で形成された金属下層だけからなるチップ
型の磁電変換素子について述べたが、端子電極に接続す
るとともに素子の端面にわたって形成された接続電極を
有するチップ型の磁電変換素子についても適用できる
し、外部接続用の端子が上記端子電極に半田付け接続さ
れた構造を有するリ−ド型の磁電変換素子についても適
用することができる。 【００２３】 【発明の効果】 本発明の磁電変換素子の製造方法によ
ると、磁気抵抗効果膜の端部および短絡膜を構成する金
属下層を、保護膜をマスクとしてエッチング法により除
去することにより金属上層を露出させ、金属上層を外部
の素子と接続するための端子電極とするので、フォトリ
ソグラフィ−法を用いて同時に他数個の磁電変換素子に
端子電極を高精度に形成できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明で製造する磁電変換素子の断面図であ
る。 【図２】 本発明の一実施例の磁電変換素子の第１工程
における断面図である。 【図３】 本発明の一実施例の磁電変換素子の第２工程
における断面図である。 【図４】 本発明の一実施例の磁電変換素子の第３工程
における断面図である。 【図５】 本発明の一実施例の磁電変換素子の第４工程
における断面図である。 【図６】 本発明の一実施例の磁電変換素子の第５工程
における断面図である。 【図７】 本発明の一実施例の磁電変換素子の第６工程
における断面図である。 【図８】 本発明の一実施例の磁電変換素子の第７工程
における断面図である。 【図９】 本発明の一実施例の磁電変換素子の第８工程
における断面図である。 【図１０】 本発明の一実施例の磁電変換素子の第９工
程における断面図である。 【図１１】 本発明の一実施例の磁電変換素子の第１０
工程における断面図である。 【図１２】 従来の磁電変換素子の断面図である。 【図１３】 従来の磁電変換素子を構成する磁気抵抗効
果膜の平面図である。 【図１４】 従来の磁電変換素子の第１工程における断
面図である。 【図１５】 従来の磁電変換素子の第２工程における断
面図である。 【図１６】 従来の磁電変換素子の第３工程における断
面図である。 【図１７】 従来の磁電変換素子の第４工程における断
面図である。 【図１８】 従来の磁電変換素子の第５工程における断
面図である。 【図１９】 従来の磁電変換素子の第６工程における断
面図である。 【図２０】 従来の磁電変換素子の第７工程における断
面図である。 【図２１】 従来の磁電変換素子の第８工程における断
面図である。
る。 【図２】 本発明の一実施例の磁電変換素子の第１工程
における断面図である。 【図３】 本発明の一実施例の磁電変換素子の第２工程
における断面図である。 【図４】 本発明の一実施例の磁電変換素子の第３工程
における断面図である。 【図５】 本発明の一実施例の磁電変換素子の第４工程
における断面図である。 【図６】 本発明の一実施例の磁電変換素子の第５工程
における断面図である。 【図７】 本発明の一実施例の磁電変換素子の第６工程
における断面図である。 【図８】 本発明の一実施例の磁電変換素子の第７工程
における断面図である。 【図９】 本発明の一実施例の磁電変換素子の第８工程
における断面図である。 【図１０】 本発明の一実施例の磁電変換素子の第９工
程における断面図である。 【図１１】 本発明の一実施例の磁電変換素子の第１０
工程における断面図である。 【図１２】 従来の磁電変換素子の断面図である。 【図１３】 従来の磁電変換素子を構成する磁気抵抗効
果膜の平面図である。 【図１４】 従来の磁電変換素子の第１工程における断
面図である。 【図１５】 従来の磁電変換素子の第２工程における断
面図である。 【図１６】 従来の磁電変換素子の第３工程における断
面図である。 【図１７】 従来の磁電変換素子の第４工程における断
面図である。 【図１８】 従来の磁電変換素子の第５工程における断
面図である。 【図１９】 従来の磁電変換素子の第６工程における断
面図である。 【図２０】 従来の磁電変換素子の第７工程における断
面図である。 【図２１】 従来の磁電変換素子の第８工程における断
面図である。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 43/08
G01R 33/09
G11B 5/39
H01L 43/12
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 磁気抵抗効果膜と短絡膜と端子電極とを
有し、前記磁気抵抗効果膜が保護膜で被覆されている磁
電変換素子の製造方法において、保護膜をマスクとし
て、前記磁気抵抗効果膜の端部を除去することにより、
露出した短絡膜を端子電極に形成することを特徴とする
磁電変換素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16621795A JP3528012B2 (ja) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 磁電変換素子の製造方法 |
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| JP16621795A JP3528012B2 (ja) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 磁電変換素子の製造方法 |
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Family Applications (1)
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1995
- 1995-06-30 JP JP16621795A patent/JP3528012B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0918067A (ja) | 1997-01-17 |
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