JP3456247B2 - 磁気抵抗素子の製造方法 - Google Patents
磁気抵抗素子の製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】磁性体基板上に半導体からなる感
磁部をもつ磁気抵抗素子に関する。 【０００２】 【従来の技術】従来より、磁気抵抗素子やホ−ル素子が
ＩｎＳｂ化合物半導体を用いて構成されている。従来の
磁気抵抗素子を図８、図９、図１０を用いて説明する。
図８は従来の磁気抵抗素子の外観斜視図、図９は図８の
直線Ａ−Ａで示す切断位置における断面図、図１０は磁
気抵抗素子を構成する磁気抵抗素子パタ−ンを示す平面
図である。 【０００３】磁気抵抗素子６０は磁性体基板１、磁気抵
抗素子パタ−ン２、保護膜３、外部接続端子４、４、４
を備えた構造となっている。磁気抵抗素子パタ−ン２は
互いに対称な一対の感磁部５、５と、各感磁部５、５の
一端側にそれぞれ接続された接続電極６、６と、各感磁
部５、５の他端側同士を接続する連結電極７と、連結電
極７に接続された引出電極８とが一体化された構造を有
しており、前記磁性体基板１に樹脂層１０により構成さ
れている。 【０００４】前記感磁部５、５はミアンダライン状に形
成されたＩｎＳｂ薄膜５ａ、５ａと、前記ＩｎＳｂ薄膜
５ａ、５ａに折り返し部分と途中の何ヶ所かに所定の間
隔をおいて形成されたＡｌ、Ｔｉからなる短絡膜５ｂか
ら構成されている。また前記接続電極６、６、連結電極
７、引出電極８は前記ＩｎＳｂ薄膜５ａ、５ａに連続し
たＩｎＳｂ薄膜（図示せず）とこれらに形成されたＡ
ｌ、Ｔｉからなる金属膜６ｂ、６ｂ、７ｂ、８ｂとから
構成されている。前記保護膜３は、接続電極６、６と引
出電極８の一部を除いて、磁気抵抗素子パタ−ン２を覆
うように形成されている。外部接続端子４、４、４は接
続電極６、６と引出電極８の露出部分に接続されてい
る。 【０００５】上述した磁気抵抗素子６０は、このような
構造により一対の感磁部５、５の抵抗値の差を、引出電
極８と接続電極６とで取り出すことにより外部磁界の変
化を検知する。 【０００６】以下に従来の磁気抵抗素子６０の製造工程
を順に説明する。 【０００７】まずマイカ基板上にＩｎＳｂ薄膜を三温度
法による蒸着で作成する。このＩｎＳｂ薄膜をフォトリ
ソグラフィ−とエッチングにより一対の対称なミアンダ
ライン形状を持つＩｎＳｂ薄膜５ａ、５ａと、これに連
続するＩｎＳｂ薄膜（図示せず）とを形成する。エッチ
ングはＩｎＳｂ薄膜層の形状が完全に形成されるまで、
エッチング液である塩化第二鉄水溶液に含浸して行う。
つぎに真空蒸着法とフォトリソグラフィ−によりＡｌ、
Ｔｉからなる短絡膜５ｂと金属膜６ｂ、７ｂ、８ｂをＩ
ｎＳｂ薄膜の上に形成し磁気抵抗素子パタ−ン２を得
る。そして磁気抵抗素子パタ−ン２を磁性体基板１に樹
脂層１０を介して配置した後、熱処理により樹脂層１０
を硬化して磁性体基板１と磁気抵抗素子パタ−ン２とを
接着する。そしてマイカ基板を剥離除去したのち磁気抵
抗素子パタ−ン２を保護するための保護膜３を、外部接
続端子４、４、４を接続する接続電極６、６および引出
電極８の接続部分を除く磁気抵抗素子パタ−ン２の上面
に形成する。そして外部接続端子４、４、４を接続電極
６、６、引出電極８に熱圧着法などにより接続して磁気
抵抗素子６０を得る。 【０００８】 【発明が解決しようとする課題】ところがこのような構
成の磁気抵抗素子６０を、ピッチの大きな被検出体に適
用する場合は一対の感磁部５、５間の間隔を大きくする
必要がある。 【０００９】このような構成を採用した場合、中央部分
の全面に形成したＩｎＳｂ薄膜のエッチングされる量が
多くなるため各感磁部５、５の中央側の側面が余分にエ
ッチングされて感磁部５、５の形状が痩せてしまうこと
があった。このために感磁部５、５の抵抗値のバラツキ
が大きくなる。また磁気抵抗素子パタ−ン２の形成面を
樹脂層１０により磁性体基板１に接着する際、感磁部間
に入り込む樹脂量が多いので樹脂層１０の硬化時に発生
する収縮力が大きくなる。従って収縮力による引張り応
力によって磁気抵抗素子パタ−ンの形状が崩れたり、パ
タ−ンが破壊する事もある。 【００１０】本発明の目的は上記問題点を解決するため
のものであり、感磁部の抵抗値のバラツキが小さく信頼
性の高い磁気抵抗素子を提供することにある。 【００１１】 【課題を解決するための手段】本発明の磁気抵抗素子の
製造方法は、基板上に、磁気抵抗薄膜を形成する工程
と、前記磁気抵抗薄膜をエッチングして、一対の感磁部
を有する磁気抵抗素子パターンと、該一対の感磁部間に
配置された補助パターンとを同時に形成する工程と、前
記磁気抵抗素子パターン上に金属からなる短絡膜と金属
膜を形成する工程と、前記磁気抵抗素子パターンおよび
前記補助パターンを、樹脂層を介して磁性体基板上に配
置し、該樹脂層を硬化する工程と、前記基板を剥離する
工程と、を含むことを特徴とする。 【００１２】 【００１３】 【作用】磁気抵抗素子パタ−ンに補助パタ−ンを設けて
ＩｎＳｂ薄膜層をエッチングする面積を減らすことによ
り、サイドエッチ量が減りパタ−ン全体のエッチング精
度が向上する。また樹脂により基板に接着するときパタ
−ン間に入り込む樹脂量が減るので樹脂の収縮応力が緩
和される。 【００１４】 【実施例】 （実施例１）本発明の実施例１に係る磁気抵抗素子２０
を図１〜図４を用いて詳細に説明する。図１は磁気抵抗
素子２０の外観斜視図、図２は磁気抵抗素子２０を図１
に示す直線Ａ−Ａで切断した時の断面図、図３は磁気抵
抗素子２０を構成する磁気抵抗素子パタ−ン２ａの平面
図、図４は磁気抵抗素子２０の平面図を示す。また従来
例と同一の部分には同一の符号を付し、その説明を省略
する。 【００１５】本実施例の磁気抵抗素子２０の特徴は、一
対の感磁部５、５を備えた磁気抵抗素子パタ−ン２ａの
引出電極８が一対の感磁部５、５に挟まれた部分に配置
された構造を有するところにある。すなわち引出電極８
は長方形形状をしており、磁気抵抗素子２０の一方の側
面１ａ近傍の上面に形成された磁気抵抗素子パタ−ン２
ａの連結電極７から相対する他方の側面１ｂ近傍まで延
び、一対の感磁部５、５に挟まれた部分に配置されてい
る。また接続電極６、６と引出電極８に接続される外部
接続端子４、４、４は同一端面から引き出されている。 【００１６】そのため一対の感磁部５、５間のエッチン
グにより除去する部分の面積が減り磁気抵抗素子パタ−
ン２ａ全体を均一にエッチングできるようになるので、
磁気抵抗素子パタ−ン２ａの精度が向上する。またエッ
チングにより形成した磁気抵抗素子パタ−ン２ａを樹脂
層１０で磁性体基板１に接着するとき、感磁部間に入る
樹脂量が減るので樹脂層１０の硬化収縮による収縮応力
を緩和できるため磁気抵抗素子パタ−ン２ａのパタ−ン
崩れが減少し、パタ−ンが破壊することがなくなる。 【００１７】上記実施例磁気抵抗素子２０を従来技術で
示した製造工程と同一の工程で製造し、磁気抵抗素子パ
タ−ン２ａの形状とフォトマスク上の同じ位置の形状か
らの痩せ（サイドエッチング幅）とを光学顕微鏡により
比較測定したところ、測定限界値以下であった。また樹
脂層１０により磁気抵抗素子パタ−ン２ａを磁性体基板
１に接着した時、感磁部５、５の形状崩れは確認できな
かった。 【００１８】完成した前記磁気抵抗素子２０をＣｕによ
り配線されたプリント基板上に市販のクリ−ム半田を用
いて実装し、評価試験を行った。その結果、２５℃、３
０００Ｇにおける磁界での磁気抵抗変化率は３．３であ
った。また−４０℃と１２０℃との間を１０回昇降温す
る熱衝撃試験において、抵抗値変動は３％以下で従来の
設計による磁気抵抗素子の磁気抵抗変化率の１／３以下
であった。以上の値はともに規格を満足する値である。 【００１９】（実施例２）本発明の実施例に係る磁気抵
抗素子を図５を用いて詳細に説明する。図５は磁気抵抗
素子を構成する磁気抵抗素子パタ−ン３０ａの平面図で
ある。また従来例と同一の部分には同一の符号を付し、
その説明を省略する。 【００２０】本実施例の磁気抵抗素子の特徴は、補助パ
タ−ン１５が一対の感磁部５、５に挟まれた部分に配置
された構造を有するところにある。すなわち補助パタ−
ン１５は長方形形状をしており、磁気抵抗素子の一方の
側面１ａ近傍の上面に形成された磁気抵抗素子パタ−ン
３０ａの連結電極７から相対する他方の側面１ｂ近傍ま
で延び、一対の感磁部５、５に挟まれた部分に配置され
ている。 【００２１】そのため一対の感磁部５、５間のエッチン
グにより除去する部分の面積が減り磁気抵抗素子パタ−
ン３０ａ全体を均一にエッチングできるようになるの
で，磁気抵抗素子パタ−ン３０ａの精度が向上する。ま
たエッチングにより形成した磁気抵抗素子パタ−ン３０
ａを樹脂層で磁性体基板１に接着するとき、感磁部間に
入る樹脂量が減るので樹脂層の硬化収縮による収縮応力
を緩和できるため磁気抵抗素子パタ−ン３０ａのパタ−
ン崩れが減少する。 【００２２】本実施例による磁気抵抗素子においても実
施例１と同様の方法で評価した結果、光学顕微鏡による
パタ−ン形状の観察では形状崩れは確認できず、評価試
験や熱衝撃試験においても同等の結果が得られた。 【００２３】（実施例３）本発明の実施例に係る磁気抵
抗素子を図６を用いて詳細に説明する。図６は磁気抵抗
素子を構成する磁気抵抗素子パタ−ン４０ａの平面図で
ある。また従来例と同一の部分には同一の符号を付し、
その説明を省略する。 【００２４】本実施例の磁気抵抗素子の特徴は、一対の
感磁部５、５を備えた磁気抵抗素子パタ−ン４０ａの引
出電極８が一対の感磁部５、５に挟まれた部分に配置さ
れるとともに、各接続電極６、６が各感磁部５、５と磁
気抵抗素子の側面１ｃ、１ｄとの間にそれぞれ延設され
た構造を有するところにある。すなわち引出電極８は長
方形形状をしており、磁気抵抗素子の一方の側面１ａ近
傍の上面に形成された磁気抵抗素子パタ−ン４０ａの連
結電極７から相対する他方の側面１ｂ近傍まで延び、一
対の感磁部５、５に挟まれた部分に配置されている。ま
た各接続電極６、６は各感磁部５、５と磁気抵抗素子の
側面１ｃ、１ｄとの間で磁気抵抗素子の一方の側面１
ａ、１ｂ近傍まで延設されている。さらに接続電極６、
６と引出電極８に接続される外部接続端子４、４、４は
同一端面から引き出されている。 【００２５】以上の構造を持つ磁気抵抗素子パタ−ン４
０ａは、一対の感磁部５、５間のエッチングにより除去
する部分の面積が減るので、磁気抵抗素子パタ−ン４０
ａ全体を均一にエッチングできるようになるので、磁気
抵抗素子パタ−ン４０ａの精度が向上する。またエッチ
ングにより形成した磁気抵抗素子パタ−ン４０ａを樹脂
層で磁性体基板１に接着するとき、感磁部間に入る樹脂
量が減るので樹脂層の硬化収縮による収縮応力を緩和で
きるため磁気抵抗素子パタ−ン４０ａのパタ−ン崩れが
減少する。 【００２６】本実施例による磁気抵抗素子においても実
施例１と同様の方法で評価した結果、光学顕微鏡による
パタ−ン形状の観察では形状崩れは確認できず、評価試
験や熱衝撃試験においても同等の結果が得られた。 【００２７】（実施例４）本発明の実施例に係る磁気抵
抗素子を図７を用いて詳細に説明する。図７は磁気抵抗
素子を構成する磁気抵抗素子パタ−ン５０ａの平面図で
ある。また従来例と同一の部分には同一の符号を付し、
その説明を省略する。 【００２８】本実施例の磁気抵抗素子の特徴は、磁気抵
抗素子パタ−ン５０ａを除くほぼ全面に補助パタ−ン１
５が配置された構造を有するところにある。すなわち補
助パタ−ン１５が各感磁部５、５のミアンダライン間、
各感磁部５、５間、各感磁部５、５と磁気抵抗素子の各
側面１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ間に設けられている。 【００２９】以上の構造を持つ磁気抵抗素子パタ−ン５
０ａは、一対の感磁部５、５間のエッチングにより除去
する部分の面積が減るので磁気抵抗素子パタ−ン５０ａ
全体を均一にエッチングできるようになるので、磁気抵
抗素子パタ−ン５０ａの精度が向上する。またエッチン
グにより形成した磁気抵抗素子パタ−ン５０ａを樹脂層
で磁性体基板１に接着するとき、感磁部間に入る樹脂量
が減るので樹脂層の硬化収縮による収縮応力を緩和でき
るため磁気抵抗素子パタ−ン５０ａのパタ−ン崩れが減
少する。 【００３０】本実施例による磁気抵抗素子においても実
施例１と同様の方法で評価した結果、光学顕微鏡による
パタ−ン形状の観察では形状崩れは確認できず、評価試
験や熱衝撃試験においても同等の結果が得られた。 【００３１】以上のように本発明の磁気抵抗素子を実施
例１〜４をもちいて説明したが、本発明はこれに限定さ
れるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形を加え
る事ができる。上述した実施例では外部接続端子４、
４、４をもちいて接続するような構造としたが、面実装
するために素子の端部に外部接続用電極を設けるように
しても良い。 【００３２】 【発明の効果】本発明における磁気抵抗素子の製造方法
は一対の感磁部を有する磁気抵抗素子パターンと、感磁
部間に配置された補助パターンとを、樹脂層によって磁
性体基板上に接着する工程を有している。したがって磁
気抵抗素子パターンをエッチングする時のサイドエッチ
量がへりパターンの精度が向上する。また磁気抵抗素子
パターンを基板に接着する時の樹脂の収縮力による引張
応力が緩和されるのでパターンの崩れや破壊を防止する
事ができる。 【００３３】よって本発明の磁気抵抗素子の製造方法に
よれば感磁部の抵抗値のバラツキが小さく信頼性を向上
することができる。
磁部をもつ磁気抵抗素子に関する。 【０００２】 【従来の技術】従来より、磁気抵抗素子やホ−ル素子が
ＩｎＳｂ化合物半導体を用いて構成されている。従来の
磁気抵抗素子を図８、図９、図１０を用いて説明する。
図８は従来の磁気抵抗素子の外観斜視図、図９は図８の
直線Ａ−Ａで示す切断位置における断面図、図１０は磁
気抵抗素子を構成する磁気抵抗素子パタ−ンを示す平面
図である。 【０００３】磁気抵抗素子６０は磁性体基板１、磁気抵
抗素子パタ−ン２、保護膜３、外部接続端子４、４、４
を備えた構造となっている。磁気抵抗素子パタ−ン２は
互いに対称な一対の感磁部５、５と、各感磁部５、５の
一端側にそれぞれ接続された接続電極６、６と、各感磁
部５、５の他端側同士を接続する連結電極７と、連結電
極７に接続された引出電極８とが一体化された構造を有
しており、前記磁性体基板１に樹脂層１０により構成さ
れている。 【０００４】前記感磁部５、５はミアンダライン状に形
成されたＩｎＳｂ薄膜５ａ、５ａと、前記ＩｎＳｂ薄膜
５ａ、５ａに折り返し部分と途中の何ヶ所かに所定の間
隔をおいて形成されたＡｌ、Ｔｉからなる短絡膜５ｂか
ら構成されている。また前記接続電極６、６、連結電極
７、引出電極８は前記ＩｎＳｂ薄膜５ａ、５ａに連続し
たＩｎＳｂ薄膜（図示せず）とこれらに形成されたＡ
ｌ、Ｔｉからなる金属膜６ｂ、６ｂ、７ｂ、８ｂとから
構成されている。前記保護膜３は、接続電極６、６と引
出電極８の一部を除いて、磁気抵抗素子パタ−ン２を覆
うように形成されている。外部接続端子４、４、４は接
続電極６、６と引出電極８の露出部分に接続されてい
る。 【０００５】上述した磁気抵抗素子６０は、このような
構造により一対の感磁部５、５の抵抗値の差を、引出電
極８と接続電極６とで取り出すことにより外部磁界の変
化を検知する。 【０００６】以下に従来の磁気抵抗素子６０の製造工程
を順に説明する。 【０００７】まずマイカ基板上にＩｎＳｂ薄膜を三温度
法による蒸着で作成する。このＩｎＳｂ薄膜をフォトリ
ソグラフィ−とエッチングにより一対の対称なミアンダ
ライン形状を持つＩｎＳｂ薄膜５ａ、５ａと、これに連
続するＩｎＳｂ薄膜（図示せず）とを形成する。エッチ
ングはＩｎＳｂ薄膜層の形状が完全に形成されるまで、
エッチング液である塩化第二鉄水溶液に含浸して行う。
つぎに真空蒸着法とフォトリソグラフィ−によりＡｌ、
Ｔｉからなる短絡膜５ｂと金属膜６ｂ、７ｂ、８ｂをＩ
ｎＳｂ薄膜の上に形成し磁気抵抗素子パタ−ン２を得
る。そして磁気抵抗素子パタ−ン２を磁性体基板１に樹
脂層１０を介して配置した後、熱処理により樹脂層１０
を硬化して磁性体基板１と磁気抵抗素子パタ−ン２とを
接着する。そしてマイカ基板を剥離除去したのち磁気抵
抗素子パタ−ン２を保護するための保護膜３を、外部接
続端子４、４、４を接続する接続電極６、６および引出
電極８の接続部分を除く磁気抵抗素子パタ−ン２の上面
に形成する。そして外部接続端子４、４、４を接続電極
６、６、引出電極８に熱圧着法などにより接続して磁気
抵抗素子６０を得る。 【０００８】 【発明が解決しようとする課題】ところがこのような構
成の磁気抵抗素子６０を、ピッチの大きな被検出体に適
用する場合は一対の感磁部５、５間の間隔を大きくする
必要がある。 【０００９】このような構成を採用した場合、中央部分
の全面に形成したＩｎＳｂ薄膜のエッチングされる量が
多くなるため各感磁部５、５の中央側の側面が余分にエ
ッチングされて感磁部５、５の形状が痩せてしまうこと
があった。このために感磁部５、５の抵抗値のバラツキ
が大きくなる。また磁気抵抗素子パタ−ン２の形成面を
樹脂層１０により磁性体基板１に接着する際、感磁部間
に入り込む樹脂量が多いので樹脂層１０の硬化時に発生
する収縮力が大きくなる。従って収縮力による引張り応
力によって磁気抵抗素子パタ−ンの形状が崩れたり、パ
タ−ンが破壊する事もある。 【００１０】本発明の目的は上記問題点を解決するため
のものであり、感磁部の抵抗値のバラツキが小さく信頼
性の高い磁気抵抗素子を提供することにある。 【００１１】 【課題を解決するための手段】本発明の磁気抵抗素子の
製造方法は、基板上に、磁気抵抗薄膜を形成する工程
と、前記磁気抵抗薄膜をエッチングして、一対の感磁部
を有する磁気抵抗素子パターンと、該一対の感磁部間に
配置された補助パターンとを同時に形成する工程と、前
記磁気抵抗素子パターン上に金属からなる短絡膜と金属
膜を形成する工程と、前記磁気抵抗素子パターンおよび
前記補助パターンを、樹脂層を介して磁性体基板上に配
置し、該樹脂層を硬化する工程と、前記基板を剥離する
工程と、を含むことを特徴とする。 【００１２】 【００１３】 【作用】磁気抵抗素子パタ−ンに補助パタ−ンを設けて
ＩｎＳｂ薄膜層をエッチングする面積を減らすことによ
り、サイドエッチ量が減りパタ−ン全体のエッチング精
度が向上する。また樹脂により基板に接着するときパタ
−ン間に入り込む樹脂量が減るので樹脂の収縮応力が緩
和される。 【００１４】 【実施例】 （実施例１）本発明の実施例１に係る磁気抵抗素子２０
を図１〜図４を用いて詳細に説明する。図１は磁気抵抗
素子２０の外観斜視図、図２は磁気抵抗素子２０を図１
に示す直線Ａ−Ａで切断した時の断面図、図３は磁気抵
抗素子２０を構成する磁気抵抗素子パタ−ン２ａの平面
図、図４は磁気抵抗素子２０の平面図を示す。また従来
例と同一の部分には同一の符号を付し、その説明を省略
する。 【００１５】本実施例の磁気抵抗素子２０の特徴は、一
対の感磁部５、５を備えた磁気抵抗素子パタ−ン２ａの
引出電極８が一対の感磁部５、５に挟まれた部分に配置
された構造を有するところにある。すなわち引出電極８
は長方形形状をしており、磁気抵抗素子２０の一方の側
面１ａ近傍の上面に形成された磁気抵抗素子パタ−ン２
ａの連結電極７から相対する他方の側面１ｂ近傍まで延
び、一対の感磁部５、５に挟まれた部分に配置されてい
る。また接続電極６、６と引出電極８に接続される外部
接続端子４、４、４は同一端面から引き出されている。 【００１６】そのため一対の感磁部５、５間のエッチン
グにより除去する部分の面積が減り磁気抵抗素子パタ−
ン２ａ全体を均一にエッチングできるようになるので、
磁気抵抗素子パタ−ン２ａの精度が向上する。またエッ
チングにより形成した磁気抵抗素子パタ−ン２ａを樹脂
層１０で磁性体基板１に接着するとき、感磁部間に入る
樹脂量が減るので樹脂層１０の硬化収縮による収縮応力
を緩和できるため磁気抵抗素子パタ−ン２ａのパタ−ン
崩れが減少し、パタ−ンが破壊することがなくなる。 【００１７】上記実施例磁気抵抗素子２０を従来技術で
示した製造工程と同一の工程で製造し、磁気抵抗素子パ
タ−ン２ａの形状とフォトマスク上の同じ位置の形状か
らの痩せ（サイドエッチング幅）とを光学顕微鏡により
比較測定したところ、測定限界値以下であった。また樹
脂層１０により磁気抵抗素子パタ−ン２ａを磁性体基板
１に接着した時、感磁部５、５の形状崩れは確認できな
かった。 【００１８】完成した前記磁気抵抗素子２０をＣｕによ
り配線されたプリント基板上に市販のクリ−ム半田を用
いて実装し、評価試験を行った。その結果、２５℃、３
０００Ｇにおける磁界での磁気抵抗変化率は３．３であ
った。また−４０℃と１２０℃との間を１０回昇降温す
る熱衝撃試験において、抵抗値変動は３％以下で従来の
設計による磁気抵抗素子の磁気抵抗変化率の１／３以下
であった。以上の値はともに規格を満足する値である。 【００１９】（実施例２）本発明の実施例に係る磁気抵
抗素子を図５を用いて詳細に説明する。図５は磁気抵抗
素子を構成する磁気抵抗素子パタ−ン３０ａの平面図で
ある。また従来例と同一の部分には同一の符号を付し、
その説明を省略する。 【００２０】本実施例の磁気抵抗素子の特徴は、補助パ
タ−ン１５が一対の感磁部５、５に挟まれた部分に配置
された構造を有するところにある。すなわち補助パタ−
ン１５は長方形形状をしており、磁気抵抗素子の一方の
側面１ａ近傍の上面に形成された磁気抵抗素子パタ−ン
３０ａの連結電極７から相対する他方の側面１ｂ近傍ま
で延び、一対の感磁部５、５に挟まれた部分に配置され
ている。 【００２１】そのため一対の感磁部５、５間のエッチン
グにより除去する部分の面積が減り磁気抵抗素子パタ−
ン３０ａ全体を均一にエッチングできるようになるの
で，磁気抵抗素子パタ−ン３０ａの精度が向上する。ま
たエッチングにより形成した磁気抵抗素子パタ−ン３０
ａを樹脂層で磁性体基板１に接着するとき、感磁部間に
入る樹脂量が減るので樹脂層の硬化収縮による収縮応力
を緩和できるため磁気抵抗素子パタ−ン３０ａのパタ−
ン崩れが減少する。 【００２２】本実施例による磁気抵抗素子においても実
施例１と同様の方法で評価した結果、光学顕微鏡による
パタ−ン形状の観察では形状崩れは確認できず、評価試
験や熱衝撃試験においても同等の結果が得られた。 【００２３】（実施例３）本発明の実施例に係る磁気抵
抗素子を図６を用いて詳細に説明する。図６は磁気抵抗
素子を構成する磁気抵抗素子パタ−ン４０ａの平面図で
ある。また従来例と同一の部分には同一の符号を付し、
その説明を省略する。 【００２４】本実施例の磁気抵抗素子の特徴は、一対の
感磁部５、５を備えた磁気抵抗素子パタ−ン４０ａの引
出電極８が一対の感磁部５、５に挟まれた部分に配置さ
れるとともに、各接続電極６、６が各感磁部５、５と磁
気抵抗素子の側面１ｃ、１ｄとの間にそれぞれ延設され
た構造を有するところにある。すなわち引出電極８は長
方形形状をしており、磁気抵抗素子の一方の側面１ａ近
傍の上面に形成された磁気抵抗素子パタ−ン４０ａの連
結電極７から相対する他方の側面１ｂ近傍まで延び、一
対の感磁部５、５に挟まれた部分に配置されている。ま
た各接続電極６、６は各感磁部５、５と磁気抵抗素子の
側面１ｃ、１ｄとの間で磁気抵抗素子の一方の側面１
ａ、１ｂ近傍まで延設されている。さらに接続電極６、
６と引出電極８に接続される外部接続端子４、４、４は
同一端面から引き出されている。 【００２５】以上の構造を持つ磁気抵抗素子パタ−ン４
０ａは、一対の感磁部５、５間のエッチングにより除去
する部分の面積が減るので、磁気抵抗素子パタ−ン４０
ａ全体を均一にエッチングできるようになるので、磁気
抵抗素子パタ−ン４０ａの精度が向上する。またエッチ
ングにより形成した磁気抵抗素子パタ−ン４０ａを樹脂
層で磁性体基板１に接着するとき、感磁部間に入る樹脂
量が減るので樹脂層の硬化収縮による収縮応力を緩和で
きるため磁気抵抗素子パタ−ン４０ａのパタ−ン崩れが
減少する。 【００２６】本実施例による磁気抵抗素子においても実
施例１と同様の方法で評価した結果、光学顕微鏡による
パタ−ン形状の観察では形状崩れは確認できず、評価試
験や熱衝撃試験においても同等の結果が得られた。 【００２７】（実施例４）本発明の実施例に係る磁気抵
抗素子を図７を用いて詳細に説明する。図７は磁気抵抗
素子を構成する磁気抵抗素子パタ−ン５０ａの平面図で
ある。また従来例と同一の部分には同一の符号を付し、
その説明を省略する。 【００２８】本実施例の磁気抵抗素子の特徴は、磁気抵
抗素子パタ−ン５０ａを除くほぼ全面に補助パタ−ン１
５が配置された構造を有するところにある。すなわち補
助パタ−ン１５が各感磁部５、５のミアンダライン間、
各感磁部５、５間、各感磁部５、５と磁気抵抗素子の各
側面１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ間に設けられている。 【００２９】以上の構造を持つ磁気抵抗素子パタ−ン５
０ａは、一対の感磁部５、５間のエッチングにより除去
する部分の面積が減るので磁気抵抗素子パタ−ン５０ａ
全体を均一にエッチングできるようになるので、磁気抵
抗素子パタ−ン５０ａの精度が向上する。またエッチン
グにより形成した磁気抵抗素子パタ−ン５０ａを樹脂層
で磁性体基板１に接着するとき、感磁部間に入る樹脂量
が減るので樹脂層の硬化収縮による収縮応力を緩和でき
るため磁気抵抗素子パタ−ン５０ａのパタ−ン崩れが減
少する。 【００３０】本実施例による磁気抵抗素子においても実
施例１と同様の方法で評価した結果、光学顕微鏡による
パタ−ン形状の観察では形状崩れは確認できず、評価試
験や熱衝撃試験においても同等の結果が得られた。 【００３１】以上のように本発明の磁気抵抗素子を実施
例１〜４をもちいて説明したが、本発明はこれに限定さ
れるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形を加え
る事ができる。上述した実施例では外部接続端子４、
４、４をもちいて接続するような構造としたが、面実装
するために素子の端部に外部接続用電極を設けるように
しても良い。 【００３２】 【発明の効果】本発明における磁気抵抗素子の製造方法
は一対の感磁部を有する磁気抵抗素子パターンと、感磁
部間に配置された補助パターンとを、樹脂層によって磁
性体基板上に接着する工程を有している。したがって磁
気抵抗素子パターンをエッチングする時のサイドエッチ
量がへりパターンの精度が向上する。また磁気抵抗素子
パターンを基板に接着する時の樹脂の収縮力による引張
応力が緩和されるのでパターンの崩れや破壊を防止する
事ができる。 【００３３】よって本発明の磁気抵抗素子の製造方法に
よれば感磁部の抵抗値のバラツキが小さく信頼性を向上
することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例１に係る磁気抵抗素子を示す外
観斜視図である。 【図２】本発明の実施例１に係る磁気抵抗素子を示す断
面図である。 【図３】本発明の実施例１に係る磁気抵抗素子の磁気抵
抗素子パタ−ンおよび補助パタ−ンを示す平面図であ
る。 【図４】本発明の実施例１に係る磁気抵抗素子を示す平
面図である。 【図５】本発明の実施例２に係る磁気抵抗素子の磁気抵
抗素子パタ−ンおよび補助パタ−ンを示す平面図であ
る。 【図６】本発明の実施例３に係る磁気抵抗素子の磁気抵
抗素子パタ−ンおよび補助パタ−ンを示す平面図であ
る。 【図７】本発明の実施例４に係る磁気抵抗素子の磁気抵
抗素子パタ−ンおよび補助パタ−ンを示す平面図であ
る。 【図８】従来の磁気抵抗素子を示す外観斜視図である。 【図９】従来の磁気抵抗素子を示す断面図である。 【図１０】従来の磁気抵抗素子の磁気抵抗素子パタ−ン
を示す平面図である。 【符号の説明】 １ 磁性体基板 １ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ 側面 ２、２ａ、３０ａ，４０ａ、５０ａ 磁気抵抗素
子パタ−ン ３ 保護膜 ４ 外部接続端
子 ５ 感磁部 ５ａ ＩｎＳｂ薄
膜 ５ｂ 短絡膜 ６ 接続電極 ６ｂ、７ｂ、８ｂ 金属膜 ７ 連結電極 ８ 引出電極 １０ 樹脂層 １５ 補助パタ−
ン ２０ 磁気抵抗素
子
観斜視図である。 【図２】本発明の実施例１に係る磁気抵抗素子を示す断
面図である。 【図３】本発明の実施例１に係る磁気抵抗素子の磁気抵
抗素子パタ−ンおよび補助パタ−ンを示す平面図であ
る。 【図４】本発明の実施例１に係る磁気抵抗素子を示す平
面図である。 【図５】本発明の実施例２に係る磁気抵抗素子の磁気抵
抗素子パタ−ンおよび補助パタ−ンを示す平面図であ
る。 【図６】本発明の実施例３に係る磁気抵抗素子の磁気抵
抗素子パタ−ンおよび補助パタ−ンを示す平面図であ
る。 【図７】本発明の実施例４に係る磁気抵抗素子の磁気抵
抗素子パタ−ンおよび補助パタ−ンを示す平面図であ
る。 【図８】従来の磁気抵抗素子を示す外観斜視図である。 【図９】従来の磁気抵抗素子を示す断面図である。 【図１０】従来の磁気抵抗素子の磁気抵抗素子パタ−ン
を示す平面図である。 【符号の説明】 １ 磁性体基板 １ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ 側面 ２、２ａ、３０ａ，４０ａ、５０ａ 磁気抵抗素
子パタ−ン ３ 保護膜 ４ 外部接続端
子 ５ 感磁部 ５ａ ＩｎＳｂ薄
膜 ５ｂ 短絡膜 ６ 接続電極 ６ｂ、７ｂ、８ｂ 金属膜 ７ 連結電極 ８ 引出電極 １０ 樹脂層 １５ 補助パタ−
ン ２０ 磁気抵抗素
子
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(56)参考文献 特開 平５−211358（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−97380（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−177579（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−66133（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−303177（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−175148（ＪＰ，Ａ)
実開 昭62−158306（ＪＰ，Ｕ)
特公 昭53−30311（ＪＰ，Ｂ１)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 43/08
H01L 43/12
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 基板上に、磁気抵抗薄膜を形成する工程
と、 前記磁気抵抗薄膜をエッチングして、一対の感磁部を有
する磁気抵抗素子パターンと、該一対の感磁部間に配置
された補助パターンとを同時に形成する工程と、前記磁
気抵抗素子パターン上に金属からなる短絡膜と金属膜を
形成する工程と、前記磁気抵抗素子パターンおよび前記
補助パターンを、樹脂層を介して磁性体基板上に配置
し、該樹脂層を硬化する工程と、 前記基板を剥離する工程と、 を含むことを特徴とする磁気抵抗素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02419694A JP3456247B2 (ja) | 1994-02-22 | 1994-02-22 | 磁気抵抗素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02419694A JP3456247B2 (ja) | 1994-02-22 | 1994-02-22 | 磁気抵抗素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07235710A JPH07235710A (ja) | 1995-09-05 |
| JP3456247B2 true JP3456247B2 (ja) | 2003-10-14 |
Family
ID=12131580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02419694A Expired - Lifetime JP3456247B2 (ja) | 1994-02-22 | 1994-02-22 | 磁気抵抗素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3456247B2 (ja) |
-
1994
- 1994-02-22 JP JP02419694A patent/JP3456247B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07235710A (ja) | 1995-09-05 |
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