JPH07302939A - 磁電変換素子及びその製造方法 - Google Patents
磁電変換素子及びその製造方法Info
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- JPH07302939A JPH07302939A JP6094283A JP9428394A JPH07302939A JP H07302939 A JPH07302939 A JP H07302939A JP 6094283 A JP6094283 A JP 6094283A JP 9428394 A JP9428394 A JP 9428394A JP H07302939 A JPH07302939 A JP H07302939A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】磁性体基板上に半導体からなる磁電変換素子パ
タ−ンが形成された磁電変換素子において、ホ−ル移動
度の大きい半導体薄膜を得るための製造方法を提供す
る。 【構成】本発明にかかる磁電変換素子２０の製造方法
は、ショ−ト効果を得るための電極膜４ａをあらかじめ
形成した基板１に、磁気抵抗効果を持つＩｎＳｂ薄膜８
を形成し、パタ−ン化することを特徴とする。上記のよ
うにあらかじめ電極膜を形成した部分に形成されたＩｎ
Ｓｂ薄膜はホ−ル移動度が小さくなるので、大きなショ
−ト効果が得られ、磁気抵抗効果が大きくなる。
タ−ンが形成された磁電変換素子において、ホ−ル移動
度の大きい半導体薄膜を得るための製造方法を提供す
る。 【構成】本発明にかかる磁電変換素子２０の製造方法
は、ショ−ト効果を得るための電極膜４ａをあらかじめ
形成した基板１に、磁気抵抗効果を持つＩｎＳｂ薄膜８
を形成し、パタ−ン化することを特徴とする。上記のよ
うにあらかじめ電極膜を形成した部分に形成されたＩｎ
Ｓｂ薄膜はホ−ル移動度が小さくなるので、大きなショ
−ト効果が得られ、磁気抵抗効果が大きくなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、たとえば磁気抵抗素子
のような磁電変換素子及びその製造方法に関する。
のような磁電変換素子及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来よりＩｎＳｂ化合物半導体などを用
いて磁電変換素子が構成されている。図１５〜図２１は
従来例に関し、図１５の断面図において磁電変換素子は
マイカ基板９と、磁気抵抗素子パタ−ン２と電極膜４
ａ、４ａと、前記電極膜４ａ、４ａの端面のみを露出す
るように形成された磁気抵抗素子パタ−ン２と電極膜４
ａ、４ａとを保護するための保護膜５と、前記保護膜５
に樹脂層７を介して接着された磁性体基板１と、前記電
極膜４ａ、４ａの端面に接続された外部接続用電極６、
６とを有する構造となっている。
いて磁電変換素子が構成されている。図１５〜図２１は
従来例に関し、図１５の断面図において磁電変換素子は
マイカ基板９と、磁気抵抗素子パタ−ン２と電極膜４
ａ、４ａと、前記電極膜４ａ、４ａの端面のみを露出す
るように形成された磁気抵抗素子パタ−ン２と電極膜４
ａ、４ａとを保護するための保護膜５と、前記保護膜５
に樹脂層７を介して接着された磁性体基板１と、前記電
極膜４ａ、４ａの端面に接続された外部接続用電極６、
６とを有する構造となっている。
【０００３】従来例磁電変換素子の製造方法を、工程順
に図１６〜図２１を参照して説明する。なお現実には多
数の素子をまとめて加工し適当な段階で分離し完成品と
するが、説明の都合上一つの素子のみ図示する。本願発
明に関する記述についても同様である。
に図１６〜図２１を参照して説明する。なお現実には多
数の素子をまとめて加工し適当な段階で分離し完成品と
するが、説明の都合上一つの素子のみ図示する。本願発
明に関する記述についても同様である。
【０００４】まず、図１６に示すように第１工程で、マ
イカ基板９にＩｎＳｂ薄膜層８を三温度法により、基板
温度３７０〜４８０℃、真空度０．７〜２．０×１０-6
Ｔｏｒｒの成膜条件により蒸着して形成する。次に、図
１７に示すように第２工程で、マイカ基板９にガラス基
板１０を樹脂層７ａを介して接着する。この樹脂層７ａ
の材料はたとえばエポキシ樹脂でその硬化温度は１００
〜１５０℃である。次に、図１８に示すように第３工程
で、フォトリソグラフィ−によりＩｎＳｂ薄膜層８をミ
アンダライン状にパタ−ン化し、磁気抵抗素子パタ−ン
２および電極膜４ａ、４ａに形成する。次に図１９に示
すように第４工程で、基板９表面の全面にＣｕを上層、
Ｔｉを下層とする金属膜を真空蒸着法により成膜し、こ
れを接続電極４ｂと電気良導性薄膜として作用するショ
−トバ−４ｓに、フォトリソグラフィ−により同時にパ
タ−ン形成する。次に、図２０に示すように第５工程
で、磁気抵抗素子パタ−ン２の形成面側に保護膜５を設
けたうえで樹脂層７を介して磁性体基板１を接着する。
この樹脂層７の材料はたとえばエポキシ樹脂でその硬化
温度は１００〜１５０℃である。次に図２１に示すよう
に第６工程で、マイカ基板９を一部残してガラス基板１
０を剥離する。残したマイカ基板９は保護膜として機能
する。次に接続電極４ｂ、４ｂの連結部分をダイシング
ソ−により各チップごとに切り離す。この切断加工によ
りチップ内部に形成された接続電極４ｂ、４ｂの端がチ
ップの端面に露出する。次に、第７工程でチップの端面
に露出した接続電極４ｂ、４ｂに接続するように三元マ
グネトロンスパッタ法によりＡｇ／モネル／Ｎｉ・Ｃｒ
の三層からなる外部接続用電極６、６を形成する。以上
の工程により図１５に示す断面構造を持つ磁電変換素子
が得られる。
イカ基板９にＩｎＳｂ薄膜層８を三温度法により、基板
温度３７０〜４８０℃、真空度０．７〜２．０×１０-6
Ｔｏｒｒの成膜条件により蒸着して形成する。次に、図
１７に示すように第２工程で、マイカ基板９にガラス基
板１０を樹脂層７ａを介して接着する。この樹脂層７ａ
の材料はたとえばエポキシ樹脂でその硬化温度は１００
〜１５０℃である。次に、図１８に示すように第３工程
で、フォトリソグラフィ−によりＩｎＳｂ薄膜層８をミ
アンダライン状にパタ−ン化し、磁気抵抗素子パタ−ン
２および電極膜４ａ、４ａに形成する。次に図１９に示
すように第４工程で、基板９表面の全面にＣｕを上層、
Ｔｉを下層とする金属膜を真空蒸着法により成膜し、こ
れを接続電極４ｂと電気良導性薄膜として作用するショ
−トバ−４ｓに、フォトリソグラフィ−により同時にパ
タ−ン形成する。次に、図２０に示すように第５工程
で、磁気抵抗素子パタ−ン２の形成面側に保護膜５を設
けたうえで樹脂層７を介して磁性体基板１を接着する。
この樹脂層７の材料はたとえばエポキシ樹脂でその硬化
温度は１００〜１５０℃である。次に図２１に示すよう
に第６工程で、マイカ基板９を一部残してガラス基板１
０を剥離する。残したマイカ基板９は保護膜として機能
する。次に接続電極４ｂ、４ｂの連結部分をダイシング
ソ−により各チップごとに切り離す。この切断加工によ
りチップ内部に形成された接続電極４ｂ、４ｂの端がチ
ップの端面に露出する。次に、第７工程でチップの端面
に露出した接続電極４ｂ、４ｂに接続するように三元マ
グネトロンスパッタ法によりＡｇ／モネル／Ｎｉ・Ｃｒ
の三層からなる外部接続用電極６、６を形成する。以上
の工程により図１５に示す断面構造を持つ磁電変換素子
が得られる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
従来の磁電変換素子においては、次のような問題があっ
た。すなわちＩｎＳｂ薄膜層が全体に渡って均質に形成
されるため、ショ−トバ−と二層に形成されたＩｎＳｂ
薄膜層と、ショ−トバ−が形成されていない部分に形成
されたＩｎＳｂ薄膜層とが共にほぼ同じ値のホ−ル移動
度を示す。したがって別に形成された電極膜によるショ
−トバ−だけで短絡効果を得るので短絡効果が小さなも
のとなる。また磁気抵抗素子パタ−ンの上面の全面にＣ
ｕ、Ｔｉの二層構造を持つ電極膜を蒸着などにより形成
したあと、フォトリソグラフィ−によりショ−トバ−に
形成するため磁気抵抗素子パタ−ンを損傷することがあ
る。本発明の目的は、大きな短絡効果を示すショ−トバ
−を持つ磁電変換素子及びその製造方法を提供するもの
である。
従来の磁電変換素子においては、次のような問題があっ
た。すなわちＩｎＳｂ薄膜層が全体に渡って均質に形成
されるため、ショ−トバ−と二層に形成されたＩｎＳｂ
薄膜層と、ショ−トバ−が形成されていない部分に形成
されたＩｎＳｂ薄膜層とが共にほぼ同じ値のホ−ル移動
度を示す。したがって別に形成された電極膜によるショ
−トバ−だけで短絡効果を得るので短絡効果が小さなも
のとなる。また磁気抵抗素子パタ−ンの上面の全面にＣ
ｕ、Ｔｉの二層構造を持つ電極膜を蒸着などにより形成
したあと、フォトリソグラフィ−によりショ−トバ−に
形成するため磁気抵抗素子パタ−ンを損傷することがあ
る。本発明の目的は、大きな短絡効果を示すショ−トバ
−を持つ磁電変換素子及びその製造方法を提供するもの
である。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の磁電変換素子
は、磁気抵抗素子膜と、この磁気抵抗素子膜に流れる電
流方向と交差する方向に伸びて前記磁気抵抗素子膜とで
層状部分を構成する電極膜とを基板に設けた磁電変換素
子において、基板と磁気抵抗素子膜との間に電極膜を配
置した部分を有しこの部分のホ−ル移動度を他の部分よ
り小さくした事を特徴とする。
は、磁気抵抗素子膜と、この磁気抵抗素子膜に流れる電
流方向と交差する方向に伸びて前記磁気抵抗素子膜とで
層状部分を構成する電極膜とを基板に設けた磁電変換素
子において、基板と磁気抵抗素子膜との間に電極膜を配
置した部分を有しこの部分のホ−ル移動度を他の部分よ
り小さくした事を特徴とする。
【０００７】また本発明の磁電変換素子の製造方法は、
磁気抵抗素子膜と、この磁気抵抗素子膜に流れる電流方
向と交差する方向に伸びて前記磁気抵抗素子膜とで層状
部分を構成する電極膜とを基板に設けた磁電変換素子の
製造方法において、あらかじめ電極膜が形成された基板
上に磁気抵抗素子膜を形成することを特徴とする。
磁気抵抗素子膜と、この磁気抵抗素子膜に流れる電流方
向と交差する方向に伸びて前記磁気抵抗素子膜とで層状
部分を構成する電極膜とを基板に設けた磁電変換素子の
製造方法において、あらかじめ電極膜が形成された基板
上に磁気抵抗素子膜を形成することを特徴とする。
【０００８】
【作用】本発明による磁電変換素子の製造方法は、あら
かじめショ−トバ−として働く電極膜が形成された基板
に、磁気抵抗素子パタ−ンを形成するため、基板上のシ
ョ−トバ−と二層に形成されたＩｎＳｂ薄膜層と、ショ
−トバ−が形成されていない部分のＩｎＳｂ薄膜層とで
ホ−ル移動度が異なるので従来よりも大きな短絡効果が
得られる。また電極膜を形成した後に磁気抵抗素子パタ
−ンを形成するので、従来の製造方法のように電極膜を
フォトリソグラフィ−により形成するときに磁気抵抗素
子パタ−ンを損傷することがなくなる。
かじめショ−トバ−として働く電極膜が形成された基板
に、磁気抵抗素子パタ−ンを形成するため、基板上のシ
ョ−トバ−と二層に形成されたＩｎＳｂ薄膜層と、ショ
−トバ−が形成されていない部分のＩｎＳｂ薄膜層とで
ホ−ル移動度が異なるので従来よりも大きな短絡効果が
得られる。また電極膜を形成した後に磁気抵抗素子パタ
−ンを形成するので、従来の製造方法のように電極膜を
フォトリソグラフィ−により形成するときに磁気抵抗素
子パタ−ンを損傷することがなくなる。
【０００９】
【実施例】本発明の実施例に係る磁電変換素子２０の構
造を図１〜図３を用いて説明する。図１は磁電変換素子
２０の外観斜視図、図２は磁電変換素子２０を構成する
磁気抵抗素子パタ−ンの平面図、図３は磁電変換素子２
０の垂直断面図である。
造を図１〜図３を用いて説明する。図１は磁電変換素子
２０の外観斜視図、図２は磁電変換素子２０を構成する
磁気抵抗素子パタ−ンの平面図、図３は磁電変換素子２
０の垂直断面図である。
【００１０】磁電変換素子２０は、マイカ基板９に磁気
抵抗素子パタ−ン２が形成され、前記磁気抵抗素子パタ
−ン２の形成面にシリカなどからなる保護膜５が形成さ
れ、樹脂層７により磁性体基板１が接着され、前記磁気
抵抗素子パタ−ン２を構成する接続電極４ｂと電気的に
接続する外部接続用電極６，６が前記磁気抵抗素子２０
の端面に形成されるという構造となっている。
抵抗素子パタ−ン２が形成され、前記磁気抵抗素子パタ
−ン２の形成面にシリカなどからなる保護膜５が形成さ
れ、樹脂層７により磁性体基板１が接着され、前記磁気
抵抗素子パタ−ン２を構成する接続電極４ｂと電気的に
接続する外部接続用電極６，６が前記磁気抵抗素子２０
の端面に形成されるという構造となっている。
【００１１】この構造の磁電変換素子２０の製造方法を
工程順に図４〜図９を参照して説明する。
工程順に図４〜図９を参照して説明する。
【００１２】まず、図４に示すように第１工程で、マイ
カなどからなる基板９にＣｕ／Ｔｉの２層からなる金属
膜３を真空蒸着法により成膜し、次に図５に示すように
第２工程で、接続電極４ｂと電気良導性薄膜として作用
するショ−トバ−４ｓに、フォトリソグラフィ−により
同時にパタ−ン形成する。次に図６に示すように第３工
程で、ＩｎＳｂ薄膜層８を三温度法により、基板温度３
７０〜４８０℃、真空度０．７〜２．０×１０-6Ｔｏｒ
ｒの成膜条件で、前記基板９の接続電極４ｂ、４ｂおよ
びショ−トバ−４ｓを形成した面の全面に形成する。次
に図７に示すように第４工程で、前記ＩｎＳｂ薄膜層８
を、フォトリソグラフィ−によりミアンダライン状にパ
タ−ン化し、磁気抵抗素子パタ−ン２および電極膜４
ａ、４ａを形成する。次に図８に示すように第５工程
で、磁気抵抗素子パタ−ン２および電極膜４ａ、４ａを
保護するために、ＳｉＯもしくはＳｉＯ2 からなる保護
膜５をスピンオングラス法もしくは反応性スパッタリン
グなどにより前記磁気抵抗素子パタ−ン２および電極膜
４ａ、４ａの上面に形成する。次に図９に示すように第
６工程で、保護膜５の上層に樹脂層７を介して磁性体基
板１を接着する。この樹脂材料はたとえばエポキシ樹脂
でその硬化温度は１００〜１５０℃である。
カなどからなる基板９にＣｕ／Ｔｉの２層からなる金属
膜３を真空蒸着法により成膜し、次に図５に示すように
第２工程で、接続電極４ｂと電気良導性薄膜として作用
するショ−トバ−４ｓに、フォトリソグラフィ−により
同時にパタ−ン形成する。次に図６に示すように第３工
程で、ＩｎＳｂ薄膜層８を三温度法により、基板温度３
７０〜４８０℃、真空度０．７〜２．０×１０-6Ｔｏｒ
ｒの成膜条件で、前記基板９の接続電極４ｂ、４ｂおよ
びショ−トバ−４ｓを形成した面の全面に形成する。次
に図７に示すように第４工程で、前記ＩｎＳｂ薄膜層８
を、フォトリソグラフィ−によりミアンダライン状にパ
タ−ン化し、磁気抵抗素子パタ−ン２および電極膜４
ａ、４ａを形成する。次に図８に示すように第５工程
で、磁気抵抗素子パタ−ン２および電極膜４ａ、４ａを
保護するために、ＳｉＯもしくはＳｉＯ2 からなる保護
膜５をスピンオングラス法もしくは反応性スパッタリン
グなどにより前記磁気抵抗素子パタ−ン２および電極膜
４ａ、４ａの上面に形成する。次に図９に示すように第
６工程で、保護膜５の上層に樹脂層７を介して磁性体基
板１を接着する。この樹脂材料はたとえばエポキシ樹脂
でその硬化温度は１００〜１５０℃である。
【００１３】以上の工程までで形成された磁電変換素子
２０は接続電極４ｂ、４ｂで相互に連結するように複数
個形成されている。次に接続電極４ｂ、４ｂの連結部分
をダイシングソ−により各チップごとに切り離す。この
切断加工によりチップ内部に形成された接続電極４ｂ、
４ｂの端がチップの端面に露出する。次に、図３の断面
図に示すように第７工程でチップの端面に露出した接続
電極４ｂ、４ｂに接続するように三元マグネトロンスパ
ッタ法によりＡｇ／モネル／Ｎｉ・Ｃｒの三層からなる
外部接続用電極６、６を形成し磁電変換素子２０を完成
する。
２０は接続電極４ｂ、４ｂで相互に連結するように複数
個形成されている。次に接続電極４ｂ、４ｂの連結部分
をダイシングソ−により各チップごとに切り離す。この
切断加工によりチップ内部に形成された接続電極４ｂ、
４ｂの端がチップの端面に露出する。次に、図３の断面
図に示すように第７工程でチップの端面に露出した接続
電極４ｂ、４ｂに接続するように三元マグネトロンスパ
ッタ法によりＡｇ／モネル／Ｎｉ・Ｃｒの三層からなる
外部接続用電極６、６を形成し磁電変換素子２０を完成
する。
【００１４】なお前記磁電変換素子を構成する材料とし
ては、上で説明したように磁気抵抗素子パタ−ン２を形
成する基板９にはマイカ基板を、金属膜３にはＣｕ／Ｔ
ｉの二層を、保護膜５にはＳｉＯもしくはＳｉＯ2 を、
最上面には磁性体基板１を用いた一実施例について述べ
たが、これらの材料に限定はしない。
ては、上で説明したように磁気抵抗素子パタ−ン２を形
成する基板９にはマイカ基板を、金属膜３にはＣｕ／Ｔ
ｉの二層を、保護膜５にはＳｉＯもしくはＳｉＯ2 を、
最上面には磁性体基板１を用いた一実施例について述べ
たが、これらの材料に限定はしない。
【００１５】すなわち基板９は、シリコン基板、ガラス
基板、アルミナ基板、フェライト基板など一般的に基板
として使用できるものなら何でもよい。また金属膜３の
接着強度を向上させるためにあらかじめＩｎＳｂ薄膜を
蒸着しておいてもよい。
基板、アルミナ基板、フェライト基板など一般的に基板
として使用できるものなら何でもよい。また金属膜３の
接着強度を向上させるためにあらかじめＩｎＳｂ薄膜を
蒸着しておいてもよい。
【００１６】また金属膜３はＡｌ／Ｔｉの二層構造でも
よいし、Ａｌ、Ａｕなどの単一材料の一層構造でも、あ
るいはＣｒ・Ｃｕの合金からなる一層構造でもよい。
よいし、Ａｌ、Ａｕなどの単一材料の一層構造でも、あ
るいはＣｒ・Ｃｕの合金からなる一層構造でもよい。
【００１７】また図１０に示すように、磁性体基板１を
接着するための樹脂層７の材料を用いて保護膜５ａを形
成することも可能であるし、図１１に示すようにマイカ
基板９の下面側に樹脂層７ｂを介して磁性体基板１ａを
接着する構造でも良い。
接着するための樹脂層７の材料を用いて保護膜５ａを形
成することも可能であるし、図１１に示すようにマイカ
基板９の下面側に樹脂層７ｂを介して磁性体基板１ａを
接着する構造でも良い。
【００１８】なお以上の実施例に示したように外部接続
用電極６、６は磁気抵抗効果素子２０の端面に露出した
接続電極４ｂ、４ｂと電気的に接続されていれば良いの
で、図１２の断面図に示すように端面の全面に形成され
ていてもよいし、図１３の断面図に示すように、上面の
マイカ基板９の端面と下面の磁性体基板１にまたがって
形成されていてもよい。さらには図１４に示すように、
外部接続用電極６、６に変えて金属製の外部接続用端子
１１、１１を取り付けた構造としても良い。
用電極６、６は磁気抵抗効果素子２０の端面に露出した
接続電極４ｂ、４ｂと電気的に接続されていれば良いの
で、図１２の断面図に示すように端面の全面に形成され
ていてもよいし、図１３の断面図に示すように、上面の
マイカ基板９の端面と下面の磁性体基板１にまたがって
形成されていてもよい。さらには図１４に示すように、
外部接続用電極６、６に変えて金属製の外部接続用端子
１１、１１を取り付けた構造としても良い。
【００１９】なお本発明の構造の磁電変換素子において
磁気抵抗変化率を測定したところ、感度が１０％上昇し
た事が確認できた。
磁気抵抗変化率を測定したところ、感度が１０％上昇し
た事が確認できた。
【００２０】
【発明の効果】この発明の磁電変換素子は、磁気抵抗素
子膜と、この磁気抵抗素子膜に流れる電流方向と交差す
る方向に伸びて前記磁気抵抗素子膜とで層状部分を構成
する電極膜とを基板に設けた磁電変換素子において、基
板と磁気抵抗素子膜との間に電極膜を配置した部分を有
しこの部分のホ−ル移動度を他の部分より小さくしたの
で短絡効果が大きくなり、高感度の磁電変換素子が得ら
れる。
子膜と、この磁気抵抗素子膜に流れる電流方向と交差す
る方向に伸びて前記磁気抵抗素子膜とで層状部分を構成
する電極膜とを基板に設けた磁電変換素子において、基
板と磁気抵抗素子膜との間に電極膜を配置した部分を有
しこの部分のホ−ル移動度を他の部分より小さくしたの
で短絡効果が大きくなり、高感度の磁電変換素子が得ら
れる。
【００２１】また本発明の磁電変換素子の製造方法は、
磁気抵抗素子膜と、この磁気抵抗素子膜に流れる電流方
向と交差する方向に伸びて前記磁気抵抗素子膜とで層状
部分を構成する電極膜とを基板に設けた磁電変換素子の
製造方法において、あらかじめ電極膜が形成された基板
上に磁気抵抗素子膜を形成する。その結果電極膜上の磁
気抵抗素子膜は多結晶で粒子径の小さな構造となり、基
板上の磁気抵抗素子膜は粒子が成長し単結晶に近い構造
となるため、短絡効果が大きくなり、高感度の磁電変換
素子が得られる。
磁気抵抗素子膜と、この磁気抵抗素子膜に流れる電流方
向と交差する方向に伸びて前記磁気抵抗素子膜とで層状
部分を構成する電極膜とを基板に設けた磁電変換素子の
製造方法において、あらかじめ電極膜が形成された基板
上に磁気抵抗素子膜を形成する。その結果電極膜上の磁
気抵抗素子膜は多結晶で粒子径の小さな構造となり、基
板上の磁気抵抗素子膜は粒子が成長し単結晶に近い構造
となるため、短絡効果が大きくなり、高感度の磁電変換
素子が得られる。
【００２２】さらに電極膜を形成した後に磁気抵抗素子
膜を形成するので、従来の製造方法のように電極膜を形
成するときに磁気抵抗素子膜を損傷することがなくな
る。
膜を形成するので、従来の製造方法のように電極膜を形
成するときに磁気抵抗素子膜を損傷することがなくな
る。
【図１】本発明の磁電変換素子の実施例に係る外観斜視
図である。
図である。
【図２】本発明の一実施例磁電変換素子を構成する磁気
抵抗素子パタ−ンの平面図である。
抵抗素子パタ−ンの平面図である。
【図３】本発明の一実施例磁電変換素子の垂直断面図で
ある。
ある。
【図４】本発明の一実施例磁電変換素子の製造方法にお
ける第１工程の状態を示す図である。
ける第１工程の状態を示す図である。
【図５】本発明の一実施例磁電変換素子の製造方法にお
ける第２工程の状態を示す図である。
ける第２工程の状態を示す図である。
【図６】本発明の一実施例磁電変換素子の製造方法にお
ける第３工程の状態を示す図である。
ける第３工程の状態を示す図である。
【図７】本発明の一実施例磁電変換素子の製造方法にお
ける第４工程の状態を示す図である。
ける第４工程の状態を示す図である。
【図８】本発明の一実施例磁電変換素子の製造方法にお
ける第５工程の状態を示す図である。
ける第５工程の状態を示す図である。
【図９】本発明の一実施例磁電変換素子の製造方法にお
ける第６工程の状態を示す図である。
ける第６工程の状態を示す図である。
【図１０】本発明の別の実施例磁電変換素子の断面図で
ある。
ある。
【図１１】本発明の別の実施例磁電変換素子の断面図で
ある。
ある。
【図１２】本発明の別の実施例磁電変換素子の断面図で
ある。
ある。
【図１３】本発明の別の実施例磁電変換素子の断面図で
ある。
ある。
【図１４】本発明の別の実施例磁電変換素子の断面図で
ある。
ある。
【図１５】従来の磁電変換素子の断面図である。
【図１６】従来の磁電変換素子の製造方法における第１
工程の状態を示す図である。
工程の状態を示す図である。
【図１７】従来の磁電変換素子の製造方法における第２
工程の状態を示す図である。
工程の状態を示す図である。
【図１８】従来の磁電変換素子の製造方法における第３
工程の状態を示す図である。
工程の状態を示す図である。
【図１９】従来の磁電変換素子の製造方法における第４
工程の状態を示す図である。
工程の状態を示す図である。
【図２０】従来の磁電変換素子の製造方法における第５
工程の状態を示す図である。
工程の状態を示す図である。
【図２１】従来の磁電変換素子の製造方法における第６
工程の状態を示す図である。
工程の状態を示す図である。
１、１ａ 磁性体基板 ２ 磁気抵抗素子パタ−ン ３ 金属膜 ４ａ 電極膜 ４ｂ 接続電極 ４ｓ ショ−トバ− ５、５ａ 保護膜 ６ 外部接続用電極 ７、７ａ、７ｂ 樹脂層 ８ ＩｎＳｂ薄膜層 ９ マイカ基板 １０ ガラス基板 １１ 外部接続用端子 ２０ 磁電変換素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小木曽 美文 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内
Claims (2)
- 【請求項１】磁気抵抗素子膜と、この磁気抵抗素子膜に
流れる電流方向と交差する方向に伸びて前記磁気抵抗素
子膜とで層状部分を構成する電極膜とを基板に設けた磁
電変換素子において、基板と磁気抵抗素子膜との間に電
極膜を配置した部分を有しこの部分のホ−ル移動度を他
の部分より小さくした事を特徴とする磁電変換素子。 - 【請求項２】磁気抵抗素子膜と、この磁気抵抗素子膜に
流れる電流方向と交差する方向に伸びて前記磁気抵抗素
子膜とで層状部分を構成する電極膜とを基板に設けた磁
電変換素子の製造方法において、あらかじめ電極膜が形
成された基板上に磁気抵抗素子膜を形成することを特徴
とする磁電変換素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6094283A JPH07302939A (ja) | 1994-05-06 | 1994-05-06 | 磁電変換素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6094283A JPH07302939A (ja) | 1994-05-06 | 1994-05-06 | 磁電変換素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07302939A true JPH07302939A (ja) | 1995-11-14 |
Family
ID=14105937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6094283A Pending JPH07302939A (ja) | 1994-05-06 | 1994-05-06 | 磁電変換素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07302939A (ja) |
-
1994
- 1994-05-06 JP JP6094283A patent/JPH07302939A/ja active Pending
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