JP3557750B2 - 磁電変換素子 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は磁電変換素子の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、ＩｎＳｂなどの膜からなる磁気抵抗効果膜を有する磁電変換素子を用いて、磁場の変化を電気信号に変換することにより位置や角度を検出するための検出装置が実用化されている。
【０００３】
従来の磁電変換素子の構造を図３の断面図を用いて説明する。
【０００４】
従来の磁電変換素子３０は、図示するように、ＩｎＳｂからなる磁気抵抗効果を呈する磁気抵抗効果膜１を有しており、磁気抵抗効果膜１の一方の面には断続的に複数個の短絡膜２、２．．．２が電気伝導性の高い金属材料により形成され、両端に電気抵抗値の変化を入力あるいは出力するための端部電極３、３が、短絡膜と同一の材料により形成されている。磁気抵抗効果膜１の一方の面は、樹脂層４により磁性体からなる第一の基板５ａに接着されている。さらに、磁気抵抗効果膜１の他方の面には磁気抵抗効果膜１を保護するための保護膜６が形成され、磁性体からなる第二の基板５ｂが、樹脂層４により保護膜６に接着されている。さらに磁電変換素子３０の端面には端部電極３、３に接続する入出力部７、７が形成されている。上述した磁電変換素子３０は、直方体形状を有している。
【０００５】
なお図示はしないが、磁電変換素子は検出装置の所定の位置に正確に取り付けられて、検出装置が構成されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述した従来の磁電変換素子は、小型であるために、正確に検出装置に取り付けることが困難であり、素子がずれたり傾いて取り付けられた場合には、検出装置の精度が悪くなるという問題があった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記問題点を解決するためになされたものであり、磁電変換素子を検出装置に組み立てる際に、素子が保持できるように、磁電変換素子の端面に段部を設けたものである。
【０００８】
本発明の磁電変換素子は、一方の面の、両端にそれぞれ端部電極が形成され、かつ中央部に断続的に複数個の短絡膜が形成され、他方の面に保護膜が形成された磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜の、一方の面に樹脂層により接着された第一の基板と、他方の面に樹脂層により接着された第二の基板と、前記第一の基板と第二の基板の端面に形成され、前記端部電極と電気的に接続する入出力部とを有する磁電変換素子において、前記第一の基板と第二の基板の少なくとも一方の基板の側面に、段部が形成されていることを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を図１、２を用いて説明する。図１は磁電変換素子の斜視図、図２は磁電変換素子の製造工程を示す図である。なお従来例と同一の部分については同一の符号を用いその説明を省略する。
【００１０】
本発明の一実施例磁電変換素子２０は、図１に示すように、第一の基板５ａと、本発明の特徴である段部８、８を有する第二の基板５ｂと、第一の基板５ａと第二の基板５ｂとの間に形成された磁気抵抗効果膜（図示せず）と、入出力部７、７とを有している。なお磁気抵抗効果膜１の構成は従来例と同一であるため、その説明を省略する。
【００１１】
本発明の磁電変換素子の製造方法を、図２を用いて説明する。なお複数個の磁電変換素子が基板に形成された多数個取りの場合について説明する。
【００１２】
まず図２（１）に示す第１工程で磁気抵抗効果を有するＩｎＳｂからなるバルク９を準備し、電気伝導性の高い金属からなる金属膜１０を真空蒸着法により形成する。次に図２（２）に示す第２工程で、金属膜１０をフォトリソグラフィ−法により複数個の短絡膜２、２．．．２と、端部電極３、３とに形成する。次に図２（３）に示す第３工程で、バルク９を磁気抵抗効果膜１、端部電極３、３の形状にフォトリソグラフィ−法により形成する。次に図２（４）に示す第４工程で、バルク９の磁気抵抗効果膜１が形成された面を樹脂層４により、磁性体からなる第一の基板５ａに接着する。次に図２（５）に示す第５工程で、バルク９を、研磨により薄膜化して、磁気抵抗効果膜１、端部電極３、３に形成する。次に図２（６）に示す第６工程で、磁気抵抗効果膜１を保護するためのシリカなどの金属酸化物からなる保護膜６を形成する。次に図２（７）に示す第７工程で、第二の基板５ｂを樹脂層４により保護膜６に接着する。次に図２（８）に示す第８工程で、多数個の磁電変換素子の側面となる部分に、図１に示す段部８、８をダイシングソ−により形成し、続いて個々の磁電変換素子２０に切断する。なお段部８、８は図２における断面と平行に形成される。次に図２（９）に示す第９工程で、磁電変換素子２０の端面であって、切断面に露出した端部電極３、３に電気的に接続するように、入力電極あるいは出力電極としてはたらく入出力部７、７を、Ａｇ、Ｃｕ−ＮｉあるいはＮｉ−Ｃｒなどの金属材料を三元マグネトロンスパッタリング法を用いて形成する。以上の工程により磁電変換素子２０が得られる。
【００１３】
なお段部８、８は、段付きの切断刃を有するダイシングソ−を用いて、個々の磁電変換素子に切断分離する工程と同一の工程で形成してもよい。
【００１４】
さらに段部８、８は上述したように、第二の基板５ｂのみに形成されてもよいが、第二の基板５ｂと第一の基板５ａとにわたって形成されてもよい。
【００１５】
さらにまた段部８，８が、第一の基板５ａおよび第二の基板５ｂの両方に、両面から樹脂層４に向かって形成されてもよい。
【００１６】
さらにまた本実施例の磁電変換素子２０は、入出力部７、７としてはたらく入力電極と出力電極を有する場合について述べたが、入出力部７、７として作用する接続端子（図示せず）が端部電極３、３に接続されてもよい。
【００１７】
さらにまた磁気抵抗効果膜１をスパッタリング法およびフォトリソグラフィ−法などの薄膜形成技術により形成してもよい。
【００１８】
本実施例で説明した磁電変換素子を用いて検出装置を組み立てるには、検出装置の磁電変換素子を載置する位置に、段部を用いて固定するので、精度よく位置決めができる。したがって検出精度が高い検出装置を製造することができる。
【００１９】
【発明の効果】
本発明によれば、磁電変換素子に段部が形成されているので、検知装置を構成するときに、検知装置の構成部品に精度よく取り付けることができる。したがって精度のよい検知装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例磁電変換素子の斜視図である。
【図２】本発明の一実施例磁電変換素子の製造工程を示す図である。
【図３】従来の磁電変換素子の断面図である。
【符号の説明】
１ 磁気抵抗効果膜
２ 短絡膜
３ 端部電極
４ 樹脂層
５ａ、５ｂ 基板
６ 保護膜
７ 入出力部
８ 段部
９ バルク
１０ 金属膜
２０、３０ 磁電変換素子
【発明の属する技術分野】本発明は磁電変換素子の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、ＩｎＳｂなどの膜からなる磁気抵抗効果膜を有する磁電変換素子を用いて、磁場の変化を電気信号に変換することにより位置や角度を検出するための検出装置が実用化されている。
【０００３】
従来の磁電変換素子の構造を図３の断面図を用いて説明する。
【０００４】
従来の磁電変換素子３０は、図示するように、ＩｎＳｂからなる磁気抵抗効果を呈する磁気抵抗効果膜１を有しており、磁気抵抗効果膜１の一方の面には断続的に複数個の短絡膜２、２．．．２が電気伝導性の高い金属材料により形成され、両端に電気抵抗値の変化を入力あるいは出力するための端部電極３、３が、短絡膜と同一の材料により形成されている。磁気抵抗効果膜１の一方の面は、樹脂層４により磁性体からなる第一の基板５ａに接着されている。さらに、磁気抵抗効果膜１の他方の面には磁気抵抗効果膜１を保護するための保護膜６が形成され、磁性体からなる第二の基板５ｂが、樹脂層４により保護膜６に接着されている。さらに磁電変換素子３０の端面には端部電極３、３に接続する入出力部７、７が形成されている。上述した磁電変換素子３０は、直方体形状を有している。
【０００５】
なお図示はしないが、磁電変換素子は検出装置の所定の位置に正確に取り付けられて、検出装置が構成されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述した従来の磁電変換素子は、小型であるために、正確に検出装置に取り付けることが困難であり、素子がずれたり傾いて取り付けられた場合には、検出装置の精度が悪くなるという問題があった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記問題点を解決するためになされたものであり、磁電変換素子を検出装置に組み立てる際に、素子が保持できるように、磁電変換素子の端面に段部を設けたものである。
【０００８】
本発明の磁電変換素子は、一方の面の、両端にそれぞれ端部電極が形成され、かつ中央部に断続的に複数個の短絡膜が形成され、他方の面に保護膜が形成された磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜の、一方の面に樹脂層により接着された第一の基板と、他方の面に樹脂層により接着された第二の基板と、前記第一の基板と第二の基板の端面に形成され、前記端部電極と電気的に接続する入出力部とを有する磁電変換素子において、前記第一の基板と第二の基板の少なくとも一方の基板の側面に、段部が形成されていることを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を図１、２を用いて説明する。図１は磁電変換素子の斜視図、図２は磁電変換素子の製造工程を示す図である。なお従来例と同一の部分については同一の符号を用いその説明を省略する。
【００１０】
本発明の一実施例磁電変換素子２０は、図１に示すように、第一の基板５ａと、本発明の特徴である段部８、８を有する第二の基板５ｂと、第一の基板５ａと第二の基板５ｂとの間に形成された磁気抵抗効果膜（図示せず）と、入出力部７、７とを有している。なお磁気抵抗効果膜１の構成は従来例と同一であるため、その説明を省略する。
【００１１】
本発明の磁電変換素子の製造方法を、図２を用いて説明する。なお複数個の磁電変換素子が基板に形成された多数個取りの場合について説明する。
【００１２】
まず図２（１）に示す第１工程で磁気抵抗効果を有するＩｎＳｂからなるバルク９を準備し、電気伝導性の高い金属からなる金属膜１０を真空蒸着法により形成する。次に図２（２）に示す第２工程で、金属膜１０をフォトリソグラフィ−法により複数個の短絡膜２、２．．．２と、端部電極３、３とに形成する。次に図２（３）に示す第３工程で、バルク９を磁気抵抗効果膜１、端部電極３、３の形状にフォトリソグラフィ−法により形成する。次に図２（４）に示す第４工程で、バルク９の磁気抵抗効果膜１が形成された面を樹脂層４により、磁性体からなる第一の基板５ａに接着する。次に図２（５）に示す第５工程で、バルク９を、研磨により薄膜化して、磁気抵抗効果膜１、端部電極３、３に形成する。次に図２（６）に示す第６工程で、磁気抵抗効果膜１を保護するためのシリカなどの金属酸化物からなる保護膜６を形成する。次に図２（７）に示す第７工程で、第二の基板５ｂを樹脂層４により保護膜６に接着する。次に図２（８）に示す第８工程で、多数個の磁電変換素子の側面となる部分に、図１に示す段部８、８をダイシングソ−により形成し、続いて個々の磁電変換素子２０に切断する。なお段部８、８は図２における断面と平行に形成される。次に図２（９）に示す第９工程で、磁電変換素子２０の端面であって、切断面に露出した端部電極３、３に電気的に接続するように、入力電極あるいは出力電極としてはたらく入出力部７、７を、Ａｇ、Ｃｕ−ＮｉあるいはＮｉ−Ｃｒなどの金属材料を三元マグネトロンスパッタリング法を用いて形成する。以上の工程により磁電変換素子２０が得られる。
【００１３】
なお段部８、８は、段付きの切断刃を有するダイシングソ−を用いて、個々の磁電変換素子に切断分離する工程と同一の工程で形成してもよい。
【００１４】
さらに段部８、８は上述したように、第二の基板５ｂのみに形成されてもよいが、第二の基板５ｂと第一の基板５ａとにわたって形成されてもよい。
【００１５】
さらにまた段部８，８が、第一の基板５ａおよび第二の基板５ｂの両方に、両面から樹脂層４に向かって形成されてもよい。
【００１６】
さらにまた本実施例の磁電変換素子２０は、入出力部７、７としてはたらく入力電極と出力電極を有する場合について述べたが、入出力部７、７として作用する接続端子（図示せず）が端部電極３、３に接続されてもよい。
【００１７】
さらにまた磁気抵抗効果膜１をスパッタリング法およびフォトリソグラフィ−法などの薄膜形成技術により形成してもよい。
【００１８】
本実施例で説明した磁電変換素子を用いて検出装置を組み立てるには、検出装置の磁電変換素子を載置する位置に、段部を用いて固定するので、精度よく位置決めができる。したがって検出精度が高い検出装置を製造することができる。
【００１９】
【発明の効果】
本発明によれば、磁電変換素子に段部が形成されているので、検知装置を構成するときに、検知装置の構成部品に精度よく取り付けることができる。したがって精度のよい検知装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例磁電変換素子の斜視図である。
【図２】本発明の一実施例磁電変換素子の製造工程を示す図である。
【図３】従来の磁電変換素子の断面図である。
【符号の説明】
１ 磁気抵抗効果膜
２ 短絡膜
３ 端部電極
４ 樹脂層
５ａ、５ｂ 基板
６ 保護膜
７ 入出力部
８ 段部
９ バルク
１０ 金属膜
２０、３０ 磁電変換素子
Claims (1)
- 一方の面の、両端にそれぞれ端部電極が形成され、かつ中央部に断続的に複数個の短絡膜が形成され、他方の面に保護膜が形成された磁気抵抗効果膜と、
前記磁気抵抗効果膜の、一方の面に樹脂層により接着された第一の基板と、他方の面に樹脂層により接着された第二の基板と、
前記第一の基板と第二の基板の端面に形成され、前記端部電極と電気的に接続する入出力部とを有する磁電変換素子において、
前記第一の基板と第二の基板の少なくとも一方の基板の側面に、段部が形成されていることを特徴とする磁電変換素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24960495A JP3557750B2 (ja) | 1995-09-27 | 1995-09-27 | 磁電変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24960495A JP3557750B2 (ja) | 1995-09-27 | 1995-09-27 | 磁電変換素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0990008A JPH0990008A (ja) | 1997-04-04 |
| JP3557750B2 true JP3557750B2 (ja) | 2004-08-25 |
Family
ID=17195500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24960495A Expired - Fee Related JP3557750B2 (ja) | 1995-09-27 | 1995-09-27 | 磁電変換素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3557750B2 (ja) |
-
1995
- 1995-09-27 JP JP24960495A patent/JP3557750B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH0990008A (ja) | 1997-04-04 |
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